JP2008546036A - 金属および誘電体相溶性の犠牲反射防止コーティング浄化および除去組成物 - Google Patents
金属および誘電体相溶性の犠牲反射防止コーティング浄化および除去組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008546036A JP2008546036A JP2008515853A JP2008515853A JP2008546036A JP 2008546036 A JP2008546036 A JP 2008546036A JP 2008515853 A JP2008515853 A JP 2008515853A JP 2008515853 A JP2008515853 A JP 2008515853A JP 2008546036 A JP2008546036 A JP 2008546036A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- formulation
- water
- hydrogen fluoride
- glycol
- ethylene glycol
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 401
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 title claims abstract description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title abstract description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 title abstract description 21
- 238000000746 purification Methods 0.000 title 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 240
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 92
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 82
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 47
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 44
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 34
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 claims abstract description 28
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000009472 formulation Methods 0.000 claims description 242
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 236
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 170
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 154
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 120
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 111
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 84
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 claims description 63
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 49
- HEQANBVBCBBZIZ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-hydroxyethyl(methyl)amino]ethanol;hydrofluoride Chemical compound [F-].OCC[NH+](C)CCO HEQANBVBCBBZIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 41
- AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N N-Pentanol Chemical compound CCCCCO AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical group O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- CRVGTESFCCXCTH-UHFFFAOYSA-N methyl diethanolamine Chemical compound OCCN(C)CCO CRVGTESFCCXCTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 20
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- -1 indiazole Chemical compound 0.000 claims description 18
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 16
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 16
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000000872 buffer Substances 0.000 claims description 14
- CUDYYMUUJHLCGZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COC(C)COC(C)CO CUDYYMUUJHLCGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound COC(C)COC(C)COC(C)CO WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 claims description 12
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 12
- GDGIVSREGUOIJZ-UHFFFAOYSA-N 5-amino-3h-1,3,4-thiadiazole-2-thione Chemical compound NC1=NN=C(S)S1 GDGIVSREGUOIJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N butan-2-ol Chemical compound CCC(C)O BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzothiazole-2-thiol Chemical compound C1=CC=C2SC(S)=NC2=C1 YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- AGWWTUWTOBEQFE-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-1h-1,2,4-triazole-5-thione Chemical compound CN1C=NN=C1S AGWWTUWTOBEQFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- WZUUZPAYWFIBDF-UHFFFAOYSA-N 5-amino-1,2-dihydro-1,2,4-triazole-3-thione Chemical compound NC1=NNC(S)=N1 WZUUZPAYWFIBDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 claims description 8
- WMDZKDKPYCNCDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound CCCCOC(C)COC(C)CO WMDZKDKPYCNCDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- FDJJXTNIAZBNFI-UHFFFAOYSA-N 2-morpholin-4-ylethanol hydrofluoride Chemical compound F.OCCN1CCOCC1 FDJJXTNIAZBNFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N Formamide Chemical compound NC=O ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- MFPGZXKGOYXUEV-UHFFFAOYSA-N 2-[bis(2-hydroxyethyl)amino]ethanol;hydrofluoride Chemical compound F.OCCN(CCO)CCO MFPGZXKGOYXUEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound N1C(C)=CN=C1C1=CC=CC=C1 TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 claims description 4
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 4
- RWZYAGGXGHYGMB-UHFFFAOYSA-N anthranilic acid Chemical compound NC1=CC=CC=C1C(O)=O RWZYAGGXGHYGMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 4
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- UYTPUPDQBNUYGX-UHFFFAOYSA-N guanine Chemical compound O=C1NC(N)=NC2=C1N=CN2 UYTPUPDQBNUYGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- YAMHXTCMCPHKLN-UHFFFAOYSA-N imidazolidin-2-one Chemical compound O=C1NCCN1 YAMHXTCMCPHKLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N iminodiacetic acid Chemical compound OC(=O)CNCC(O)=O NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- UKODFQOELJFMII-UHFFFAOYSA-N pentamethyldiethylenetriamine Chemical compound CN(C)CCN(C)CCN(C)C UKODFQOELJFMII-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- CUVLMZNMSPJDON-UHFFFAOYSA-N 1-(1-butoxypropan-2-yloxy)propan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)OCC(C)O CUVLMZNMSPJDON-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)O RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FENFUOGYJVOCRY-UHFFFAOYSA-N 1-propoxypropan-2-ol Chemical compound CCCOCC(C)O FENFUOGYJVOCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XYVAYAJYLWYJJN-UHFFFAOYSA-N 2-(2-propoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound CCCOC(C)COC(C)CO XYVAYAJYLWYJJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCOCCO COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JDSQBDGCMUXRBM-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-butoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CCCCOC(C)COC(C)COC(C)CO JDSQBDGCMUXRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-ethoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCOCCOCCOCCO WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YEYKMVJDLWJFOA-UHFFFAOYSA-N 2-propoxyethanol Chemical compound CCCOCCO YEYKMVJDLWJFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920000691 Poly[bis(2-chloroethyl) ether-alt-1,3-bis[3-(dimethylamino)propyl]urea] Polymers 0.000 claims description 3
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims description 3
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 claims description 3
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 claims description 3
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 claims description 3
- SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N neopentyl glycol Chemical compound OCC(C)(C)CO SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol monomethyl ether Chemical compound COCCOCCOCCO JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NHAZGSRLKBTDBF-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-triazol-1-amine Chemical compound NN1C=NC=N1 NHAZGSRLKBTDBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 1,3-Dimethyl-2-imidazolidinon Chemical compound CN1CCN(C)C1=O CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YHMYGUUIMTVXNW-UHFFFAOYSA-N 1,3-dihydrobenzimidazole-2-thione Chemical compound C1=CC=C2NC(S)=NC2=C1 YHMYGUUIMTVXNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WGJCBBASTRWVJL-UHFFFAOYSA-N 1,3-thiazolidine-2-thione Chemical compound SC1=NCCS1 WGJCBBASTRWVJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NXRIDTLKJCKPOG-UHFFFAOYSA-N 1,4-dihydroimidazole-5-thione Chemical compound S=C1CN=CN1 NXRIDTLKJCKPOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GGZHVNZHFYCSEV-UHFFFAOYSA-N 1-Phenyl-5-mercaptotetrazole Chemical compound SC1=NN=NN1C1=CC=CC=C1 GGZHVNZHFYCSEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- AFBBKYQYNPNMAT-UHFFFAOYSA-N 1h-1,2,4-triazol-1-ium-3-thiolate Chemical compound SC=1N=CNN=1 AFBBKYQYNPNMAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JMTMSDXUXJISAY-UHFFFAOYSA-N 2H-benzotriazol-4-ol Chemical compound OC1=CC=CC2=C1N=NN2 JMTMSDXUXJISAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YTZPUTADNGREHA-UHFFFAOYSA-N 2h-benzo[e]benzotriazole Chemical compound C1=CC2=CC=CC=C2C2=NNN=C21 YTZPUTADNGREHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- SHLSSLVZXJBVHE-UHFFFAOYSA-N 3-sulfanylpropan-1-ol Chemical compound OCCCS SHLSSLVZXJBVHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2h-benzotriazole Chemical compound CC1=CC=CC2=NNN=C12 CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YZTYEGCWRPJWEE-UHFFFAOYSA-N 5-(benzotriazol-2-yl)pentan-1-amine Chemical compound C1=CC=CC2=NN(CCCCCN)N=C21 YZTYEGCWRPJWEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XZGLNCKSNVGDNX-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2h-tetrazole Chemical compound CC=1N=NNN=1 XZGLNCKSNVGDNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HCEKEODXLSQFDV-UHFFFAOYSA-N 5-methyltriazol-1-amine Chemical compound CC1=CN=NN1N HCEKEODXLSQFDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- AOCDQWRMYHJTMY-UHFFFAOYSA-N 5-nitro-2h-benzotriazole Chemical compound C1=C([N+](=O)[O-])C=CC2=NNN=C21 AOCDQWRMYHJTMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WXSBVEKBZGNSDY-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-benzotriazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC2=NNN=C2C=C1 WXSBVEKBZGNSDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- AJNQPSCMOSUVKK-UHFFFAOYSA-N 5-propan-2-yl-1h-1,2,4-triazole Chemical compound CC(C)C=1N=CNN=1 AJNQPSCMOSUVKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 6-phenyl-1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 claims description 2
- 229930024421 Adenine Natural products 0.000 claims description 2
- GFFGJBXGBJISGV-UHFFFAOYSA-N Adenine Chemical compound NC1=NC=NC2=C1N=CN2 GFFGJBXGBJISGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 claims description 2
- CWRVKFFCRWGWCS-UHFFFAOYSA-N Pentrazole Chemical compound C1CCCCC2=NN=NN21 CWRVKFFCRWGWCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- SKZKKFZAGNVIMN-UHFFFAOYSA-N Salicilamide Chemical compound NC(=O)C1=CC=CC=C1O SKZKKFZAGNVIMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YSMRWXYRXBRSND-UHFFFAOYSA-N TOTP Chemical compound CC1=CC=CC=C1OP(=O)(OC=1C(=CC=CC=1)C)OC1=CC=CC=C1C YSMRWXYRXBRSND-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NJYZCEFQAIUHSD-UHFFFAOYSA-N acetoguanamine Chemical compound CC1=NC(N)=NC(N)=N1 NJYZCEFQAIUHSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229960000643 adenine Drugs 0.000 claims description 2
- 235000010323 ascorbic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000011668 ascorbic acid Substances 0.000 claims description 2
- 229960005070 ascorbic acid Drugs 0.000 claims description 2
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 claims description 2
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 claims description 2
