JP2009004787A - Ｚｎ酸化物系薄膜トランジスタとその製造方法、及びＺｎ酸化物のエッチング溶液とその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】Ｚｎ酸化物系薄膜トランジスタとその製造方法、及びＺｎ酸化物のエッチング溶液とその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＺｎ酸化物系薄膜トランジスタは、ゲート、ゲートに対応する位置にＺｎ酸化物で形成されたチャンネル、ゲートとチャンネルとの間に形成されたゲート絶縁層、及びチャンネルの両側部とそれぞれ接触して形成されたソース及びドレインを備える薄膜トランジスタにおいて、ソースとドレインとの間のチャンネルにＺｎ酸化物のエッチング溶液によってエッチングされて形成された陥入部を備える。
【選択図】図４

Description

本発明は、Ｚｎ酸化物系薄膜トランジスタとその製造方法、及びＺｎ酸化物のエッチング溶液とその製造方法に係り、より詳細には、Ｚｎ酸化物系薄膜トランジスタの形成時、チャンネル領域に存在するダメージ領域を除去した薄膜トランジスタとその製造方法、及びＺｎ酸化物系エッチング溶液とその製造方法に関する。

現在、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）は、多様な応用分野で利用されており、特に、ディスプレイ分野でスイッチング及び駆動素子として利用されている。また、クロスポイント型メモリ素子の選択スイッチとして使われている。薄膜トランジスタの移動度又は漏れ電流は、チャンネル層の材質及び状態に大きく左右される。

最近、酸化物半導体素子として注目されるものは、ＺｎＯ系薄膜トランジスタである。ＺｎＯ系物質としてＺｎ酸化物、ＩｎＺｎ酸化物又はＧａＩｎＺｎ酸化物を薄膜トランジスタのチャンネル領域に使用したものであって、ＺｎＯ系半導体素子は、低温工程で製作可能であり、非晶質相であるため、大面積化が容易であるという長所を有する。

図１は、従来の技術による薄膜トランジスタを示す断面図である。図１を参照すれば、表面に絶縁層１１が形成された基板１０上の一領域にゲート１２が形成されている。基板１０及びゲート１２上には、ゲート絶縁層１３が形成されており、ゲート１２に対応するゲート絶縁層１３上には、Ｚｎ酸化物系物質で形成されたチャンネル１４が形成されている。チャンネル１４の両側部には、ソース１５ａ及びドレイン１５ｂが形成されている。

従来の技術による薄膜トランジスタの製造時、チャンネル１４及びゲート絶縁層１３上に電極物質を積層した後、乾式又は湿式エッチング工程によって、ソース１５ａ及びドレイン１５ｂを形成した。このとき、エッチング工程によってチャンネル１４にダメージ領域１６が形成される恐れがある。これをさらに詳細に説明すれば、乾式エッチング工程は、通常プラズマエッチング工程を利用するが、エッチング工程中にＺｎ酸化物系物質で形成されたチャンネル１４がプラズマダメージを受け、湿式エッチング工程を利用する場合は、電極物質がチャンネル１４の表面又は側面に残留して、薄膜トランジスタの電気的特性を劣化させるという問題点がある。

図２は、従来の技術による薄膜トランジスタのソース及びドレインを形成する際に、プラズマ工程による場合に、アクティブ領域にダメージを生じたときのゲート電圧に対するドレイン電流値を示すグラフである。図２を参照すれば、プラズマによるエッチング工程を経た場合に、ゲート電圧を印加した場合、薄膜トランジスタの特性が現れず、ほぼ一直線状に１０^−６Ａのオフ電流値を表し、１０^−４Ａのオン電流値を表すということが分かる。

図３は、従来の技術による薄膜トランジスタのソース及びドレインを形成する際に、湿式エッチング工程による場合に、アクティブ領域にダメージを生じたときのゲート電圧に対するドレイン電流値を示すグラフである。図３を参照すれば、約１０^−１３Ａのオフ電流値と１０^−３Ａのオン電流値とを表しているが、グラフが二段曲線形態に現れるということが分かる。これは、ソース１５ａ又はドレイン１５ｂの形成物質がエッチング工程を経た後、チャンネル１４の表面に残留して薄膜トランジスタの電気的特性に悪影響を及ぼすためである。

