JPS60175351A - Ｘ線発生装置およびｘ線露光法 - Google Patents
Ｘ線発生装置およびｘ線露光法Info
- Publication number
- JPS60175351A JPS60175351A JP59024496A JP2449684A JPS60175351A JP S60175351 A JPS60175351 A JP S60175351A JP 59024496 A JP59024496 A JP 59024496A JP 2449684 A JP2449684 A JP 2449684A JP S60175351 A JPS60175351 A JP S60175351A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- gas
- electrode
- discharge
- rays
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Public Health (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、半導体集積回路製造のための微細パターン転
写用露光装置に用いる高出力にして高安定な軟Ｘ線を発
生するプラズマＸ線発生装置とそのＸ線発生装置を用い
たＸ線露光法に関するものである。
写用露光装置に用いる高出力にして高安定な軟Ｘ線を発
生するプラズマＸ線発生装置とそのＸ線発生装置を用い
たＸ線露光法に関するものである。
（背景技術）
集積回路製造過程で重要なリングラフィ技術の一つとし
てＸ線露光法がある。Ｘ線露光装置の軟Ｘ線源としては
、従来、Ａ７．Ｃｕ、Ｍｏ、Ｓｉ、Ｐｄ等のターゲット
に電子線を照射してＸ線を発生させる電子線励起方式が
使用されていたが、Ｘ線発生効率が低く、高出力のＸ線
が得られず、パターン転写の生産性が低いというような
問題があった。
てＸ線露光法がある。Ｘ線露光装置の軟Ｘ線源としては
、従来、Ａ７．Ｃｕ、Ｍｏ、Ｓｉ、Ｐｄ等のターゲット
に電子線を照射してＸ線を発生させる電子線励起方式が
使用されていたが、Ｘ線発生効率が低く、高出力のＸ線
が得られず、パターン転写の生産性が低いというような
問題があった。
一方、高密度プラズマを利用したフリズマＸ線では、電
子線励起方式に比べて、Ｘ線発生効率が高く、高出力の
Ｘ線を得ることが期待できる。
子線励起方式に比べて、Ｘ線発生効率が高く、高出力の
Ｘ線を得ることが期待できる。
プラズマＸ線源は、放電によりプラズマを生成し、プラ
ズマに数百ＫＡの大電流を流すことによって、電流の作
る自己磁場とプラズマの電磁作用によりプラズマを自己
収束（ピンチ）させて、高温高密度のプラズマを形成し
、その高温高密度プラズマから、Ｘ線を発生させる方法
である。しかしながらプラズマＸ線源は、このように大
電流を流してプラズマを形成するため、安定性、電極消
耗、プラズマによるＸ線取り出し窓の損傷等の問題を有
しており、Ｘ線露光用線源として用いるのは不可能であ
った。
ズマに数百ＫＡの大電流を流すことによって、電流の作
る自己磁場とプラズマの電磁作用によりプラズマを自己
収束（ピンチ）させて、高温高密度のプラズマを形成し
、その高温高密度プラズマから、Ｘ線を発生させる方法
である。しかしながらプラズマＸ線源は、このように大
電流を流してプラズマを形成するため、安定性、電極消
耗、プラズマによるＸ線取り出し窓の損傷等の問題を有
しており、Ｘ線露光用線源として用いるのは不可能であ
った。
プラズマＸ線源の一方法として、ガス注木放電法がある
。第１図に、従来のガス注入放電法の一実施例を示す。
。第１図に、従来のガス注入放電法の一実施例を示す。
１は真空容器、７は高速開閉ガス弁、１３ハコンデンサ
、１７はガス注入電極、１８はメツシー電極、２１はス
イッチ、２６は発生Ｘ線、２８は３９は高速開閉ガス弁
のガス溜め、４０はピストン。
、１７はガス注入電極、１８はメツシー電極、２１はス
イッチ、２６は発生Ｘ線、２８は３９は高速開閉ガス弁
のガス溜め、４０はピストン。
４３はガス塊、４４はピンチしたプラズマ、４８は荷電
粒子群である。ここで、ガス注入放電法とは、真空中に
対向した電極１７と電極１８間に、高速開閉ガス弁７で
、ピストン４０を高速に駆動し、瞬時にガス溜め３９の
ガスを注入して、電極間にガス塊４３を形成し、スイッ
チ２１を閉じて充電されたコンデンサ１３により、電極
に電圧を印加し、ガス塊４３を放る方法である。
粒子群である。ここで、ガス注入放電法とは、真空中に
対向した電極１７と電極１８間に、高速開閉ガス弁７で
、ピストン４０を高速に駆動し、瞬時にガス溜め３９の
ガスを注入して、電極間にガス塊４３を形成し、スイッ
チ２１を閉じて充電されたコンデンサ１３により、電極
に電圧を印加し、ガス塊４３を放る方法である。
本方式では、電極間にガス塊を形成する際、ガス塊が拡
散して広がらない時間内に放電に適するガス密度が得ら
れるように、注入ガスの立ち上り勾配を急峻にする必要
があった。高速開閉ガス弁のピストン４０が開いて、流
れ出るガスの量Ｑの時間変化は、はぼ次式であられされ
る。
散して広がらない時間内に放電に適するガス密度が得ら
れるように、注入ガスの立ち上り勾配を急峻にする必要
があった。高速開閉ガス弁のピストン４０が開いて、流
れ出るガスの量Ｑの時間変化は、はぼ次式であられされ
る。
とこで−Ｐ。は高速開閉ガス弁７のガス圧力であり、Ｄ
はガスが流れる経路のコンダクタンス、ｌはその距離で
ある。上式から、流れ出るガスの量を増して急峻なガス
プロフィールを得るには、ガスの圧力ηを高くして、ガ
スが流れる経路のコンダクタンスを大きくする必要があ
る。そのため、従来、高速開閉ガス弁は注入ガスの圧力
を５気圧前後の高い圧力で動作し、ガスの出口を太きく
し、ガス注入速度の増加を計っている。
はガスが流れる経路のコンダクタンス、ｌはその距離で
ある。上式から、流れ出るガスの量を増して急峻なガス
プロフィールを得るには、ガスの圧力ηを高くして、ガ
スが流れる経路のコンダクタンスを大きくする必要があ
る。そのため、従来、高速開閉ガス弁は注入ガスの圧力
を５気圧前後の高い圧力で動作し、ガスの出口を太きく
し、ガス注入速度の増加を計っている。
一方、大容量の放電では、電気的ノイズの発生、電（り
返し周波数が３〜１０ Ｈｚと高く、１．ＯＫ Ｊ以下
の小容量放電が適すと考えられている。放電容量がｌ０
Ｉ（Ｊ以下の放電では、プラズマ形成初期の電極間ガス
密度が１０１７〜１０１８Ｃ１ｒＬ−３（数ｔｏｒｒ
〜１００ ｔｏｒｒ）である。しかしながら、従来、ガ
スプロフィールを急峻にするため、プラズマ形成初期の
ガス密度が１０１７〜１０Ｉ８ＣＩｎ＝３（数ｔｏｒｒ
〜１００ｔｏｒｒ）の低密度にかかわらず、１００倍以
上の高密度１０１９〜１０２０Ｃ１ｒＬ−３（数気圧）
でガスを注入し放電させている。
返し周波数が３〜１０ Ｈｚと高く、１．ＯＫ Ｊ以下
の小容量放電が適すと考えられている。放電容量がｌ０
Ｉ（Ｊ以下の放電では、プラズマ形成初期の電極間ガス
密度が１０１７〜１０１８Ｃ１ｒＬ−３（数ｔｏｒｒ
〜１００ ｔｏｒｒ）である。しかしながら、従来、ガ
スプロフィールを急峻にするため、プラズマ形成初期の
ガス密度が１０１７〜１０Ｉ８ＣＩｎ＝３（数ｔｏｒｒ
〜１００ｔｏｒｒ）の低密度にかかわらず、１００倍以
上の高密度１０１９〜１０２０Ｃ１ｒＬ−３（数気圧）
でガスを注入し放電させている。
（Ｐ 、 Ｇ 、 Ｂｕｒｋｈ萌ｊｅｒ ｅｔ、ａｌ
Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、 ５０（７）１９７９．４５
３２Ｊ、５ｈｉｌｏｈｅｔ、ａｌ Ｐｌｌｙｓ、Ｒｅｖ
、Ｌｅｔｔ、４０（８）１９７８．５１５Ｗ、ＣＩａｒ
ｂｓ ｅｔ、ａｌ Ｊ’、Ａｐｐｌ 、Ｐｂｙｓ、 ５
３（８） １９８２．５５５２Ｃ、５ｔａｌ Ｉｉｎｇ
ｓ ｅｔ、ａｌ Ａｐｐｌ ｊｌｌｙｓ、Ｌｅｔｔ、
３５ （７） １９７９．５２４Ｊ 、Ｓ Ｐｅａｒｌ
ｍａｎ Ｊ、Ｖａｃ、Ｓｃｉ 、Ｔｅｃ、 １９ （４
） １９８１．１１９０ ）一方、高速開閉ガス弁の開
閉には、０．１ｍＳ程の時間を要するので、ガス塊を電
極間に形成し、放電を起してプラズマがピンチした後に
、電極間のガス密度は上昇することになる。このため、
プラズマがピンチした後に流れる電流による放電中に、
ガス密度が増加し、高いガス圧力下における放電の特徴
である高気圧アーク放電状態となり、電極が局所的に加
熱される。このため、電極の溶解が激しくなり、電極が
消耗し、電極材料が容器の内壁に付着（コンタミネーシ
ョン）する。また、放電で生ずる高エネルギの電子やイ