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 229960005150 glycerol Drugs 0.000 claims description 2
- NPZTUJOABDZTLV-UHFFFAOYSA-N hydroxybenzotriazole Substances O=C1C=CC=C2NNN=C12 NPZTUJOABDZTLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PJUIMOJAAPLTRJ-UHFFFAOYSA-N monothioglycerol Chemical compound OCC(O)CS PJUIMOJAAPLTRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 claims description 2
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229960000581 salicylamide Drugs 0.000 claims description 2
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 claims description 2
- 229940035024 thioglycerol Drugs 0.000 claims description 2
- LDGFRUUNCRYSQK-UHFFFAOYSA-N triazin-4-ylmethanediamine Chemical compound NC(N)C1=CC=NN=N1 LDGFRUUNCRYSQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MPSUGQWRVNRJEE-UHFFFAOYSA-N triazol-1-amine Chemical compound NN1C=CN=N1 MPSUGQWRVNRJEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FYYLCPPEQLPTIQ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-propoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CCCOC(C)COC(C)COC(C)CO FYYLCPPEQLPTIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 2h-tetrazol-5-amine Chemical compound NC1=NN=NN1 ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- KLSJWNVTNUYHDU-UHFFFAOYSA-N Amitrole Chemical compound NC1=NC=NN1 KLSJWNVTNUYHDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims 1
- 229960005152 pentetrazol Drugs 0.000 claims 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 claims 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims 1
- ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N triacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(O)=O ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 13
- 241000894007 species Species 0.000 description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 9
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 6
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 4
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 3
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 3
- 239000007853 buffer solution Substances 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 150000004673 fluoride salts Chemical class 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 3
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 125000004178 (C1-C4) alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- MIMUSZHMZBJBPO-UHFFFAOYSA-N 6-methoxy-8-nitroquinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC(OC)=CC([N+]([O-])=O)=C21 MIMUSZHMZBJBPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N Trifluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 2
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002671 adjuvant Substances 0.000 description 2
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 2
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 2
- 235000006708 antioxidants Nutrition 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 2
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 239000000546 pharmaceutical excipient Substances 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 150000003248 quinolines Chemical class 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 125000005207 tetraalkylammonium group Chemical group 0.000 description 2
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 2
- IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N triethylenediamine Chemical compound C1CN2CCN1CC2 IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- SSUJUUNLZQVZMO-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,4,8,9,10,10a-octahydropyrimido[1,2-a]azepine Chemical compound C1CCC=CN2CCCNC21 SSUJUUNLZQVZMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMVIVASFFKKFQK-UHFFFAOYSA-N 1-phenylpyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CCCN1C1=CC=CC=C1 JMVIVASFFKKFQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 2-(2-aminoethoxy)ethanol Chemical compound NCCOCCO GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKFDCBRMNNSAAW-UHFFFAOYSA-N 2-(morpholin-4-yl)ethanol Chemical compound OCCN1CCOCC1 KKFDCBRMNNSAAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAHGBZQHEGAKNE-UHFFFAOYSA-N 2-[2-hydroxyethyl(methyl)amino]ethanol;phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O.OCCN(C)CCO IAHGBZQHEGAKNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JSIAIROWMJGMQZ-UHFFFAOYSA-N 2h-triazol-4-amine Chemical group NC1=CNN=N1 JSIAIROWMJGMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIKUBYKUYUSRSM-UHFFFAOYSA-N 3-morpholinopropylamine Chemical compound NCCCN1CCOCC1 UIKUBYKUYUSRSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRYPUIBDRLBNKT-UHFFFAOYSA-N 4-propylmorpholin-3-ol Chemical compound CCCN1CCOCC1O NRYPUIBDRLBNKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 4H-1,2,4-triazole Chemical compound C=1N=CNN=1 NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWQSAIIDOMEEOD-UHFFFAOYSA-N 5,5-Dimethyl-4-(3-oxobutyl)dihydro-2(3H)-furanone Chemical compound CC(=O)CCC1CC(=O)OC1(C)C AWQSAIIDOMEEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPPOGHDFAVQKLN-UHFFFAOYSA-N N-Octyl-2-pyrrolidone Chemical compound CCCCCCCCN1CCCC1=O WPPOGHDFAVQKLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N N-Vinyl-2-pyrrolidone Chemical compound C=CN1CCCC1=O WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N N-methylethanolamine Chemical compound CNCCO OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 1
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N ammonium fluoride Chemical class [NH4+].[F-] LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940111121 antirheumatic drug quinolines Drugs 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- 125000003354 benzotriazolyl group Chemical group N1N=NC2=C1C=CC=C2* 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- INDXRDWMTVLQID-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO.OCCCCO INDXRDWMTVLQID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000011087 fumaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229940093915 gynecological organic acid Drugs 0.000 description 1
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 description 1
- IKGLACJFEHSFNN-UHFFFAOYSA-N hydron;triethylazanium;trifluoride Chemical compound F.F.F.CCN(CC)CC IKGLACJFEHSFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000005414 inactive ingredient Substances 0.000 description 1
- 229940060367 inert ingredients Drugs 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- RWIVICVCHVMHMU-UHFFFAOYSA-N n-aminoethylmorpholine Chemical compound NCCN1CCOCC1 RWIVICVCHVMHMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N nitrilotriacetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CC(O)=O MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 239000000075 oxide glass Substances 0.000 description 1
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- OJTDGPLHRSZIAV-UHFFFAOYSA-N propane-1,2-diol Chemical compound CC(O)CO.CC(O)CO OJTDGPLHRSZIAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 235000013772 propylene glycol Nutrition 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003536 tetrazoles Chemical class 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229940005605 valeric acid Drugs 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/50—Solvents
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/423—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral acids or salts thereof, containing mineral oxidizing substances, e.g. peroxy compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/08—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid containing a fluorine compound
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/02—Inorganic compounds
- C11D7/04—Water-soluble compounds
- C11D7/08—Acids
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/02—Inorganic compounds
- C11D7/04—Water-soluble compounds
- C11D7/10—Salts
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
- C11D7/261—Alcohols; Phenols
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
- C11D7/263—Ethers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
- C11D7/265—Carboxylic acids or salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/28—Organic compounds containing halogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/34—Organic compounds containing sulfur
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Emergency Medicine (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
犠牲反射防止コーティング(SARC)材料を、その上にそれを有する基板から除去するための液体除去組成物およびプロセス。液体除去組成物は、少なくとも1種類のフッ化物含有化合物、少なくとも1種類の有機溶媒、任意に水、および任意に少なくとも1種類のキレート剤を含有する。その組成物は、アルミニウム、銅およびコバルト合金などの基板上の金属種の腐食を最小限にし、かつ半導体構造で使用される低k誘電材料に損傷を与えることなく、集積回路の製造におけるSARC材料の少なくとも部分的な除去を達成する。
Description
発明の分野
本発明は、シリケートの剥離に有用な液体除去組成物およびプロセス、特に、犠牲反射防止シリケート材料が、液体除去組成物によって影響を受けないことが望まれる、下地シリケート材料および相互連結金属、例えば、アルミニウム、銅およびコバルト合金と共に存在する場合に、例えば、その上にかかる材料が付着されたマイクロ電子デバイスから犠牲反射防止シリケート材料および/またはエッチング後残留物を液体除去することに関する。
本発明は、シリケートの剥離に有用な液体除去組成物およびプロセス、特に、犠牲反射防止シリケート材料が、液体除去組成物によって影響を受けないことが望まれる、下地シリケート材料および相互連結金属、例えば、アルミニウム、銅およびコバルト合金と共に存在する場合に、例えば、その上にかかる材料が付着されたマイクロ電子デバイスから犠牲反射防止シリケート材料および/またはエッチング後残留物を液体除去することに関する。
関連技術の説明
現在、フォトリソグラフィー産業では開発された4つの照射波長−436nm、365nm、248nm、および193nmが使用されており、最近では157nmリソグラフィープロセスに努力が傾注されている。理論的には、各波長が減少するに従って、小さな形態(feature)を半導体チップ上に形成することができる。しかしながら、マイクロ電子デバイス基板の反射率はフォトリソグラフィー波長に反比例することから、干渉および不均等に露光されたフォトレジストでは、マイクロ電子デバイスの限界寸法の一致性が限られていた。
現在、フォトリソグラフィー産業では開発された4つの照射波長−436nm、365nm、248nm、および193nmが使用されており、最近では157nmリソグラフィープロセスに努力が傾注されている。理論的には、各波長が減少するに従って、小さな形態(feature)を半導体チップ上に形成することができる。しかしながら、マイクロ電子デバイス基板の反射率はフォトリソグラフィー波長に反比例することから、干渉および不均等に露光されたフォトレジストでは、マイクロ電子デバイスの限界寸法の一致性が限られていた。
例えば、深紫外線(DUV)に露光すると、基板のDUV波長に対する高い反射率を併せ持つフォトレジストの透過率によって、深紫外線の反射が起こってフォトレジスト内へと戻り、それによってフォトレジスト層に定在波が生じることはよく知られている。定在波はさらに、フォトレジストに光化学反応を引き起こし、放射線に露光されることが意図されないマスク部においてなど、フォトレジストの不均一な露光が起こり、その結果、線幅、間隔、および他の限界寸法のばらつきが生じる。
透過率および反射率の問題に取り組むために、二層および三層フォトレジスト、底部反射防止コーティング(BARC)および犠牲反射防止コーティング(SARC)が開発された。これらのコーティングは、フォトレジストを塗布する前に基板に塗布される。これらの反射防止コーティングはすべて、通常のデュアルダマシン集積回路で遭遇するウエハー表面に対する平坦化作用を有し、すべてUV発色団をスピンオン(spin−on)ポリマーマトリックス中に組み込み、入射紫外線が吸収される。
SiOCベースの誘電体と共に使用した場合、SARCは2つの重要な利点を有する:SARCはTEOSをベースとし、したがって、SiOC誘電体と同じ速度でエッチングした結果、かなり高いエッチング均一性および制御が可能となり、そのため、トレンチエッチング停止が解消され、ビアエッチング停止が厚さ50%まで低減される。エッチングされたフォトレジストおよびエッチングされたBARCに対して、エッチングされたSARCにおけるエッチング後の架橋が著しく増加しないことから、エッチングされたSARCは、液体除去組成物を使用して除去することができる。
マイクロ電子デバイスウエハーからのSARC材料のクリーニング除去は、困難であり、かつ/または費用がかかることが分かっている。除去しない場合には、その層は、その後のケイ化物化(silicidation)または接触形成を妨げ得る。一般に、その層は、酸化的もしくは還元的プラズマ灰化または湿式クリーニングによって除去される。しかしながら、プラズマ灰化は、それによって、基板が酸化的もしくは還元的プラズマエッチングにかけられ、形態の形状および寸法が変化することによって、または誘電率を増加することによって、誘電材料に損傷が起こる。後者の問題は、有機シリケートガラス(OSG)または炭素ドープ酸化物ガラスなどの低k誘電材料が下地誘電材料である場合にはより顕著である。したがって、SARC層を除去するためのプラズマ灰化の使用を避けることが望ましい場合が多い。
低キャパシタンス(低k)絶縁材もしくは誘電体によって分離された、アルミニウム、銅、コバルト、または他の相互連結金属または相互連結バリアを処理するために、クリーナー/エッチング剤組成物が、バックエンドプロセス(BEOL)用途で使用される場合、SARCを除去するために使用される組成物は、良好な金属相溶性、例えば、銅、アルミニウム、コバルト等における低エッチング速度を有すること、かつ下地シリケート材料が、クリーナー組成物によって影響を受けないことが重要である。廃棄処分技術が簡単であることから、除去水溶液が好ましいが、除去水溶液は、金属相互連結をエッチングまたは腐食することが知られている。
したがって、マイクロ電子デバイスの表面からSARC層を完全かつ効率的に除去することができ、同時に、同じ範囲で存在する誘電材料および/または相互連結金属への損傷を最小限に抑える、低含水率の除去組成物が当技術分野において必要とされている。
発明の概要