そこで、本発明は上記従来の問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、ダメージ領域が存在せず、安定した電気的特性を有するＺｎ酸化物系薄膜トランジスタとその製造方法を提供することにある。

また、本発明の目的は、Ｚｎ酸化物系物質のエッチング工程を容易に制御し得るＺｎ酸化物のエッチング溶液とその製造方法を提供することにある。

上記目的を達成するためになされた本発明のＺｎ酸化物のエッチング溶液は、Ｚｎ酸化物のエッチング溶液であって、塩酸、フッ酸、又はリン酸のうち少なくとも何れか一つと酢酸との水溶液で形成されることを特徴とする。

また、上記目的を達成するためになされた本発明のＺｎ酸化物系薄膜トランジスタは、ゲートと、前記ゲート上に形成されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上の一領域に形成され、両側部にソース及びドレインとそれぞれ接触するＺｎ酸化物系物質で形成されたチャンネルと、を備える薄膜トランジスタにおいて、前記チャンネルの前記ソースとドレインとの間の領域にＺｎ酸化物のエッチング溶液によってエッチングされて形成された陥入部を備えることを特徴とする。
本発明において、前記陥入部は、前記ソース及び前記ドレインと接触するチャンネル領域と段差になるように形成されることを特徴とする。
本発明において、前記陥入部は、塩酸、フッ酸、又はリン酸のうち少なくとも何れか一つと酢酸との水溶液で形成されたＺｎ酸化物のエッチング溶液によってエッチングされて形成されることを特徴とする。
本発明において、前記Ｚｎ酸化物は、ＺｎＯ、ＩｎＺｎＯ、又はＧａＩｎＺｎＯであることを特徴とする。

また、上記目的を達成するためになされた本発明のＺｎ酸化物系薄膜トランジスタの製造方法は、薄膜トランジスタの製造方法において、ゲートを形成するステップと、前記ゲート上にゲート絶縁層を形成するステップと、前記ゲート絶縁層上の一領域にＺｎ酸化物系物質でチャンネルを形成するステップと、前記ゲート絶縁層及び前記チャンネル上に伝導性物質を塗布し、前記チャンネル上の伝導性物質をエッチングしてソース及びドレインを形成するステップと、前記ソースとドレインとの間に露出された前記チャンネルの表面をＺｎ酸化物のエッチング溶液によって一部エッチングして陥入部を形成するステップと、を有することを特徴とする。
本発明において、前記陥入部は、塩酸、フッ酸、又はリン酸のうち少なくとも何れか一つと酢酸との水溶液で形成されたＺｎ酸化物エッチング溶液で湿式エッチングされて形成されることを特徴とする。

また、上記目的を達成するためになされた本発明のＺｎ酸化物のエッチング溶液の製造方法は、Ｚｎ酸化物のエッチング溶液の製造方法であって、塩酸、フッ酸、又はリン酸のうち少なくとも何れか一つとＤＩウォータとを混合するステップと、塩酸、フッ酸、又はリン酸のうち少なくとも何れか一つとＤＩウォータとの混合溶液を酢酸と混合するステップと、を有することを特徴とする。
本発明において、前記塩酸、フッ酸、又はリン酸のうち少なくとも何れか一つの１ｍｌとＤＩウォータ９９ｍｌとを混合することを特徴とする。
本発明において、前記酢酸の少なくとも１０ｍｌを前記塩酸、フッ酸、又はリン酸のうち少なくとも何れか一つとＤＩウォータとの混合溶液と混合することを特徴とする。
本発明において、前記塩酸、フッ酸、又はリン酸のうち少なくとも何れか一つが、０．１〜１ｖｏｌ％含まれることを特徴とする。
本発明において、前記酢酸が、５〜５０ｖｏｌ％含まれることを特徴とする。

本発明によれば、次のような効果がある。
第一に、チャンネル表面を一部除去して陥入部を形成することによって、従来のソース及びドレインの形成工程時、チャンネルに形成されるダメージ領域を除去して、優秀な電気的特性を有する薄膜トランジスタを提供し得る。

第二に、薄膜トランジスタのチャンネルに使われるＺｎ酸化物系物質のエッチング速度を容易に制御し得る新たなエッチング溶液を提供し得る。

以下、本発明のＺｎ酸化物系薄膜トランジスタとその製造方法、及びＺｎ酸化物のエッチング溶液とその製造方法を実施するための最良の形態の具体例を、図面を参照しながら詳細に説明する。図面に示した各層や厚さ及び幅は、説明のために多少誇張されて表現される。

