JP2008544575A - Ｅｕｖ光源集光器寿命の改善 - Google Patents

Ｅｕｖ光源集光器寿命の改善 Download PDF

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Abstract

【課題】プラズマ生成チャンバ内の光学要素の光学的寿命を長くすることを目的としたＥＵＶ光源のデブリ緩和に関する技術を提供する。
【解決手段】プラズマ原料物質化合物を水素と反応させて、集光光学器械上にプラズマ原料物質化合物内に含まれたプラズマ原料物質からプラズマ原料物質の水素化物を形成する段階を含むことができる、プラズマ原料物質化合物をプラズマ生成ＥＵＶ光源集光光学器械から除去するための装置及び方法。本方法は、集光光学器械を収容するプラズマ形成チャンバ内に水素を導入することによって反応させる段階を開始する段階を更に含むことができ、更に、例えば、清浄化プラズマ作用及び／又はプラズマ原料物質スパッタリングによって、又は有効と判断することができる他の手段によって水素化物を集光光学器械から除去する段階を含むことができる。プラズマ生成ＥＵＶ光源集光器コーティング層の有効寿命を延長する装置及び方法は、コーティング層上へのコーティング層材料の堆積によるコーティング層の材料の原位置置換を含むことができる。
【選択図】図３

Description

本発明は、例えば、プラズマ生成チャンバ内の光学要素、例えば、集光器の光学的寿命を長くすることを目的としたＥＵＶ光源、例えば、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）又は放電生成プラズマ（ＤＰＰ）デブリ緩和に関するものである。
関連出願への相互参照
本出願は、２００５年６月２７日出願の「ＥＵＶ光源集光器寿命改善」という名称の米国特許出願出願番号第１１／１６８、１９０号に対する優先権を請求するものであり、かつ代理人整理番号第２００２−００４９−０１号であり、かつ現在は代理人整理番号第２００２−００３０−０１号である、２００２年１０月３１日出願の「デブリシールドを有するプラズマ焦点光源」という名称の米国特許出願出願番号第６０／４２２、８０８号、及び代理人整理番号第２００３−００８３−０１号である、２００４年３月１０日出願の「ＥＵＶ光源のための集光器」という名称の米国特許出願出願番号第１０／７９８、７４０号、及び代理人整理番号第２００３−００９９−０１号である、２００３年１２月１８日出願の「放電生成プラズマＥＵＶ光源」という名称の米国特許出願出願番号第１０／７４２、２３３号、及び代理人整理番号第２００３−０１２５−０１号である、２００４年３月１７日出願の「高繰返し数レーザ生成プラズマＥＵＶ光源」という名称の米国特許出願出願番号第１０／８０３、５２６号、及び代理人整理番号第２００３−０１３２−０１号である、２００３年３月２１日出願の「高密度プラズマ焦点放射線源」という名称の米国特許出願出願番号第１０／４４２、５４４号に関連するものであり、これらの各特許の開示内容は、この記述により引用により組み込まれる。
Ｓ．Ｂｏｏｙｏｏｇ他著「遷移金属の原子層堆積」、天然材料、Ｎａｔｕｒｅ出版グループ、第２巻（２００３年１１月）、ｗｗｗ．ｎａｔｕｒｅ．ｃｏｍ／ｎａｔｕｒｅｍａｔｅｒｉａｌｓ（Ｂｏｏｙｏｏｇ）は、その開示内容がこの記述により引用により組み込まれるが、原子層堆積（ＡＬＤ）が、２つの化学反応剤の蒸気への表面の露出を交替させることによって高度に均一かつ共形の薄膜を堆積させる処理であることを開示している。ＡＬＤ処理の実証成功例は、金属化合物に対して数多くあるが、純粋金属に対しては、ごく少数に過ぎない。この論文では、銅、コバルト、鉄、及びニッケルを含む遷移金属のＡＬＤ処理が説明されている。ホモレプティックＮ、Ｎ’−ジアルキルアセトアミジナート金属化合物及び分子水素ガスは、反応剤として使用されるように開示されている。それらの表面反応は、補足的かつ自己制限的であり、従って、長く狭い穴の非常に均一な厚みかつ共形のコーティングをもたらすことが開示されている。著者はまた、これらのＡＬＤ層が、多くの他の金属のＡＬＤ中にも作用するはずである水素化機構によって成長することを提案している。水素ガスの代わりに水蒸気を使用すると、酸化ランタンを含む金属酸化物の非常に均一な共形膜が得られることが開示されている。