オン、さらに高温ガスなどの量が増加することになる。
Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、 ５０（７）１９７９．４５
３２Ｊ、５ｈｉｌｏｈｅｔ、ａｌ Ｐｌｌｙｓ、Ｒｅｖ
、Ｌｅｔｔ、４０（８）１９７８．５１５Ｗ、ＣＩａｒ
ｂｓ ｅｔ、ａｌ Ｊ’、Ａｐｐｌ 、Ｐｂｙｓ、 ５
３（８） １９８２．５５５２Ｃ、５ｔａｌ Ｉｉｎｇ
ｓ ｅｔ、ａｌ Ａｐｐｌ ｊｌｌｙｓ、Ｌｅｔｔ、
３５ （７） １９７９．５２４Ｊ 、Ｓ Ｐｅａｒｌ
ｍａｎ Ｊ、Ｖａｃ、Ｓｃｉ 、Ｔｅｃ、 １９ （４
） １９８１．１１９０ ）一方、高速開閉ガス弁の開
閉には、０．１ｍＳ程の時間を要するので、ガス塊を電
極間に形成し、放電を起してプラズマがピンチした後に
、電極間のガス密度は上昇することになる。このため、
プラズマがピンチした後に流れる電流による放電中に、
ガス密度が増加し、高いガス圧力下における放電の特徴
である高気圧アーク放電状態となり、電極が局所的に加
熱される。このため、電極の溶解が激しくなり、電極が
消耗し、電極材料が容器の内壁に付着（コンタミネーシ
ョン）する。また、放電で生ずる高エネルギの電子やイ
オン、さらに高温ガスなどの量が増加することになる。
このような、高４．温・高密度プラズマを、Ｘ線露光用
・線源として用いる場合、電極消耗は放電の再現性、Ｘ
線放射の安定性を低下させる原因となる。また、高電圧
を印加する絶縁体表面への電極材料付着によって耐圧強
度を弱めるとともに、Ｘ線露光用線源として用いるとき
Ｘ線取り出し窓への電極材料の付着により、Ｘ線の透過
率が減少し、Ｘ線を連続に照射することが不可能であっ
た。また、高エネルギの荷電粒子、高温ガスがＸ線取り
出し窓に衝突することによりＸ線取り出し窓が損傷され
ることになる。特に、第１図に示したように、ガス塊−
４３がプラズマ化され、電極の中心軸にプラズマ４４が
形成されるとき、プラズマ４４の中心軸方向には、高エ
ネルギのイオンや電子の荷電粒子群４８が大量に放射さ
れる。そのため、プラズマ中心軸方向においては、Ｘ線
取り出し窓を設置しても、その損傷が激しく、露光は不
可能であった。そのため、第１図のように、Ｘ線取り出
し窓２８．Ｘ線マスク２９、ウェハ３０等は、ピンチし
たプラズマ４４の径方向へ設置し、真空中で露光されて
いる。第２図は、Ｘ線マスクの設置されている線源の径
方向から撮影したＸ線ピンホール写真である。グロキシ
ミティ露光法を用いた場合、このように線源が直線状で
あるため、見合い角が大きく転写ボケが大きくなって微
細パターンの転写は不可能であった。このためＸ線露光
用線源として使用不可能であった。
・線源として用いる場合、電極消耗は放電の再現性、Ｘ
線放射の安定性を低下させる原因となる。また、高電圧
を印加する絶縁体表面への電極材料付着によって耐圧強
度を弱めるとともに、Ｘ線露光用線源として用いるとき
Ｘ線取り出し窓への電極材料の付着により、Ｘ線の透過
率が減少し、Ｘ線を連続に照射することが不可能であっ
た。また、高エネルギの荷電粒子、高温ガスがＸ線取り
出し窓に衝突することによりＸ線取り出し窓が損傷され
ることになる。特に、第１図に示したように、ガス塊−
４３がプラズマ化され、電極の中心軸にプラズマ４４が
形成されるとき、プラズマ４４の中心軸方向には、高エ
ネルギのイオンや電子の荷電粒子群４８が大量に放射さ
れる。そのため、プラズマ中心軸方向においては、Ｘ線
取り出し窓を設置しても、その損傷が激しく、露光は不
可能であった。そのため、第１図のように、Ｘ線取り出
し窓２８．Ｘ線マスク２９、ウェハ３０等は、ピンチし
たプラズマ４４の径方向へ設置し、真空中で露光されて
いる。第２図は、Ｘ線マスクの設置されている線源の径
方向から撮影したＸ線ピンホール写真である。グロキシ
ミティ露光法を用いた場合、このように線源が直線状で
あるため、見合い角が大きく転写ボケが大きくなって微
細パターンの転写は不可能であった。このためＸ線露光
用線源として使用不可能であった。
さらに、高気圧でガスを注入すると、大量のガスが注入
されるので、ガスの排気に時間を要するため、ガス注入
法で、高（り返しの放電を行うことは不可能であった。
されるので、ガスの排気に時間を要するため、ガス注入
法で、高（り返しの放電を行うことは不可能であった。
（発明の課題）
本発明は、従来の技術の上記欠点を改善するもので、ガ
ス注入放電方式のプラズマＸ線源において、注入ガス圧
力を大気圧以下の低気圧とし、放電による荷電粒子の発
生を低減化し、プラズマ軸方向へＸ線取り出しを可能と
するとともに放電による消耗の少ない放電電極構成とし
、プラズマから発生する高速粒子によるＸ線取り出し窓
の損傷を防ぐだめのプラズマ反射板を有することを特徴
とし、その目的は、高くり返しの連続放電が可能なプラ
ズマＸ線源を実現し、さらに大気中露光で微細パターン
が転写可能なプラズマＸ線源によるＸ線露光装置を実現
することにある。
ス注入放電方式のプラズマＸ線源において、注入ガス圧
力を大気圧以下の低気圧とし、放電による荷電粒子の発
生を低減化し、プラズマ軸方向へＸ線取り出しを可能と
するとともに放電による消耗の少ない放電電極構成とし
、プラズマから発生する高速粒子によるＸ線取り出し窓
の損傷を防ぐだめのプラズマ反射板を有することを特徴
とし、その目的は、高くり返しの連続放電が可能なプラ
ズマＸ線源を実現し、さらに大気中露光で微細パターン
が転写可能なプラズマＸ線源によるＸ線露光装置を実現
することにある。
（発明の構成および作用）
第３図は本発明の実施例であって１は真空容器、２は真
空容器１の排気装置、３はガス調整用排気装置、４はガ
ス圧調整用排気弁、５はガスバッファ容器、７は高速開
閉ガス弁、８はガス導入弁、９は放電用ガス容器、１０
はガス圧力検出器である。
空容器１の排気装置、３はガス調整用排気装置、４はガ
ス圧調整用排気弁、５はガスバッファ容器、７は高速開
閉ガス弁、８はガス導入弁、９は放電用ガス容器、１０
はガス圧力検出器である。
１１は圧力制御装置であり、１０のガス圧力検出器の信
号から弁４と弁８を開閉し、ガスバッファ容器の圧力を
調整する。１２は充電電源、１３はコンデンサ、１４は
信号発生装置、１５は遅延パルサ、１６は高速開閉ガス
弁の駆動用電源、１７は負電位の高電圧側電極で、高速
開閉ガス弁と接続されており、Ｗ−Ｃｕ合金やカーボン
で形成されている。１８は接地側電極でＷ−Ｃｕ合金や
カーボンで形成されている。２０は高電圧パルス発生器
で信号発生装置１４かも信号を受け高圧パルスを発生す
る。２１は放電スイッチで、高電圧パルス発生器２０の
パルスにより駆動する。２２は絶縁体で電極１７と１８
を電気的に絶縁している。２６はプラズマから発生する
Ｘ線である。２７は荷電粒子除去器で、放電プラズマか
ら発生するイオン・電子を偏向するように、電極１７お
よび１８の中心軸と直角な磁場を発生するようになって
いる。路はＸ線取り出し窓で薄いＢｅ膜、Ｍ膜。
号から弁４と弁８を開閉し、ガスバッファ容器の圧力を
調整する。１２は充電電源、１３はコンデンサ、１４は
信号発生装置、１５は遅延パルサ、１６は高速開閉ガス
弁の駆動用電源、１７は負電位の高電圧側電極で、高速
開閉ガス弁と接続されており、Ｗ−Ｃｕ合金やカーボン
で形成されている。１８は接地側電極でＷ−Ｃｕ合金や
カーボンで形成されている。２０は高電圧パルス発生器
で信号発生装置１４かも信号を受け高圧パルスを発生す
る。２１は放電スイッチで、高電圧パルス発生器２０の
パルスにより駆動する。２２は絶縁体で電極１７と１８
を電気的に絶縁している。２６はプラズマから発生する
Ｘ線である。２７は荷電粒子除去器で、放電プラズマか
ら発生するイオン・電子を偏向するように、電極１７お
よび１８の中心軸と直角な磁場を発生するようになって
いる。路はＸ線取り出し窓で薄いＢｅ膜、Ｍ膜。
高分子膜等からできている。２９はＸ線マスク、３０は
露光されるウェハ、３１はアライナ装置でマスク２９と
ウェハ加の位置を制御する。
露光されるウェハ、３１はアライナ装置でマスク２９と
ウェハ加の位置を制御する。
これを動作するには、真空容器１を排気装置２で排気し
ＩＣｒ〜１σｔｏｒｒ程度の真空にしてお（。次に圧力
調整用排気装置３を動作し、排気弁４を開いてガスバッ
ファ容器５と高速開閉ガス弁７を排気する。次にガス導
入弁８を開いて放電用ガス９をガスバッファ容器と高速
開閉ガス弁７に導入し、圧力検出器１０により、所定の
圧力に達したら圧力制御装置１１により、ガス導入弁８
を閉じる。
ＩＣｒ〜１σｔｏｒｒ程度の真空にしてお（。次に圧力
調整用排気装置３を動作し、排気弁４を開いてガスバッ
