JP2012124364A - Ｌｅｄ用リードフレームまたは基板およびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】耐熱性を高めるとともに、反射用金属層と本体部との間の層を薄くすることが可能なＬＥＤ用リードフレームまたは基板およびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＬＥＤ用リードフレームまたは基板１０は、ＬＥＤ素子２１を載置する載置面１１ａを有する本体部１１と、本体部１１の載置面１１ａに設けられ、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層１２とを備えている。反射用金属層１２は、金と銀との合金または白金と銀との合金からなり、本体部１１は、銅または銅合金からなる。反射用金属層１２と本体部１１との間に中間介在層１５が設けられ、中間介在層１５は、本体部１１側から順に配置されたニッケル層１７と金層１８とを有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、ＬＥＤ素子を載置するＬＥＤ用リードフレームまたは基板およびその製造方法、ならびにこのようなＬＥＤ用リードフレームまたは基板を有する半導体装置およびその製造方法に関する。

従来より、ＬＥＤ（発光ダイオード）素子を光源として用いる照明装置が、各種家電、ＯＡ機器、車両機器の表示灯、一般照明、車載照明、およびディスプレイ等に用いられている。このような照明装置の中には、ＬＥＤ用基板とＬＥＤ素子とを有する半導体装置を含むものがある。

このような半導体装置として、例えば特許文献１には、Ｃｕ基板の一面側に凹部を形成して、ＬＥＤ素子をこの凹部に搭載し、該凹部側に配設された絶縁層上に接続用のＣｕ配線層を形成し、ＬＥＤの端子部とＣｕ配線層とをワイヤボンディング接続し、樹脂封止したものが記載されている。また特許文献１において、Ｃｕ配線層表面にはＡｇめっきが施されている。

特開２００６−２４５０３２号公報

ところで、とりわけ高輝度ＬＥＤを用いる場合、ＬＥＤ用半導体装置を封止する樹脂が強い光にさらされる。このため近年、樹脂に対して耐候性が要求されるようになってきており、このような樹脂としてシリコーン樹脂を使用する要求が高まっている。しかしながら、シリコーン樹脂を用いた場合、ガスバリア性が劣る傾向があるため、リードフレーム表面のＡｇ層にまで空気中の酸素や硫化水素ガス等の腐食性ガスが浸透してしまう。この結果、リードフレーム表面のＡｇ層が変色し、Ａｇ層の反射率を著しく低下させるという問題が生じている。

これに対して、本発明者らは、リードフレーム表面の金属層として、Ａｇ層に代えて合金層を用いた半導体装置を開発している。この半導体装置においては、合金層を用いることによりＬＥＤ素子からの光を効率良く反射するとともに、ガスによる腐食を抑えてＬＥＤ素子からの光の反射特性を維持することが可能となる。

しかしながら、このような半導体装置に熱を加えた場合、基板（本体部）に含まれる銅が合金層表面へ拡散し、半田濡れ性やボンディング性を劣化させるおそれがある。また、合金が銀合金であるため、合金層から内部へ向けて酸素が透過することにより、本体部の銅が酸化して剥離が生じるおそれがある。このため、リードフレーム表面の合金層と本体部の銅基材との間のＡｇ層を比較的厚く（例えば１〜５μｍ程度）して酸素の透過を減らすことにより、このような銅の酸化を遅らせている。

しかしながら、合金層と銅基材との間のＡｇ層を例えば１〜５μｍ程度まで厚くした場合、製造時にＡｇ層の厚みのばらつきが大きくなるため、ダイボンディング、ワイヤボンディングなどの組立工程における、製造マージンが少なくなってしまう。このため、半導体装置を製造する装置の速度を速めることができないという問題が生じている。

加えて、下面実装型リードフレームタイプのパッケージにおいて、リフレクター（外側樹脂部）を樹脂成型する場合には、めっき厚のばらつきの大きさが原因となり、金型を金属面に押し当てることによりキズが発生したり、金型と金属面とのギャップへ樹脂もれが生じ、これによりバリが発生したりすることが大きな問題となっている。

また、チップ搭載面からパッケージ上面（発光面）までの距離は、チップ厚などにより一定の厚さが必要であるが、反射金属が厚い場合には、パッケージの高さが高くなる問題があった。

本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、耐熱性を高めるとともに、反射用金属層と本体部との間の層を薄くすることが可能なＬＥＤ用リードフレームまたは基板およびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、ＬＥＤ素子を載置するＬＥＤ用リードフレームまたは基板において、ＬＥＤ素子を載置する載置面を有する本体部と、本体部の載置面に設けられ、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層とを備え、反射用金属層は、金と銀との合金からなり、本体部は、銅または銅合金からなり、反射用金属層と本体部との間に、中間介在層を設け、中間介在層は、本体部側から順に配置されたニッケル層と金層とを有することを特徴とするリードフレームまたは基板である。

本発明は、反射用金属層は、金５〜５０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することを特徴とするリードフレームまたは基板である。

本発明は、ＬＥＤ素子を載置するＬＥＤ用リードフレームまたは基板において、ＬＥＤ素子を載置する載置面を有する本体部と、本体部の載置面に設けられ、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層とを備え、反射用金属層は、白金と銀との合金からなり、本体部は、銅または銅合金からなり、反射用金属層と本体部との間に、中間介在層を設け、中間介在層は、本体部側から順に配置されたニッケル層と金層とを有することを特徴とするリードフレームまたは基板である。

本発明は、反射用金属層は、白金１０〜４０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することを特徴とするリードフレームまたは基板である。

本発明は、中間介在層は、ニッケル層の本体部側に設けられた銅層を更に有することを特徴とするリードフレームまたは基板である。

本発明は、ＬＥＤ素子を載置する載置面を含む本体部を有するＬＥＤ用リードフレームまたは基板と、リードフレームまたは基板の本体部の載置面上に載置されたＬＥＤ素子と、リードフレームまたは基板とＬＥＤ素子とを電気的に接続する導電部と、ＬＥＤ素子と導電部とを封止する封止樹脂部とを備え、ＬＥＤ用リードフレームまたは基板の本体部の載置面に、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層を設け、反射用金属層は、金と銀との合金からなり、本体部は、銅または銅合金からなり、反射用金属層と本体部との間に、中間介在層を設け、中間介在層は、本体部側から順に配置されたニッケル層と金層とを有することを特徴とする半導体装置である。

本発明は、反射用金属層は、金５〜５０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする半導体装置である。