米国特許出願出願番号第１１／１６８、１９０号 米国特許出願出願番号第６０／４２２、８０８号 米国特許出願出願番号第１０／７９８、７４０号 米国特許出願出願番号第１０／７４２、２３３号 米国特許出願出願番号第１０／８０３、５２６号 米国特許出願出願番号第１０／４４２、５４４号 米国特許第６、６２５、１９１号 米国特許第６、５４９、５５１号 米国特許第６、５９７、４５０号 Ｓ．Ｂｏｏｙｏｏｇ他著「遷移金属の原子層堆積」、天然材料、Ｎａｔｕｒｅ出版グループ、第２巻（２００３年１１月）、ｗｗｗ．ｎａｔｕｒｅ．ｃｏｍ／ｎａｔｕｒｅｍａｔｅｒｉａｌｓ
本発明の実施形態の態様により、プラズマ原料物質化合物を水素と反応させて、集光光学器械上にプラズマ原料物質化合物内に含まれたプラズマ原料物質からプラズマ原料物質の水素化物を形成する段階を含むことができる、プラズマ原料物質化合物をプラズマ生成ＥＵＶ光源集光光学器械から除去するための装置及び方法を開示する。本方法は、集光光学器械を収容するプラズマ形成チャンバ内に水素を導入することによって反応させる段階を開始する段階を更に含むことができ、更に、例えば、清浄化プラズマ作用及び／又はプラズマ原料物質スパッタリングによって、又は有効と判断することができる他の手段によって水素化物を集光光学器械から除去する段階を含むことができる。プラズマ原料物質は、リチウムを含むことができ、プラズマ原料物質化合物は、リチウム及び酸素の化合物、及び／又はリチウム及び炭素の化合物を含むことができる。本発明の実施形態の態様により、プラズマ生成ＥＵＶ光源集光器コーティング層の有効寿命を延長する装置及び方法は、コーティング層上へのコーティング層材料の堆積によるコーティング層の材料の原位置置換を含む。堆積処理は、飽和限界を有し、処理が正確な割合を感知しないようにすることができ、及び／又はサイクルが反復可能であるように補足的であるとすることができる。コーティング層の材料は、ルテニウムを含むことができる。堆積は、原子層堆積によって行うことができる。
ここで図１を参照すると、本発明の態様によるＥＵＶ光源、例えば、レーザ生成プラズマＥＵＶ光源の全体的な広義の概念が示されている。光源２０は、高電力及び高繰返し数で作動するパルスレーザシステム２２、例えば、ガス放電レーザ、例えば、エキシマガス放電レーザ、例えば、ＫｒＦ又はＡｒＦレーザを含むことができ、かつ例えば米国特許第６、６２５、１９１号、米国特許第６、５４９、５５１号、及び米国特許第６、５９７、４５０号に示すように、図示のＭＯＰＡ構成のレーザシステムとすることができる。また、レーザは、例えば、固体レーザ、例えばＹＡＧレーザとすることができる。また、光源２０は、例えば、液滴、固体粒子、又は液滴中に含まれた固体粒子の形態でターゲットを供給するターゲット送出装置２４を含むことができる。ターゲットは、別名、点火サイト又は火球の姿として公知である照射サイト２８に至るチャンバ２６の内部にターゲット送出装置２４によって供給することができる。ターゲット送出装置２４の実施形態に対して以下でより詳細に説明する。
パルスレーザシステム２２からレーザ光軸５５に沿ってチャンバ２６の窓（図示せず）越しに照射サイトに供給されたレーザパルスは、以下でより詳細に説明するように、ターゲット送出装置２４によって生成されたターゲットの到着と協調して適切に集束され、ターゲットの材料によって生成されたＸ線光の波長、点火中又は点火後にプラズマから放出されたデブリ量を含むある一定の特性を有するプラズマを放出するＸ線（又は軟Ｘ線（ＥＵＶ））を形成する点火又は火球を作成する。