ファ容器５と高速開閉ガス弁７を排気する。次にガス導
入弁８を開いて放電用ガス９をガスバッファ容器と高速
開閉ガス弁７に導入し、圧力検出器１０により、所定の
圧力に達したら圧力制御装置１１により、ガス導入弁８
を閉じる。
次に充電電源１２により、コンデンサ１３を充電した後
、信号発生装置１４の信号により、高速開閉ガス弁７の
電源１６を動作させ高速開閉ガス弁７を駆動し、高電圧
が印加されるガス導入電極１７と対向する接地電極１８
０間にガス９を注入する。一方、同時に信号発生器１４
の信号は電極１７と１８の間に放電用ガスが注入される
時間と一致するように設定された遅延パルサー１５を通
って高電圧パルス発生器２０に入力され、高電圧パルス
で放電スイッチ２１を動作させ、絶縁体２２で絶縁され
ている放電電極１７と１８の間に高電圧を印加し、ガス
９によって放電させる。ガスは、放電によりプラズマ化
し、プラズマを流れる電流が作る磁場と、プラズマ中の
イオン・電子の電磁作用により、プラズマの中心方向へ
収束し、電極中心軸上で高温高密度となり、Ｘ線２６が
放射される。
、信号発生装置１４の信号により、高速開閉ガス弁７の
電源１６を動作させ高速開閉ガス弁７を駆動し、高電圧
が印加されるガス導入電極１７と対向する接地電極１８
０間にガス９を注入する。一方、同時に信号発生器１４
の信号は電極１７と１８の間に放電用ガスが注入される
時間と一致するように設定された遅延パルサー１５を通
って高電圧パルス発生器２０に入力され、高電圧パルス
で放電スイッチ２１を動作させ、絶縁体２２で絶縁され
ている放電電極１７と１８の間に高電圧を印加し、ガス
９によって放電させる。ガスは、放電によりプラズマ化
し、プラズマを流れる電流が作る磁場と、プラズマ中の
イオン・電子の電磁作用により、プラズマの中心方向へ
収束し、電極中心軸上で高温高密度となり、Ｘ線２６が
放射される。
パターン転写をするには、プラズマの中心軸方向に設け
られた荷電粒子除去器２７、真空容器１に張られた薄い
Ｂｅ膜等のＸ線取り出し窓側を通して、大気中のＸ線マ
スク２９のパターンをレジストを塗布したウェハ３０に
、プラズマから放射されるＸ線２６を照射して転写する
。Ｘ線マスク２９とウエノ・３０の位置合せは、アライ
ナ装置３１によって行われる。
られた荷電粒子除去器２７、真空容器１に張られた薄い
Ｂｅ膜等のＸ線取り出し窓側を通して、大気中のＸ線マ
スク２９のパターンをレジストを塗布したウェハ３０に
、プラズマから放射されるＸ線２６を照射して転写する
。Ｘ線マスク２９とウエノ・３０の位置合せは、アライ
ナ装置３１によって行われる。
高速開閉ガス弁７によってガスが注入された時の、ガス
バッファ容器の圧力変動については、ガス圧力検出器１
０により圧力を検出し、その信号により制御装置１１が
排気弁４およびガス導入弁８を開閉し、圧力変動を補正
するように動作するので、ガスバッファ容器の圧力は、
２００〜３００ ｔｏｒｒ程度の所定の低ガス圧に保た
れる。
バッファ容器の圧力変動については、ガス圧力検出器１
０により圧力を検出し、その信号により制御装置１１が
排気弁４およびガス導入弁８を開閉し、圧力変動を補正
するように動作するので、ガスバッファ容器の圧力は、
２００〜３００ ｔｏｒｒ程度の所定の低ガス圧に保た
れる。
このような構造になっているから、高速開閉ガス弁の注
入ガス圧は、７５Ｑｔｏｒｒ以下で常時一定の低ガス圧
力に設定可能となる。通常、電極間のガス圧力が放電に
適するガス圧力（数ｔｏｒｒ〜１００ｔｏｒｒ）に達す
る時間は短時間はどよく、ガスの拡散が少ない急峻なガ
ス塊が形成されるほどよい。しかるに、注入ガス圧力が
高い場合は、プラズマのピンチが終了した後でも、電極
間のガス圧力は急激な増加を続けており、ピンチが終了
した後に流れる減衰振動電流で高気圧ガス中での放電が
持続することになる。本発明では、注入ガス圧力を圧力
調整装置１１で所定の大気圧以下の圧力（１００〜３０
０ｔｏｒｒ）に調整し、ガスを注入すると、電極間の圧
力が最大になる圧力を放電に適する圧力（数ｔｏｒｒ〜
１００ ｔｏｒｒ）に設定することが可能となる。この
ため、プラズマがピンチした後に長時間、減衰振動しな
がら流れる電流によって放電が持続しても、電極間のガ
ス圧が２００〜３００ｔｏｒｒ以下と低いため、電流が
局所的に集中せず、電極を融解することがなくなる。−
例として、第１図に示した従来の電極形状で放電した場
合、３気圧程のガス圧力でガスを注入放電させると、第
１図中のガス注入電極の中心先端部に、１０００回程の
放電で直径７〜８ｍｍ ＋深さ１０ ｍｍ程に電極が消
耗される。これに対し′て、３００ｔｏｒｒ程の低ガス
圧で放電すると、１００００．回程の放電でも、電極の
先端部は直径４〜５ ｍｍ ＋深さ２ｍｍ程の消耗であ
り、電極の消耗は大幅に減少する。
入ガス圧は、７５Ｑｔｏｒｒ以下で常時一定の低ガス圧
力に設定可能となる。通常、電極間のガス圧力が放電に
適するガス圧力（数ｔｏｒｒ〜１００ｔｏｒｒ）に達す
る時間は短時間はどよく、ガスの拡散が少ない急峻なガ
ス塊が形成されるほどよい。しかるに、注入ガス圧力が
高い場合は、プラズマのピンチが終了した後でも、電極
間のガス圧力は急激な増加を続けており、ピンチが終了
した後に流れる減衰振動電流で高気圧ガス中での放電が
持続することになる。本発明では、注入ガス圧力を圧力
調整装置１１で所定の大気圧以下の圧力（１００〜３０
０ｔｏｒｒ）に調整し、ガスを注入すると、電極間の圧
力が最大になる圧力を放電に適する圧力（数ｔｏｒｒ〜
１００ ｔｏｒｒ）に設定することが可能となる。この
ため、プラズマがピンチした後に長時間、減衰振動しな
がら流れる電流によって放電が持続しても、電極間のガ
ス圧が２００〜３００ｔｏｒｒ以下と低いため、電流が
局所的に集中せず、電極を融解することがなくなる。−
例として、第１図に示した従来の電極形状で放電した場
合、３気圧程のガス圧力でガスを注入放電させると、第
１図中のガス注入電極の中心先端部に、１０００回程の
放電で直径７〜８ｍｍ ＋深さ１０ ｍｍ程に電極が消
耗される。これに対し′て、３００ｔｏｒｒ程の低ガス
圧で放電すると、１００００．回程の放電でも、電極の
先端部は直径４〜５ ｍｍ ＋深さ２ｍｍ程の消耗であ
り、電極の消耗は大幅に減少する。
２００〜３００ｔｏｒｒ程の低ガス圧でガスを注入した
場合、注入ガスの立ち上り勾配を形成するには、ガスの
導入経路を太く短くして、コンダクタンスを大きくする
必要がある。しかしながら、従来のような高気圧ガス注
入時に比べて、ガスの立ち上り勾配が緩慢になることは
、さげられない。そこで、プラズマを形成する放電電極
の形状により、放電の安定化を図っている。そこで、放
電電極部の構成の一例を詳細に示す。
場合、注入ガスの立ち上り勾配を形成するには、ガスの
導入経路を太く短くして、コンダクタンスを大きくする
必要がある。しかしながら、従来のような高気圧ガス注
入時に比べて、ガスの立ち上り勾配が緩慢になることは
、さげられない。そこで、プラズマを形成する放電電極
の形状により、放電の安定化を図っている。そこで、放
電電極部の構成の一例を詳細に示す。
第４図は、電極構造の実施例の１つである。３９はガス
バッファ容器５と等しい圧力となる高速開閉ガス弁がガ
ス溜め、４０はピストン、４］はガス噴出口、４２はガ
ス導入溝、４３はガス塊、４４はピンチしたプラズマ、
４５は電流でピンチしたプラズマ４４に流れていること
を示す。４６はプラズマ反射板、４７はプラズマ反射板
に設けたＸ線通過孔で、電極１７および１８の中心軸に
位置している。４８はプラズマから此だ荷電粒子の軌跡
を表わしている。４９は電極冷却用水冷パイプ、５０は
ガス排気用の孔であり、電極周上に等間隔に配置されて
いる。５１は真空容器の一部と電流伝送路の両者の役割
を備えた高電圧入力用フランジ、５２は電流のリターン
回路用フランジで接地電位であるガス溜め３９のガスは
、高速開閉ガス弁のピストン４０が開くと、ガス噴出口
４１から、電極１７に設けられたガス導入溝４２を通っ
て、接地された中空円筒状の電極１８との間に中空円筒
状のガス塊４３を形成する。ガス導入経路のコンダクタ
ンスを大きくするために、ガス噴出口４１は１０龍φ以
上として、ガス導入溝４２は先細末広の構造とし、ガス
導入溝から噴出するガスのマツハ数Ｍを高めるようにし
ている。
バッファ容器５と等しい圧力となる高速開閉ガス弁がガ
ス溜め、４０はピストン、４］はガス噴出口、４２はガ
ス導入溝、４３はガス塊、４４はピンチしたプラズマ、
４５は電流でピンチしたプラズマ４４に流れていること
を示す。４６はプラズマ反射板、４７はプラズマ反射板