図４は、本発明の一実施形態によるＺｎ酸化物系薄膜トランジスタの構造を示す上面図及びその断面図である。図４の実施形態では、ボトムゲート型薄膜トランジスタを示したが、本発明による薄膜トランジスタは、トップゲート型及びボトムゲート型薄膜トランジスタの何れにも適用される。

図４を参照すれば、本発明の一実施形態によるＺｎ酸化物系薄膜トランジスタは、基板３１の一領域上に形成されたゲート３２、基板３１及びゲート３２上に形成されたゲート絶縁層３３、ゲート３２に対応するゲート絶縁層３３上に形成されたチャンネル３４、及びチャンネル３４の両端部と接触してゲート絶縁層３３上に形成されたソース３５ａ及びドレイン３５ｂを備える。本実施形態によるＺｎ酸化物系薄膜トランジスタでは、ソース３５ａとドレイン３５ｂとの間のチャンネル３４に陥入部（Ｒｅｃｅｓｓｉｏｎ：Ｒ）が形成されることを特徴とする。詳細に説明すれば、陥入部Ｒは、ソース３５ａ及びドレイン３５ｂと接触しないチャンネル３４の表面がエッチングされて除去された領域である。従って、陥入部Ｒは、ソース３５ａ及びドレイン３５ｂと接触するチャンネル３４領域と段差になるように形成されていることが分かる。陥入部Ｒは、図１に示した従来の技術による薄膜トランジスタのチャンネル１４に形成されたダメージ領域１６が除去されることによって、薄膜トランジスタの電気的特性の安定化を図るために形成された。

図５乃至図９を参照して、本発明の一実施形態による薄膜トランジスタの製造方法について詳細に説明する。

図５を参照すると、基板３１上の一領域に伝導性物質を塗布及びエッチングして、ゲート３２を形成する。基板３１は、シリコン、ガラス、プラスチック又は有機物質を使用し、例えば、シリコンを使用する場合、基板３１の表面を熱酸化処理して、シリコン酸化層を形成させて使用する。ゲート３２は、伝導性物質の金属又は金属酸化物を利用して形成し得る。

図６を参照すると、基板３１及びゲート３２上に絶縁物質を塗布して、ゲート絶縁層３３を形成する。ゲート絶縁層３３は、一般的な半導体工程時に使用する絶縁物質を利用し得る。例えば、ＳｉＯ_２、又はＳｉＯ_２より誘電率が高いＨｉｇｈ−Ｋ物質であるＨｆＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｓｉ_３Ｎ_４又はこれらの混合物を使用し得る。

図７を参照すると、ゲート３２に対応するゲート絶縁層３３上に、チャンネル３４を形成する。チャンネル３４は、一般的な薄膜トランジスタのチャンネルに使用される物質で形成し、例えば、Ｚｎ酸化物系列のＺｎ酸化物、ＩｎＺｎ酸化物又はＧａＩｎＺｎ酸化物で形成し得る。

図８を参照すると、ゲート絶縁層３３及びチャンネル３４上に伝導性物質を塗布し、チャンネル３４の上部の伝導性物質をエッチングして、ソース３５ａ及びドレイン３５ｂを形成する。ソース３５ａ及びドレイン３５ｂは、金属又は伝導性金属酸化物で形成し、例えば、Ｐｔ、Ｒｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｗ又はＣｕのような金属又はＩＺＯ（ＩｎＺｎＯ）又はＡＺＯ（ＡｌＺｎＯ）のような金属又は伝導性酸化物を使用し得る。

図９を参照すると、チャンネル３４の表面をエッチングして、陥入部Ｒを形成する。陥入部Ｒは、チャンネル３４の表面のうち、ソース３５ａ及びドレイン３５ｂと接触しない領域をエッチングして形成したものである。