また、光源は、レーザ光が点火サイト２８に入る例えば先端を切り取った楕円の形態の開口を有する集光器３０、例えば反射ミラーを含むことができる。集光システムの実施形態を以下でより詳細に説明する。集光器３０は、例えば、ＥＵＶ光が光源から処理されて、例えば、集積回路リソグラフィツール（図示せず）に入力する点火サイト２８での第１の焦点と、いわゆる中間点４０での第２の焦点（中間焦点４０とも呼ばれる）を有する楕円ミラーとすることができる。また、システム２０は、ターゲット位置検出システム４２を有することができる。パルスシステム２２は、例えば、発振レーザシステム４４のための磁気反応器切換式パルス圧縮及びタイミング回路５０と、増幅レーザシステム４８のための磁気反応器切換式パルス圧縮及びタイミング回路５２と共に、発振レーザシステム４４のためのパルス電力タイミングモニタリングシステム５４及び増幅レーザシステム４８のためのパルス電力タイミングモニタリングシステム５６を有する、例えば、発振レーザシステム４４及び増幅レーザシステム４８を有する、例えば、主発振電力増幅器（ＭＯＰＡ）構成２チャンバガス放電レーザシステムを含むことができる。パルス電力システムは、例えば、ＹＡＧレーザからレーザ出力を作成する電力を含むことができる。また、システム２０は、例えば、レーザビーム位置決めシステム６６と共に、例えば、ターゲット位置検出フィードバックシステム６２及び発射制御システム６５を含むことができるＥＵＶ光源制御システム６０を含むことができる。
ターゲット位置検出システムは、例えば、点火サイトに対するターゲット液滴の位置に関する入力を供給して、これらの入力をターゲット位置検出フィードバックシステムに供給する複数の液滴撮像器７０、７２、７４を含むことができ、ターゲット位置検出フィードバックシステムは、例えば、液滴単位でない場合は平均で、ターゲット誤差を計算することができるターゲット位置及び軌跡を計算することができ、ターゲット位置及び軌跡は、次に、入力としてシステムコントローラ６０に供給され、システムコントローラ６０は、例えば、レーザビーム位置決めシステムが使用して、例えば、レーザ位置及び方向変更器６８の位置及び方向を制御し、例えば、レーザビームの焦点位置を異なる点火位置２８に変えることができるレーザビーム位置決めシステム６６にレーザ位置及び方向補正信号を供給することができる。
撮像器７２は、例えば、ターゲット液滴９４の望ましい軌跡経路に整列した撮像線７５に沿ってターゲット送出機構９２から望ましい点火サイト２８に向けることができ、撮像器７４及び７６は、例えば、望ましい点火サイト２８の前の経路に沿った何らかの地点８０で、例えば単独で、望ましい軌跡経路に沿って交差する交差撮像線７６及び７８に沿って向けることができる。
ターゲット送出制御システム９０は、システムコントローラ６０からの信号に応答し、例えば、ターゲット送出機構９２によって放出されるようなターゲット液滴９４の放出地点を修正して、望ましい点火サイト２８に到達するターゲット液滴の誤差を補正することができる。
また、中間焦点４０又は中間焦点４０近くでのＥＵＶ光源検出器１００は、例えば、レーザパルスのタイミング及び焦点のような事柄における誤差を示すことができるシステムコントローラ６０にフィードバックを行い、有効かつ効率的なＬＰＰ、ＥＵＶ光生成に適正な場所及び時間でターゲット液滴を確実に途中で捕捉することができる。
ここで図２を参照すると、図１に示すシステムコントローラ６０及び関連のモニタリング及び制御システム６２、６４、６６の更なる詳細が概略的に示されている。コントローラは、クロックバス１１５上でシステム構成要素にシステムクロック１１６によって供給されたシステムクロック信号と相関付けられた例えば複数の位置信号１３４、１３６、軌跡信号１３６をターゲット位置検出フィードバックシステムから受信することができる。コントローラ６０は、例えば、システム時間における何らかの時点でのターゲットの実位置を計算することができる到着前追跡及びタイミングシステム１１０と、例えば、何らかのシステム時間でのターゲット液滴の実際の軌跡を計算することができるターゲット軌跡計算システムと、例えば、点火が発生するように空間及び時間における何らかの望ましい地点と比較して時間的及び空間的誤差信号を計算することができる照射サイト時間的及び空間的誤差計算システム１１４とを有することができる。