本発明は、特に、液体除去組成物によって影響を受けないことが望まれる下地シリケート材料および相互連結金属と共に犠牲反射防止シリケート材料が存在する場合に、その上にかかる材料が付着されたマイクロ電子デバイスの表面から犠牲反射防止シリケート材料を除去するのに有用な、液体除去組成物およびプロセスに関する。具体的には、本発明は、アルミニウム、銅およびコバルト合金相溶性のSARC除去組成物に関する。
本発明は、特に、液体除去組成物によって影響を受けないことが望まれる下地シリケート材料および相互連結金属と共に犠牲反射防止シリケート材料が存在する場合に、その上にかかる材料が付着されたマイクロ電子デバイスの表面から犠牲反射防止シリケート材料を除去するのに有用な、液体除去組成物およびプロセスに関する。具体的には、本発明は、アルミニウム、銅およびコバルト合金相溶性のSARC除去組成物に関する。
一の態様において、本発明は、少なくとも1種類のフッ化物含有化合物、少なくとも1種類の有機溶媒、任意に水、および任意に少なくとも1種類のキレート剤を含有する液体除去組成物に関し、前記液体除去組成物は、犠牲反射防止コーティング(SARC)材料および/またはエッチング後残留物を、その上にかかる材料および残留物を有するマイクロ電子デバイスから除去するのに有用である。
他の態様において、本発明は、少なくとも1種類のフッ化物含有化合物を含む液体除去組成物試薬、少なくとも1種類の有機溶媒、任意に水、および任意に少なくとも1種類のキレート剤を1つまたは複数の容器内に含有するキットに関し、そのキットは、SARC材料および/またはエッチング後残留物を、その上に前記材料および残留物を有するマイクロ電子デバイスから除去するのに適している液体除去組成物を形成するように適応されている。
更なる態様において、本発明は、SARC材料および/またはエッチング後残留物を、その上に前記材料および残留物を有するマイクロ電子デバイスから除去する方法に関し、前記方法は、マイクロ電子デバイスから前記材料および残留物を少なくとも部分的に除去するのに十分な時間、マイクロ電子デバイスを液体除去組成物と接触させることを含み、その液体除去組成物は、少なくとも1種類のフッ化物含有化合物、少なくとも1種類の有機溶媒、任意に水、および任意に少なくとも1種類のキレート剤を含有する。
さらに他の態様において、本発明は、少なくとも1種類のフッ化物含有化合物、任意に少なくとも1種類の有機溶媒、任意に酸−塩基緩衝液、任意に少なくとも1種類のキレート剤/不動態化剤、および任意に水を含有する液体除去組成物に関し、前記液体除去組成物は、犠牲反射防止コーティング(SARC)材料を、その上にかかる材料および残留物を有するマイクロ電子デバイスから除去するのに有用である。
他の態様において、本発明は、液体除去組成物試薬を1つまたは複数の容器内に含有するキットであって、その液体除去組成物が、少なくとも1種類のフッ化物含有化合物、少なくとも1種類の有機溶媒、任意に酸−塩基緩衝液、任意に少なくとも1種類のキレート剤/不動態化剤、および任意に水を含むキットに関し、そのキットは、SARC材料を、その上に前記材料を有するマイクロ電子デバイスから除去するのに適している液体除去組成物を形成するように適応されている。
更なる態様において、本発明は、SARC材料を、その上に前記材料を有するマイクロ電子デバイスから除去する方法に関し、前記方法は、マイクロ電子デバイスから前記材料を少なくとも部分的に除去するのに十分な時間、マイクロ電子デバイスを液体除去組成物と接触させることを含み、その液体除去組成物は、少なくとも1種類のフッ化物含有化合物、任意に少なくとも1種類の有機溶媒、任意に酸−塩基緩衝液、任意に少なくとも1種類のキレート剤/不動態化剤、および任意に水を含有する。
他の態様において、本発明は、SARC材料および/またはエッチング後残留物を、その上に前記材料および残留物を有するマイクロ電子デバイスから少なくとも部分的に除去するのに十分な時間、マイクロ電子デバイスを液体除去組成物と接触させることを含む、マイクロ電子デバイスを製造する方法に関し、その液体除去組成物は、少なくとも1種類のフッ化物含有化合物、少なくとも1種類の有機溶媒、任意に水、および任意に少なくとも1種類のキレート剤を含有する。
本発明のさらに他の態様は、本明細書に記載の方法および/または組成物を用いて、SARCおよびエッチング後残留物を、その上に前記材料を有するマイクロ電子デバイスから少なくとも部分的に除去することと、任意に、製品にマイクロ電子デバイスを組み込むことと、を含む本発明の方法を用いて製造された、向上したマイクロ電子デバイスおよびそれを組み込んだ製品に関する。
本発明の他の態様、特徴、および実施形態は、次の開示内容および添付の特許請求の範囲から、より完全に理解されよう。
発明の詳細な説明、およびその好ましい実施形態
本発明は、犠牲反射防止コーティング(SARC)材料および/またはエッチング後残留物を、その上にかかる材料を有するマイクロ電子デバイスの表面から除去するのに有用である液体除去組成物を企図する。
本発明は、犠牲反射防止コーティング(SARC)材料および/またはエッチング後残留物を、その上にかかる材料を有するマイクロ電子デバイスの表面から除去するのに有用である液体除去組成物を企図する。
参照を容易にするために、「マイクロ電子デバイス」とは、マイクロエレクトロニクス、集積回路、またはコンピューターチップ用途で使用するために製造される、半導体基板、フラットパネルディスプレイ、および微小電気機械システム(MEMS)に相当する。「マイクロ電子デバイス」という用語は、決して制限的なことを意味するものではなく、最終的にマイクロ電子デバイスまたはマイクロエレクトロニクスアセンブリとなる、あらゆる基板を含むことを理解されたい。
本明細書で定義される、「低k誘電材料」とは、積層(layered)マイクロ電子デバイスにおいて誘電材料として使用されるいずれかの材料に相当し、その材料は、約3.5未満の誘電率を有する。好ましくは、その低k誘電材料は、ケイ素含有有機ポリマー、ケイ素含有ハイブリッド有機/無機材料、有機シリケートガラス(OSG)、TEOS、フッ素化シリケートガラス(FSG)、二酸化ケイ素、および炭素ドープ酸化物(CDO)ガラスなどの低極性材料を含む。低k誘電材料は、様々な密度および様々な多孔度を有し得ることは理解されよう。
本明細書で使用される、「約」は、記載の値の±5%に相当することを意味する。
本明細書で使用される、SARC材料および/またはエッチング後残留物を、その上に前記材料を有するマイクロ電子デバイスから除去する「適性」とは、マイクロ電子デバイスからの前記SARCおよび/またはエッチング後残留物質の少なくとも部分的な除去に相当する。好ましくは、材料の少なくとも約90%、さらに好ましくは材料の少なくとも95%、最も好ましくは材料の少なくとも99%が、本発明の組成物を使用してマイクロ電子デバイスから除去される。
本明細書で使用される、「エッチング後残留物」とは、気相プラズマエッチングプロセス、例えばBEOLデュアルダマシン加工後に残る材料に相当する。エッチング後残留物は、本質的に有機、有機金属、有機ケイ素、または無機材料、例えばケイ素含有材料、炭素ベースの有機材料、および限定されないが、塩素およびフッ素などのエッチングガス残留物である。
本明細書で定義される、「SARC材料」は、二層および三層フォトレジスト、底部(bottom)反射防止コーティング(BARC)および犠牲反射防止コーティング(SARC)に相当し、本質的に有機および/または無機材料である。さらに、SARC材料は、SARC層および/またはSARC含有残留物を含み得る。
本発明の組成物は、以下により完全に説明されるように、多種多様な具体的な配合で具体化される。
かかるすべての組成物において、組成物の具体的な成分が、下限ゼロを含む重量パーセンテージ範囲を参照して述べられている場合、かかる成分は、組成物の様々な具体的な実施形態中に存在する、または存在しないこと、かつかかる成分が存在する場合には、かかる成分がその中で用いられる組成物の全重量に基づき0.001重量%と低い濃度で存在し得ることを理解されたい。
実施形態A
一の態様において、本発明は、SARC層および/またはエッチング後残留物をマイクロ電子デバイスから除去するのに有用な液体除去組成物に関する。本発明の広範な説明における以下のSARC層の具体的な参照は、本発明の実例となる実施例を提供することを意味するものであり、決してそれを制限することを意味するものではない。実施形態Aの配合物は、組成物の全重量に基づき以下の範囲で存在する、少なくとも1種類のフッ化物含有化合物と、少なくとも1種類の有機溶媒と、任意に水と、任意に少なくとも1種類のキレート剤/不動態化剤と、を含有する。
一の態様において、本発明は、SARC層および/またはエッチング後残留物をマイクロ電子デバイスから除去するのに有用な液体除去組成物に関する。本発明の広範な説明における以下のSARC層の具体的な参照は、本発明の実例となる実施例を提供することを意味するものであり、決してそれを制限することを意味するものではない。実施形態Aの配合物は、組成物の全重量に基づき以下の範囲で存在する、少なくとも1種類のフッ化物含有化合物と、少なくとも1種類の有機溶媒と、任意に水と、任意に少なくとも1種類のキレート剤/不動態化剤と、を含有する。
本発明の広範な実施において、実施形態Aの液体除去組成物は、少なくとも1種類のフッ化物含有化合物、少なくとも1種類の有機溶媒、任意に水、および任意に少なくとも1種類のキレート剤/不動態化剤を含む、からなる、またはから本質的になる。一般に、互いに関する、フッ化物含有化合物、有機溶媒、任意の水、および任意のキレート剤/不動態化剤の具体的な割合および量は、必要以上の努力をすることなく、当業者によって容易に決定可能なように、SARC層種および/または加工装置に液体組成物の所望の除去作用を提供するために適切に変化させることができる。
有機溶媒とフッ化物含有化合物とのモル比の範囲は、約1:1〜約120:1、好ましくは約20:1〜約80:1、最も好ましくは約30:1〜約65:1であり;有機溶媒と水(存在する場合)とのモル比の範囲は、約1:1〜約150:1、好ましくは約20:1〜約80:1、最も好ましくは約30:1〜約60:1であり;有機溶媒とキレート剤(存在する場合)とのモル比の範囲は、約1:1〜約300:1である。
実施形態Aの組成物は、好ましくは範囲約1〜約5、さらに好ましくは約4未満のpH値を有する。
かかる組成物は任意に、活性成分ならびに不活性成分を含む更なる成分、例えば、界面活性剤、安定剤、分散剤、酸化防止剤、浸透剤、補助剤、添加剤、充填剤、賦形剤等を含有し得る。さらに、実施形態Aの組成物は、泡、霧、亜臨界流体または超臨界流体として配合されることも本明細書において企図される。例えば、SCF約100部:実施形態A1部〜約6:1の比、好ましくは約20:1の比で実施形態Aの組成物を二酸化炭素などの超臨界流体に添加することができる。
好ましくは、実施形態Aのクリーニング組成物は以下の成分を含有する。
成分のパーセンテージは、組成物の全重量に基づく重量%であり、組成物のかかる成分の重量%の合計は、100重量%を超えない。特に好ましい実施形態において、水は、範囲約0.01重量%〜約1重量%の量で存在し、脱イオン水および非オゾン処理水であり、組成物に添加されるか、または他の成分のうちの1つにおいて残留して存在する。さらに、好ましくは、組成物は、コリン化合物および過酸化水素などの酸化剤を実質的に含有しない。
フッ化物の存在が、酸性溶液でシリケート材料をエッチングするのに必要であることから、フッ化物イオンの供給源が必要とされる。フッ化物含有化合物の適切な供給源としては、限定されないが、フッ化水素、フッ化アンモニウム、およびトリエタノールアミンフッ化水素酸塩が挙げられる。その代わりとして、重フッ化アンモニウム((NH4)HF2)、重フッ化テトラアルキルアンモニウム((R)4NHF2、式中、Rは、メチル、エチル、プロピル、ブチル、フェニル、ベンジル、またはフッ素化C1−C4アルキル基である)などの重フッ化物の塩を使用することができる。2種類以上のフッ化物種の組み合わせもまた、本明細書において企図される。好ましい実施形態において、フッ化物含有化合物としては、フッ化水素が挙げられる。注目すべきことには、フッ化水素は一般に、残りの量の水と共に輸送され、したがって、その後に水が意図的に添加されないとしても、除去組成物中に水が存在し得る。代替方法としては、配合物中に唯一の水が、溶媒から生じる微量の水であるようにするため、気体無水フッ化水素が使用される。無水フッ化水素含有配合物は一般に、水含有配合物よりも優れた金属および誘電体相溶性を示す。
有機溶媒種は、溶媒としての役割を果たし、かつSARCおよび/またはエッチング後残留物中に存在し得る有機残留物の溶解を助ける。かかる組成物のための適切な溶媒種としては、限定されないが、直鎖または分枝鎖C1−C6アルコール、限定されないが、メタノール、エタノール、1−プロパノール、2−プロパノール、1−ブタノール、2−ブタノール、t−ブタノール、1−ペンタノール、およびヘキサノール;エチレングリコール、プロピレングリコール(1,2−プロパンジオール)、テトラメチレングリコール(1,4−ブタンジオール)およびネオペンチルグリコールなどのグリコール;またはジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールn−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールn−プロピルエーテル、トリプロピレングリコールn−プロピルエーテル、プロピレングリコールn−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールn−ブチルエーテル、およびトリプロピレングリコールn−ブチルエーテルなどのグリコールエーテルが挙げられる。有用である他の溶媒は、ジメチルアセトアミド、ホルムアミド、ジメチルホルムアミド、1−メチル−2−ピロリジノン、ジメチルスルホキシドなどの一般的な極性溶媒、および他の極性溶媒である。2種類以上の溶媒種の組み合わせも本明細書において企図される。多孔質低k誘電材料については、有機溶媒種としては、好ましくは1−ブタノールおよび1,4−ブタンジオールが挙げられる。高密度誘電体に最も好ましいクリーニング溶液は、グリコール、極性溶媒およびグリコールエーテルの組み合わせ、さらに好ましくは、エチレングリコール、テトラメチレンスルホンおよびトリプロピレングリコールメチルエーテルの組み合わせまたはエチレングリコール、テトラメチレンスルホンおよびジプロピレングリコールn−ブチルエーテルの組み合わせである。
キレート剤を添加して、下地層における金属、例えば銅および/またはコバルトの腐食を低減することができる。かかる組成物におけるキレート剤/不動態化剤は、いずれかの適切な種類のものであり、限定されないが、トリアゾール、例えば、1,2,4−トリアゾール、またはC1−C8アルキル、アミノ、チオール、メルカプト、イミノ、カルボキシおよびニトロ基などの置換基で置換されたトリアゾール、例えば、ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、5−フェニル−ベンゾトリアゾール、5−ニトロ−ベンゾトリアゾール、3−アミノ−5−メルカプト−1,2,4−トリアゾール、1−アミノ−1,2,4−トリアゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、2−(5−アミノ−ペンチル)−ベンゾトリアゾール、1−アミノ−1,2,3−トリアゾール、1−アミノ−5−メチル−1,2,3−トリアゾール、3−アミノ−1,2,4−トリアゾール、3−メルカプト−1,2,4−トリアゾール、3−イソプロピル−1,2,4−トリアゾール、5−フェニルチオール−ベンゾトリアゾール、ハロ−ベンゾトリアゾール(ハロ=F、Cl、BrまたはI)、ナフトトリアゾール等、ならびにチアゾール、テトラゾール、イミダゾール、ホスフェート、チオールおよびアジン、例えば2−メルカプトベンゾイミジゾール、2−メルカプトベンゾチアゾール,4−メチル−2−フェニルイミダゾール、2−メルカプトチアゾリン、5−アミノテトラゾール、5−アミノ−1,3,4−チアジアゾール−2−チオール、2,4−ジアミノ−6−メチル−1,3,5−トリアジン、チアゾール、トリアジン、メチルテトラゾール、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、1,5−ペンタメチレンテトラゾール、1−フェニル−5−メルカプトテトラゾール、ジアミノメチルトリアジン、メルカプトベンゾチアゾール、イミダゾリンチオン、メルカプトベンズイミダゾール、4−メチル−4H−1,2,4−トリアゾール−3−チオール、5−アミノ−1,3,4−チアジアゾール−2−チオール、ベンゾチアゾール、トリトリルホスフェート、インジアゾール等が挙げられる。適切なキレート剤種としてはさらに、グリセロール、アミノ酸、カルボン酸、アルコール、アミド、およびキノリン、例えばグアニン、アデニン、グリセロール、チオグリセロール、ニトリロ三酢酸、サリチルアミド、イミノ二酢酸、ベンゾグアナミン、メラミン、チオシラヌル酸、アントラニル酸、没食子酸、アスコルビン酸、サリチル酸、8−ヒドロキシキノリン、5−カルボン酸−ベンゾトリアゾール、3−メルカプトプロパノール、ホウ酸、イミノ二酢酸等が挙げられる。2種類以上のキレート剤の組み合わせも本明細書において企図される。キレート剤は、マイクロ電子デバイスで使用される金属および誘電材料と組成物との相溶性を高めるために有効に使用される。
種々の好ましい実施形態において、実施形態Aの除去組成物は、以下の実施形態A1〜A7で配合され、すべてのパーセンテージは、配合物の全重量に基づく重量による。
種々の好ましい実施形態において、実施形態Aの除去組成物は、以下の配合物AA〜AI3で配合され、すべてのパーセンテージは、配合物の全重量に基づく重量基準による:
配合物AA:エタノール99.5%;フッ化水素0.245%;水0.255%
配合物AB:エタノール98.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AC:エタノール74.5%;ジプロピレングリコールメチルエーテル25.0%;フッ化水素0.245%;水0.255%
配合物AD:エタノール73.5%;ジプロピレングリコールメチルエーテル25.0%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AE:エタノール74.5%;ジエチレングリコールメチルエーテル25.0%;フッ化水素0.245%;水0.255%
配合物AF:エタノール73.5%;ジエチレングリコールメチルエーテル25.0%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AG:エタノール98.0%;フッ化水素0.98%;水1.02%
配合物AH:メタノール98.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AI:エチレングリコール98.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AJ:プロピレングリコール98.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AK:ジエチレングリコールブチルエーテル98.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AL:2−プロパノール98.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AM:1,4−ブタンジオール98.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AN:1−プロパノール98.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AO:1−ペンタノール98.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AP:エチレングリコール25.0%;1−ブタノール73.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AQ:1−ブタノール98.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AR:エチレングリコール50.0%;1−ブタノール48.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AS:エチレングリコール75.0%;1−ブタノール23.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AT:エチレングリコール25.0%;エタノール73.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AU:エチレングリコール50.0%;エタノール48.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AV:エチレングリコール75.0%;エタノール23.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AW:エチレングリコール70.0%;1−ブタノール28.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AX:エチレングリコール50.0%;1−ブタノール48.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AY:エチレングリコール75.0%;1,4−ブタンジオール23.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AZ:エチレングリコール60.0%;1−ペンタノール38.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AA2:エチレングリコール50.0%;1−ペンタノール48.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AB2:エチレングリコール80.0%;1−ペンタノール18.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AC2:エチレングリコール90.0%;1−ペンタノール8.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AD2:1,4−ブタンジオール99.25%;フッ化水素0.3675%;水0.3825%
配合物AE2:エチレングリコール90.0%;1−ペンタノール9.25%;フッ化水素0.3675%;水0.3825%
配合物AF2:1,4−ブタンジオール99.51%;フッ化水素0.49%
配合物AG2:1,4−ブタンジオール99.265%;フッ化水素0.735%
配合物AH2:1,4−ブタンジオール89.25%;1−ブタノール10.0%;フッ化水素0.3675%;水0.3825%
配合物AI2:1,4−ブタンジオール80.0%;1−ブタノール19.25%;フッ化水素0.3675%;水0.3825%
配合物AJ2:1,4−ブタンジオール70.0%;1−ブタノール29.25%;フッ化水素0.3675%;水0.3825%
配合物AK2:1,4−ブタンジオール60.0%;1−ブタノール39.25%;フッ化水素0.3675%;水0.3825%
配合物AL2:1,4−ブタンジオール50.0%;1−ブタノール49.25%;フッ化水素0.3675%;水0.3825%
配合物AM2:1,4−ブタンジオール98.875%;フッ化水素0.55125%;水0.57375%
配合物AA:エタノール99.5%;フッ化水素0.245%;水0.255%
配合物AB:エタノール98.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AC:エタノール74.5%;ジプロピレングリコールメチルエーテル25.0%;フッ化水素0.245%;水0.255%
配合物AD:エタノール73.5%;ジプロピレングリコールメチルエーテル25.0%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AE:エタノール74.5%;ジエチレングリコールメチルエーテル25.0%;フッ化水素0.245%;水0.255%
配合物AF:エタノール73.5%;ジエチレングリコールメチルエーテル25.0%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AG:エタノール98.0%;フッ化水素0.98%;水1.02%