本発明は、ＬＥＤ素子を載置する載置面を含む本体部を有するＬＥＤ用リードフレームまたは基板と、リードフレームまたは基板の本体部の載置面上に載置されたＬＥＤ素子と、リードフレームまたは基板とＬＥＤ素子とを電気的に接続する導電部と、ＬＥＤ素子と導電部とを封止する封止樹脂部とを備え、ＬＥＤ用リードフレームまたは基板の本体部の載置面に、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層を設け、反射用金属層は、白金と銀との合金からなり、本体部は、銅または銅合金からなり、反射用金属層と本体部との間に、中間介在層を設け、中間介在層は、本体部側から順に配置されたニッケル層と金層とを有することを特徴とする半導体装置である。

本発明は、反射用金属層は、白金１０〜４０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする半導体装置である。

本発明は、中間介在層は、ニッケル層の本体部側に設けられた銅層を更に有することを特徴とする半導体装置である。

本発明は、封止樹脂部はシリコーン樹脂からなることを特徴とする半導体装置である。

本発明は、ＬＥＤ素子を取り囲むとともに凹部を有する外側樹脂部を更に備え、封止樹脂部は、この外側樹脂部の凹部内に充填されていることを特徴とする半導体装置である。

本発明は、ＬＥＤ素子を載置するＬＥＤ用リードフレームまたは基板を製造するＬＥＤ用リードフレームまたは基板の製造方法において、ＬＥＤ素子を載置する載置面を有する本体部を準備する工程と、本体部上に、中間介在層を形成する工程と、中間介在層上に、反射層として機能する反射用金属層を形成する工程とを備え、反射用金属層は、金と銀との合金からなり、本体部は、銅または銅合金からなり、中間介在層は、本体部側から順に配置されたニッケル層と金層とを有することを特徴とするＬＥＤ用リードフレームまたは基板の製造方法である。

本発明は、ＬＥＤ素子を載置するＬＥＤ用リードフレームまたは基板を製造するＬＥＤ用リードフレームまたは基板の製造方法において、ＬＥＤ素子を載置する載置面を有する本体部を準備する工程と、本体部上に、中間介在層を形成する工程と、中間介在層上に、反射層として機能する反射用金属層を形成する工程とを備え、反射用金属層は、白金と銀との合金からなり、中間介在層は、本体部側から順に配置されたニッケル層と金層とを有することを特徴とするＬＥＤ用リードフレームまたは基板の製造方法である。

本発明は、半導体装置の製造方法において、ＬＥＤ素子を載置する載置面を有する本体部を準備する工程と、本体部上に、中間介在層を形成する工程と、中間介在層上に、反射層として機能する反射用金属層を形成する工程と、本体部の載置面上にＬＥＤ素子を載置し、ＬＥＤ素子と本体部とを導電部によって接続する工程と、ＬＥＤ素子と導電部とを透光性の封止樹脂部で封止する工程とを備え、反射用金属層は、金と銀との合金からなり、本体部は、銅または銅合金からなり、中間介在層は、本体部側から順に配置されたニッケル層と金層とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法である。

本発明は、半導体装置の製造方法において、ＬＥＤ素子を載置する載置面を有する本体部を準備する工程と、本体部上に、中間介在層を形成する工程と、中間介在層上に、反射層として機能する反射用金属層を形成する工程と、本体部の載置面上にＬＥＤ素子を載置し、ＬＥＤ素子と本体部とを導電部によって接続する工程と、ＬＥＤ素子と導電部とを透光性の封止樹脂部で封止する工程とを備え、反射用金属層は、金と銀との合金からなり、本体部は、銅または銅合金からなり、中間介在層は、本体部側から順に配置されたニッケル層と金層とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法である。

本発明によれば、反射用金属層と本体部との間に中間介在層を設け、中間介在層は本体部側から順に配置されたニッケル層と金層とを有しているので、本体部に含まれる銅が反射用金属層表面へ拡散することを防止できるとともに、反射用金属層の表面から本体部へ向けて酸素が透過することを防止することができる。このことにより、半導体装置の耐熱性を高めるとともに、反射用金属層と本体部との間の中間介在層の厚みを薄くすることができる。

本発明の一実施の形態によるリードフレームまたは基板を示す断面図。 リードフレームまたは基板の変形例を示す断面図。 本発明の一実施の形態による半導体装置を示す断面図（図４のIII−III線断面図）。 本発明の一実施の形態による半導体装置を示す平面図。 本発明の一実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す図。 本発明の一実施の形態による半導体装置の製造方法を示す図。 本発明の一実施の形態によるリードフレームの作用を示す断面図。 半導体装置の変形例（変形例１）を示す断面図。 半導体装置の変形例（変形例２）を示す断面図。 半導体装置の変形例（変形例３）を示す断面図。 半導体装置の変形例（変形例４）を示す断面図。 半導体装置の変形例（変形例５）を示す断面図。 半導体装置の変形例（変形例６）を示す断面図。

以下、本発明の実施の形態について、図１乃至図１３を参照して説明する。

ＬＥＤ用リードフレームまたは基板の構成
まず、図１および図２により、ＬＥＤ用リードフレームまたは基板の概略について説明する。なお図１および図２においては、ＬＥＤ用リードフレームまたは基板の層構成を説明するため、便宜上、ＬＥＤ用リードフレームまたは基板の断面を矩形形状として表示している。

図１に示すように、ＬＥＤ用リードフレームまたは基板１０（以下、リードフレーム１０、あるいは基板１０ともいう）は、ＬＥＤ素子２１（後述）を載置するために用いられるものであり、ＬＥＤ素子２１を載置する載置面１１ａを有する本体部１１と、本体部１１の載置面１１ａに設けられた反射用金属層１２とを備えている。

このうち本体部１１は金属板からなっており、その材料は銅または銅合金からなっている。この本体部１１の厚みは、半導体装置の構成にもよるが、リードフレーム１０の場合で０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍ、基板１０の場合で０．００５ｍｍ〜０．０３ｍｍとすることが好ましい。

反射用金属層１２は、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能するものであり、ＬＥＤ用リードフレームまたは基板１０の最表面側に位置している。この反射用金属層１２は白金（Ｐｔ）と銀（Ａｇ）との合金、または金（Ａｕ）と銀（Ａｇ）との合金からなっており、可視光の反射率が高く、かつ酸素および硫化水素ガスに対する高い耐腐食性を有している。

反射用金属層１２が白金（Ｐｔ）と銀（Ａｇ）との合金からなる場合、この合金は、白金１０〜４０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することが好ましく、とりわけ白金２０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することが更に好ましい。

一方、反射用金属層１２が金（Ａｕ）と銀（Ａｇ）との合金からなる場合、この合金は、金５〜５０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することが好ましく、とりわけ金２０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することが更に好ましい。