次に、コントローラ６０は、時間的誤差信号１４０を発射制御システム６４に、及び空間的誤差信号１３８をレーザビーム位置決めシステム６６に供給することができる。発射制御システムは、発振レーザ４４の磁気反応器切換え式パルス圧縮及びタイミング回路５０の共振充電部１１８に共振充電開始信号１２２を供給することができ、かつ例えばＰＡ磁気反応器切換え式パルス圧縮及びタイミング回路５２の共振充電部１２０に共に同じ信号とすることができる共振充電開始信号を供給することができ、かつ発振レーザ４４の磁気反応器切換え式パルス圧縮及びタイミング回路５０の圧縮開部１２６にトリガ信号１３０、及び増幅レーザシステム４８の磁気反応器切換え式パルス圧縮及びタイミング回路５２の圧縮回路部１２８にトリガ信号１３２を供給することができ、トリガ信号１３２は、同じ信号ではないとすることができ、かつそれぞれ発振レーザシステム及び増幅レーザシステムに対して、時間的誤差信号１４０から及び消灯検出装置５４及び５６からの入力から部分的に計算することができる。
空間誤差信号は、レーザビーム位置方向制御システム６６に供給することができ、レーザビーム位置方向制御システム６６は、例えば、発射地点信号及びサイト信号の線をレーザビーム位置決め装置に供給することができ、レーザビーム位置決め装置は、例えば、発射時の増幅レーザ４８の出力部の位置及びレーザ出力ビームの照準方向のいずれか又は両方を変えることによって、点火サイト２８の焦点を変えるようにレーザを位置決めすることができる。
ここで図３を参照すると、本発明の実施形態による放電生成プラズマ（ＤＰＰ）ＥＵＶ及び軟Ｘ線光源２２０が示されている。ＥＵＶ光源は、例えば、放電チャンバ２２４を形成するハウジング２２２を含むことができる。例えば、チャンバ２２２の１つの壁部の密封開口部を通じて１対の電極２２６を取り付けることができ、１対の電極２２６は、例えば陰極とすることができる外側電極２２８と、例えば陽極とすることができる内側電極２３０、又は陽極とすることができる外側電極２２８と、例えば陰極とすることができる内側電極２３０を含む例えばほぼ円形電極を含むことができるが、本発明の開示の目的上、前者の指定を使用するものとする。内側電極２３０は、例えば、絶縁体（図示せず）によって外側電極２２８から絶縁することができ、かつ一緒に、非常に高い電圧が供給される時には、半導体パルス電力モジュール（図示せず）からの立ち上がり時間が非常に速い電気エネルギプラズマで例えばヘリウムを含むイオン化ガスを通じて電極２２８、２３０間で放電を生成することができる。放電は、予備イオン化装置（図示せず）によって初期状態において促進させることができる。放電は、例えば、初めは絶縁体（図示せず）近くにある内側電極から略半径方向に延び、次に内側電極（陽極）２３０の外面２３８に沿って伝達される時により軸線方向に延びる磁場を形成することができる。軸線方向に延びる磁場２４８は、例えば、ソース送出管（図示せず）を通じてピンチサイト２５０に供給され、かつ中央電極２３０の先端の中央電極（陽極）先端凹部２３４に供給される原料物質、例えば、キセノンを含む、磁場２４８によって短時間に閉じ込められた高密度プラズマピンチ２３２を形成する。
プラズマピンチから放出された光は、例えばデブリ、例えば光発生処理中にプラズマから放出されたイオン化キセノン粒子、又は電極材料、例えば電極からのものであって例えば集光器内の反射面を損傷する可能性があるタングステンデブリを捕捉することができる例えばデブリシールドを通過した後に、例えばグレージング入射角集光器２４０によって例えば集光することができる。また、例えば、中間焦点２４２である焦点又は焦点面にグレージング角によってＥＵＶ光の光線を反射する単一曲面とすることができる集光器２４０によって集束された光は、例えば１３．５ｎｍ及び１３．５ｎｍ辺りの比較的狭い帯域幅の光を除く光の全てをフィルタ除去するように作動するスペクトル純度フィルタ２４４を通ることができる。