配合物AH:メタノール98.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AI:エチレングリコール98.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AJ:プロピレングリコール98.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AK:ジエチレングリコールブチルエーテル98.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AL:2−プロパノール98.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AM:1,4−ブタンジオール98.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AN:1−プロパノール98.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AO:1−ペンタノール98.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AP:エチレングリコール25.0%;1−ブタノール73.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AQ:1−ブタノール98.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AR:エチレングリコール50.0%;1−ブタノール48.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AS:エチレングリコール75.0%;1−ブタノール23.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AT:エチレングリコール25.0%;エタノール73.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AU:エチレングリコール50.0%;エタノール48.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AV:エチレングリコール75.0%;エタノール23.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AW:エチレングリコール70.0%;1−ブタノール28.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AX:エチレングリコール50.0%;1−ブタノール48.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AY:エチレングリコール75.0%;1,4−ブタンジオール23.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AZ:エチレングリコール60.0%;1−ペンタノール38.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AA2:エチレングリコール50.0%;1−ペンタノール48.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AB2:エチレングリコール80.0%;1−ペンタノール18.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AC2:エチレングリコール90.0%;1−ペンタノール8.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AD2:1,4−ブタンジオール99.25%;フッ化水素0.3675%;水0.3825%
配合物AE2:エチレングリコール90.0%;1−ペンタノール9.25%;フッ化水素0.3675%;水0.3825%
配合物AF2:1,4−ブタンジオール99.51%;フッ化水素0.49%
配合物AG2:1,4−ブタンジオール99.265%;フッ化水素0.735%
配合物AH2:1,4−ブタンジオール89.25%;1−ブタノール10.0%;フッ化水素0.3675%;水0.3825%
配合物AI2:1,4−ブタンジオール80.0%;1−ブタノール19.25%;フッ化水素0.3675%;水0.3825%
配合物AJ2:1,4−ブタンジオール70.0%;1−ブタノール29.25%;フッ化水素0.3675%;水0.3825%
配合物AK2:1,4−ブタンジオール60.0%;1−ブタノール39.25%;フッ化水素0.3675%;水0.3825%
配合物AL2:1,4−ブタンジオール50.0%;1−ブタノール49.25%;フッ化水素0.3675%;水0.3825%
配合物AM2:1,4−ブタンジオール98.875%;フッ化水素0.55125%;水0.57375%
配合物AY2:エタノール79.25%;1−メチル−2−ピロリジノン20%;フッ化水素0.3675%;水0.3825%
配合物AZ2:エチレングリコール79.25%;ジメチルアセトアミド20%;フッ化水素0.3675%;水0.3825%
配合物AA3:テトラメチレンスルホン99.25%;フッ化水素0.3675%;水0.3825%
配合物AB3:エチレングリコール50%;テトラメチレンスルホン49.25%;フッ化水素0.3675%;水0.3825%
配合物AC3:エチレングリコール50%;テトラメチレンスルホン49.625%;フッ化水素0.375%
配合物AD3:エチレングリコール45%;テトラメチレンスルホン39.625%;トリプロピレングリコールメチルエーテル15%;フッ化水素0.375%
配合物AE3:エチレングリコール45%;テトラメチレンスルホン34.625%;トリプロピレングリコールメチルエーテル20%;フッ化水素0.375%
配合物AF3:エチレングリコール45%;テトラメチレンスルホン39.625%;ジプロピレングリコールn−ブチルエーテル15%;フッ化水素0.375%
配合物AG3:エチレングリコール45%;テトラメチレンスルホン39.625%;ジプロピレングリコールメチルエーテル15%;フッ化水素0.375%
配合物AH3:1,4−ブタンジオール70.0%;1−ブタノール29.25%;フッ化水素0.3675%;水0.3825%
配合物AI3:エチレングリコール44.882%;ジ(プロピレングリコール)ブチルエーテル15%;スルホラン39.64%;HF0.375%;ポリクオタニウム2 0.1%;水酸化テトラメチルアンモニウムシリケート0.003%。
配合物AZ2:エチレングリコール79.25%;ジメチルアセトアミド20%;フッ化水素0.3675%;水0.3825%
配合物AA3:テトラメチレンスルホン99.25%;フッ化水素0.3675%;水0.3825%
配合物AB3:エチレングリコール50%;テトラメチレンスルホン49.25%;フッ化水素0.3675%;水0.3825%
配合物AC3:エチレングリコール50%;テトラメチレンスルホン49.625%;フッ化水素0.375%
配合物AD3:エチレングリコール45%;テトラメチレンスルホン39.625%;トリプロピレングリコールメチルエーテル15%;フッ化水素0.375%
配合物AE3:エチレングリコール45%;テトラメチレンスルホン34.625%;トリプロピレングリコールメチルエーテル20%;フッ化水素0.375%
配合物AF3:エチレングリコール45%;テトラメチレンスルホン39.625%;ジプロピレングリコールn−ブチルエーテル15%;フッ化水素0.375%
配合物AG3:エチレングリコール45%;テトラメチレンスルホン39.625%;ジプロピレングリコールメチルエーテル15%;フッ化水素0.375%
配合物AH3:1,4−ブタンジオール70.0%;1−ブタノール29.25%;フッ化水素0.3675%;水0.3825%
配合物AI3:エチレングリコール44.882%;ジ(プロピレングリコール)ブチルエーテル15%;スルホラン39.64%;HF0.375%;ポリクオタニウム2 0.1%;水酸化テトラメチルアンモニウムシリケート0.003%。
好ましくは、実施形態Aの液体除去組成物は、最高の多孔質低k誘電体相溶性を得るため、1,4−ブタンジオールおよび1−ブタノールを含む。最も好ましくは、液体除去組成物は、配合物AL2、AM2、AH3、およびAI3に相当する。
実施例Aの組成物は、金属相互連結種および/または低k誘電材料への損傷を最小限にしながら、マイクロ電子デバイス基板からSARC層およびエッチング後残留物を除去するのに特に有効である。対象の金属としては、限定されないが、銅、タングステン、コバルト、アルミニウム、タンタルおよびルテニウムが挙げられる。さらに、実施形態Aの組成物は、水などの溶媒で希釈され、限定されないが、研磨スラリーからの粒子、カーボンリッチ粒子、研磨パッド粒子、ブラシ吸着性粒子、構造粒子の装置材料、銅、酸化銅、およびCMPプロセスの副生成物である他の材料など、CMP後の残留物を除去するために、化学機械研磨(CMP)後の組成物として使用されることが、本明細書で企図される。
他の実施形態において、実施形態Aの液体除去組成物は、最高の高密度誘電体相溶性を得るために、エチレングリコール、テトラメチレンスルホンおよびグリコールエーテルを含む。最も好ましくは、液体除去組成物は、配合物AS2またはAV2に相当する。
さらに他の実施形態において、実施形態Aの液体除去組成物は、少なくとも1種類のフッ化物含有化合物、残留物質の除去のための少なくとも1種類の有機溶媒、任意に水、任意に少なくとも1種類のキレート剤/不動態化剤を含有し、その残留物質としては、SARCおよび/またはエッチング後残留物が挙げられる。重要なことには、残留物質は、本発明の液体除去組成物に溶解かつ/または分散することができる。
本発明の液体除去組成物は、各成分を単に添加し、均一な状態にまで混合することによって、容易に配合される。さらに、液体除去組成物は、単一パッケージの配合物、または使用する時点または使用する前に混合される複数パートの配合物として容易に配合することができ、例えば、複数パートの配合物の個々のパートは、器具にて、または器具上流の貯蔵タンク内で混合される。各成分の濃度は、特定の多数の液体除去組成物において大幅に異なり、つまり、本発明の広範な実施においてさらに希釈または濃縮されることができ、本発明の液体除去組成物は様々に、かつ代わりに、本明細書における開示内容と一致する成分のいずれかの組み合わせを含む、からなる、またはから本質的になることを理解されよう。
したがって、本発明の他の態様は、1つまたは複数の容器内に、本発明の組成物を形成するように適応された1種または複数種の成分を含むキットに関する。例えば、キットは、製造工場または使用する箇所で任意の水と合わせられる、少なくとも1種類のフッ化物含有化合物、少なくとも1種類の有機溶媒、および任意に少なくとも1種類のキレート剤/不動態化剤を1つまたは複数の容器内に含み得る。その代わりとして、キットは、製造工場または使用する箇所で少なくとも1種類の溶媒および任意の水と合わせられる、少なくとも1種類のフッ化物含有化合物、および任意に少なくとも1種類のキレート剤/不動態化剤を1つまたは複数の容器内に含み得る。さらに他の実施形態において、キットは、製造工場または使用する箇所に送られる、少なくとも1種類のフッ化物含有化合物、少なくとも1種類の有機溶媒、および水を1つまたは複数の容器内に含み得る。キットの容器は、前記液体除去組成物を保管および輸送するのに適していなければならず、例えば、NOWPak(登録商標)容器(米国,コネチカット州ダンベリーのアドバンスト・テクノロジー・マテリアルズ社(Advanced Technology Materials,Inc.,Danbury,Conn.,USA))が挙げられる。
実施形態B
他の態様において、本発明の配合物は、組成物の全重量に基づき以下の範囲で存在する、少なくとも1種類のフッ化物含有化合物、任意に少なくとも1種類の有機溶媒、任意に酸−塩基緩衝液、任意に少なくとも1種類のキレート剤/不動態化剤、および任意に水を含有する。
他の態様において、本発明の配合物は、組成物の全重量に基づき以下の範囲で存在する、少なくとも1種類のフッ化物含有化合物、任意に少なくとも1種類の有機溶媒、任意に酸−塩基緩衝液、任意に少なくとも1種類のキレート剤/不動態化剤、および任意に水を含有する。
本発明の広範な実施において、実施形態Bの液体除去組成物は、少なくとも1種類のフッ化物含有化合物、任意に少なくとも1種類の有機溶媒、任意に酸−塩基緩衝液、任意に少なくとも1種類のキレート剤/不動態化剤、および任意に水を含む、からなる、またはから本質的になり得る。一般に、互いに関する、フッ化物含有化合物、任意の水、任意の有機溶媒、任意の酸−塩基緩衝液、および任意のキレート剤/不動態化剤の具体的な割合および量は、必要以上の努力をすることなく、当業者によって容易に決定可能なように、SARC層種および/または加工装置に液体組成物の所望の除去作用を提供するために適切に変化させることができる。
本発明の組成物は、以下により完全に説明されるように、多種多様な具体的な配合物で具体化される。
実施形態Bの組成物は、範囲約4〜約9のpH値、好ましくは範囲約5〜約7のpH値を有することが好ましい。
かかる組成物は任意に、活性成分ならびに不活性成分などの更なる成分、例えば界面活性剤、安定剤、分散剤、酸化防止剤、浸透剤、補助剤、添加剤、充填剤、賦形剤等を含有し得る。さらに、実施形態Bの組成物は、泡、霧、亜臨界流体または超臨界流体として配合されることも本明細書において企図される。例えば、SCF約100部:実施形態B1部〜約6:1の比、好ましくは約20:1の比で実施形態Bの組成物を二酸化炭素などの超臨界流体に添加することができる。
フッ化物の存在が、酸性溶液でシリケート材料をエッチングするのに必要であることから、フッ化物イオンの供給源が必要とされる。調製および取り扱いの安全のために、中性フッ化物塩が好ましい。アミンの蒸発が原因でpHが変化するのを防ぐために、アミン−ヒドロフッ化物塩含有不揮発性アミンが最も好ましい。フッ化物含有化合物の適切な供給源としては、限定されないが、フッ化アンモニウム、トリエチルアミン・トリヒドロフッ化物((C2H5)3N・3HF)、メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩、トリエタノールアミン−フッ化水素酸塩、およびヒドロキシエチルモルホリン−フッ化水素酸塩が挙げられる。その代わりとして、重フッ化アンモニウム((NH4)HF2)、重フッ化テトラアルキルアンモニウム((R)4NHF2、式中、Rは、メチル、エチル、ブチル、フェニル、またはフッ素化C1−C4アルキル基である)などの重フッ化物の塩を使用することができる。2種類以上のフッ化物含有化合の組み合わせもまた、本明細書において企図される。好ましい実施形態において、フッ化物含有化合物は、フッ化アンモニウムまたはメチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩である。
有機溶媒種は、溶媒としての役割を果たし、かつSARC中に存在し得る有機残留物の溶解を助ける。かかる組成物のための適切な溶媒種としては、限定されないが、実施形態Aに関して上記で挙げられたものなど、グリコールおよびグリコールエーテル;ジメチルスルホキシド(DMSO);ジメチルアセトアミド;アミン、例えばモノエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリエチレンジアミン、メチルエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、ペンタメチルジエチレントリアミン、ジメチルジグリコールアミン、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン、アミノプロピルモルホリン、ヒドロキシエチルモルホリン、アミノエチルモルホリン、ヒドロキシプロピルモルホリン、ジグリコールアミン、N−メチルピロリジノン(NMP)、N−オクチルピロリジノン、N−フェニルピロリジノン、シクロヘキシルピロリジノン、イミダゾリドン、およびビニルピロリジノンが挙げられる。2種類以上の有機溶媒の組み合わせも本明細書において企図される。好ましくは、有機溶媒としては、ジエチレングリコール、ジメチルジグリコールアミン、ジエチレングリコールメチルエーテルおよびNMPが挙げられる。
酸/塩基緩衝液は、pHを安定させ、かつSARC、他の残留物、誘電体および相互連結金属などの下地材料に対する溶液のエッチング速度選択性を制御する役割を果たす。本発明の緩衝系において有用な有機酸としては、限定されないが、ギ酸、トリフルオロ酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、ヘプタン酸、乳酸、シュウ酸、リンゴ酸、マロン酸、コハク酸、フマル酸、アジピン酸、安息香酸、フタル酸およびクエン酸が挙げられる。本発明の緩衝系において有用な共役塩基としては、限定されないが、有機酸の塩、および有機溶媒の一覧に挙げられるアミンの塩が挙げられる。2種類以上の酸/塩基緩衝液の組み合わせも本明細書において企図される。好ましい実施形態において、本発明の緩衝系は、マロン酸およびジメチルジグリコールアミンを含む。
キレート剤を添加して、下地層における金属、例えば銅および/またはコバルトの腐食を低減することができる。かかる組成物におけるキレート剤/不動態化剤は、例えば実施形態Aに関して上述される適切な種類であることができる。
水が意図的に組成物に添加されなかったとしても、実施例Bの除去組成物中に水が存在し得ることが本明細書において企図される。
種々の好ましい実施形態において、実施形態の除去組成物は、以下の配合物BA〜BJ2で配合され、すべてのパーセンテージは、配合物の全重量に基づく重量基準による:
配合物BA:フッ化アンモニウム0.5%;マロン酸2.58%;ジエチレングリコール68.08%;ジメチルジグリコールアミン3%;水25.64%;3−アミノ−5−メルカプト−1,2,4−トリアゾール0.2%
配合物BB:フッ化アンモニウム0.5%;マロン酸2.58%;ジエチレングリコール68.08%;ジメチルジグリコールアミン3%;水25.64%;4−メチル−2−フェニルイミダゾール0.2%
配合物BC:フッ化アンモニウム0.5%;マロン酸2.58%;ジエチレングリコール68.08%;ジメチルジグリコールアミン3%;水25.64%;5−アミノ−1,3,4−チアジアゾール−2−チオール0.2%
配合物BA:フッ化アンモニウム0.5%;マロン酸2.58%;ジエチレングリコール68.08%;ジメチルジグリコールアミン3%;水25.64%;3−アミノ−5−メルカプト−1,2,4−トリアゾール0.2%
配合物BB:フッ化アンモニウム0.5%;マロン酸2.58%;ジエチレングリコール68.08%;ジメチルジグリコールアミン3%;水25.64%;4−メチル−2−フェニルイミダゾール0.2%
配合物BC:フッ化アンモニウム0.5%;マロン酸2.58%;ジエチレングリコール68.08%;ジメチルジグリコールアミン3%;水25.64%;5−アミノ−1,3,4−チアジアゾール−2−チオール0.2%
配合物BR:フッ化アンモニウム2.0%;マロン酸2.58%;ジエチレングリコール89.52%;ジメチルジグリコールアミン3%;クエン酸2.9%
配合物BS:フッ化アンモニウム1.0%;マロン酸5.16%;ジエチレングリコール87.84%;ジメチルジグリコールアミン3%;マレイン酸3%
配合物BT:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩75%;水25%
配合物BU:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩67.5%;水22.5%;ジエチレングリコールメチルエーテル10%
配合物BV:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩60%;水20%;ジエチレングリコールメチルエーテル20%
配合物BW:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩67.5%;水22.5%;イミダゾリドン10%
配合物BX:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩60%;水20%;NMP20%
配合物BY:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩74.85%;水24.95%;3−アミノ−5−メルカプト−1,2,4−トリアゾール0.2%
配合物BZ:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩74.85%;水24.95%;5−アミノ−1,3,4−チアジアゾール−2−チオール0.2%
配合物BA2:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩74.85%;水24.95%;4−メチル−4H−1,2,4−トリアゾール−3−チオール0.2%
配合物BB2:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩60%;水20%;ペンタメチルジエチレントリアミン20%
配合物BC2:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩59.88%;水19.96%;NMP19.96%;5−アミノ−1,3,4−チアジアゾール−2−チオール0.2%
配合物BD2:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩59.88%;水19.96%;NMP19.96%;4−メチル−4H−1,2,4−トリアゾール−3−チオール0.2%
配合物BE2:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩37.5%;トリエタノールアミン−フッ化水素酸塩18.75%;ヒドロキシエチルモルホリン−フッ化水素酸塩22.1%;水21.65%
配合物BF2:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩60%;トリエタノールアミン−フッ化水素酸塩7.5%;ヒドロキシエチルモルホリン−フッ化水素酸塩8.84%;水23.66%
配合物BG2:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩45%;メチルジエタノールアミン−リン酸塩29.88%;水25.12%
配合物BH2:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩40.55%;メチルジエタノールアミン−リン酸塩26.89%;ジメチルアセトアミド10%;水22.6%
配合物BI2:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩40.55%;メチルジエタノールアミン−リン酸塩26.89%;NMP10%;水22.6%
配合物BJ2:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩40.55%;メチルジエタノールアミン−リン酸塩26.89%;DMSO10%;水22.6%。
配合物BS:フッ化アンモニウム1.0%;マロン酸5.16%;ジエチレングリコール87.84%;ジメチルジグリコールアミン3%;マレイン酸3%
配合物BT:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩75%;水25%
配合物BU:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩67.5%;水22.5%;ジエチレングリコールメチルエーテル10%
配合物BV:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩60%;水20%;ジエチレングリコールメチルエーテル20%
配合物BW:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩67.5%;水22.5%;イミダゾリドン10%
配合物BX:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩60%;水20%;NMP20%
配合物BY:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩74.85%;水24.95%;3−アミノ−5−メルカプト−1,2,4−トリアゾール0.2%
配合物BZ:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩74.85%;水24.95%;5−アミノ−1,3,4−チアジアゾール−2−チオール0.2%
配合物BA2:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩74.85%;水24.95%;4−メチル−4H−1,2,4−トリアゾール−3−チオール0.2%
配合物BB2:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩60%;水20%;ペンタメチルジエチレントリアミン20%
配合物BC2:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩59.88%;水19.96%;NMP19.96%;5−アミノ−1,3,4−チアジアゾール−2−チオール0.2%