に設けたＸ線通過孔で、電極１７および１８の中心軸に
位置している。４８はプラズマから此だ荷電粒子の軌跡
を表わしている。４９は電極冷却用水冷パイプ、５０は
ガス排気用の孔であり、電極周上に等間隔に配置されて
いる。５１は真空容器の一部と電流伝送路の両者の役割
を備えた高電圧入力用フランジ、５２は電流のリターン
回路用フランジで接地電位であるガス溜め３９のガスは
、高速開閉ガス弁のピストン４０が開くと、ガス噴出口
４１から、電極１７に設けられたガス導入溝４２を通っ
て、接地された中空円筒状の電極１８との間に中空円筒
状のガス塊４３を形成する。ガス導入経路のコンダクタ
ンスを大きくするために、ガス噴出口４１は１０龍φ以
上として、ガス導入溝４２は先細末広の構造とし、ガス
導入溝から噴出するガスのマツハ数Ｍを高めるようにし
ている。
電極１７に負電位の高電圧が印加されると、電極１７の
先端と中空円筒状の接地電極１８の先端で円環状の放電
が生ずる。放電初期において、電界は電極１７と最も近
い中空円筒状電極１８の円環状の先端部に集中するので
、放電は、常に電極１８の定まった先端部で開始される
ようになり、放電の位置が安定する。さらに、電界の集
中部が常に一定な円環状になるため、注入されたガス塊
４３が形成された後、拡散して、ガス塊形状が崩れても
、円環状の初期放電が生じて、プラズマが収束ピンチす
る。
先端と中空円筒状の接地電極１８の先端で円環状の放電
が生ずる。放電初期において、電界は電極１７と最も近
い中空円筒状電極１８の円環状の先端部に集中するので
、放電は、常に電極１８の定まった先端部で開始される
ようになり、放電の位置が安定する。さらに、電界の集
中部が常に一定な円環状になるため、注入されたガス塊
４３が形成された後、拡散して、ガス塊形状が崩れても
、円環状の初期放電が生じて、プラズマが収束ピンチす
る。
このためガス溜め３９の圧力が２００〜３ＱＱ ｔｏｒ
ｒの低ガス圧力でガスが注入された場合のように、注入
ガスの立ち上り勾配が緩慢になっても安定して円環状の
初期放電が生じ、プラズマが収束ピンチすることになる
。
ｒの低ガス圧力でガスが注入された場合のように、注入
ガスの立ち上り勾配が緩慢になっても安定して円環状の
初期放電が生じ、プラズマが収束ピンチすることになる
。
ピンチしたプラズマに流れる電流４５は、電極１７の中
心軸上にある円筒状空洞の内壁と、接地電極１８の中空
円筒状電極の内壁から注入される。
心軸上にある円筒状空洞の内壁と、接地電極１８の中空
円筒状電極の内壁から注入される。
このような構造になっているから、プラズマがピンチし
たとき電極に流れる電流は、電極の内壁面全体から供給
されるので、電極に局所化して流れることはない。その
ため、電流の局所化による電極の加熱、融解がなく、放
電による電極消耗が減る。１０００回程の放電した後で
も、電極１７と１８の内壁面がわずかに消耗するのみと
なり、電極消耗はほぼ、な（なる。本構造電極では、Ｃ
やＷ−Ｃｕ合金を用いると１０５回以上の連続放電が可
能となる。
たとき電極に流れる電流は、電極の内壁面全体から供給
されるので、電極に局所化して流れることはない。その
ため、電流の局所化による電極の加熱、融解がなく、放
電による電極消耗が減る。１０００回程の放電した後で
も、電極１７と１８の内壁面がわずかに消耗するのみと
なり、電極消耗はほぼ、な（なる。本構造電極では、Ｃ
やＷ−Ｃｕ合金を用いると１０５回以上の連続放電が可
能となる。
さらに高速開閉ガス弁７から噴射されるガスは対向電極
１８が中空状になっているため、電極１８で反射される
割合が減って、ガス塊４３は、常に再現性よく安定に形
成される。
１８が中空状になっているため、電極１８で反射される
割合が減って、ガス塊４３は、常に再現性よく安定に形
成される。
以上の効果から、プラズマは安定に再現性よく収束ピン
チすることになり、電極の消耗も減り、Ｘ線を安定にプ
ラズマから放射することができる。
チすることになり、電極の消耗も減り、Ｘ線を安定にプ
ラズマから放射することができる。
尚、注入ガスの圧力を低ガス圧にすると、第５図（８）
及び（ａのような円環状の突起あるいは溝を設けた、平
板状接地電極を用いても、安定に放電が生じ、プラズマ
のピンチが生ずる。ここで、Ｘ線取り出し用の電極の孔
の形状は、円筒形でなくてもよい。
及び（ａのような円環状の突起あるいは溝を設けた、平
板状接地電極を用いても、安定に放電が生じ、プラズマ
のピンチが生ずる。ここで、Ｘ線取り出し用の電極の孔
の形状は、円筒形でなくてもよい。
第６図は第４図における上部電極１７０例を示し、円筒
状の外部電極１７ａと、その内部に同心状にもうけられ
外部電極と電気的に結合する中空円筒状の内部電極１７
ｂから構成される。内部電極］、７ｂは側壁に複数（例
えば８個）の孔１７ｃを有し、この孔を通してガスが内
部電極１７ｂの外壁と外部電極１７ａの内壁の間に流れ
出る。
状の外部電極１７ａと、その内部に同心状にもうけられ
外部電極と電気的に結合する中空円筒状の内部電極１７
ｂから構成される。内部電極］、７ｂは側壁に複数（例
えば８個）の孔１７ｃを有し、この孔を通してガスが内
部電極１７ｂの外壁と外部電極１７ａの内壁の間に流れ
出る。
第７図は、本方式の装置におけるＸ線発生強度と放電タ
イミング（第３図における遅延パルサー１５の設定時間
）の実験結果を示したものである。
イミング（第３図における遅延パルサー１５の設定時間
）の実験結果を示したものである。
縦軸は、１回の放電で発生するＸ線量（Ｊ／ ５ｈｏｔ
）を、横軸は放電タイミング時間（μＳ）を示してい
る。白丸印は、本発明の電極で低ガス（ｆｌ （３ＱＯ
ｔｏｒｒ）（０，４気圧）で放電した場合の実験結果で
あり、黒丸印は、第１図に示したような、従来の高気圧
ガス注入で得られた結果であり、２３００ｔｏｒｒ （
３気圧）、放電エネルギ（３ＫＪ）、放電回路は同一の
ものヲ使用している。従来法では、プラズマがピンチし
放電するタイミングは、３９０〜４００μｓ間の１０μ
ｓ程であり、急峻なガス注入が行われ、電極間のガス圧
も数μｓ程で急激に上昇していＡ”−、タイミング時間
幅が１０μＳであることから推察される。
）を、横軸は放電タイミング時間（μＳ）を示してい
る。白丸印は、本発明の電極で低ガス（ｆｌ （３ＱＯ
ｔｏｒｒ）（０，４気圧）で放電した場合の実験結果で
あり、黒丸印は、第１図に示したような、従来の高気圧
ガス注入で得られた結果であり、２３００ｔｏｒｒ （
３気圧）、放電エネルギ（３ＫＪ）、放電回路は同一の
ものヲ使用している。従来法では、プラズマがピンチし
放電するタイミングは、３９０〜４００μｓ間の１０μ
ｓ程であり、急峻なガス注入が行われ、電極間のガス圧
も数μｓ程で急激に上昇していＡ”−、タイミング時間
幅が１０μＳであることから推察される。
これに対して、本発明の低ガス圧注入で中空円筒状電極
を用いると、ピンチする放電のタイミングが４００〜５
００μｓ間の約１００ＡＬｓと、従来法に比べ１桁程長
い放電タイミング幅でプラズマがピンチする。これから
、放電電極間のガス圧力が１００μｓ程の長時間にわた
って適正ガス圧に保たれていること、さらにガスが電極
間に注入され５０μＳ以上の長い時間が経過して、注入
されたガス塊が拡散し、形状が崩れても安定に円環状の
初期放電が生じ、プラズマが収束ピンチすることがわか
る。尚、本実験で注入ガスのパルス幅は１００μｓ程で
あることから、電極間のガス圧力は、常にプラズマがピ
ンチする適正ガス圧に保たれ、高気圧に達しないことが
わかる。
を用いると、ピンチする放電のタイミングが４００〜５
００μｓ間の約１００ＡＬｓと、従来法に比べ１桁程長
い放電タイミング幅でプラズマがピンチする。これから
、放電電極間のガス圧力が１００μｓ程の長時間にわた
って適正ガス圧に保たれていること、さらにガスが電極
間に注入され５０μＳ以上の長い時間が経過して、注入
されたガス塊が拡散し、形状が崩れても安定に円環状の
初期放電が生じ、プラズマが収束ピンチすることがわか
る。尚、本実験で注入ガスのパルス幅は１００μｓ程で
あることから、電極間のガス圧力は、常にプラズマがピ
ンチする適正ガス圧に保たれ、高気圧に達しないことが
わかる。
Ｘ線放射量は、従来法に比べて３倍はどに増加している
。これは、中空円筒状の電極１８を用いるため、ピンチ
したプラズマの長さに制限がなく、長いピンチプラズマ
が形成され、プラズマのインダクタンスが増加し、効率
よ（コンデンサに蓄えた電気エネルギがプラズマに注入
されること、ピンチしたプラズマに流れる電流が電極の
内壁から供給され、電流の局所化がなくピンチしたプラ
ズマが安定して存在し寿命が長いこと、等に起因する。