本発明の実施形態の態様は、中間焦点２４２に供給されるより一貫した高ＥＵＶエネルギを生成するために集光器２４０に掛かる熱負荷を補正することを考えている。ＥＵＶ光源の顧客は、交換前の寿命として集光器３０、２４０光学器械に対して少なくとも約１０、０００時間の作動を期待するであろう。反応性が高いプラズマ原料物質、例えば、溶融液滴形態での例えばリチウムの場合、集光器３０、２４０を清浄に保つことが示唆されており、それは、流入リチウムの全てを蒸発させるために高い温度に保つべきである。この温度は、先に参照した現在特許出願中の特許出願のうちの１つにおいて説明されているように、例えば、蒸発速度がリチウムの流入流束よりも速いように十分に高く、例えば、３５０℃から４５０℃であるべきである。
非常に反応性の高い材料とすることができるリチウムのようなある一定のプラズマ原料物質は、集光器３０、２４０表面上又はプラズマ開始チャンバ２６内の他の場所にある殆どあらゆる汚染物質と反応することができ、集光器３０、２４０又は集光器３０、２４０の表面上に到達することができるリチウム化合物を作成する。これらの化合物、及び特に殆ど全てのリチウム化合物の溶融温度は、プラズマ原料物質自体の溶融温度、例えばリチウム溶融温度よりも大幅に高い。例えば、リチウム化合物を集光器３０、２４０から蒸発させるためには、集光器３０２４０は、非常に高い温度、例えば約６００℃から７００℃に保つべきである。しかし、このような高い温度では、集光器３０のような集光器を形成する市販の多層ミラー及び集光器２４０のための他の可能なコーティング材料は、ＥＵＶ範囲の光の反射体として実質的に採用される機能を失し、全ての公知の多層ミラーを完全に破壊する潜在性さえも有する可能性がある。
また、この問題を処理する方法は、プラズマ原料物質自体の蒸発が得られるように集光器をより低い温度に維持し、かつ例えば洗浄に使用されるＲＦプラズマで集光器からプラズマ原料物質、例えばリチウム化合物を除去することであると考えられることが先に参照した現在特許出願中の出願の少なくとも１つにおいて示唆されている。これは、例えば、ヘリウム又はアルゴンを洗浄プラズマ形成ガスとして集光器に容量結合又は誘導結合することができると共に、集光器をＲＦバイアス処理して例えばＭｏよりも速いＬｉスパッタリングを有する選択性を与えるために集光器を照射するイオンのエネルギを制御することができる。
プラズマ原料物質によるスパッタリング、例えば、Ｌｉスパッタリングも提案されているが、収率は、表面上のリチウムの化学的形態に依存し、すなわち、例えば、リチウムの酸化物及び炭酸塩の方がプラズマ原料物質、例えばＬｉ自体よりも集光器表面からスパッタリング処理し難い。
本発明の実施形態の態様に従って、本出願人は、分子水素又は原子状水素を予備洗浄段階として使用することを提案する。水素は、例えば、プラズマ原料物質の化合物、例えば、リチウム化合物と反応し、例えば、ＬｉＨを形成することによってプラズマ原料物質をプラズマ原料物質化合物、例えば、Ｌｉ2Ｏ又はＬｉ2ＣＯ3化合物から除去するように使用することができる。本出願人は、Ｌｉ2Ｏ又はＬｉ2ＣＯ3よりもＬｉＨからＬｉをスパッタリング処理する方がかなり容易であると判断している。
本発明の実施形態の態様に従って、本出願人は、消耗品の経費低減、すなわち、新しい集光器の経費を低減し、かつ上述の交換の前の寿命の要件を満たす際に有用であるＬＰＰ、ＥＵＶ集光光学器械及びＤＰＰ、ＥＵＶ集光光学器械の有効寿命を延長する更に別の方法を提案する。上述の要因と共に、ＬＰＰ、ＥＵＶ集光器の寿命は、多くの要素、例えば、ＥＵＶ光生成プラズマからの高エネルギイオン及び中性粒子によるスパッタリング、表層の酸化、並びに説明したプラズマ原料物質堆積によって限定される場合がある。先に参照した現在特許出願中の出願の少なくとも１つにおいて説明したように、ルテニウムは、集光器３０又は集光器２４０のグレージング入射角のための多層ミラーを含む集光器外面上の被覆又は犠牲材料及び／又は被覆層又は犠牲層として提案されている。ルテニウムは、いくつかの利点を有する例えば集光器３０のためのＭＬＭ反射体として使用された場合は適切にＥＵＶ透過性である。ルテニウムは、例えば、Ｍｏ、Ｎｂ、又はＲｈと比較すると、非常に酸化しにくい。それは、例えば、Ｓｉ及び更にはＭｏと比較すると、スパッタリング処理し難い。また、比較的高いグレージング入射角で反射するので、グレージング入射集光器２４０設計には最良の材料である。他の材料も、ＭＬＭのための又はＥＵＶに対するグレージング入射反射体上の反射コーティングのための被覆層に対する選択肢として可能である。