陥入部Ｒを形成するために、チャンネル３４を形成するＺｎ酸化物系物質をエッチングせねばならない。一般的に、Ｚｎ酸化物系物質をエッチングする場合、塩酸（ＨＣｌ）、フッ酸（ＨＦ）又はリン酸（Ｈ_３ＰＯ_４）の水溶液によってエッチング工程を進める。塩酸（ＨＣｌ）、フッ酸（ＨＦ）又はリン酸（Ｈ_３ＰＯ_４）の水溶液でＺｎ酸化物系物質をエッチングする場合、酸の濃度を制御してＺｎ酸化物系物質のエッチング速度を調節し得る。しかし、エッチング速度が通常２０ｎｍ／ｍｉｎ以上と非常に速くて薄膜の厚さ調節が難しいので、精密なエッチング工程に限界がある。Ｚｎ酸化物系物質のエッチング速度を容易に調節するために、本発明では、酢酸が添加されたエッチング溶液を提供する。

本発明の一実施形態によるＺｎ酸化物のエッチング溶液は、塩酸、フッ酸又はリン酸のうち少なくとも何れか一つと酢酸（ＣＨ_３ＣＯＯＨ）とを混合した水溶液である。このとき、塩酸、フッ酸又はリン酸は、０．１〜１ｖｏｌ％であり、酢酸は、５〜５０ｖｏｌ％の範囲であることが望ましい。具体的なエッチング溶液の製造方法を例として説明すれば、まず、塩酸、フッ酸又はリン酸１ｍｌにＤＩウォータ９９ｍｌを混合して薄い酸を製造する。そして、酢酸１０ｍｌを添加した後に攪拌する。本実施形態によるＺｎ酸化物のエッチング溶液でＺｎ酸化物をエッチングする場合、エッチング速度は、１〜８ｎｍ／ｍｉｎであるので、Ｚｎ酸化物を精密な厚さ範囲にエッチングすることが可能である。従って、Ｚｎ酸化物で形成されたチャンネル３４を本実施形態によるＺｎ酸化物エッチング溶液でエッチングすることによって、陥入部Ｒを容易に形成し得る。

図１０は、本発明の一実施形態によるＺｎ酸化物系薄膜トランジスタのゲート電圧に対するドレイン電流値を示すグラフである。ここで使われた試片は、Ｓｉ基板の表面に１００ｎｍ厚のＳｉＯ_２が形成され、ゲートは、２００ｎｍ厚のＭｏ、ゲート絶縁層は、２００ｎｍ厚のＳｉ_３Ｎ_４、チャンネルは、陥入部を含んで７０ｎｍ厚のＧａＩｎＺｎ酸化で形成されたものであって、ソース及びドレインは、Ｔｉ／Ｐｔで形成されたものである。

図１０を参照すれば、オフ電流が１０^−１２Ａ以下であり、オン電流が約１０^−４Ａである。オン／オフ電流比は、１０^８以上であるので、高いオン／オフ電流比及び低いオフ電流特性を表し、薄膜トランジスタとしての特性が優秀であるということが分かる。

図１１及び図１２は、本発明の一実施形態によるＺｎ酸化物エッチング溶液でＺｎＯ表面を湿式エッチングする前後のＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）画像である。図１１は、湿式エッチング前のＺｎＯの表面を表したものであって、表面粗度が約０．２８６ｎｍ（ｒｍｓ）であった。図１２は、湿式エッチング後のＺｎＯ表面を表したものであって、表面粗度が約０．８２９ｎｍ（ｒｍｓ）であるので、薄膜トランジスタとしての使用に問題がないということが確認できる。

図１３は、本発明の一実施形態によるＺｎ酸化物のエッチング溶液で薄膜トランジスタをエッチングした場合の湿度テスト結果を示す図面である。Ａは、薄膜トランジスタ試片の形成直後の特性を示すグラフである。Ｂは、薄膜トランジスタ試片を約９５％の湿度条件で１４時間放置した後の特性を示すグラフである。Ｃは、湿度条件に放置した薄膜トランジスタ試片のＺｎ酸化物チャンネルを、本発明の実施例によるＺｎ酸化物エッチング溶液によって湿式エッチングした後の電気的特性を示すグラフである。

図１３を参照すれば、Ｚｎ酸化物は、湿度に敏感であるので、９５％の湿度条件で１４時間放置した後には、Ｖｔｈが（−）電圧方向に移動することが分かる（Ａ→Ｂ）。これは、薄膜トランジスタのチャンネル表面にＯＨ−基が非常に薄く吸着されて現れる現象である。しかし、本実施形態によるＺｎ酸化物エッチング溶液で薄膜トランジスタのチャンネル表面をエッチングした場合、初期特性に回復することを確認し得る（Ｂ→Ｃ）。結果的に、本実施形態によるＺｎ酸化物エッチング溶液の場合、Ｚｎ酸化物のエッチング速度を非常に遅く調節し得るので、薄膜トランジスタチャンネルにダメージを与えずにＯＨ−吸着層を容易に除去し得るということが分かる。