反射用金属層１２は、その厚みが極薄く形成されており、具体的には０．００５μｍ〜０．２μｍとされることが好ましい。

また、本体部１１と反射用金属層１２との間には、中間介在層１５が設けられている。中間介在層１５は、本体部１１側から順に配置された銅層１６（Ｃｕ）と、ニッケル層１７（Ｎｉ）と、金層１８（Ａｕ）とを有している。

このうち銅層１６は、ニッケル層１７のための下地層として用いられるものであり、ニッケル層１７と本体部１１との接合性を高める機能を有している。この銅層１６は、例えば電解めっきにより形成することができる。この銅層１６の厚みは、０．００５μｍ〜０．８μｍとすることが好ましい。

またニッケル層１７は、銅層１６上に例えば電解めっき法を用いて形成されたものであり、例えば０．５μｍ〜１μｍの厚みを有している。

また金層１８は、ニッケル層１７上に例えば電解めっき法を用いて形成されたものであり、極めて薄い層からなっており、例えば０．００２μｍ〜０．１μｍの厚みを有している。

また、図２に示すように、銅層１６を設けない構成も可能である。この場合、中間介在層１５は、本体部１１上に設けられたニッケル層１７と、ニッケル層１７上に設けられた金層１８とを有している。

半導体装置の構成
次に、図３および図４により、図１に示すＬＥＤ用リードフレームまたは基板を用いた半導体装置の一実施の形態について説明する。図３は、本発明の一実施の形態による半導体装置（ＳＯＮタイプ）を示す断面図であり、図４は、本発明の一実施の形態による半導体装置を示す平面図である。

図３および図４に示すように、半導体装置２０は、ＬＥＤ用リードフレーム１０と、リードフレーム１０の本体部１１の載置面１１ａ上に載置されたＬＥＤ素子２１と、リードフレーム１０とＬＥＤ素子２１とを電気的に接続するボンディングワイヤ（導電部）２２とを備えている。

また、ＬＥＤ素子２１を取り囲むように、凹部２３ａを有する外側樹脂部２３が設けられている。この外側樹脂部２３は、リードフレーム１０と一体化されている。さらに、ＬＥＤ素子２１とボンディングワイヤ２２とは、透光性の封止樹脂部２４によって封止されている。封止樹脂部２４は、外側樹脂部２３の凹部２３ａ内に充填されている。以下、このような半導体装置２０を構成する各構成部材について、順次説明する。

リードフレーム１０は、載置面１１ａを有する本体部１１と、本体部１１上に設けられた中間介在層１５と、中間介在層１５上に設けられ、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層１２とを有している。中間介在層１５は、本体部１１側から順に、銅層１６と、ニッケル層１７と、金層１８とを有している。また、リードフレーム１０の表面（上面）には、リードフレーム１０と外側樹脂部２３との密着性を高めるための溝１９が形成されている。

このリードフレーム１０の層構成については、図１を用いて既に説明した構成と同様であるので、ここでは詳細な説明を省略する。なお、リードフレーム１０の層構成としては、図２に示すものを用いても良い。

本実施の形態において、リードフレーム１０の本体部１１は、ＬＥＤ素子２１側の第１の部分２５（ダイパッド）と、第１の部分２５から離間した第２の部分２６（リード部）とを有している。これら第１の部分２５と第２の部分２６との間には、外側樹脂部２３が充填されており、第１の部分２５と第２の部分２６とは互いに電気的に絶縁されている。また第１の部分２５の底面に第１のアウターリード部２７が形成され、第２の部分２６の底面に第２のアウターリード部２８が形成されている。第１のアウターリード部２７および第２のアウターリード部２８は、それぞれ外側樹脂部２３から外方に露出している。

ＬＥＤ素子２１は、発光層として例えばＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ、またはＩｎＧａＮ等の化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。このようなＬＥＤ素子２１としては、従来一般に用いられているものを使用することができる。

またＬＥＤ素子２１は、はんだまたはダイボンディングペーストにより、外側樹脂部２３の凹部２３ａ内において本体部１１の載置面１１ａ上（厳密には反射用金属層１２上）に固定されている。なお、ダイボンディングペーストを用いる場合、耐光性のあるエポキシ樹脂やシリコーン樹脂からなるダイボンディングペーストを選択することが可能である。

ボンディングワイヤ２２は、例えば金等の導電性の良い材料からなり、その一端がＬＥＤ素子２１の端子部２１ａに接続されるとともに、その他端がリードフレーム１０の本体部１１の第２の部分２６表面上に接続されている。

外側樹脂部２３は、例えばリードフレーム１０上に熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂を射出成形またはトランスファ成形することにより形成されたものである。外側樹脂部２３の形状は、射出成形またはトランスファ成形に使用する金型の設計により、様々に実現することが可能である。例えば、外側樹脂部２３の全体形状を直方体、円筒形および錐形等の形状とすることが可能である。凹部２３ａの底面は、円形、楕円形または多角形等とすることができる。凹部２３ａの側壁の断面形状は、図３のように直線から構成されていても良いし、あるいは曲線から構成されていてもよい。

外側樹脂部２３に使用される熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂については、特に耐熱性、耐候性および機械的強度の優れたものを選ぶことが望ましい。熱可塑性樹脂の種類としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルイミド等、熱硬化性樹脂の種類としてはシリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂、およびポリウレタン等、を使用することができる。さらにまた、これらの樹脂中に光反射剤として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウムおよび窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、凹部２３ａの底面及び側面において、ＬＥＤ素子２１からの光の反射率を増大させ、半導体装置２０全体の光取り出し効率を増大させることが可能となる。

封止樹脂部２４としては、光の取り出し効率を向上させるために、半導体装置２０の発光波長において光透過率が高く、また屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。したがって耐熱性、耐候性、及び機械的強度が高い特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂を選択することが可能である。特に、ＬＥＤ素子２１として高輝度ＬＥＤを用いる場合、封止樹脂部２４が強い光にさらされるため、封止樹脂部２４は高い耐候性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。

ＬＥＤ用リードフレームの製造方法
次に、図３および図４に示す半導体装置２０に用いられるＬＥＤ用リードフレーム１０の製造方法について、図５（ａ）−（ｇ）により説明する。

まず図５（ａ）に示すように、金属基板からなる本体部１１を準備する。この本体部１１としては、上述のように銅または銅合金からなる金属基板を使用することができる。なお本体部１１は、その両面に対して脱脂等を行い洗浄処理を施したものを使用することが好ましい。

次に、本体部１１の表裏に感光性レジストを塗布、乾燥し、これを所望のフォトマスクを介して露光した後、現像してエッチング用レジスト層３２、３３を形成する（図５（ｂ））。なお感光性レジストとしては、従来公知のものを使用することができる。