しかし、ルテニウム、又は何らかの他の材料を使用したい場合、ＥＵＶ反射体を長寿命化して消耗品の経費を低減するために、Ｒｕ又は他の材料の磨耗という問題に対処することが必要である。Ｒｕの使用は、その固有の材料特性において現在最も有望なものであるが、置換前の有効寿命を通じてターゲットに到達するように、反射面としての直角入射角集光器（ＭＬＭ被覆層）上又はグレージング入射角集光器上のＲｕの有効寿命を延長する必要性が依然としてあり、置換前の有効寿命は、現在考えられている大量生産設計の場合は、少なくとも１０００億までのパルスのＥＵＶ光（プラズマ形成）が得られるものでなければならないであろう。
本発明の実施形態の態様に従って、本出願人は、被覆層又は反射コーティング層、例えばＲｕの原位置での均一な再成長、又は例えば原子層堆積（ＡＬＤ）による、ＬＰＰ、ＥＵＶ、ＭＬＭ集光器の被覆層、又はＬＰＰ又はＥＵＶグレージング入射角集光器の反射コーティング、例えば、ルテニウム被覆層又は反射コーティングの再生を提案する。従って、先に参照したＢｏｏｙｏｎｇの第１段落に説明されているように、被覆層又は反射コーティング層の置換は、有利な態様においては、これは、原位置で行うことができ、前駆物質が存在しており、かつ本方法は、実証済みである。これは、複雑な形状の場合でさえも、例えば、ＭＬＭ又はグレージング入射集光器の場合でも、均一に行うことができる。更に、本方法は、飽和限界が存在し、かつこの処理は、正確な割合か否かに影響を受けない。更に、本方法は、補足的であり、例えば、サイクルは、繰り返すことができる。
当業者は、本発明の実施形態の態様により、プラズマ原料物質を水素と反応させて、集光光学器械上にプラズマ原料物質化合物内に含まれるプラズマ原料物質からプラズマ原料物質の水素化物を形成する段階を含むことができるプラズマ原料物質化合物をプラズマ生成ＥＵＶ光源集光光学器械から除去するための装置及び方法が開示されることを認めるであろう。プラズマ原料物質のこのような水素化物は、プラズマ原料物質の化合物がこのような除去／洗浄手段によってＥＵＶ集光器の表面から除去するよりも様々な手段によってより容易に除去されることが理解されるであろう。
「３５Ｕ．Ｓ．Ｃ．§１１２」を満足するために必要とされる詳細において本特許出願において説明しかつ例示した「ＥＵＶ光源集光器寿命の改善」の実施形態の特定の態様は、上述の実施形態の態様のあらゆる上述の目的、及び上述の実施形態の態様により又はその目的のあらゆる他の理由で又はその目的にために解決すべき問題を完全に達成することができるが、本発明の上述の実施形態のここで説明した態様は、本発明による広義の主題を示しかつ表すことを当業者は理解すべきである。実施形態のここで説明しかつ主張する態様の範囲は、本明細書の教示内容に基づいて当業者に現在明らかであると考えられるか又は明らかになると考えられる他の実施形態を漏れなく包含するものである。本発明の「ＥＵＶ光源集光器寿命の改善」の範囲は、単独にかつ完全に特許請求の範囲によってのみ限定され、いかなるものも特許請求の範囲の詳細説明を超えるものではない。単数形でのこのような請求項における要素への言及は、解釈において、明示的に説明していない限り、このような要素が「１つ及び１つのみ」であることを意味するように意図しておらず、かつ意味しないものとし、「１つ又はそれよりも多い」を意味する意図とし、かつ意味するものとする。当業者に公知か又は後で公知になる実施形態の上述の態様の要素のいずれかに対する全ての構造的及び機能的均等物は、引用により本明細書に明示的に組み込まれると共に、特許請求の範囲によって包含されるように意図されている。