。これは、中空円筒状の電極１８を用いるため、ピンチ
したプラズマの長さに制限がなく、長いピンチプラズマ
が形成され、プラズマのインダクタンスが増加し、効率
よ（コンデンサに蓄えた電気エネルギがプラズマに注入
されること、ピンチしたプラズマに流れる電流が電極の
内壁から供給され、電流の局所化がなくピンチしたプラ
ズマが安定して存在し寿命が長いこと、等に起因する。
プラズマから発生するＸ線は、２μｓの長時間にわたっ
て検出され、ピンチしたプラズマの寿命が長いことが確
認される。
て検出され、ピンチしたプラズマの寿命が長いことが確
認される。
第８図は、本発明の装置で低ガス圧注入により放電させ
、放電電極の中心軸方向にＸ線ピンホール写真機を設置
して、ピンチしたプラズマの位置を測定した結果である
。２０回の重ね撮影をしているが、Ｘ線放射領域は２ｍ
ｍφと小さくなっている。
、放電電極の中心軸方向にＸ線ピンホール写真機を設置
して、ピンチしたプラズマの位置を測定した結果である
。２０回の重ね撮影をしているが、Ｘ線放射領域は２ｍ
ｍφと小さくなっている。
これから、ピンチしたプラズマの位置は安定している。
第９図は、第１図のような従来法で高気圧ガス注入の放
電における、第８図と同様な方法で撮影した写真である
。ピンチしたプラズマの位置は１０ｍｍφ程の領域にわ
たっており、第８図に比べて、バラツキが太きい。この
ように、本発明を用いると、プラズマ・の、収束ピンチ
する位置が安定する。
電における、第８図と同様な方法で撮影した写真である
。ピンチしたプラズマの位置は１０ｍｍφ程の領域にわ
たっており、第８図に比べて、バラツキが太きい。この
ように、本発明を用いると、プラズマ・の、収束ピンチ
する位置が安定する。
以上から、本発明によって、Ｘ線発生効率が向上し、か
つ、プラズマのピンチする位置が安定することが実験で
示された。Ｘ線露光法で、プロキシミティ露光を用いる
場合、線源の径が小さいほど、転写時のボケが少なくな
る。しかるに、第８図のピンホール写真から、電極中心
軸方向で露光することが、有利であることがわかる。し
かし、Ｘ線取り出し窓をプラズマから放射される荷電粒
子から保護する必要が生じる。
つ、プラズマのピンチする位置が安定することが実験で
示された。Ｘ線露光法で、プロキシミティ露光を用いる
場合、線源の径が小さいほど、転写時のボケが少なくな
る。しかるに、第８図のピンホール写真から、電極中心
軸方向で露光することが、有利であることがわかる。し
かし、Ｘ線取り出し窓をプラズマから放射される荷電粒
子から保護する必要が生じる。
ピンチしたプラズマからは、荷電粒子がプラズマ柱の中
心軸方向に多く放射されるので、第４図のように接地側
電極１８側の電極中心軸方向には、プラズマ反射板４６
を設けている。プラズマ反射板４６は、中心にＸ線通過
孔４７を有し、電極側の面は、電極中心軸と斜めになっ
ており、その方向は第３図の排気装置２の方向に向いて
いる構造をしている。
心軸方向に多く放射されるので、第４図のように接地側
電極１８側の電極中心軸方向には、プラズマ反射板４６
を設けている。プラズマ反射板４６は、中心にＸ線通過
孔４７を有し、電極側の面は、電極中心軸と斜めになっ
ており、その方向は第３図の排気装置２の方向に向いて
いる構造をしている。
このような構造になっているので、電極１７と１８間で
発生したプラズマが、電極中心軸方向にあるＸ線取り出
し窓間方向に噴射されるとき、プラズマ反射板４６の面
に衝突しプラズマ噴射方向と異なる方向の運動量を有す
ることになり、Ｘ線取り出し窓間方向に進行するプラズ
マは減少する。また、電極からＸ線通過孔４７の方向に
向うプラズマも、プラズマ反射板により反射されたプラ
ズマと衝突することにより、電極中心軸と直角な方向の
運動成分を有することになり、電極中心軸方向にあるＸ
線取り出し窓方向に運動するプラズマならびに荷電粒子
の量は減少する。その低高速ガス弁７から噴射されるガ
スが、プラズマ反射板によって反射され排気装置方向に
拡散する割合が増加し、ガスの排気に要する時間も短縮
される。ここで、プラズマ反射板は、曲面、あるいは円
錐状でもよい。
発生したプラズマが、電極中心軸方向にあるＸ線取り出
し窓間方向に噴射されるとき、プラズマ反射板４６の面
に衝突しプラズマ噴射方向と異なる方向の運動量を有す
ることになり、Ｘ線取り出し窓間方向に進行するプラズ
マは減少する。また、電極からＸ線通過孔４７の方向に
向うプラズマも、プラズマ反射板により反射されたプラ
ズマと衝突することにより、電極中心軸と直角な方向の
運動成分を有することになり、電極中心軸方向にあるＸ
線取り出し窓方向に運動するプラズマならびに荷電粒子
の量は減少する。その低高速ガス弁７から噴射されるガ
スが、プラズマ反射板によって反射され排気装置方向に
拡散する割合が増加し、ガスの排気に要する時間も短縮
される。ここで、プラズマ反射板は、曲面、あるいは円
錐状でもよい。
第１０図および第１１図は、第４図で示した装置で放電
で発生する荷電粒子を調べるため、荷電粒子除去器２７
とプラズマ反射板４６を設けず放電した場ここで、放電
で使用したガスはＮｅであり、コンデンサ１１の容量が
３μ八充電電圧５０ＫＶであり、測定は、電極１８と１
７の中心軸方向２５ｃｍにファラデーカップを設け、フ
ァラデーカップと接地間に２Ωの抵抗を接続、抵抗の両
端の電圧を測定している。
で発生する荷電粒子を調べるため、荷電粒子除去器２７
とプラズマ反射板４６を設けず放電した場ここで、放電
で使用したガスはＮｅであり、コンデンサ１１の容量が
３μ八充電電圧５０ＫＶであり、測定は、電極１８と１
７の中心軸方向２５ｃｍにファラデーカップを設け、フ
ァラデーカップと接地間に２Ωの抵抗を接続、抵抗の両
端の電圧を測定している。
第１０図は、注入ガスＮｅの圧力を２気圧とした場合の
結果である。３００ Ｖ以上の負電圧が検出されており
、大量の電子が電極中心軸方向に放射されていることが
わかる。
結果である。３００ Ｖ以上の負電圧が検出されており
、大量の電子が電極中心軸方向に放射されていることが
わかる。
この場合、プラズマ軸方向２０．：Ｘ程にＸ線取り出し
窓あとしてＢｅ膜を設げても、１回の放電で破壊され、
使用不可能であった。
窓あとしてＢｅ膜を設げても、１回の放電で破壊され、
使用不可能であった。
第１１図は、圧力調整装置１１によって注入ガスＮｅの
圧力を３００ｔｏｒｒと低圧力にした場合の結果である
。第１０図とほぼ同時刻に負電位が発生しているが、電
圧は７０Ｖはどであり、第１０図中で発生している電圧
に比べて１／４以下となっている。以上の結果のように
、注入ガスの圧力を低下させることにより放電で電極間
のプラズマから発生する荷電粒子の量は減少することが
わかる。第１Ｏ図と第１１図におけるプラズマの収束時
間（放電が開始してピンチするまでの時間）は、両者と
も５ＱＱｎｓｅｃ程度であり、放電時の電極間のガス密
度は、第１０図と第１１図は同程度と考えられる。しか
しながら、第１０図のような高気圧でガスを注入すると
電極間のガス圧力が急激に上昇して、ピンチ後の電極間
は高気圧状態となり、大量のガスが電離され第１０図に
示されるように大量の荷電粒子が発生する。
圧力を３００ｔｏｒｒと低圧力にした場合の結果である
。第１０図とほぼ同時刻に負電位が発生しているが、電
圧は７０Ｖはどであり、第１０図中で発生している電圧
に比べて１／４以下となっている。以上の結果のように
、注入ガスの圧力を低下させることにより放電で電極間
のプラズマから発生する荷電粒子の量は減少することが
わかる。第１Ｏ図と第１１図におけるプラズマの収束時
間（放電が開始してピンチするまでの時間）は、両者と
も５ＱＱｎｓｅｃ程度であり、放電時の電極間のガス密
度は、第１０図と第１１図は同程度と考えられる。しか
しながら、第１０図のような高気圧でガスを注入すると
電極間のガス圧力が急激に上昇して、ピンチ後の電極間
は高気圧状態となり、大量のガスが電離され第１０図に
示されるように大量の荷電粒子が発生する。
以上のように、注入ガスの圧力を圧力調整装置により２
００〜４００ ｔｏｒｒ程に下げると荷電粒子の発生が
抑制されることから、電極に衝突する電子、も、荷電粒
子は放射されるため、Ｂｅ膜等をプラズマ中心軸方向に
設けると、数回の放電でＢｅ膜は破結果である。
００〜４００ ｔｏｒｒ程に下げると荷電粒子の発生が
抑制されることから、電極に衝突する電子、も、荷電粒
子は放射されるため、Ｂｅ膜等をプラズマ中心軸方向に
設けると、数回の放電でＢｅ膜は破結果である。
なお、第１０図〜第１２図において、横軸は５００ｙ＋
、ｓ／目盛、たて軸は５０■／目盛である。