上記のような実施形態を通じて、当業者ならば、本発明の技術的思想によって陥入部が形成された薄膜トランジスタを形成し得るであろう。本発明の実施形態による酸化物薄膜トランジスタは、ボトムゲート型又はトップゲート型として使われる。よって、本発明は、上述の実施形態に限られるものではなく、本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。

本発明のＺｎ酸化物系薄膜トランジスタとその製造方法、及びＺｎ酸化物のエッチング溶液とその製造方法は、メモリ素子関連の技術分野に適用可能である。

従来の技術による薄膜トランジスタを示す断面図である。 従来の技術による薄膜トランジスタのソース及びドレインを形成する際に、プラズマ工程による場合に、アクティブ領域にダメージを生じたときのゲート電圧に対するドレイン電流値を示すグラフである。 従来の技術による薄膜トランジスタのソース及びドレインを形成する際に、湿式エッチング工程による場合に、アクティブ領域にダメージを生じたときのゲート電圧に対するドレイン電流値を示すグラフである。 本発明の一実施形態によるＺｎ酸化物系薄膜トランジスタの構造を示す図面である。 本発明の一実施形態によるＺｎ酸化物系薄膜トランジスタの製造方法を示す図面である。 本発明の一実施形態によるＺｎ酸化物系薄膜トランジスタの製造方法を示す図面である。 本発明の一実施形態によるＺｎ酸化物系薄膜トランジスタの製造方法を示す図面である。 本発明の一実施形態によるＺｎ酸化物系薄膜トランジスタの製造方法を示す図面である。 本発明の一実施形態によるＺｎ酸化物系薄膜トランジスタの製造方法を示す図面である。 本発明の一実施形態によるＺｎ酸化物系薄膜トランジスタのゲート電圧に対するドレイン電流値を示すグラフである。 本発明の一実施形態によるＺｎ酸化物のエッチング溶液による湿式エッチング前のＺｎＯ表面を示す画像である。 本発明の一実施形態によるＺｎ酸化物のエッチング溶液による湿式エッチング後のＺｎＯ表面を示す画像である。 本発明の一実施形態によるＺｎ酸化物のエッチング溶液で薄膜トランジスタをエッチングした場合の湿度テスト結果を示す図面である。

符号の説明

１０、３１ 基板
１１ 絶縁層
１２、３２ ゲート
１３、３３ ゲート絶縁層
１４、３４ チャンネル
１５ａ、３５ａ ソース
１５ｂ、３５ｂ ドレイン
１６ ダメージ領域
Ｒ 陥入部

Claims (20)