本明細書及び／又は本出願の請求項に使用され、かつ本明細書及び／又は本出願の請求項に明示的に意味を与えられたあらゆる用語は、このような用語に関するあらゆる辞書上の意味又は他の一般的に使用される意味によらず、その意味を有するものとする。実施形態のいずれかの態様として本明細書で説明した装置又は方法は、それが特許請求の範囲によって包含されるように本出願において開示する実施形態の態様によって解決するように求められる各及び全て問題に対処することを意図しておらず、また必要でもない。本発明の開示内容におけるいかなる要素、構成要素、又は方法段階も、その要素、構成要素、又は方法段階が特許請求の範囲において明示的に詳細に説明されているか否かに関係なく、一般大衆に捧げられることを意図したものではない。特許請求の範囲におけるいかなる請求項の要素も、その要素が「〜のための手段」という語句を使用して明示的に列挙されるか又は方法の請求項の場合にはその要素が「作用」ではなく「段階」として列挙されていない限り、「３５Ｕ．Ｓ．Ｃ．§１１２」第６項の規定に基づいて解釈されないものとする。
上記で開示した本発明の実施形態の態様は、好ましい実施形態であることのみを意図しており、いかなる点においても本発明の開示内容を限定するものではなく、特に、特定の好ましい実施形態だけに限定するものではないものとすることが当業者によって理解されるであろう。開示した発明の実施形態の開示した態様には、当業者によって理解及び認められるような多くの変更及び修正を行うことができる。特許請求の範囲は、その範囲及び意味において、本発明の実施形態の開示した態様だけではなく、当業者には明らかになると思われる均等物及び他の修正及び変更も包含するものとする。上述の本発明の実施形態の開示して請求した態様に対する変更及び修正に加えて、他のものも実施することができると考えられる。
本発明の実施形態の態様が有用であるレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）極紫外線（ＥＵＶ）光源の概略ブロック図である。 図１のＥＵＶ光源と共に有用である例示的な制御システムの概略ブロック図である。 本発明の実施形態の態様が有用と考えられる放電生成プラズマ（ＤＰＰ）ＥＵＶ光源の概略図である。
符号の説明
２２０ 放電生成プラズマ（ＤＰＰ）ＥＵＶ及び軟Ｘ線光源
２２４ 放電チャンバ
２２６ 電極

Claims (26)

  1. プラズマ原料物質化合物をプラズマ生成ＥＵＶ光源集光光学器械から除去する方法であって、
    プラズマ原料物質化合物を水素と反応させて、集光光学器械上に、該プラズマ原料物質化合物に含有されているプラズマ原料物質から該プラズマ原料物質の水素化物を形成する段階、
    を含むことを特徴とする方法。
  2. 前記集光光学器械を収容するプラズマ形成チャンバ内に水素を導入することによって前記反応させる段階を開始する段階、
    を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
  3. 前記水素化物を前記集光光学器械から除去する段階、
    を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
  4. 前記水素化物を前記集光光学器械から除去する段階、
    を更に含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
  5. 清浄化プラズマ作用及び／又はプラズマ原料物質スパッタリングにより、前記水素化物を前記集光器から除去する段階、
    を更に含むことを特徴とする請求項３に記載の方法。
  6. 清浄化プラズマ作用及び／又はプラズマ原料物質スパッタリングにより、前記水素化物を前記集光器から除去する段階、
    を更に含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
  7. 前記プラズマ原料物質は、リチウムを含み、前記プラズマ原料物質化合物は、リチウムと酸素の化合物、及び／又はリチウムと炭素の化合物を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項３に記載の方法。