、ｓ／目盛、たて軸は５０■／目盛である。
荷電粒子は、全く検出されず、プラズマ反射板と除去装
置２７により、完全に除去されたことが示されている。
置２７により、完全に除去されたことが示されている。
したがって、電極の中心軸方向にＸ線取り出し窓側を設
けることが可能となり、損傷が少ないので、Ｘ線取り出
し窓間で真空の耐圧を有することも可能となる。その効
果としては、露光されるウェハ側から見たＸ線源径がピ
ンチしたプラズマの径と同等な２ ｍ７ｎφとなり、転
写パターンの露光ボケが小さくなる。さらに、Ｘ線をＸ
線取り出し窓から大気中に放射することができるので、
大気中−ンが転写できることになる。
けることが可能となり、損傷が少ないので、Ｘ線取り出
し窓間で真空の耐圧を有することも可能となる。その効
果としては、露光されるウェハ側から見たＸ線源径がピ
ンチしたプラズマの径と同等な２ ｍ７ｎφとなり、転
写パターンの露光ボケが小さくなる。さらに、Ｘ線をＸ
線取り出し窓から大気中に放射することができるので、
大気中−ンが転写できることになる。
さらに、注入ガス圧を下げることにより、注入ガスの量
が少なくなり真空容器を排気するのに要する時間が短縮
され、本方式で、放電のくり返し速度を上げることが可
能となり、露光時間が短縮されスループットが向上する
。また、排気系も小型化できることになる。
が少なくなり真空容器を排気するのに要する時間が短縮
され、本方式で、放電のくり返し速度を上げることが可
能となり、露光時間が短縮されスループットが向上する
。また、排気系も小型化できることになる。
本発明の低ガス圧注入放電では、プラズマから３０、中
心軸方向に１０μｍのＢｅ箔を設けて放電しても、Ｂｅ
箔が破損されることはなかった。また、注入ガス量が少
ないので排気が容易で、１秒間に３回程の放電が可能と
なった。
心軸方向に１０μｍのＢｅ箔を設けて放電しても、Ｂｅ
箔が破損されることはなかった。また、注入ガス量が少
ないので排気が容易で、１秒間に３回程の放電が可能と
なった。
高速開閉ガス弁側に位置する電極を負電位、対向する電
極を接地電位とすると、プラズマのピンチで発生するＸ
線取り出し窓方向に放射される荷電粒子は、電子が大部
分となって、磁場で容易に偏向できるようになる。第１
０図、第１１図の荷電粒子測定結果でも、電子が検出さ
れている。また、Ｘ線取り出し窓方向の電極を接地電位
とすると、放電時に、荷電粒子除去器２７やＸ線取り出
し窓、容器とスパークすることがなく、プラズマからウ
ェハ３０までの距離を短縮することが可能であり、露光
時間の短縮が図れる。
極を接地電位とすると、プラズマのピンチで発生するＸ
線取り出し窓方向に放射される荷電粒子は、電子が大部
分となって、磁場で容易に偏向できるようになる。第１
０図、第１１図の荷電粒子測定結果でも、電子が検出さ
れている。また、Ｘ線取り出し窓方向の電極を接地電位
とすると、放電時に、荷電粒子除去器２７やＸ線取り出
し窓、容器とスパークすることがなく、プラズマからウ
ェハ３０までの距離を短縮することが可能であり、露光
時間の短縮が図れる。
さらに、プラズマＸ線発生部を上部に、ウェハやマスク
のアライナ部を下部とすることにより、ウェハは水平に
設けて露光することが可能となり、アライナ装置の構造
を簡単化することができる。
のアライナ部を下部とすることにより、ウェハは水平に
設けて露光することが可能となり、アライナ装置の構造
を簡単化することができる。
また、この逆の構造も容易にできる。
（発明の効果）
以上、説明したように、プラズマＸ線源のプラズマ軸方
向にＸ線を取り出してもプラズマによるＸ線取り出し窓
の損傷がなく、また放電による電極消耗が減少するので
、輝度の高いＸ線が安定にＸ線取り出し窓からＸ線を取
り出せる。また、注入ガスに低ガス圧を使用しているの
で、注入ガスの高速排気ができるので連続した数Ｈｚの
高速くり返し放電のプラズマＸ線源が実現可能となる。
向にＸ線を取り出してもプラズマによるＸ線取り出し窓
の損傷がなく、また放電による電極消耗が減少するので
、輝度の高いＸ線が安定にＸ線取り出し窓からＸ線を取
り出せる。また、注入ガスに低ガス圧を使用しているの
で、注入ガスの高速排気ができるので連続した数Ｈｚの
高速くり返し放電のプラズマＸ線源が実現可能となる。
この様な線源では線源径が小さく、Ｘ線出力が大きいの
で、微細なパターンを生産性よく転写する装置が実現で
きる。
で、微細なパターンを生産性よく転写する装置が実現で
きる。
さらに、短い時間に強力なＸ線が放射されるので、Ｘ線
アニーリング、ＣＶＤ、エツチング等に利用できるとと
もに、高速現象のＸ線解析、各種分析や医療、工業用の
Ｘ線源として利用できるような利点がある。
アニーリング、ＣＶＤ、エツチング等に利用できるとと
もに、高速現象のＸ線解析、各種分析や医療、工業用の
Ｘ線源として利用できるような利点がある。
第１図は、従来のプラズマＸ線源の構成図、第２図は従
来のプラズマＸ線源のＸ線ピンホールを示す図、第３図
は本発明の一実施晶成図、第４図は、第３図の放電電極
の部分の拡大図、第５図ＧＡ）および（Ｂ）は平板状電
極の一実施例、第６図は上部電極の構成例、第７図は本
発明で得られた放電のタイミング時間（遅延パルサ設定
時間）とＸ線発生量、ならびに第１図のような従来法に
よる同様な実験結果を示す図、第８図は本発明装置で得
られたＸ線ピンホールを示す図、第９図は高気圧ガス注
入時のＸ線ピンホールを示す図、第１０図はプラズマ反
射板を設けず、２気圧のＮｅガスで放電した場合の荷電
粒子量を測定した実験結果を示す図、第１１図は、第１
０図の実験で３００ ｔｏｒｒで放電した場合の実験結
果を示す図、第１２図はプラズマ反射板と荷電粒子除去
器を通した３００ ｔｏｒｒのガスで放電した場合の荷
電粒子の測定結果を示す図である。 １・・・真空容器、２・・・排気装置、３・・・ガス圧
調整用排気装置、４・・・排気用弁、５・・・ガスバッ
ファ容器、７・・・高速開閉ガス弁、８・・・ガス導入
弁、９・・・ガス容器、１０・・・ガス圧力検出器、１
１・・・圧力制御装置、１２・・・充電電源、１３・・
・コンデンサ、１４・・・信号発生装置、１５・・・遅
延パルサ、１６・・・高速開閉ガス弁駆動用電源、１７
・・・高圧側電極、１８・・・接地側電極、２゜・・・
高電圧パルス発生器、２１・・・放電スイッチ、２２・
・・絶縁体、２６・・・Ｘ線、２７・・・荷電粒子除去
器、四・・・Ｘ線取り出し窓、２９・・・Ｘ線マスク、
３ｏ・・・ウェハ、３１・・・アライナ、３９・・・高
速開閉ガス弁のガス溜め、４゜・・・高速開閉ガス弁の
ピストン、４２・・・ガス導入溝、４３・・・ガス塊、
４４・・・ピンチしたプラズマ、４５・・・電流の流れ
、４６・・プラズマ反射板、４７・・・Ｘ線通過孔、４
８・・・荷電粒子軌跡、４９・・・電極冷却用水冷パイ
プ、５０・・・ガス排気孔、５１・・・高電圧入力用フ
ランジ、５２・・・リターン接地電極用フランジ。 特許出願人 日本電信電話公社 特許出願代理人 弁理士 山 本 恵 − 菓４ 図 第５図（Ａ） 地５ 図（Ｂ） 罠６ 図 ７ｂ ＃７ 図 ＯＱ Ｏ＋＋−＋。 ７°゛・ ｌ′１ ｊ ＼ 一・□０・ − 秦８図 犠９図
来のプラズマＸ線源のＸ線ピンホールを示す図、第３図
は本発明の一実施晶成図、第４図は、第３図の放電電極
の部分の拡大図、第５図ＧＡ）および（Ｂ）は平板状電
極の一実施例、第６図は上部電極の構成例、第７図は本
発明で得られた放電のタイミング時間（遅延パルサ設定
時間）とＸ線発生量、ならびに第１図のような従来法に
よる同様な実験結果を示す図、第８図は本発明装置で得
られたＸ線ピンホールを示す図、第９図は高気圧ガス注
入時のＸ線ピンホールを示す図、第１０図はプラズマ反
射板を設けず、２気圧のＮｅガスで放電した場合の荷電
粒子量を測定した実験結果を示す図、第１１図は、第１
０図の実験で３００ ｔｏｒｒで放電した場合の実験結
果を示す図、第１２図はプラズマ反射板と荷電粒子除去
器を通した３００ ｔｏｒｒのガスで放電した場合の荷
電粒子の測定結果を示す図である。 １・・・真空容器、２・・・排気装置、３・・・ガス圧
調整用排気装置、４・・・排気用弁、５・・・ガスバッ
ファ容器、７・・・高速開閉ガス弁、８・・・ガス導入
弁、９・・・ガス容器、１０・・・ガス圧力検出器、１
１・・・圧力制御装置、１２・・・充電電源、１３・・
・コンデンサ、１４・・・信号発生装置、１５・・・遅
延パルサ、１６・・・高速開閉ガス弁駆動用電源、１７
・・・高圧側電極、１８・・・接地側電極、２゜・・・
高電圧パルス発生器、２１・・・放電スイッチ、２２・
・・絶縁体、２６・・・Ｘ線、２７・・・荷電粒子除去