1. Ｚｎ酸化物のエッチング溶液であって、
   塩酸、フッ酸、又はリン酸のうち少なくとも何れか一つと酢酸との水溶液で形成されることを特徴とするＺｎ酸化物のエッチング溶液。
2. 前記塩酸、フッ酸、又はリン酸のうち少なくとも何れか一つが、０．１〜１ｖｏｌ％含まれることを特徴とする請求項１に記載のＺｎ酸化物のエッチング溶液。
3. 前記酢酸が、５〜５０ｖｏｌ％含まれることを特徴とする請求項１に記載のＺｎ酸化物のエッチング溶液。
4. ゲートと、
   前記ゲート上に形成されたゲート絶縁層と、
   前記ゲート絶縁層上の一領域に形成され、両側部にソース及びドレインとそれぞれ接触するＺｎ酸化物系物質で形成されたチャンネルと、を備える薄膜トランジスタにおいて、
   前記チャンネルの前記ソースとドレインとの間の領域にＺｎ酸化物のエッチング溶液によってエッチングされて形成された陥入部を備えることを特徴とするＺｎ酸化物系薄膜トランジスタ。
5. 前記陥入部は、前記ソース及び前記ドレインと接触するチャンネル領域と段差になるように形成されることを特徴とする請求項４に記載のＺｎ酸化物系薄膜トランジスタ。
6. 前記陥入部は、塩酸、フッ酸、又はリン酸のうち少なくとも何れか一つと酢酸との水溶液で形成されたＺｎ酸化物のエッチング溶液によってエッチングされて形成されることを特徴とする請求項４に記載のＺｎ酸化物系薄膜トランジスタ。
7. 前記塩酸、フッ酸、又はリン酸のうち少なくとも何れか一つが、０．１〜１ｖｏｌ％含まれることを特徴とする請求項６に記載のＺｎ酸化物系薄膜トランジスタ。
8. 前記酢酸が、５〜５０ｖｏｌ％含まれることを特徴とする請求項６に記載のＺｎ酸化物系薄膜トランジスタ。
9. 前記Ｚｎ酸化物は、ＺｎＯ、ＩｎＺｎＯ、又はＧａＩｎＺｎＯであることを特徴とする請求項４に記載のＺｎ酸化物系薄膜トランジスタ。
10. 薄膜トランジスタの製造方法において、
    ゲートを形成するステップと、
    前記ゲート上にゲート絶縁層を形成するステップと、
    前記ゲート絶縁層上の一領域にＺｎ酸化物系物質でチャンネルを形成するステップと、
    前記ゲート絶縁層及び前記チャンネル上に伝導性物質を塗布し、前記チャンネル上の伝導性物質をエッチングして、ソース及びドレインを形成するステップと、
    前記ソースとドレインとの間に露出された前記チャンネルの表面をＺｎ酸化物のエッチング溶液によって一部エッチングして、陥入部を形成するステップと、を有することを特徴とするＺｎ酸化物系薄膜トランジスタの製造方法。
11. 前記陥入部は、前記ソース及び前記ドレインと接触するチャンネル領域と段差になるように形成されることを特徴とする請求項１０に記載のＺｎ酸化物系薄膜トランジスタの製造方法。
12. 前記Ｚｎ酸化物は、ＺｎＯ、ＩｎＺｎＯ、又はＧａＩｎＺｎＯであることを特徴とする請求項１０に記載のＺｎ酸化物系薄膜トランジスタの製造方法。
13. 前記陥入部は、塩酸、フッ酸、又はリン酸のうち少なくとも何れか一つと酢酸との水溶液で形成されたＺｎ酸化物エッチング溶液で湿式エッチングされて形成されることを特徴とする請求項１２に記載のＺｎ酸化物系薄膜トランジスタの製造方法。
14. 前記Ｚｎ酸化物エッチング溶液には、塩酸、フッ酸、又はリン酸のうち少なくとも何れか一つが０．１〜１ｖｏｌ％含まれることを特徴とする請求項１３に記載のＺｎ酸化物系薄膜トランジスタの製造方法。
15. 前記Ｚｎ酸化物エッチング溶液には、酢酸が５〜５０ｖｏｌ％含まれることを特徴とする請求項１３に記載のＺｎ酸化物系薄膜トランジスタの製造方法。
16. Ｚｎ酸化物のエッチング溶液の製造方法であって、
    塩酸、フッ酸、又はリン酸のうち少なくとも何れか一つとＤＩウォータとを混合するステップと、
    塩酸、フッ酸、又はリン酸のうち少なくとも何れか一つとＤＩウォータとの混合溶液を酢酸と混合するステップと、を有することを特徴とするＺｎ酸化物のエッチング溶液の製造方法。
17. 前記塩酸、フッ酸、又はリン酸のうち少なくとも何れか一つの１ｍｌとＤＩウォータ９９ｍｌとを混合することを特徴とする請求項１６に記載のＺｎ酸化物のエッチング溶液の製造方法。
18. 前記酢酸の少なくとも１０ｍｌを、前記塩酸、フッ酸、又はリン酸のうち少なくとも何れか一つとＤＩウォータとの混合溶液と混合することを特徴とする請求項１６に記載のＺｎ酸化物のエッチング溶液の製造方法。
19. 前記塩酸、フッ酸、又はリン酸のうち少なくとも何れか一つが、０．１〜１ｖｏｌ％含まれることを特徴とする請求項１６に記載のＺｎ酸化物のエッチング溶液の製造方法。
20. 前記酢酸が、５〜５０ｖｏｌ％含まれることを特徴とする請求項１６に記載のＺｎ酸化物のエッチング溶液の製造方法。