次に、エッチング用レジスト層３２、３３を耐腐蝕膜として本体部１１に腐蝕液でエッチングを施す（図５（ｃ））。腐蝕液は、使用する本体部１１の材質に応じて適宜選択することができ、例えば、本体部１１として銅を用いる場合、通常、塩化第二鉄水溶液を使用し、本体部１１の両面からスプレーエッチングにて行うことができる。

次いで、エッチング用レジスト層３２、３３を剥離して除去する。このようにして、第１の部分（ダイパッド）２５と、第１の部分２５から離間した第２の部分（リード部）２６とを有する本体部１１が得られる（図５（ｄ））。またこの際、ハーフエッチングにより本体部１１の表面（上面）に溝１９が形成される。

次に、本体部１１の表面および裏面に各々所望のパターンを有するめっき用レジスト層３０、３１を設ける（図５（ｅ））。このうち表面側のめっき用レジスト層３０は、反射用金属層１２の形成部位に相当する箇所に開口部３０ａが形成され、この開口部３０ａからは本体部１１の載置面１１ａが露出している。他方、裏面側のめっき用レジスト層３１は、本体部１１の裏面全体を覆っている。

次に、本体部１１の表面側に、中間介在層１５と反射用金属層１２とを形成する（図５（ｆ））。

この際、まずめっき用レジスト層３０、３１に覆われた本体部１１の表面側に電解めっきを施す。これにより本体部１１上に金属（銅）を析出させて、本体部１１上に銅層１６を形成する。銅層１６を形成する電解めっき用めっき液としては、シアン化銅およびシアン化カリウムを主成分とした銅めっき液を用いることができる。

続いて、同様にして、電解めっきにより銅層１６上に金属（ニッケル）を析出させて、ニッケル層１７を形成する。ニッケル層１７を形成する電解めっき用めっき液としては、高ニッケル濃度のスルファミン酸ニッケルめっき液を用いることができる。

次いで、電解めっきによりニッケル層１７上に金属（金）を析出させて、金層１８を形成する。金層１８を形成する電解めっき用めっき液としては、シアン化金およびシアン化カリウムを主成分とした金めっき液を用いることができる。

これら銅層１６、ニッケル層１７および金層１８により、中間介在層１５が構成される。

さらに中間介在層１５の金層１８上に金属（白金族）を析出させて、反射用金属層１２を形成する（図５（ｆ））。

上述したように、反射用金属層１２は、白金（Ｐｔ）と銀（Ａｇ）との合金または金（Ａｕ）と銀（Ａｇ）との合金からなっている。ここで反射用金属層１２が白金と銀との合金からなる場合、反射用金属層１２は、合金のスパッタ、イオンプレーティングまたは蒸着などにより形成することができる。

一方、反射用金属層１２が金と銀との合金からなる場合、反射用金属層１２は、合金のスパッタ、イオンプレーティング、蒸着に加えて、電解めっきにより形成することができる。この場合、電解めっき用めっき液としては、シアン化銀、シアン化金およびシアン化カリウムを主成分とした銀めっき液を用いることができる。

次いでめっき用レジスト層３０、３１を剥離することにより、図３および図４に示す半導体装置２０に用いられるリードフレーム１０を得ることができる（図５（ｇ））。

なお、図５（ａ）−（ｇ）において、エッチングを施すことにより本体部１１を所定形状とした後（図５（ａ）−（ｄ））、本体部１１上に銅層１６、中間介在層１５、および反射用金属層１２を形成している（図５（ｅ）−（ｇ））。しかしながら、これに限らず、まず本体部１１上に銅層１６、中間介在層１５、および反射用金属層１２を形成し、その後、エッチングにより本体部１１を所定の形状に加工してもよい。

あるいは、図５（ａ）−（ｄ）の工程でエッチングにより本体部１１を所定の形状に加工した後、図５（ｅ）−（ｇ）の部分めっきの工程に代えて、本体部の全面に銅層１６、中間介在層１５、および反射用金属層１２の各層を順にめっきにより形成してもよい。

半導体装置の製造方法
次に、図３および図４に示す半導体装置２０の製造方法について、図６（ａ）−（ｇ）により説明する。

まず、上述した工程により（図５（ａ）−（ｇ））、載置面１１ａを有する本体部１１と、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層１２と、反射用金属層１２と本体部１１との間に設けられた中間介在層１５とを備えたリードフレーム１０を作製する（図６（ａ））。

次に、このリードフレーム１０に対して熱可塑性樹脂を射出成形またはトランスファ成形することにより、外側樹脂部２３を形成する（図６（ｂ））。これにより、外側樹脂部２３とリードフレーム１０とが一体に形成される。またこのとき、射出成形またはトランスファ成形に使用する金型を適宜設計することにより、外側樹脂部２３に凹部２３ａを形成するとともに、この凹部２３ａ底面において反射用金属層１２が外方に露出するようにする。

次に、リードフレーム１０の本体部１１の載置面１１ａ上に、ＬＥＤ素子２１を搭載する。この場合、はんだまたはダイボンディングペーストを用いて、ＬＥＤ素子２１を本体部１１の載置面１１ａ上（反射用金属層１２上）に載置して固定する（ダイアタッチ工程）（図６（ｃ））。

次に、ＬＥＤ素子２１の端子部２１ａと、本体部１１の第２の部分２６表面とを、ボンディングワイヤ２２によって互いに電気的に接続する（ワイヤボンディング工程）（図６（ｄ））。

その後、外側樹脂部２３の凹部２３ａ内に封止樹脂部２４を充填し、封止樹脂部２４によりＬＥＤ素子２１とボンディングワイヤ２２とを封止する（図６（ｅ））。

次に、各ＬＥＤ素子２１間の外側樹脂部２３をダイシングすることにより、リードフレーム１０を各ＬＥＤ素子２１毎に分離する（図６（ｆ））。この際、まずリードフレーム１０をダイシングテープ３７上に載置して固定し、その後、例えばダイヤモンド砥石等からなるブレード３８によって、各ＬＥＤ素子２１間の外側樹脂部２３を垂直方向に切断する。

このようにして、図３および図４に示す半導体装置２０を得ることができる（図６（ｇ））。

本実施の形態の作用効果
次に、本実施の形態による作用効果について説明する。本実施の形態による半導体装置２０においては、上述したように、反射用金属層１２と本体部１１との間に中間介在層１５を設け、この中間介在層１５は、本体部１１側から順に配置された銅層１６とニッケル層１７と金層１８とを有している。このことにより、以下のような作用効果が得られる。