配合物BD2:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩59.88%;水19.96%;NMP19.96%;4−メチル−4H−1,2,4−トリアゾール−3−チオール0.2%
配合物BE2:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩37.5%;トリエタノールアミン−フッ化水素酸塩18.75%;ヒドロキシエチルモルホリン−フッ化水素酸塩22.1%;水21.65%
配合物BF2:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩60%;トリエタノールアミン−フッ化水素酸塩7.5%;ヒドロキシエチルモルホリン−フッ化水素酸塩8.84%;水23.66%
配合物BG2:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩45%;メチルジエタノールアミン−リン酸塩29.88%;水25.12%
配合物BH2:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩40.55%;メチルジエタノールアミン−リン酸塩26.89%;ジメチルアセトアミド10%;水22.6%
配合物BI2:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩40.55%;メチルジエタノールアミン−リン酸塩26.89%;NMP10%;水22.6%
配合物BJ2:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩40.55%;メチルジエタノールアミン−リン酸塩26.89%;DMSO10%;水22.6%。
さらに、実施形態Bの組成物は、水などの溶媒で希釈され、限定されないが、研磨スラリーからの粒子、カーボンリッチ粒子、研磨パッド粒子、ブラシ吸着性粒子、構造粒子の装置材料、銅、酸化銅、およびCMPプロセスの副生成物である他の材料などのCMP後残留物を除去するために、化学機械研磨(CMP)後組成物として使用されることが、本明細書で企図される。
本発明の液体除去組成物は、各成分を単に加え、均一な状態まで混合することによって容易に配合される。さらに、液体除去組成物は、単一パッケージの配合物、または使用する時点でまたは使用する前に混合される複数パートの配合物として容易に配合することができ、例えば、複数パートの配合物の個々のパートは、器具にて、または器具上流の貯蔵タンク内で混合される。各成分の濃度は、具体的な多数の液体除去組成物において大幅に異なり、つまり、本発明の広範な実施においてさらに希釈または濃縮されることができ、本発明の液体除去組成物は様々に、かつ代わりに、本明細書における開示内容と一致する成分のいずれかの組み合わせを含む、からなる、またはから本質的になることを理解されよう。
したがって、本発明の他の態様は、1つまたは複数の容器内に、本発明の組成物を形成するように適応された1種または複数種の成分を含むキットに関する。例えば、キットは、製造工場または使用する箇所で任意の水と合わせられる、少なくとも1種類のフッ化物含有化合物、任意に少なくとも1種類の有機溶媒、任意に酸−塩基緩衝液、および任意に少なくとも1種類のキレート剤/不動態化剤を1つまたは複数の容器内に含み得る。代替方法としては、キットは、製造工場または使用する箇所で任意の水および任意の少なくとも1種類の有機溶媒と合わせられる、少なくとも1種類のフッ化物含有化合物、任意に酸−塩基緩衝液、および任意に少なくとも1種類のキレート剤/不動態化剤を1つまたは複数の容器内に含み得る。キットの容器は、前記液体除去組成物を保管および輸送するのに適していなければならず、例えば、NOWPak(登録商標)容器(米国,コネチカット州ダンベリーのアドバンスト・テクノロジー・マテリアルズ社(Advanced Technology Materials,Inc.,Danbury,Conn.,USA))が挙げられる。
さらに他の実施形態において、実施形態Bの液体除去組成物は、残留物質を除去するための、少なくとも少なくとも1種類のフッ化物含有化合物、任意に少なくとも1種類の有機溶媒、任意に酸−塩基緩衝液、任意に少なくとも1種類のキレート剤/不動態化剤、および任意に水を含有し、その残留物質は、SARCおよび/またはエッチング後残留物を含む。重要なことには、残留物質は、本発明の液体除去組成物に溶解かつ/または分散することができる。
液体除去組成物の使用用法
本発明の除去組成物は、各成分を単に添加し、均一な状態まで混合することによって容易に配合される。
本発明の除去組成物は、各成分を単に添加し、均一な状態まで混合することによって容易に配合される。
除去用途において、除去組成物は、いずれかの適切な方法で、例えば、マイクロ電子デバイスの表面上に除去組成物を吹付けることによって、多量のクリーニング組成物中でマイクロ電子デバイスを浸し塗りすることによって、クリーニングされるマイクロ電子デバイスを他の材料と、例えば、除去組成物をたっぷり含んだパッドまたは繊維状吸収性アプリケーター要素と接触させることによって、マイクロ電子デバイスを循環除去組成物と接触させることによって、または、クリーニングされるマイクロ電子デバイスと除去組成物を除去接触させる、他の適切な手段、手法または技術によって、クリーニングされるマイクロ電子デバイスに塗布される。
半導体製造作業に適用される場合、本発明のクリーニング組成物は、SARCおよび/またはエッチング後残留物質を、その上にかかる材料を有するマイクロ電子デバイスから除去するために有用に用いられる。
本発明の組成物は、ILD構造、金属被覆、バリア層など、マイクロ電子デバイス上に存在し、かつ除去組成物にさらされる他の材料と比較して、かかるSARC材料に対するその選択性によって、非常に効率的な方法でSARCおよび/またはエッチング後残留物質の少なくとも部分的な除去を実現する。
重要なことには、本発明の組成物は、少量の水、例えば約1重量%未満の水を含み、特に実施例Aの組成物はそのままで、銅、アルミニウムおよびコバルトなどの金属相互連結層と相溶性である。本発明の組成物の存在下での銅および/またはコバルトのエッチング速度は、好ましくは5Å/分未満、さらに好ましくは2Å/分未満、最も好ましくは1Å/分未満である。
SARC材料を、その上にその材料を有するマイクロ電子デバイス基板から除去するための本発明の組成物の使用において、一般に、クリーニング組成物を範囲約20〜約80℃の温度で約1〜約60分、好ましくは約20〜約30分の時間、デバイス基板と接触させる。かかる接触時間および温度は実例であり、本発明の広範な実施内でデバイス基板からSARC材料を少なくとも部分的に除去するのに有効な、他の適切な時間および温度条件を用いることができる。本明細書で定義される、「少なくとも部分的な除去」とは、SARC材料の少なくとも50%の除去、好ましくはSARC材料の少なくとも80%の除去に相当する。最も好ましくは、SARC材料の少なくとも90%が、本発明の組成物を使用して除去される。
所望のクリーニング作用を実現した後、例えば、本発明の組成物の所定の最終用途において望ましく、かつ有効であるような、すすぎ、洗浄、または他の除去段階によって、クリーニング組成物は、それが事前に塗布されているデバイスから容易に除去される。例えば、デバイスは脱イオン水ですすがれる。
本発明の更なる実施形態は、マイクロ電子デバイスを含む物品を製造する方法に関し、前記方法は、SARCおよび/またはエッチング後残留物質を、その上に前記材料を有するマイクロ電子デバイスから除去するのに十分な時間、マイクロ電子デバイスを液体除去組成物と接触させることと、前記物品中に前記マイクロ電子デバイスを組み込むこととを含み、液体除去組成物は、少なくとも1種類のフッ化物含有化合物、少なくとも1種類の有機溶媒、任意に水、および任意に少なくとも1種類のキレート剤/不動態化剤を含有する。
本発明の他の実施形態は、マイクロ電子デバイスを含む物品を製造する方法に関し、前記方法は、SARCおよび/またはエッチング後残留物質を、その上に前記材料を有するマイクロ電子デバイスから除去するのに十分な時間、マイクロ電子デバイスを液体除去組成物と接触させることと、前記物品中に前記マイクロ電子デバイスを組み込むこととを含み、液体除去組成物は、少なくとも1種類のフッ化物含有化合物、任意に少なくとも1種類の有機溶媒、任意に酸−塩基緩衝液、任意に少なくとも1種類のキレート剤/不動態化剤、および任意に水を含有する。
本発明の特徴および利点は、以下に記述される例証となる実施例によってより完全に示される。
実施例1
SARC層を含むパターン形成低k誘電体基板の試料上でSARC除去を行った。試料を40℃で30分間(表1および2)または20℃で15分間(表3)、実施例Aの除去溶液に浸漬し、次いで、大量の脱イオン水ですすいだ。走査型電子顕微鏡法を用いて、パターンウエハーからのSARC材料の除去%を概算した。その結果を以下の表1〜3に示す。
SARC層を含むパターン形成低k誘電体基板の試料上でSARC除去を行った。試料を40℃で30分間(表1および2)または20℃で15分間(表3)、実施例Aの除去溶液に浸漬し、次いで、大量の脱イオン水ですすいだ。走査型電子顕微鏡法を用いて、パターンウエハーからのSARC材料の除去%を概算した。その結果を以下の表1〜3に示す。
パターンウエハーからのSARC層の除去を概算することに加えて、除去溶液における銅および/またはコバルト金属のエッチング速度を決定した。銅および/またはコバルトのブランケット金属ウエハーを除去溶液に浸漬し、抵抗率に基づく四探針測定を用いて、各金属のエッチング速度を決定した。その結果を以下の表1に示す。
実施例2
実施形態Bの除去溶液における銅および/またはコバルト金属のエッチング速度を実験的に決定した。銅および/またはコバルトのブランケット金属ウエハーを除去溶液に浸漬し、ガルヴァーニ電池を用いて各金属のエッチング速度を決定した。その結果を以下の表4に示す。
実施形態Bの除去溶液における銅および/またはコバルト金属のエッチング速度を実験的に決定した。銅および/またはコバルトのブランケット金属ウエハーを除去溶液に浸漬し、ガルヴァーニ電池を用いて各金属のエッチング速度を決定した。その結果を以下の表4に示す。
実施例3
配合物AL2およびAM2にブランケット(blanketed)誘電体、銅およびコバルトウエハーを40℃で30分間、静的浸漬した後に、誘電材料、銅およびコバルトのエッチング速度を決定した。電気化学的に導き出されたターフェルプロットを用いて、エッチング速度を決定した。
配合物AL2およびAM2にブランケット(blanketed)誘電体、銅およびコバルトウエハーを40℃で30分間、静的浸漬した後に、誘電材料、銅およびコバルトのエッチング速度を決定した。電気化学的に導き出されたターフェルプロットを用いて、エッチング速度を決定した。
AL2において、誘電材料、コバルト、および銅のエッチング速度はそれぞれ、1.7Å/分−1、0.043Å/分−1、および0.07Å/分−1であると決定された。配合物AM2においては、誘電材料、コバルト、および銅のエッチング速度はそれぞれ、0.6Å/分−1、0.028Å/分−1、および0.055Å/分−1であると決定された。
したがって、本発明は、本発明の具体的な態様、特徴および実例となる実施形態を参照して本明細書で説明されているが、本発明の有用性は限定されるものではなく、むしろ、多くの他の態様、特徴および実施形態に及び、かつ多くの他の態様、特徴および実施形態を包含することを理解されたい。したがって、以下に記載の特許請求の範囲はそれに応じて、その精神および範囲内で、かかるすべての態様、特徴および実施形態を含むと広く解釈されることが意図される。
Claims (35)
- 少なくとも1種類のフッ化物含有化合物と、少なくとも1種類の有機溶媒と、任意に水と、任意に少なくとも1種類のキレート剤とを含む液体除去組成物であって、犠牲反射防止コーティング(SARC)材料およびエッチング後残留物を、その上にかかる材料および残留物を有するマイクロ電子デバイスから除去するのに有用である、液体除去組成物。
- 有機溶媒とフッ化物含有化合物とのモル比が、約1:1〜約120:1の範囲である、請求項1に記載の液体除去組成物。
- 有機溶媒とフッ化物含有化合物とのモル比が、約30:1〜約65:1の範囲である、請求項1に記載の液体除去組成物。
- 前記の少なくとも1種類のフッ化物含有化合物がフッ化水素を含む、請求項1に記載の液体除去組成物。
- 前記の少なくとも1種類の有機溶媒が、テトラメチレンスルホン、メタノール、エタノール、1−プロパノール、2−プロパノール、1−ブタノール、2−ブタノール、t−ブタノール、1−ペンタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、1,4−ブタンジオール、ネオペンチルグリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールn−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールn−プロピルエーテル、トリプロピレングリコールn−プロピルエーテル、プロピレングリコールn−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールn−ブチルエーテル、トリプロピレングリコールn−ブチルエーテル、ジメチルアセトアミド、ホルムアミド、ジメチルホルムアミド、1−メチル−2−ピロリジノン、ジメチルスルホキシド、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される化合物を含む、請求項1に記載の液体除去組成物。
- 少なくとも1種類の有機溶媒が、メタノール、エタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、2−プロパノール、1−プロパノール、1−ブタノール、1,4−ブタンジオール、1−ペンタノール、ジエチレングリコールメチルエーテル、テトラメチレンスルホン、トリプロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールn−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される化合物を含む、請求項1に記載の液体除去組成物。
- 前記の少なくとも1種類の有機溶媒が、1−ブタノール、1,4−ブタンジオールおよびそれらの組み合わせからなる群から選択される化合物を含む、請求項1に記載の液体除去組成物。
- 前記の少なくとも1種類の有機溶媒が、エチレングリコール、テトラメチレンスルホン、トリプロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールn−ブチルエーテル、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される化合物を含む、請求項1に記載の液体除去組成物。
- 水を含有し、有機溶媒と水とのモル比が、約1:1〜約150:1である、請求項1に記載の液体除去組成物。
- 水を含有し、有機溶媒と水とのモル比が、約30:1〜約60:1である、請求項1に記載の液体除去組成物。
- ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、5−フェニル−ベンゾトリアゾール、5−ニトロ−ベンゾトリアゾール、3−アミノ−5−メルカプト−1,2,4−トリアゾール、1−アミノ−1,2,4−トリアゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、2−(5−アミノ−ペンチル)−ベンゾトリアゾール、1−アミノ−1,2,3−トリアゾール、1−アミノ−5−メチル−1,2,3−トリアゾール、3−アミノ−1,2,4−トリアゾール、3−メルカプト−1,2,4−トリアゾール、3−イソプロピル−1,2,4−トリアゾール、5−フェニルチオール−ベンゾトリアゾール、ハロ−ベンゾトリアゾール、ナフトトリアゾール、2−メルカプトベンゾイミジゾール、2−メルカプトベンゾチアゾール、4−メチル−2−フェニルイミダゾール、2−メルカプトチアゾリン、5−アミノテトラゾール、5−アミノ−1,3,4−チアジアゾール−2−チオール、2,4−ジアミノ−6−メチル−1,3,5−トリアジン、チアゾール、トリアジン、メチルテトラゾール、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、1,5−ペンタメチレンテトラゾール、1−フェニル−5−メルカプトテトラゾール、ジアミノメチルトリアジン、メルカプトベンゾチアゾール、イミダゾリンチオン、メルカプトベンズイミダゾール、4−メチル−4H−1、2,4−トリアゾール−3−チオール、5−アミノ−1,3,4−チアジアゾール−2−チオール、ベンゾチアゾール、トリトリルホスフェート、インジアゾール、グアニン、アデニン、グリセロール、チオグリセロール、ニトリロ三酢酸、サリチルアミド、イミノ二酢酸、ベンゾグアナミン、メラミン、チオシラヌル酸、アントラニル酸、没食子酸、アスコルビン酸、サリチル酸、8−ヒドロキシキノリン、5−カルボン酸−ベンゾトリアゾール、3−メルカプトプロパノール、ホウ酸、イミノ二酢酸、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも1種類のキレート剤を含有する、請求項1に記載の液体除去組成物。
- 水が、前記組成物の全重量に基づき約0.01重量%〜約1重量%の量で存在する、請求項9に記載の液体除去組成物。
- 前記組成物のpHが、約1〜約5の範囲である、請求項1に記載の液体除去組成物。
- 99%を超えるSARC材料を除去し、かつ40℃において約0.1Å/分−1未満の銅エッチング速度を有する、請求項1に記載の液体除去組成物。
- 99%を超えるSARC材料を除去し、かつ40℃において約0.1Å/分−1未満のコバルトエッチング速度を有する、請求項1に記載の液体除去組成物。
- 99%を超えるSARC材料を除去し、かつ40℃において約2Å/分−1未満の誘電材料エッチング速度を有する、請求項1に記載の液体除去組成物。
- SARC残留物、エッチング後残留物、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される残留物質をさらに含む、請求項1に記載の液体除去組成物。
- 少なくとも1種類の酸−塩基緩衝液をさらに含む、請求項1に記載の液体除去組成物。
- 前記組成物のpHが、約4〜約9の範囲である、請求項18に記載の液体除去組成物。
- 配合物AA〜AI3およびBA〜BJ2:
配合物AA:エタノール99.5%;フッ化水素0.245%;水0.255%
配合物AB:エタノール98.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AC:エタノール74.5%;ジプロピレングリコールメチルエーテル25.0%;フッ化水素0.245%;水0.255%
配合物AD:エタノール73.5%;ジプロピレングリコールメチルエーテル25.0%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AE:エタノール74.5%;ジエチレングリコールメチルエーテル25.0%;フッ化水素0.245%;水0.255%
配合物AF:エタノール73.5%;ジエチレングリコールメチルエーテル25.0%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AG:エタノール98.0%;フッ化水素0.98%;水1.02%
配合物AH:メタノール98.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AI:エチレングリコール98.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AJ:プロピレングリコール98.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AK:ジエチレングリコールブチルエーテル98.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AL:2−プロパノール98.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AM:1,4−ブタンジオール98.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AN:1−プロパノール98.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AO:1−ペンタノール98.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AP:エチレングリコール25.0%;1−ブタノール73.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AQ:1−ブタノール98.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AR:エチレングリコール50.0%;1−ブタノール48.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AS:エチレングリコール75.0%;1−ブタノール23.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AT:エチレングリコール25.0%;エタノール73.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AU:エチレングリコール50.0%;エタノール48.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AV:エチレングリコール75.0%;エタノール23.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AW:エチレングリコール70.0%;1−ブタノール28.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AX:エチレングリコール50.0%;1−ブタノール48.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AY:エチレングリコール75.0%;1,4−ブタンジオール23.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AZ:エチレングリコール60.0%:1−ペンタノール38.5%:フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AA2:エチレングリコール50.0%;1−ペンタノール48.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AB2:エチレングリコール80.0%;1−ペンタノール18.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AC2:エチレングリコール90.0%;1−ペンタノール8.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AD2:1,4−ブタンジオール99.25%;フッ化水素0.3675%;水0.3825%
配合物AE2:エチレングリコール90.0%;1−ペンタノール9.25%;フッ化水素0.3675%;水0.3825%
配合物AF2:1,4−ブタンジオール99.51%;フッ化水素0.49%
配合物AG2:1,4−ブタンジオール99.265%;フッ化水素0.735%
配合物AH2:1,4−ブタンジオール89.25%;1−ブタノール10.0%;フッ化水素0.3675%;水0.3825%
配合物AI2:1,4−ブタンジオール80.0%;1−ブタノール19.25%;フッ化水素0.3675%;水0.3825%
配合物AJ2:1,4−ブタンジオール70.0%;1−ブタノール29.25%;フッ化水素0.3675%;水0.3825%
配合物AK2:1,4−ブタンジオール60.0%;1−ブタノール39.25%;フッ化水素0.3675%;水0.3825%
配合物AL2:1,4−ブタンジオール50.0%;1−ブタノール49.25%;フッ化水素0.3675%;水0.3825%
配合物AM2:1,4−ブタンジオール98.875%;フッ化水素0.55125%;水0.57375%
配合物AY2:エタノール79.25%;1−メチル−2−ピロリジノン20%;フッ化水素0.3675%;水0.3825%
配合物AZ2:エチレングリコール79.25%;ジメチルアセトアミド20%;フッ化水素0.3675%;水0.3825%
配合物AA3:テトラメチレンスルホン99.25%;フッ化水素0.3675%;水0.3825%
配合物AB3:エチレングリコール50%;テトラメチレンスルホン49.25%;フッ化水素0.3675%;水0.3825%
配合物AC3:エチレングリコール50%;テトラメチレンスルホン49.625%;フッ化水素0.375%
配合物AD3:エチレングリコール45%;テトラメチレンスルホン39.625%;トリプロピレングリコールメチルエーテル15%;フッ化水素0.375%