器、四・・・Ｘ線取り出し窓、２９・・・Ｘ線マスク、
３ｏ・・・ウェハ、３１・・・アライナ、３９・・・高
速開閉ガス弁のガス溜め、４゜・・・高速開閉ガス弁の
ピストン、４２・・・ガス導入溝、４３・・・ガス塊、
４４・・・ピンチしたプラズマ、４５・・・電流の流れ
、４６・・プラズマ反射板、４７・・・Ｘ線通過孔、４
８・・・荷電粒子軌跡、４９・・・電極冷却用水冷パイ
プ、５０・・・ガス排気孔、５１・・・高電圧入力用フ
ランジ、５２・・・リターン接地電極用フランジ。 特許出願人 日本電信電話公社 特許出願代理人 弁理士 山 本 恵 − 菓４ 図 第５図（Ａ） 地５ 図（Ｂ） 罠６ 図 ７ｂ ＃７ 図 ＯＱ Ｏ＋＋−＋。 ７°゛・ ｌ′１ ｊ ＼ 一・□０・ − 秦８図 犠９図
Claims (8)
- （１）真空中の対向した１対の電極間にガスを供給して
プラズマ生成用の中空円筒状のガス塊を形成し、上記電
極間に電圧を印加し放電することにより、上記電極間に
放電プラズマを生成し、プラズマを流れる電流がつくる
自己磁場によりプラズマを自己収束させて直線状の高温
高密度プラズマを形成し、その高温高密度プラズマから
Ｘ線を発生させるＸ線発生装置において、前記ガスが排
気装置を有した圧力調整機構によりガス溜めの圧力を大
気圧以下に保った高速開閉ガス弁によって与えられるこ
とを特徴とするＸ線発生装置。 - （２）真空中の対向した１対の電極対の間に、高速開閉
ガス弁によりプラズマ生成用の中空円筒状のガス塊を形
成し、上記の電極対の間に電圧を印加し放電することに
より、上記電極対の間に放電る自己磁場によりプラズマ
を自己収束させて直線状の高温高密度プラズマを形成し
、その高温高密度プラズマからＸ線を発生させるＸ線発
生装置において、前記電極対がはｙ同心状に対向する１
対の電極から構成され、少なくとも一方の電極は中心孔
を有し、電極対のは丈軸上に形成される直線状プラズマ
の軸方向にＸ線をとり出すことを特徴とするＸ線発生装
置。 - （３）前記電極対のＸ線をとり出す側の電極を接地電位
とし、他方の電極を負電位とすることを特徴とする特許
請求の範囲第２項記載のＸ線発生装置。 - （４）前記電極対の一方の電極が中空円筒形で、その内
部からガスを噴射するように該電極が高速開閉ガス弁と
直結し、該電極がその内部に該電極と電気的に接続され
る同心の円筒電極を有することを特徴とする特許請求の
範囲第２項記載のＸ線発生装置。 - （５）前記電極対が同軸状に配置される１対の中る特許
請求の範囲第２項記載のＸ線発生装置。 - （６）前記電極、対とＸ線取り出し窓との間に、電極の
中心軸上にＸ線通過孔を有するプラズマ反射面がもうけ
られることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載のＸ
線発生装置。 - （７）真空中の対向した１対の電極対の間に、高速開閉
ガス弁によりプラズマ生成用の中空円筒状のガス塊を形
成し、上記の電極対の間に電圧を印加し放電することに
より、上記電極対の間に放電プラズマを生成し、プラズ
マを流れる電流がつくる自己磁場によりプラズマを自己
収束させて直線状の高温高密度プラズマを形成し、その
高温高密度プラズマからＸ線を発生させるＸ線発生装置
であって、前記電極対がはｇ同心状に対向する１対ラズ
マの軸方向にＸ線をとり出すＸ線発生装置を用い、Ｘ線
露光用マスクおよびウエノ・の装置機構を前記直線状プ
ラズマの中心軸上に、該中心軸とＸ線露光用マスク面及
びウエノ・面が直交するように配置して、Ｘ線を照射す
ることを特徴とするＸ線露光法。 - （８）Ｘ線露光用マスク面およびウェハ面がはｙ水平面
におかれることを特徴とする特許請求の範囲第７項記載
のＸ線露光法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59024496A JPS60175351A (ja) | 1984-02-14 | 1984-02-14 | Ｘ線発生装置およびｘ線露光法 |
| US06/699,402 US4635282A (en) | 1984-02-14 | 1985-02-07 | X-ray source and X-ray lithography method |
| EP85101451A EP0153648B1 (en) | 1984-02-14 | 1985-02-11 | X-ray source and x-ray lithography method |
| DE8585101451T DE3573876D1 (en) | 1984-02-14 | 1985-02-11 | X-ray source and x-ray lithography method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59024496A JPS60175351A (ja) | 1984-02-14 | 1984-02-14 | Ｘ線発生装置およびｘ線露光法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60175351A true JPS60175351A (ja) | 1985-09-09 |
| JPH0372184B2 JPH0372184B2 (ja) | 1991-11-15 |
Family
ID=12139781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59024496A Granted JPS60175351A (ja) | 1984-02-14 | 1984-02-14 | Ｘ線発生装置およびｘ線露光法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4635282A (ja) |
| EP (1) | EP0153648B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60175351A (ja) |
| DE (1) | DE3573876D1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62122034A (ja) * | 1985-11-21 | 1987-06-03 | Nichicon Capacitor Ltd | Ｘ線露光用線源装置 |
| JP2002248344A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-09-03 | Nikon Corp | 極端紫外光発生装置並びにそれを用いた露光装置及び半導体製造方法 |
| JP2008522379A (ja) * | 2004-12-04 | 2008-06-26 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 電気放電装置を動作させる方法及び機器 |
| JP2010536166A (ja) * | 2007-08-08 | 2010-11-25 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Families Citing this family (64)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3688946T2 (de) * | 1985-04-30 | 1994-01-13 | Nippon Telegraph & Telephone | Röntgenstrahlungsquelle. |
| JPH0687408B2 (ja) * | 1986-03-07 | 1994-11-02 | 株式会社日立製作所 | プラズマｘ線発生装置 |
| US4994715A (en) * | 1987-12-07 | 1991-02-19 | The Regents Of The University Of California | Plasma pinch system and method of using same |
| US5048163A (en) * | 1987-12-07 | 1991-09-17 | Asmus John F | System for processing semiconductor materials |
| US4889605A (en) * | 1987-12-07 | 1989-12-26 | The Regents Of The University Of California | Plasma pinch system |