半導体装置２０を製造する際、例えばダイボンディング時（図６（ｃ））、あるいはワイヤボンディング時（図６（ｄ））に、リードフレーム１０に対して熱が加えられる場合がある。具体的には、ダイボンディング時には、例えばはんだ接合の場合に３００℃〜４００℃程度の熱が加えられる場合があり、例えばペースト接続の場合に１５０℃〜２００℃程度の熱が加えられる場合があり、ワイヤボンディング時には、例えば１５０℃〜２５０℃程度の熱が加えられる場合がある。

この場合、図７に示すように、本体部１１または銅層１６からの銅（Ｃｕ）が、上層のニッケルと合金を形成する。本実施の形態においては、本体部１１または銅層１６からの銅（Ｃｕ）はニッケルとの合金となり、濃度勾配を伴い安定化する。結果として、ニッケル層１７によってその拡散が止められ、金層１８より上方に向かうことがない。

ここで、本体部が銅合金であり、かつ銅層１６を設けない場合、ニッケルの合金形成時に銅合金の銅以外の成分による拡散が阻害され、カーケンダルボイドを生じる場合があるが、銅層１６を設けることで、このボイドを防止できる。

したがって、本体部１１または銅層１６からの銅（Ｃｕ）が、反射用金属層１２の表面へ拡散することが防止されるので、銅（Ｃｕ）の拡散によって反射用金属層１２の表面のはんだ濡れ性やボンディング性が低下することを防止することができる。

また、ニッケル層１７からのニッケル（Ｎｉ）は、上方のＡｕに向けて拡散（パイルアップ）する。ここで、パイルアップとはＡｕ結晶の転位の間を、Ａｕの熱的な振動による結晶間の動き（再結晶）により、わずかなＮｉ原子が移動し、Ａｕの表面に極局部にＮｉが出現することをいう。この拡散は金層１８と反射金属層１２との界面で止められ、反射用金属層１２に向かうことがないので、ニッケル（Ｎｉ）の拡散によって反射用金属層１２の表面のはんだ濡れ性やボンディング性が低下することを防止することができる。

さらにまた、銀および銀合金は空気中の酸素を透過し、下地の金属を酸化させ、接着性を低下させるが、金は酸素を透過しないため、空気中からの酸素（Ｏ_２）は金層１８で止められ、本体部１１およびニッケル層１７に向かうことがないので、反射用金属層１２の表面から本体部１１へ向けて酸素（Ｏ_２）が浸透することを防止することができる。これにより、空気中からの酸素（Ｏ_２）によってニッケル層１７が酸化し、ニッケル層１７と反射用金属層１２との間の接着強度が低下して、反射用金属層１２がニッケル層１７から剥離することを防止することができる。

このように、本実施の形態によれば、本体部１１または銅層１６に含まれる銅（Ｃｕ）が反射用金属層１２の表面へ拡散することを防止できるとともに、反射用金属層１２の表面から本体部１１へ向けて酸素（Ｏ_２）が透過することを防止できる。このことにより、半導体装置２０の耐熱性が高められるとともに、反射用金属層１２と本体部１１との間の中間介在層１５の厚みを薄くすることができる。

ところで、本実施の形態による半導体装置２０においては、上述したように、本体部１１の載置面１１ａに反射層として機能する反射用金属層１２が設けられている。この反射用金属層１２は、白金と銀との合金または金と銀との合金からなる。このことにより、以下のような作用効果が得られる。

すなわち半導体装置２０を製造してから一定時間が経過した後、例えば外側樹脂部２３と封止樹脂部２４との間から、半導体装置２０内部に空気中の酸素や硫化水素ガス等の腐食性ガスが浸透する場合がある。本実施の形態によれば、本体部１１の載置面１１ａに反射層として機能する反射用金属層１２を設け、この反射用金属層１２が白金と銀との合金または金と銀との合金からなっている。このことにより、半導体装置２０内部に腐食性ガスが浸透した場合であっても、反射層（反射用金属層１２）が変色したり腐食したりすることが少なく、その反射率が低下することがない。

また本実施の形態によれば、反射層は反射用金属層１２からなり、高い反射特性を有しているので、ＬＥＤ素子２１からの光を効率良く反射することができる。

さらに本実施の形態によれば、反射用金属層１２を極めて薄く形成したことにより、比較的高価な白金または金を用いる場合であってもコストの上昇幅が少ない。さらに、反射用金属層１２が白金と銀との合金または金と銀との合金からなることにより、反射用金属層１２の材料として白金または金のみを使用する場合と比較して、製造コストを抑制することができる。

さらに本実施の形態によれば、中間介在層１５の厚みを薄く（例えば約１μｍ〜２μｍ）することができるので、相対的に厚い銀層（Ａｇ層）を用いる場合と比較して、製造コストを低減することができる。

さらに、本実施の形態によれば、図５（ｇ）に示すように部分的な金属処理を行なうことにより、全面に金属処理を行なう場合と比較して、製造コストを低減することが出来る。

さらに、本実施の形態によれば、反射用金属層１２、中間介在層１５が薄いため、必然的に厚みのばらつきを減少できるため、外側樹脂部２３の成型を行うときに、金型を金属面に押し当てることにより発生するキズを低減することができ、金型と金属面とのギャップへ樹脂もれが生じることによるバリを低減することができる。

さらに、本実施の形態によれば、反射用金属層１２、中間介在層１５が薄いため、半導体装置２０を薄くすることができる。

変形例
以下、本実施の形態による半導体装置の各変形例について、図８乃至図１３を参照して説明する。図８乃至図１３において、図３および図４に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。

（変形例１）
図８は、半導体装置の変形例１（ＳＯＮタイプ）を示す断面図である。図８に示す実施の形態は、導電部としてはんだボールまたは金バンプ４１ａ、４１ｂを用いる点が異なるものであり、他の構成は上述した図３および図４に示す実施の形態と略同一である。

図８に示す半導体装置４０（変形例１）において、リードフレーム１０の本体部１１の載置面１１ａ（反射用金属層１２）上に、ＬＥＤ素子２１が載置されている。この場合、ＬＥＤ素子２１は、本体部１１の第１の部分２５（ダイパッド）と第２の部分２６（リード部）とに跨って載置されている。

またＬＥＤ素子２１は、ボンディングワイヤ２２に代えて、はんだボールまたは金バンプ（導電部）４１ａ、４１ｂによってリードフレーム１０の反射用金属層１２に接続されている（フリップチップ方式）。なお、図８に示すように、はんだボールまたは金バンプ４１ａ、４１ｂのうち、一方のはんだボールまたは金バンプ４１ａは第１の部分２５に接続され、他方のはんだボールまたは金バンプ４１ｂは第２の部分２６に接続されている。