配合物AE3:エチレングリコール45%;テトラメチレンスルホン34.625%;トリプロピレングリコールメチルエーテル20%;フッ化水素0.375%
配合物AF3:エチレングリコール45%;テトラメチレンスルホン39.625%;ジプロピレングリコールn−ブチルエーテル15%;フッ化水素0.375%
配合物AG3:エチレングリコール45%;テトラメチレンスルホン39.625%;ジプロピレングリコールメチルエーテル15%;フッ化水素0.375%
配合物AH3:1,4−ブタンジオール70.0%;1−ブタノール29.25%;フッ化水素0.3675%;水0.3825%
配合物AI3:エチレングリコール44.882%;ジ(プロピレングリコール)ブチルエーテル15%;スルホラン39.64%;HF0.375%;ポリクオタニウム2 0.1%;水酸化テトラメチルアンモニウムシリケート0.003%
配合物BA:フッ化アンモニウム0.5%;マロン酸2.58%;ジエチレングリコール68.08%;ジメチルジグリコールアミン3%;水25.64%;3−アミノ−5−メルカプト−1,2,4−トリアゾール0.2%
配合物BB:フッ化アンモニウム0.5%;マロン酸2.58%;ジエチレングリコール68.08%;ジメチルジグリコールアミン3%;水25.64%;4−メチル−2−フェニルイミダゾール0.2%
配合物BC:フッ化アンモニウム0.5%;マロン酸2.58%;ジエチレングリコール68.08%;ジメチルジグリコールアミン3%;水25.64%;5−アミノ−1,3,4−チアジアゾール−2−チオール0.2%
配合物BR:フッ化アンモニウム2.0%;マロン酸2.58%;ジエチレングリコール89.52%;ジメチルジグリコールアミン3%;クエン酸2.9%
配合物BS:フッ化アンモニウム1.0%;マロン酸5.16%;ジエチレングリコール87.84%;ジメチルジグリコールアミン3%;マレイン酸3%
配合物BT:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩75%;水25%
配合物BU:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩67.5%;水22.5%;ジエチレングリコールメチルエーテル10%
配合物BV:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩60%;水20%;ジエチレングリコールメチルエーテル20%
配合物BW:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩67.5%;水22.5%;イミダゾリドン10%
配合物BX:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩60%;水20%;NMP20%
配合物BY:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩74.85%;水24.95%;3−アミノ−5−メルカプト−1,2,4−トリアゾール0.2%
配合物BZ:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩74.85%;水24.95%;5−アミノ−1,3,4−チアジアゾール−2−チオール0.2%
配合物BA2:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩74.85%;水24.95%;4−メチル−4H−1,2,4−トリアゾール−3−チオール0.2%
配合物BB2:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩60%;水20%;ペンタメチルジエチレントリアミン20%
配合物BC2:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩59.88%;水19.96%;NMP19.96%;5−アミノ−1,3,4−チアジアゾール−2−チオール0.2%
配合物BD2:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩59.88%;水19.96%;NMP19.96%;4−メチル−4H−1,2,4−トリアゾール−3−チオール0.2%
配合物BE2:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩37.5%;トリエタノールアミン−フッ化水素酸塩18.75%;ヒドロキシエチルモルホリン−フッ化水素酸塩22.1%;水21.65%
配合物BF2:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩60%;トリエタノールアミン−フッ化水素酸塩7.5%;ヒドロキシエチルモルホリン−フッ化水素酸塩8.84%;水23.66%
配合物BG2:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩45%;メチルジエタノールアミン−リン酸塩29.88%;水25.12%
配合物BH2:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩40.55%;メチルジエタノールアミン−リン酸塩26.89%;ジメチルアセトアミド10%;水22.6%
配合物BI2:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩40.55%;メチルジエタノールアミン−リン酸塩26.89%;NMP10%;水22.6%
配合物BJ2:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩40.55%;メチルジエタノールアミン−リン酸塩26.89%;DMSO10%;水22.6%
からなる群から選択され、すべてのパーセンテージが、配合物の全重量に基づく重量基準である、請求項1に記載の液体除去組成物。 - 前記マイクロ電子デバイスが、半導体基板、フラットパネルディスプレイ、および微小電気機械システム(MEMS)からなる群から選択される物品を含む、請求項1に記載の液体除去組成物。
- 液体除去組成物試薬を1つまたは複数の容器内に含むキットであって、前記液体除去組成物が、少なくとも1種類のフッ化物含有化合物と、少なくとも1種類の有機溶媒と、任意に水と、任意に少なくとも1種類のキレート剤とを含み、かつ前記キットが、SARC材料および/またはエッチング後残留物を、その上に前記材料および残留物を有するマイクロ電子デバイスから除去するのに適している液体除去組成物を形成するように適応されている、キット。
- SARC材料および/またはエッチング後残留物を、その上に前記材料および残留物を有するマイクロ電子デバイスから除去する方法であって、マイクロ電子デバイスから前記材料および残留物を少なくとも部分的に除去するのに十分な時間、マイクロ電子デバイスを液体除去組成物と接触させることを含み、前記液体除去組成物が、少なくとも1種類のフッ化物含有化合物と、少なくとも1種類の有機溶媒と、任意に水と、任意に少なくとも1種類のキレート剤とを含む、方法。
- 前記液体除去組成物が水を含み、有機溶媒と水とのモル比が、約1:1〜約150:1の範囲である、請求項23に記載の方法。
- 前記液体除去組成物が水を含み、有機溶媒と水とのモル比が、約30:1〜約60:1の範囲である、請求項23に記載の方法。
- 前記マイクロ電子デバイスが、半導体基板、フラットパネルディスプレイ、および微小電気機械システム(MEMS)からなる群から選択される物品である、請求項23に記載の方法。
- 前記接触が、約1分〜約60分間行われる、請求項23に記載の方法。
- 前記接触が、約20℃〜約80℃の範囲の温度で行われる、請求項23に記載の方法。
- 前記の少なくとも1種類のフッ化物含有化合物が、フッ化水素を含み;かつ
前記の少なくとも1種類の有機溶媒が、テトラメチレンスルホン、メタノール、エタノール、1−プロパノール、2−プロパノール、1−ブタノール、2−ブタノール、t−ブタノール、1−ペンタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、1,4−ブタンジオール、ネオペンチルグリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールn−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールn−プロピルエーテル、トリプロピレングリコールn−プロピルエーテル、プロピレングリコールn−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールn−ブチルエーテル、トリプロピレングリコールn−ブチルエーテル、ジメチルアセトアミド、ホルムアミド、ジメチルホルムアミド、1−メチル−2−ピロリジノン、ジメチルスルホキシド、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される化合物を含む、請求項23に記載の方法。 - 有機溶媒とフッ化物含有化合物とのモル比が、約1:1〜約120:1の範囲である、請求項23に記載の方法。
- 有機溶媒とフッ化物含有化合物とのモル比が、約30:1〜約60:1の範囲である、請求項23に記載の方法。
- 前記接触が、マイクロ電子デバイスの表面に液体除去組成物を吹付けること;十分な量の液体除去組成物にマイクロ電子デバイスを浸し塗りすること;マイクロ電子デバイスの表面を、液体除去組成物で飽和された他の材料と接触させること;マイクロ電子デバイスを循環する液体除去組成物と接触させること;からなる群から選択されるプロセスを含む、請求項23に記載の方法。
- 前記液体除去組成物と接触させた後に、マイクロ電子デバイスを脱イオン水ですすぐことをさらに含む、請求項23に記載の方法。
- 前記液体除去組成物が、少なくとも1種類の酸−塩基緩衝液をさらに含む、請求項23に記載の方法。
- 前記液体除去組成物が、配合物AA〜AI3およびBA〜BJ2:
配合物AA:エタノール99.5%;フッ化水素0.245%;水0.255%
配合物AB:エタノール98.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AC:エタノール74.5%;ジプロピレングリコールメチルエーテル25.0%;フッ化水素0.245%;水0.255%
配合物AD:エタノール73.5%;ジプロピレングリコールメチルエーテル25.0%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AE:エタノール74.5%;ジエチレングリコールメチルエーテル25.0%;フッ化水素0.245%;水0.255%
配合物AF:エタノール73.5%;ジエチレングリコールメチルエーテル25.0%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AG:エタノール98.0%;フッ化水素0.98%;水1.02%
配合物AH:メタノール98.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AI:エチレングリコール98.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AJ:プロピレングリコール98.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AK:ジエチレングリコールブチルエーテル98.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AL:2−プロパノール98.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AM:1,4−ブタンジオール98.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AN:1−プロパノール98.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AO:1−ペンタノール98.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AP:エチレングリコール25.0%;1−ブタノール73.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AQ:1−ブタノール98.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AR:エチレングリコール50.0%;1−ブタノール48.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AS:エチレングリコール75.0%;1−ブタノール23.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AT:エチレングリコール25.0%;エタノール73.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AU:エチレングリコール50.0%;エタノール48.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AV:エチレングリコール75.0%;エタノール23.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AW:エチレングリコール70.0%;1−ブタノール28.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AX:エチレングリコール50.0%;1−ブタノール48.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AY:エチレングリコール75.0%;1,4−ブタンジオール23.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AZ:エチレングリコール60.0%;1−ペンタノール38.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AA2:エチレングリコール50.0%;1−ペンタノール48.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AB2:エチレングリコール80.0%;1−ペンタノール18.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AC2:エチレングリコール90.0%;1−ペンタノール8.5%;フッ化水素0.735%;水0.765%
配合物AD2:1,4−ブタンジオール99.25%;フッ化水素0.3675%;水0.3825%
配合物AE2:エチレングリコール90.0%;1−ペンタノール9.25%;フッ化水素0.3675%;水0.3825%
配合物AF2:1,4−ブタンジオール99.51%;フッ化水素0.49%
配合物AG2:1,4−ブタンジオール99.265%;フッ化水素0.735%
配合物AH2:1,4−ブタンジオール89.25%;1−ブタノール10.0%;フッ化水素0.3675%;水0.3825%
配合物AI2:1,4−ブタンジオール80.0%;1−ブタノール19.25%;フッ化水素0.3675%;水0.3825%
配合物AJ2:1,4−ブタンジオール70.0%;1−ブタノール29.25%;フッ化水素0.3675%;水0.3825%
配合物AK2:1,4−ブタンジオール60.0%;1−ブタノール39.25%;フッ化水素0.3675%;水0.3825%
配合物AL2:1,4−ブタンジオール50.0%;1−ブタノール49.25%;フッ化水素0.3675%;水0.3825%
配合物AM2:1,4−ブタンジオール98.875%;フッ化水素0.55125%;水0.57375%
配合物AY2:エタノール79.25%;1−メチル−2−ピロリジノン20%;フッ化水素0.3675%;水0.3825%
配合物AZ2:エチレングリコール79.25%;ジメチルアセトアミド20%;フッ化水素0.3675%;水0.3825%
配合物AA3:テトラメチレンスルホン99.25%;フッ化水素0.3675%;水0.3825%
配合物AB3:エチレングリコール50%;テトラメチレンスルホン49.25%;フッ化水素0.3675%;水0.3825%
配合物AC3:エチレングリコール50%;テトラメチレンスルホン49.625%;フッ化水素0.375%
配合物AD3:エチレングリコール45%;テトラメチレンスルホン39.625%;トリプロピレングリコールメチルエーテル15%;フッ化水素0.375%
配合物AE3:エチレングリコール45%;テトラメチレンスルホン34.625%;トリプロピレングリコールメチルエーテル20%;フッ化水素0.375%
配合物AF3:エチレングリコール45%;テトラメチレンスルホン39.625%;ジプロピレングリコールn−ブチルエーテル15%;フッ化水素0.375%
配合物AG3:エチレングリコール45%;テトラメチレンスルホン39.625%;ジプロピレングリコールメチルエーテル15%;フッ化水素0.375%
配合物AH3:1,4−ブタンジオール70.0%;1−ブタノール29.25%;フッ化水素0.3675%;水0.3825%
配合物AI3:エチレングリコール44.882%;ジ(プロピレングリコール)ブチルエーテル15%;スルホラン39.64%;HF0.375%;ポリクオタニウム2 0.1%;水酸化テトラメチルアンモニウムシリケート0.003%
配合物BA:フッ化アンモニウム0.5%;マロン酸2.58%;ジエチレングリコール68.08%;ジメチルジグリコールアミン3%;水25.64%;3−アミノ−5−メルカプト−1,2,4−トリアゾール0.2%
配合物BB:フッ化アンモニウム0.5%;マロン酸2.58%;ジエチレングリコール68.08%;ジメチルジグリコールアミン3%;水25.64%;4−メチル−2−フェニルイミダゾール0.2%
配合物BC:フッ化アンモニウム0.5%;マロン酸2.58%;ジエチレングリコール68.08%;ジメチルジグリコールアミン3%;水25.64%;5−アミノ−1,3,4−チアジアゾール−2−チオール0.2%
配合物BR:フッ化アンモニウム2.0%;マロン酸2.58%;ジエチレングリコール89.52%;ジメチルジグリコールアミン3%;クエン酸2.9%
配合物BS:フッ化アンモニウム1.0%;マロン酸5.16%;ジエチレングリコール87.84%;ジメチルジグリコールアミン3%;マレイン酸3%
配合物BT:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩75%;水25%
配合物BU:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩67.5%;水22.5%;ジエチレングリコールメチルエーテル10%
配合物BV:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩60%;水20%;ジエチレングリコールメチルエーテル20%
配合物BW:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩67.5%;水22.5%;イミダゾリドン10%
配合物BX:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩60%;水20%;NMP20%
配合物BY:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩74.85%;水24.95%;3−アミノ−5−メルカプト−1,2,4−トリアゾール0.2%
配合物BZ:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩74.85%;水24.95%;5−アミノ−1,3,4−チアジアゾール−2−チオール0.2%
配合物BA2:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩74.85%;水24.95%;4−メチル−4H−1,2,4−トリアゾール−3−チオール0.2%
配合物BB2:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩60%;水20%;ペンタメチルジエチレントリアミン20%
配合物BC2:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩59.88%;水19.96%;NMP19.96%;5−アミノ−1,3,4−チアジアゾール−2−チオール0.2%
配合物BD2:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩59.88%;水19.96%;NMP19.96%;4−メチル−4H−1,2,4−トリアゾール−3−チオール0.2%
配合物BE2:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩37.5%;トリエタノールアミン−フッ化水素酸塩18.75%;ヒドロキシエチルモルホリン−フッ化水素酸塩22.1%;水21.65%
配合物BF2:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩60%;トリエタノールアミン−フッ化水素酸塩7.5%;ヒドロキシエチルモルホリン−フッ化水素酸塩8.84%;水23.66%
配合物BG2:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩45%;メチルジエタノールアミン−リン酸塩29.88%;水25.12%
配合物BH2:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩40.55%;メチルジエタノールアミン−リン酸塩26.89%;ジメチルアセトアミド10%;水22.6%
配合物BI2:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩40.55%;メチルジエタノールアミン−リン酸塩26.89%;NMP10%;水22.6%
配合物BJ2:メチルジエタノールアミン−フッ化水素酸塩40.55%;メチルジエタノールアミン−リン酸塩26.89%;DMSO10%;水22.6%
からなる群から選択され、すべてのパーセンテージが、配合物の全重量に基づく重量基準である、請求項23に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US68820405P | 2005-06-07 | 2005-06-07 | |
PCT/US2006/022049 WO2006133253A1 (en) | 2005-06-07 | 2006-06-07 | Metal and dielectric compatible sacrificial anti-reflective coating cleaning and removal composition |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008546036A true JP2008546036A (ja) | 2008-12-18 |
Family
ID=37498777
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008515853A Withdrawn JP2008546036A (ja) | 2005-06-07 | 2006-06-07 | 金属および誘電体相溶性の犠牲反射防止コーティング浄化および除去組成物 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8951948B2 (ja) |
EP (2) | EP2759881A1 (ja) |
JP (1) | JP2008546036A (ja) |
KR (3) | KR101332501B1 (ja) |
CN (2) | CN102981377B (ja) |
IL (1) | IL187956A0 (ja) |
SG (2) | SG10201504423QA (ja) |
TW (3) | TWI622639B (ja) |
WO (1) | WO2006133253A1 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007128038A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-05-24 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | ストリッパー |
JP2011118101A (ja) * | 2009-12-02 | 2011-06-16 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | リソグラフィー用洗浄液及び配線形成方法 |
JP2016074906A (ja) * | 2008-10-21 | 2016-05-12 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | 銅の洗浄及び保護配合物 |