  8. 前記プラズマ原料物質は、リチウムを含み、前記プラズマ原料物質化合物は、リチウムと酸素の化合物、及び／又はリチウムと炭素の化合物を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
  9. 前記プラズマ原料物質は、リチウムを含み、前記プラズマ原料物質化合物は、リチウムと酸素の化合物、及び／又はリチウムと炭素の化合物を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項５に記載の方法。
  10. 前記プラズマ原料物質は、リチウムを含み、前記プラズマ原料物質化合物は、リチウムと酸素の化合物、及び／又はリチウムと炭素の化合物を含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
  11. プラズマ生成ＥＵＶ光源集光器コーティング層の有効寿命を延長する方法であって、
    コーティング層上へのコーティング層材料の堆積によるコーティング層の材料の原位置置換、
    を含むことを特徴とする方法。
  12. 前記堆積処理は飽和限界を有し、該処理は正確な割合を感知しない、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
  13. 前記堆積処理は、サイクルが反復可能であるように補足的である、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
  14. 前記堆積処理は、サイクルが反復可能であるように補足的である、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
  15. 前記コーティング層の前記材料は、ルテニウムを含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
  16. 前記コーティング層の前記材料は、ルテニウムを含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
  17. 前記コーティング層の前記材料は、ルテニウムを含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
  18. 前記コーティング層の前記材料は、ルテニウムを含む、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
  19. 前記堆積は、原子層堆積によって行われる、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
  20. 前記堆積は、原子層堆積によって行われる、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
  21. 前記堆積は、原子層堆積によって行われる、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
  22. 前記堆積は、原子層堆積によって行われる、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
  23. 前記堆積は、原子層堆積によって行われる、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
  24. 前記堆積は、原子層堆積によって行われる、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
  25. 前記堆積は、原子層堆積によって行われる、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
  26. 前記堆積は、原子層堆積によって行われる、
    ことを更に含むことを特徴とする請求項１８に記載の方法。
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