（変形例２）
図９は、半導体装置の変形例２（ＬＧＡタイプ）を示す断面図である。図９に示す実施の形態は、基板１０の構成等が図３および図４に示す実施の形態と異なるものである。

図９に示す半導体装置５０（変形例２）において、基板１０は、ＬＥＤ素子２１を載置する載置面１１ａを有する本体部１１と、本体部１１の載置面１１ａに設けられＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層１２とを有している。

反射用金属層１２と本体部１１との間には、中間介在層１５が設けられ、この中間介在層１５は、本体部１１側から順に配置された、銅層１６とニッケル層１７と金層１８とを有している。

本体部１１は、ＬＥＤ素子２１が載置される第１の部分（ダイパッド）５１と、第１の部分５１から離間した第２の部分（端子部）５２とを有している。これら第１の部分５１と第２の部分５２との間には封止樹脂部２４が充填されており、第１の部分５１と第２の部分５２とは互いに電気的に絶縁されている。

また第１の部分５１の底面に第１の外部端子５３が設けられ、第２の部分５２の底面に第２の外部端子５４が設けられている。第１の外部端子５３および第２の外部端子５４は、それぞれ封止樹脂部２４から外方に露出している。なお図９において、本体部１１は、１つのめっき層または複数のめっき層を積層した構成からなっていても良い。

この場合、ＬＥＤ素子２１は、第１の部分５１において本体部１１の載置面１１ａ上に載置されている。また基板１０の第２の部分５２とＬＥＤ素子２１とは、ボンディングワイヤ（導電部）２２によって電気的に接続されている。すなわちボンディングワイヤ２２の一端がＬＥＤ素子２１の端子部２１ａに接続され、ボンディングワイヤ２２の他端が第２の部分５２の表面上に接続されている。

他方、透光性の封止樹脂部２４は、基板１０の上側部分、ＬＥＤ素子２１、およびボンディングワイヤ２２を封止している。

なお図９において外側樹脂部２３は設けられていないが、これに限られるものではなく、図３および図４と同様にＬＥＤ素子２１を取り囲むように外側樹脂部２３を設けても良い。

（変形例３）
図１０は、半導体装置の変形例３（ＰＬＣＣタイプ）を示す断面図である。図１０に示す実施の形態は、リードフレーム１０の構成が図３および図４に示す実施の形態と異なるものである。

図１０に示す半導体装置６０（変形例３）において、リードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２１を載置する載置面１１ａを有する本体部１１と、本体部１１の載置面１１ａに設けられ、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層１２とを有している。

反射用金属層１２と本体部１１との間には、中間介在層１５が設けられ、この中間介在層１５は、本体部１１側から順に配置された、銅層１６とニッケル層１７と金層１８とを有している。

本体部１１は、ＬＥＤ素子２１が載置される第１の部分（ダイパッド）６１と、第１の部分６１から離間した第２の部分（端子部）６２および第３の部分（端子部）６３とを有している。これら第１の部分６１と第２の部分６２の間、および第１の部分６１と第３の部分６３の間には、それぞれ外側樹脂部２３が充填されている。これにより、第１の部分６１と第２の部分６２とは互いに電気的に絶縁され、かつ第１の部分６１と第３の部分６３とは互いに電気的に絶縁されている。

また第２の部分６２および第３の部分６３は、それぞれ断面略Ｊ字状に湾曲されている。さらに第２の部分６２の端部には第１のアウターリード部６４が形成され、第３の部分６３の端部には第２のアウターリード部６５が形成されている。これら第１のアウターリード部６４および第２のアウターリード部６５は、それぞれ外側樹脂部２３から外方に露出している。

この場合、ＬＥＤ素子２１は、第１の部分６１において本体部１１の載置面１１ａ上に載置されている。またＬＥＤ素子２１は、リードフレーム１０の本体部１１の第２の部分６２および第３の部分６３に、それぞれボンディングワイヤ（導電部）２２を介して電気的に接続されている。

（変形例４）
図１１は、半導体装置の変形例４（基板タイプ）を示す断面図である。図１１に示す実施の形態は、基板１０が非導電性基板７４上に配置されている点等が図３および図４に示す実施の形態と異なるものである。

図１１に示す半導体装置７０（変形例４）において、基板１０は、ＬＥＤ素子２１を載置する載置面１１ａを有する本体部１１と、本体部１１の載置面１１ａに設けられ、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層１２とを有している。

反射用金属層１２と本体部１１との間には、中間介在層１５が設けられ、この中間介在層１５は、本体部１１側から順に配置された、銅層１６とニッケル層１７と金層１８とを有している。

本体部１１は、第１の部分７１と、この第１の部分７１から離間した第２の部分７２とを有している。これら第１の部分７１と第２の部分７２との間には封止樹脂部２４が充填されており、第１の部分７１と第２の部分７２とは互いに電気的に絶縁されている。

この場合、ＬＥＤ素子２１は、第１の部分７１と第２の部分７２とに跨って載置されている。またＬＥＤ素子２１は、ボンディングワイヤ２２に代えて、はんだボール（導電部）７３ａ、７３ｂによってリードフレーム１０の反射用金属層１２に接続されている（フリップチップ方式）。

なお図１１に示すように、はんだボール７３ａ、７３ｂのうち、はんだボール７３ａは第１の部分７１に接続され、はんだボール７３ｂは第２の部分７２に接続されている。

ところで図１１において、基板１０は非導電性基板７４上に配置されている。非導電性基板７４は、有機基板であっても無機基板であってもよい。有機基板としては、例えば、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリアミド、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、液晶ポリマー、フッ素樹脂、ポリカーボネート、ポリノルボルネン系樹脂、ポリサルホン、ポリアリレート、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、又は熱可塑性ポリイミド等からなる有機基板、又はそれらの複合基板を挙げることができる。また、無機基板としては、例えば、ガラス基板、シリコン基板、セラミックス基板等を挙げることができる。

非導電性基板７４には複数のスルーホール７５が形成されている。また各スルーホール７５内にはそれぞれ導電性物質７６が充填されている。そして本体部１１の第１の部分７１および第２の部分７２は、それぞれ各スルーホール７５内の導電性物質７６を介して、第１の外部端子７７および第２の外部端子７８に電気的に接続されている。なお、導電性物質７６としては、めっきによりスルーホール７５内に形成された銅等の導電性金属、あるいは銅粒子、銀粒子等の導電性粒子を含有した導電性ペースト等が挙げられる。