JP2016215468A (ja) * | 2015-05-19 | 2016-12-22 | キヤノン株式会社 | 液体吐出ヘッドの製造方法 |
KR20170015452A (ko) * | 2014-06-04 | 2017-02-08 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 금속, 유전체 및 니트라이드 상용성을 가진 반사-방지 코팅 세정 및 에칭-후 잔류물 제거 조성물 |
JP2018528284A (ja) * | 2015-07-14 | 2018-09-27 | フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー.エス.エー., インコーポレイテッド | 洗浄組成物及びその使用方法 |
JP2019516004A (ja) * | 2016-05-10 | 2019-06-13 | アトテツク・ドイチユラント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツングAtotech Deutschland GmbH | 非水性剥離組成物、および基材から有機被覆を剥離する方法 |
JP2020531654A (ja) * | 2017-08-22 | 2020-11-05 | フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー.エス.エー., インコーポレイテッド | 洗浄組成物 |
JPWO2019151141A1 (ja) * | 2018-02-05 | 2021-01-28 | 富士フイルム株式会社 | 処理液、及び、処理方法 |
Families Citing this family (54)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102981377B (zh) | 2005-06-07 | 2014-11-12 | 高级技术材料公司 | 金属和电介质相容的牺牲性抗反射涂层清洗及去除组合物 |
CN101233601A (zh) * | 2005-06-13 | 2008-07-30 | 高级技术材料公司 | 在金属硅化物形成后用于选择性除去金属或金属合金的组合物及方法 |
US20090032766A1 (en) * | 2005-10-05 | 2009-02-05 | Advanced Technology Materials, Inc. | Composition and method for selectively etching gate spacer oxide material |
KR101444468B1 (ko) | 2005-10-05 | 2014-10-30 | 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 에칭후 잔류물을 제거하기 위한 산화성 수성 세정제 |
WO2007120259A2 (en) * | 2005-11-08 | 2007-10-25 | Advanced Technology Materials, Inc. | Formulations for removing copper-containing post-etch residue from microelectronic devices |
US7960328B2 (en) | 2005-11-09 | 2011-06-14 | Advanced Technology Materials, Inc. | Composition and method for recycling semiconductor wafers having low-k dielectric materials thereon |
TWI611047B (zh) * | 2006-12-21 | 2018-01-11 | 恩特葛瑞斯股份有限公司 | 用以移除蝕刻後殘餘物之液體清洗劑 |
TWI516573B (zh) * | 2007-02-06 | 2016-01-11 | 安堤格里斯公司 | 選擇性移除TiSiN之組成物及方法 |
US20100112728A1 (en) * | 2007-03-31 | 2010-05-06 | Advanced Technology Materials, Inc. | Methods for stripping material for wafer reclamation |
US8372792B2 (en) * | 2007-08-08 | 2013-02-12 | Arakawa Chemical Industries, Ltd. | Cleaner composition for removing lead-free soldering flux, and method for removing lead-free soldering flux |
TWI460557B (zh) * | 2008-03-07 | 2014-11-11 | Wako Pure Chem Ind Ltd | 半導體表面用處理劑組成物及使用半導體表面用處理劑組成物之半導體表面處理方法 |
TWI591158B (zh) * | 2008-03-07 | 2017-07-11 | 恩特葛瑞斯股份有限公司 | 非選擇性氧化物蝕刻濕清潔組合物及使用方法 |
US9063431B2 (en) | 2010-07-16 | 2015-06-23 | Advanced Technology Materials, Inc. | Aqueous cleaner for the removal of post-etch residues |
JP6101421B2 (ja) | 2010-08-16 | 2017-03-22 | インテグリス・インコーポレーテッド | 銅または銅合金用エッチング液 |
WO2012024603A2 (en) | 2010-08-20 | 2012-02-23 | Advanced Technology Materials, Inc. | Sustainable process for reclaiming precious metals and base metals from e-waste |
SG10201508015RA (en) | 2010-10-06 | 2015-10-29 | Entegris Inc | Composition and process for selectively etching metal nitrides |
WO2012082565A1 (en) * | 2010-12-16 | 2012-06-21 | Kyzen Corporation | Cleaning agent for removal of soldering flux |
JP5933950B2 (ja) | 2011-09-30 | 2016-06-15 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | 銅または銅合金用エッチング液 |
SG11201400840UA (en) | 2011-10-05 | 2014-04-28 | Avantor Performance Mat Inc | Microelectronic substrate cleaning compositions having copper/azole polymer inhibition |
SG10201605172RA (en) | 2011-12-28 | 2016-08-30 | Entegris Inc | Compositions and methods for selectively etching titanium nitride |
US10176979B2 (en) | 2012-02-15 | 2019-01-08 | Entegris, Inc. | Post-CMP removal using compositions and method of use |
TW201406932A (zh) | 2012-05-18 | 2014-02-16 | Advanced Tech Materials | 用於自包含氮化鈦之表面脫除光阻劑之組成物及方法 |
US9536730B2 (en) * | 2012-10-23 | 2017-01-03 | Air Products And Chemicals, Inc. | Cleaning formulations |
US9765288B2 (en) | 2012-12-05 | 2017-09-19 | Entegris, Inc. | Compositions for cleaning III-V semiconductor materials and methods of using same |
SG10201706443QA (en) | 2013-03-04 | 2017-09-28 | Entegris Inc | Compositions and methods for selectively etching titanium nitride |
US9245751B2 (en) | 2013-03-12 | 2016-01-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Anti-reflective layer and method |
US9256128B2 (en) | 2013-03-12 | 2016-02-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US9502231B2 (en) | 2013-03-12 | 2016-11-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist layer and method |
US9543147B2 (en) | 2013-03-12 | 2017-01-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist and method of manufacture |
US20140308618A1 (en) * | 2013-04-10 | 2014-10-16 | Cheil Industries Inc. | Organic Solution for Surface Treatment of Induim Zinc Oxide Substrate and Method of Preparing Display Substrate Using the Same |
WO2014197808A1 (en) | 2013-06-06 | 2014-12-11 | Advanced Technology Materials, Inc. | Compositions and methods for selectively etching titanium nitride |
EP3027709A4 (en) | 2013-07-31 | 2017-03-29 | Entegris, Inc. | AQUEOUS FORMULATIONS FOR REMOVING METAL HARD MASK AND POST-ETCH RESIDUE WITH Cu/W COMPATIBILITY |
US10428271B2 (en) | 2013-08-30 | 2019-10-01 | Entegris, Inc. | Compositions and methods for selectively etching titanium nitride |
TWI654340B (zh) | 2013-12-16 | 2019-03-21 | 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 | Ni:NiGe:Ge選擇性蝕刻配方及其使用方法 |
JP6776125B2 (ja) | 2013-12-20 | 2020-10-28 | インテグリス・インコーポレーテッド | イオン注入レジストの除去のための非酸化性の強酸の使用 |
KR20150077076A (ko) | 2013-12-27 | 2015-07-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널, 이를 포함하는 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR102290209B1 (ko) | 2013-12-31 | 2021-08-20 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 규소 및 게르마늄을 선택적으로 에칭하기 위한 배합물 |
US20160340620A1 (en) | 2014-01-29 | 2016-11-24 | Advanced Technology Materials, Inc. | Post chemical mechanical polishing formulations and method of use |
WO2015119925A1 (en) | 2014-02-05 | 2015-08-13 | Advanced Technology Materials, Inc. | Non-amine post-cmp compositions and method of use |
US11978622B2 (en) | 2014-06-30 | 2024-05-07 | Entegris, Inc. | Aqueous and semi-aqueous cleaners for the removal of post-etch residues with tungsten and cobalt compatibility |
KR102586317B1 (ko) * | 2014-12-22 | 2023-10-06 | 바스프 에스이 | 코발트 및/또는 코발트 합금을 포함하는 기판의 폴리싱을 위한 화학 기계적 폴리싱 (cmp) 조성물의 사용 |
KR102384908B1 (ko) * | 2015-11-25 | 2022-04-08 | 삼성전자주식회사 | 자성 패턴 세정 조성물, 자성 패턴 형성 방법 및 자기 메모리 장치의 제조 방법 |
US11319513B2 (en) * | 2016-03-24 | 2022-05-03 | Avantor Performance Materials, Llc | Non-aqueous tungsten compatible metal nitride selective etchants and cleaners |
KR102160019B1 (ko) * | 2016-09-29 | 2020-09-28 | 후지필름 가부시키가이샤 | 처리액 및 적층체의 처리 방법 |
CN110234719A (zh) * | 2017-01-18 | 2019-09-13 | 恩特格里斯公司 | 用于从表面去除氧化铈粒子的组合物和方法 |
US20190103282A1 (en) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | Versum Materials Us, Llc | Etching Solution for Simultaneously Removing Silicon and Silicon-Germanium Alloy From a Silicon-Germanium/Silicon Stack During Manufacture of a Semiconductor Device |
WO2020182468A1 (en) | 2019-03-14 | 2020-09-17 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and apparatus, computer program and lithographic system |
CA3039238A1 (en) * | 2019-04-05 | 2020-10-05 | Fluid Energy Group Ltd. | Novel inhibited hydrofluoric acid composition |
CN110714213A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-01-21 | 武汉奥邦表面技术有限公司 | 一种无氰碱性亚铜电镀铜络合剂 |
CN113433807A (zh) * | 2020-03-23 | 2021-09-24 | 上海新阳半导体材料股份有限公司 | 离子注入光刻胶清洗液、其制备方法及应用 |
CN113430065B (zh) * | 2020-03-23 | 2024-06-07 | 上海新阳半导体材料股份有限公司 | 抗反射涂层清洗及刻蚀后残留物去除组合物、制备方法及用途 |
CA3083522A1 (en) * | 2020-06-12 | 2021-12-12 | Fluid Energy Group Ltd. | Process to manufacture novel inhibited hydrofluoric acid composition |
CN112859552B (zh) * | 2021-02-04 | 2024-01-05 | 上海新阳半导体材料股份有限公司 | 一种氧化钒缓蚀含氟剥离液的应用 |
CN115466651A (zh) * | 2022-10-09 | 2022-12-13 | 福建省腾达洁环保工程有限公司 | 一种电力电子设备带电清洗剂及其制备方法 |
Family Cites Families (66)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4343677A (en) | 1981-03-23 | 1982-08-10 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Method for patterning films using reactive ion etching thereof |
US5320709A (en) | 1993-02-24 | 1994-06-14 | Advanced Chemical Systems International Incorporated | Method for selective removal of organometallic and organosilicon residues and damaged oxides using anhydrous ammonium fluoride solution |
JP3074634B2 (ja) | 1994-03-28 | 2000-08-07 | 三菱瓦斯化学株式会社 | フォトレジスト用剥離液及び配線パターンの形成方法 |
US5571447A (en) * | 1995-03-20 | 1996-11-05 | Ashland Inc. | Stripping and cleaning composition |
JP3236220B2 (ja) | 1995-11-13 | 2001-12-10 | 東京応化工業株式会社 | レジスト用剥離液組成物 |
US5855811A (en) * | 1996-10-03 | 1999-01-05 | Micron Technology, Inc. | Cleaning composition containing tetraalkylammonium salt and use thereof in semiconductor fabrication |
US5698503A (en) * | 1996-11-08 | 1997-12-16 | Ashland Inc. | Stripping and cleaning composition |
US6224785B1 (en) * | 1997-08-29 | 2001-05-01 | Advanced Technology Materials, Inc. | Aqueous ammonium fluoride and amine containing compositions for cleaning inorganic residues on semiconductor substrates |
US6755989B2 (en) * | 1997-01-09 | 2004-06-29 | Advanced Technology Materials, Inc. | Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate |
US6896826B2 (en) | 1997-01-09 | 2005-05-24 | Advanced Technology Materials, Inc. | Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate |
KR100234541B1 (ko) * | 1997-03-07 | 1999-12-15 | 윤종용 | 반도체장치 제조용 웨이퍼의 세정을 위한 세정조성물 및 그를 이용한 세정방법 |
JPH1167632A (ja) | 1997-08-18 | 1999-03-09 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 半導体装置用洗浄剤 |
US6280651B1 (en) | 1998-12-16 | 2001-08-28 | Advanced Technology Materials, Inc. | Selective silicon oxide etchant formulation including fluoride salt, chelating agent, and glycol solvent |
US6211126B1 (en) | 1997-12-23 | 2001-04-03 | Advanced Technology Materials, Inc. | Formulations including a 1, 3-dicarbonyl compound chelating agent for stripping residues from semiconductor substrates |
JPH11323394A (ja) | 1998-05-14 | 1999-11-26 | Texas Instr Japan Ltd | 半導体素子製造用洗浄剤及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
CA2332390A1 (en) | 1998-05-18 | 1999-11-25 | Advanced Technology Materials, Inc. | Stripping compositions for semiconductor substrates |
US7547669B2 (en) | 1998-07-06 | 2009-06-16 | Ekc Technology, Inc. | Remover compositions for dual damascene system |
US6395194B1 (en) | 1998-12-18 | 2002-05-28 | Intersurface Dynamics Inc. | Chemical mechanical polishing compositions, and process for the CMP removal of iridium thin using same |
JP4224652B2 (ja) | 1999-03-08 | 2009-02-18 | 三菱瓦斯化学株式会社 | レジスト剥離液およびそれを用いたレジストの剥離方法 |
AU4314600A (en) * | 1999-04-27 | 2000-11-10 | Hiroshi Miwa | Glass etching composition and method for frosting using the same |
US6248704B1 (en) | 1999-05-03 | 2001-06-19 | Ekc Technology, Inc. | Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductors devices |
US6268457B1 (en) | 1999-06-10 | 2001-07-31 | Allied Signal, Inc. | Spin-on glass anti-reflective coatings for photolithography |
US6329118B1 (en) | 1999-06-21 | 2001-12-11 | Intel Corporation | Method for patterning dual damascene interconnects using a sacrificial light absorbing material |