なお図１１において外側樹脂部２３は設けられていないが、これに限られるものではなく、図３および図４に示す実施の形態と同様に、ＬＥＤ素子２１を取り囲むように外側樹脂部２３を設けても良い。

（変形例５）
図１２は、半導体装置の変形例５（モジュールタイプ）を示す断面図である。図１２に示す実施の形態は、１つの非導電性基板７４上に複数の基板１０を配置した点が異なるものであり、他の構成は上述した図１１に示す実施の形態（変形例４）と略同一である。

図１２に示す半導体装置８０（変形例５）において、１つの非導電性基板７４上に複数の基板１０が配置されている。各基板１０は、ＬＥＤ素子２１を載置する載置面１１ａを有する本体部１１と、本体部１１の載置面１１ａに設けられ、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層１２とを有している。

このほか、図１２において、図１１に示す実施の形態（変形例４）と同一部分には同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。

（変形例６）
図１３は、半導体装置の変形例６（ＳＯＮタイプ）を示す断面図である。図１３に示す実施の形態は、本体部１１の第１の部分（ダイパッド）９１の周囲に、２つのリード部（第２の部分９２および第３の部分９３）が設けられている点が異なるものであり、他の構成は上述した図３および図４に示す実施の形態と略同一である。

すなわち図１３に示す半導体装置９０（変形例６）において、本体部１１は、ＬＥＤ素子２１を載置する第１の部分（ダイパッド）９１と、第１の部分（ダイパッド）９１の周囲であって、第１の部分９１を挟んで互いに対向する位置に設けられた、一対のリード部（第２の部分９２および第３の部分９３）とを有している。

図１３において、ＬＥＤ素子２１は一対の端子部２１ａを有しており、この一対の端子部２１ａは、それぞれボンディングワイヤ２２を介して、第２の部分９２および第３の部分９３に接続されている。

以上説明した変形例１乃至６による半導体装置４０、５０、６０、７０、８０、９０（図８乃至図１３）においても、図３および図４に示す半導体装置２０と略同一の作用効果を得ることができる。

次に、本実施の形態によるＬＥＤ用リードフレームまたは基板の具体的実施例について説明する。

（実施例１）
図１に示す構成からなる基板１０（実施例１）を作製した。この基板１０は、本体部１１（銅基材）上に、銅層１６（Ｃｕ）、ニッケル層１７（Ｎｉ）、金層１８（Ａｕ）、および反射用金属層１２（金（Ａｕ）と銀（Ａｇ）との合金）を順次積層したものである。以下、このような層構成を「本体部（銅基材）／銅層（Ｃｕ）／ニッケル層（Ｎｉ）／金層（Ａｕ）／反射用金属層（合金）」と表記する。

（実施例２）
図２に示す構成からなる基板１０（実施例２）を作製した。この基板１０（実施例２）は、本体部（銅基材）／ニッケル層（Ｎｉ）／金層（Ａｕ）／反射用金属層（合金）という層構成からなっている。

（比較例１）
中間介在層１５を設けず、本体部１１上に反射用金属層１２を直接積層した基板（比較例１）を作製した。この基板（比較例１）は、本体部（銅基材）／反射用金属層（合金）という層構成からなっている。

（比較例２）
本体部１１と反射用金属層１２との間に銅層１６のみが介在された基板（比較例２）を作製した。この基板（比較例２）は、本体部（銅基材）／銅層（Ｃｕ）／反射用金属層（合金）という層構成からなっている。

（比較例３）
本体部１１と反射用金属層１２との間に銀層（Ａｇ）のみが介在された基板（比較例３）を作製した。この基板（比較例３）は、本体部（銅基材）／銀層（Ａｇ）／反射用金属層（合金）という層構成からなっている。

（比較例４）
本体部１１と反射用金属層１２との間に銅層１６および銀層（Ａｇ）が介在された基板（比較例４）を作製した。この基板（比較例４）は、本体部（銅基材）／銅層（Ｃｕ）／銀層（Ａｇ）／反射用金属層（合金）という層構成からなっている。

（比較例５）
本体部１１と反射用金属層１２との間にニッケル層１７のみが介在された基板（比較例５）を作製した。この基板（比較例５）は、本体部（銅基材）／ニッケル層（Ｎｉ）／反射用金属層（合金）という層構成からなっている。

（比較例６）
本体部１１と反射用金属層１２との間に銅層１６およびニッケル層１７が介在された基板（比較例６）を作製した。この基板（比較例６）は、本体部（銅基材）／銅層（Ｃｕ）／ニッケル層（Ｎｉ）／反射用金属層（合金）という層構成からなっている。

（比較例７）
本体部１１と反射用金属層１２との間にニッケル層１７および銅層が介在された基板（比較例７）を作製した。この基板（比較例７）は、本体部（銅基材）／ニッケル層（Ｎｉ）／銅層（Ｃｕ）／反射用金属層（合金）という層構成からなっている。

（比較例８）
本体部１１と反射用金属層１２との間に銅層１６、ニッケル層１７および銅層が介在された基板（比較例８）を作製した。この基板（比較例８）は、本体部（銅基材）／銅層（Ｃｕ）／ニッケル層（Ｎｉ）／銅層（Ｃｕ）／反射用金属層（合金）という層構成からなっている。

次に、これら各基板（実施例１、２および比較例１〜８）について、各層を構成する金属間の接着強度を調査した。また、各基板を加熱した時に本体部１１に含まれる銅が反射用金属層１２の表面に拡散するか否かを検証した。この結果を表１に示す。

表１に示すように、実施例１、２に係る基板１０は、各層を構成する金属間の接着強度が良好であり、かつ加熱時に反射用金属層１２の表面に銅が拡散することもなかった。

比較例３、４に係る基板は、各層を構成する金属間の接着強度が良好であり、銀層（Ａｇ）の厚みを１μｍ超とした場合には、加熱時に反射用金属層１２の表面に銅が拡散することがなかった。ただし、銀層（Ａｇ）の厚みを１μｍ以下とした場合には、加熱時に反射用金属層１２の表面に銅が拡散する現象が見られた。

他の比較例（比較例１、２、５〜８）に係る基板は、各層を構成する金属間の接着強度が部分的に低いか（比較例３、５、６、７）、あるいは加熱時に反射用金属層１２の表面に銅の拡散が生じた（比較例３、４、７、８）。

なお、これら各基板（実施例１、２および比較例１〜８）において、反射用金属層としては、金（Ａｕ）と銀（Ａｇ）との合金を用いているが、白金（Ｐｔ）と銀（Ａｇ）との合金を用いた場合であっても同様の結果が得られる。

１０ ＬＥＤ用リードフレームまたは基板
１１ 本体部
１５ 中間介在層
１６ 銅層
１７ ニッケル層
１８ 金層
２０、４０、５０、６０、７０、８０、９０ 半導体装置
２１ ＬＥＤ素子
２２ ボンディングワイヤ（導電部）
２３ 外側樹脂部
２４ 封止樹脂部
２５ 第１の部分
２６ 第２の部分
２７ 第１のアウターリード部
２８ 第２のアウターリード部

Claims (16)

1. ＬＥＤ素子を載置するＬＥＤ用リードフレームまたは基板において、
   ＬＥＤ素子を載置する載置面を有する本体部と、
   本体部の載置面に設けられ、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層とを備え、
   反射用金属層は、金と銀との合金からなり、
   本体部は、銅または銅合金からなり、
   反射用金属層と本体部との間に、中間介在層を設け、
   中間介在層は、本体部側から順に配置されたニッケル層と金層とを有することを特徴とするリードフレームまたは基板。
2. 反射用金属層は、金５〜５０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする請求項１記載のＬＥＤ用リードフレームまたは基板。
3. ＬＥＤ素子を載置するＬＥＤ用リードフレームまたは基板において、
   ＬＥＤ素子を載置する載置面を有する本体部と、
   本体部の載置面に設けられ、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層とを備え、
   反射用金属層は、白金と銀との合金からなり、
   本体部は、銅または銅合金からなり、
   反射用金属層と本体部との間に、中間介在層を設け、
   中間介在層は、本体部側から順に配置されたニッケル層と金層とを有することを特徴とするリードフレームまたは基板。
4. 反射用金属層は、白金１０〜４０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする請求項３記載のＬＥＤ用リードフレームまたは基板。
5. 中間介在層は、ニッケル層の本体部側に設けられた銅層を更に有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項記載のＬＥＤ用リードフレームまたは基板。
6. ＬＥＤ素子を載置する載置面を含む本体部を有するＬＥＤ用リードフレームまたは基板と、
   リードフレームまたは基板の本体部の載置面上に載置されたＬＥＤ素子と、
   リードフレームまたは基板とＬＥＤ素子とを電気的に接続する導電部と、
   ＬＥＤ素子と導電部とを封止する封止樹脂部とを備え、
   ＬＥＤ用リードフレームまたは基板の本体部の載置面に、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層を設け、
   反射用金属層は、金と銀との合金からなり、
   本体部は、銅または銅合金からなり、
   反射用金属層と本体部との間に、中間介在層を設け、
   中間介在層は、本体部側から順に配置されたニッケル層と金層とを有することを特徴とする半導体装置。
7. 反射用金属層は、金５〜５０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする請求項６記載の半導体装置。
8. ＬＥＤ素子を載置する載置面を含む本体部を有するＬＥＤ用リードフレームまたは基板と、
   リードフレームまたは基板の本体部の載置面上に載置されたＬＥＤ素子と、
   リードフレームまたは基板とＬＥＤ素子とを電気的に接続する導電部と、
   ＬＥＤ素子と導電部とを封止する封止樹脂部とを備え、
   ＬＥＤ用リードフレームまたは基板の本体部の載置面に、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層を設け、
   反射用金属層は、白金と銀との合金からなり、
   本体部は、銅または銅合金からなり、
   反射用金属層と本体部との間に、中間介在層を設け、
   中間介在層は、本体部側から順に配置されたニッケル層と金層とを有することを特徴とする半導体装置。
9. 反射用金属層は、白金１０〜４０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする請求項８記載の半導体装置。
10. 中間介在層は、ニッケル層の本体部側に設けられた銅層を更に有することを特徴とする請求項６乃至９のいずれか一項記載の半導体装置。
11. 封止樹脂部はシリコーン樹脂からなることを特徴とする請求項６乃至１０のいずれか一項記載の半導体装置。
12. ＬＥＤ素子を取り囲むとともに凹部を有する外側樹脂部を更に備え、封止樹脂部は、この外側樹脂部の凹部内に充填されていることを特徴とする請求項６乃至１１のいずれか一項記載の半導体装置。
13. ＬＥＤ素子を載置するＬＥＤ用リードフレームまたは基板を製造するＬＥＤ用リードフレームまたは基板の製造方法において、
    ＬＥＤ素子を載置する載置面を有する本体部を準備する工程と、
    本体部上に、中間介在層を形成する工程と、
    中間介在層上に、反射層として機能する反射用金属層を形成する工程とを備え、
    反射用金属層は、金と銀との合金からなり、
    本体部は、銅または銅合金からなり、
    中間介在層は、本体部側から順に配置されたニッケル層と金層とを有することを特徴とするＬＥＤ用リードフレームまたは基板の製造方法。
14. ＬＥＤ素子を載置するＬＥＤ用リードフレームまたは基板を製造するＬＥＤ用リードフレームまたは基板の製造方法において、
    ＬＥＤ素子を載置する載置面を有する本体部を準備する工程と、
    本体部上に、中間介在層を形成する工程と、
    中間介在層上に、反射層として機能する反射用金属層を形成する工程とを備え、
    反射用金属層は、白金と銀との合金からなり、
    本体部は、銅または銅合金からなり、
    中間介在層は、本体部側から順に配置されたニッケル層と金層とを有することを特徴とするＬＥＤ用リードフレームまたは基板の製造方法。
15. 半導体装置の製造方法において、
    ＬＥＤ素子を載置する載置面を有する本体部を準備する工程と、
    本体部上に、中間介在層を形成する工程と、
    中間介在層上に、反射層として機能する反射用金属層を形成する工程と、
    本体部の載置面上にＬＥＤ素子を載置し、ＬＥＤ素子と本体部とを導電部によって接続する工程と、
    ＬＥＤ素子と導電部とを透光性の封止樹脂部で封止する工程とを備え、
    反射用金属層は、金と銀との合金からなり、
    本体部は、銅または銅合金からなり、
    中間介在層は、本体部側から順に配置されたニッケル層と金層とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
16. 半導体装置の製造方法において、
    ＬＥＤ素子を載置する載置面を有する本体部を準備する工程と、
    本体部上に、中間介在層を形成する工程と、
    中間介在層上に、反射層として機能する反射用金属層を形成する工程と、
    本体部の載置面上にＬＥＤ素子を載置し、ＬＥＤ素子と本体部とを導電部によって接続する工程と、
    ＬＥＤ素子と導電部とを透光性の封止樹脂部で封止する工程とを備え、
    反射用金属層は、金と銀との合金からなり、
    本体部は、銅または銅合金からなり、
    中間介在層は、本体部側から順に配置されたニッケル層と金層とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

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