US6235693B1 (en) | 1999-07-16 | 2001-05-22 | Ekc Technology, Inc. | Lactam compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductor devices |
US6344432B1 (en) | 1999-08-20 | 2002-02-05 | Advanced Technology Materials, Inc. | Formulations including a 1,3-dicarbonyl compound chelating agent and copper corrosion inhibiting agents for stripping residues from semiconductor substrates containing copper structures |
JP3389166B2 (ja) | 1999-09-10 | 2003-03-24 | 日本電気株式会社 | レジスト用剥離液組成物 |
US6723691B2 (en) | 1999-11-16 | 2004-04-20 | Advanced Technology Materials, Inc. | Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition |
US6492308B1 (en) | 1999-11-16 | 2002-12-10 | Esc, Inc. | Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition |
US6194366B1 (en) | 1999-11-16 | 2001-02-27 | Esc, Inc. | Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition |
TWI288777B (en) * | 2000-04-26 | 2007-10-21 | Daikin Ind Ltd | Detergent composition |
KR20010113396A (ko) * | 2000-06-19 | 2001-12-28 | 주식회사 동진쎄미켐 | 암모늄 플로라이드를 함유하는 포토레지스트 리무버 조성물 |
US6566315B2 (en) | 2000-12-08 | 2003-05-20 | Advanced Technology Materials, Inc. | Formulations including a 1,3-dicarbonyl compound chelating agent and copper corrosion inhibiting agents for stripping residues from semiconductor substrates containing copper structures |
WO2002053508A1 (fr) * | 2000-12-27 | 2002-07-11 | Hiroshi Miwa | Procede de preparation de verre decoratif au moyen d'une composition de gravure sur verre |
US6627587B2 (en) * | 2001-04-19 | 2003-09-30 | Esc Inc. | Cleaning compositions |
US6645867B2 (en) | 2001-05-24 | 2003-11-11 | International Business Machines Corporation | Structure and method to preserve STI during etching |
US20030022800A1 (en) | 2001-06-14 | 2003-01-30 | Peters Darryl W. | Aqueous buffered fluoride-containing etch residue removers and cleaners |
MY143399A (en) | 2001-07-09 | 2011-05-13 | Avantor Performance Mat Inc | Microelectronic cleaning compositons containing ammonia-free fluoride salts for selective photoresist stripping and plasma ash residue cleaning |
TWI297102B (en) | 2001-08-03 | 2008-05-21 | Nec Electronics Corp | Removing composition |
US20030171239A1 (en) * | 2002-01-28 | 2003-09-11 | Patel Bakul P. | Methods and compositions for chemically treating a substrate using foam technology |
US6773873B2 (en) * | 2002-03-25 | 2004-08-10 | Advanced Technology Materials, Inc. | pH buffered compositions useful for cleaning residue from semiconductor substrates |
CN1659481A (zh) * | 2002-06-07 | 2005-08-24 | 马林克罗特贝克公司 | 包含氧化剂和有机溶剂的微电子清洁组合物 |
JP4330529B2 (ja) | 2002-06-07 | 2009-09-16 | マリンクロッド・ベイカー・インコーポレイテッド | マイクロエレクトロニクス洗浄およびarc除去組成物 |
JP2004029276A (ja) | 2002-06-25 | 2004-01-29 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 銅配線基板向け含フッ素レジスト剥離液 |
US20040050406A1 (en) | 2002-07-17 | 2004-03-18 | Akshey Sehgal | Compositions and method for removing photoresist and/or resist residue at pressures ranging from ambient to supercritical |
KR20050024432A (ko) * | 2002-07-23 | 2005-03-10 | 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 희생 항반사 물질의 웨트 스트리핑 제거를 위한 조성물 및방법 |
US6849200B2 (en) * | 2002-07-23 | 2005-02-01 | Advanced Technology Materials, Inc. | Composition and process for wet stripping removal of sacrificial anti-reflective material |
WO2004019134A1 (ja) * | 2002-08-22 | 2004-03-04 | Daikin Industries, Ltd. | 剥離液 |
US7267727B2 (en) * | 2002-09-24 | 2007-09-11 | Air Products And Chemicals, Inc. | Processing of semiconductor components with dense processing fluids and ultrasonic energy |
US8236485B2 (en) | 2002-12-20 | 2012-08-07 | Advanced Technology Materials, Inc. | Photoresist removal |
US7399365B2 (en) * | 2003-04-18 | 2008-07-15 | Ekc Technology, Inc. | Aqueous fluoride compositions for cleaning semiconductor devices |
US7309448B2 (en) | 2003-08-08 | 2007-12-18 | Applied Materials, Inc. | Selective etch process of a sacrificial light absorbing material (SLAM) over a dielectric material |
US20050079803A1 (en) * | 2003-10-10 | 2005-04-14 | Siddiqui Junaid Ahmed | Chemical-mechanical planarization composition having PVNO and associated method for use |
WO2005057281A2 (en) | 2003-12-02 | 2005-06-23 | Advanced Technology Materials, Inc. | Resist, barc and gap fill material stripping chemical and method |
US8338087B2 (en) | 2004-03-03 | 2012-12-25 | Advanced Technology Materials, Inc | Composition and process for post-etch removal of photoresist and/or sacrificial anti-reflective material deposited on a substrate |
US7122484B2 (en) | 2004-04-28 | 2006-10-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Process for removing organic materials during formation of a metal interconnect |
US7497959B2 (en) | 2004-05-11 | 2009-03-03 | International Business Machines Corporation | Methods and structures for protecting one area while processing another area on a chip |
US8030263B2 (en) * | 2004-07-01 | 2011-10-04 | Air Products And Chemicals, Inc. | Composition for stripping and cleaning and use thereof |
US20060063687A1 (en) | 2004-09-17 | 2006-03-23 | Minsek David W | Composition and process for ashless removal of post-etch photoresist and/or bottom anti-reflective material on a substrate |
US20060255315A1 (en) * | 2004-11-19 | 2006-11-16 | Yellowaga Deborah L | Selective removal chemistries for semiconductor applications, methods of production and uses thereof |
CN101163776A (zh) * | 2004-11-19 | 2008-04-16 | 霍尼韦尔国际公司 | 用于半导体应用的选择性去除化学物质,其制备方法和用途 |
US20060154186A1 (en) | 2005-01-07 | 2006-07-13 | Advanced Technology Materials, Inc. | Composition useful for removal of post-etch photoresist and bottom anti-reflection coatings |
US7923423B2 (en) | 2005-01-27 | 2011-04-12 | Advanced Technology Materials, Inc. | Compositions for processing of semiconductor substrates |
US7365045B2 (en) | 2005-03-30 | 2008-04-29 | Advanced Tehnology Materials, Inc. | Aqueous cleaner with low metal etch rate comprising alkanolamine and tetraalkylammonium hydroxide |
CN102981377B (zh) | 2005-06-07 | 2014-11-12 | 高级技术材料公司 | 金属和电介质相容的牺牲性抗反射涂层清洗及去除组合物 |
US20070179072A1 (en) * | 2006-01-30 | 2007-08-02 | Rao Madhukar B | Cleaning formulations |
US20100056410A1 (en) * | 2006-09-25 | 2010-03-04 | Advanced Technology Materials, Inc. | Compositions and methods for the removal of photoresist for a wafer rework application |
-
2006
- 2006-06-07 CN CN201210452842.1A patent/CN102981377B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-07 CN CN2006800281530A patent/CN101233456B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-07 KR KR1020087000228A patent/KR101332501B1/ko active IP Right Grant
- 2006-06-07 EP EP14162920.4A patent/EP2759881A1/en not_active Withdrawn
- 2006-06-07 TW TW104133732A patent/TWI622639B/zh active
- 2006-06-07 TW TW102108988A patent/TWI516574B/zh active
- 2006-06-07 SG SG10201504423QA patent/SG10201504423QA/en unknown
- 2006-06-07 EP EP06772382.5A patent/EP1891482B1/en not_active Not-in-force
- 2006-06-07 US US11/916,891 patent/US8951948B2/en active Active
- 2006-06-07 JP JP2008515853A patent/JP2008546036A/ja not_active Withdrawn
- 2006-06-07 SG SG201003959-2A patent/SG162757A1/en unknown
- 2006-06-07 KR KR1020137010705A patent/KR101431406B1/ko active IP Right Grant
- 2006-06-07 WO PCT/US2006/022049 patent/WO2006133253A1/en active Application Filing
- 2006-06-07 KR KR1020137033788A patent/KR101477455B1/ko active IP Right Grant
- 2006-06-07 TW TW095120181A patent/TWI408212B/zh active
-
2007
- 2007-12-06 IL IL187956A patent/IL187956A0/en unknown
-
2014
- 2014-12-02 US US14/558,071 patent/US9422513B2/en active Active
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007128038A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-05-24 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | ストリッパー |
JP2016074906A (ja) * | 2008-10-21 | 2016-05-12 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | 銅の洗浄及び保護配合物 |
JP2011118101A (ja) * | 2009-12-02 | 2011-06-16 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | リソグラフィー用洗浄液及び配線形成方法 |
JP7018989B2 (ja) | 2014-06-04 | 2022-02-14 | インテグリス・インコーポレーテッド | 金属、誘電体および窒化物適合性を有する、反射防止コーティング洗浄およびエッチング後残留物除去組成物 |
KR20170015452A (ko) * | 2014-06-04 | 2017-02-08 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 금속, 유전체 및 니트라이드 상용성을 가진 반사-방지 코팅 세정 및 에칭-후 잔류물 제거 조성물 |
JP2017519862A (ja) * | 2014-06-04 | 2017-07-20 | インテグリス・インコーポレーテッド | 金属、誘電体および窒化物適合性を有する、反射防止コーティング洗浄およびエッチング後残留物除去組成物 |
KR102420338B1 (ko) * | 2014-06-04 | 2022-07-13 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 금속, 유전체 및 니트라이드 상용성을 가진 반사-방지 코팅 세정 및 에칭-후 잔류물 제거 조성물 |
JP2020167418A (ja) * | 2014-06-04 | 2020-10-08 | インテグリス・インコーポレーテッド | 金属、誘電体および窒化物適合性を有する、反射防止コーティング洗浄およびエッチング後残留物除去組成物 |
JP2016215468A (ja) * | 2015-05-19 | 2016-12-22 | キヤノン株式会社 | 液体吐出ヘッドの製造方法 |
JP2018528284A (ja) * | 2015-07-14 | 2018-09-27 | フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー.エス.エー., インコーポレイテッド | 洗浄組成物及びその使用方法 |
JP2019516004A (ja) * | 2016-05-10 | 2019-06-13 | アトテツク・ドイチユラント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツングAtotech Deutschland GmbH | 非水性剥離組成物、および基材から有機被覆を剥離する方法 |
JP2020531654A (ja) * | 2017-08-22 | 2020-11-05 | フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー.エス.エー., インコーポレイテッド | 洗浄組成物 |
JP7235336B2 (ja) | 2017-08-22 | 2023-03-08 | フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー.エス.エー., インコーポレイテッド | 洗浄組成物 |
JPWO2019151141A1 (ja) * | 2018-02-05 | 2021-01-28 | 富士フイルム株式会社 | 処理液、及び、処理方法 |
JP7137586B2 (ja) | 2018-02-05 | 2022-09-14 | 富士フイルム株式会社 | 処理液、及び、処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201336973A (zh) | 2013-09-16 |
EP1891482A1 (en) | 2008-02-27 |
EP1891482A4 (en) | 2013-01-09 |
CN102981377B (zh) | 2014-11-12 |
KR101477455B1 (ko) | 2014-12-29 |
CN101233456B (zh) | 2013-01-02 |
EP1891482B1 (en) | 2014-04-30 |
US9422513B2 (en) | 2016-08-23 |
US8951948B2 (en) | 2015-02-10 |
TW201610104A (zh) | 2016-03-16 |
TWI622639B (zh) | 2018-05-01 |
EP2759881A1 (en) | 2014-07-30 |
TWI516574B (zh) | 2016-01-11 |
SG162757A1 (en) | 2010-07-29 |
WO2006133253A1 (en) | 2006-12-14 |
US20080242574A1 (en) | 2008-10-02 |
TW200708597A (en) | 2007-03-01 |
KR20140007020A (ko) | 2014-01-16 |
IL187956A0 (en) | 2008-03-20 |
KR20080019049A (ko) | 2008-02-29 |
CN101233456A (zh) | 2008-07-30 |
CN102981377A (zh) | 2013-03-20 |
KR101431406B1 (ko) | 2014-08-18 |
US20150094248A1 (en) | 2015-04-02 |
KR20130069825A (ko) | 2013-06-26 |
SG10201504423QA (en) | 2015-07-30 |
TWI408212B (zh) | 2013-09-11 |
KR101332501B1 (ko) | 2013-11-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9422513B2 (en) | Metal and dielectric compatible sacrificial anti-reflective coating cleaning and removal composition | |
US8058219B2 (en) | Metals compatible post-etch photoresist remover and/or sacrificial antireflective coating etchant | |
KR101444468B1 (ko) | 에칭후 잔류물을 제거하기 위한 산화성 수성 세정제 | |
JP6339555B2 (ja) | 高いwn/w選択率を有するストリッピング組成物 | |
US20060063687A1 (en) | Composition and process for ashless removal of post-etch photoresist and/or bottom anti-reflective material on a substrate | |
JP2007519942A (ja) | レジスト、barc、およびギャップフィル材料を剥離する化学物質ならびに方法 | |
JP2010515246A (ja) | エッチング後残留物を除去するための液体洗浄剤 | |
TW201610102A (zh) | 具有金屬、電介質及氮化物相容性之抗反射塗層清洗及蝕刻後殘留物移除組成物 | |
JP2017502129A (ja) | 表面の残留物を除去するための洗浄配合物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20090901 |