| US5079187A (en) * | 1987-12-07 | 1992-01-07 | The Regents Of The University Of California | Method for processing semiconductor materials |
| ATE127651T1 (de) * | 1989-05-04 | 1995-09-15 | Univ California | Vorrichtung und verfahren zur behandlung von materialien. |
| JP2766935B2 (ja) * | 1989-10-20 | 1998-06-18 | キヤノン株式会社 | Ｘ線露光装置 |
| US5102776A (en) * | 1989-11-09 | 1992-04-07 | Cornell Research Foundation, Inc. | Method and apparatus for microlithography using x-pinch x-ray source |
| US5243638A (en) * | 1992-03-10 | 1993-09-07 | Hui Wang | Apparatus and method for generating a plasma x-ray source |
| US5504795A (en) * | 1995-02-06 | 1996-04-02 | Plex Corporation | Plasma X-ray source |
| USH1962H1 (en) | 1996-09-09 | 2001-06-05 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Fast acting double puff valve |
| US5866871A (en) * | 1997-04-28 | 1999-02-02 | Birx; Daniel | Plasma gun and methods for the use thereof |
| US6586757B2 (en) | 1997-05-12 | 2003-07-01 | Cymer, Inc. | Plasma focus light source with active and buffer gas control |
| US5763930A (en) * | 1997-05-12 | 1998-06-09 | Cymer, Inc. | Plasma focus high energy photon source |
| US6452199B1 (en) | 1997-05-12 | 2002-09-17 | Cymer, Inc. | Plasma focus high energy photon source with blast shield |
| US6566667B1 (en) | 1997-05-12 | 2003-05-20 | Cymer, Inc. | Plasma focus light source with improved pulse power system |
| US6815700B2 (en) | 1997-05-12 | 2004-11-09 | Cymer, Inc. | Plasma focus light source with improved pulse power system |
| US6744060B2 (en) | 1997-05-12 | 2004-06-01 | Cymer, Inc. | Pulse power system for extreme ultraviolet and x-ray sources |
| WO2000025322A1 (en) * | 1998-10-27 | 2000-05-04 | Jmar Technology Co. | Shaped source of soft x-ray, extreme ultraviolet and ultraviolet radiation |
| US6445134B1 (en) | 1999-11-30 | 2002-09-03 | Environmental Surface Technologies | Inner/outer coaxial tube arrangement for a plasma pinch chamber |
| TWI246872B (en) | 1999-12-17 | 2006-01-01 | Asml Netherlands Bv | Radiation source for use in lithographic projection apparatus |
| US6469310B1 (en) | 1999-12-17 | 2002-10-22 | Asml Netherlands B.V. | Radiation source for extreme ultraviolet radiation, e.g. for use in lithographic projection apparatus |
| US7180081B2 (en) * | 2000-06-09 | 2007-02-20 | Cymer, Inc. | Discharge produced plasma EUV light source |
| US6972421B2 (en) * | 2000-06-09 | 2005-12-06 | Cymer, Inc. | Extreme ultraviolet light source |
| JP2002006096A (ja) * | 2000-06-23 | 2002-01-09 | Nikon Corp | 電磁波発生装置、これを用いた半導体製造装置並びに半導体デバイスの製造方法 |
| RU2206186C2 (ru) | 2000-07-04 | 2003-06-10 | Государственный научный центр Российской Федерации Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований | Способ получения коротковолнового излучения из газоразрядной плазмы и устройство для его реализации |
| US7346093B2 (en) * | 2000-11-17 | 2008-03-18 | Cymer, Inc. | DUV light source optical element improvements |
| US6765987B2 (en) | 2001-03-15 | 2004-07-20 | Safe Food Technologies, Inc. | Resonant plasma x-ray source |
| US6804327B2 (en) * | 2001-04-03 | 2004-10-12 | Lambda Physik Ag | Method and apparatus for generating high output power gas discharge based source of extreme ultraviolet radiation and/or soft x-rays |
| TW589924B (en) * | 2001-04-06 | 2004-06-01 | Fraunhofer Ges Forschung | Process and device for producing extreme ultraviolet ray/weak x-ray |
| US7372056B2 (en) * | 2005-06-29 | 2008-05-13 | Cymer, Inc. | LPP EUV plasma source material target delivery system |
| US7465946B2 (en) * | 2004-03-10 | 2008-12-16 | Cymer, Inc. | Alternative fuels for EUV light source |
| US7405416B2 (en) * | 2005-02-25 | 2008-07-29 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for EUV plasma source target delivery |
| US7439530B2 (en) * | 2005-06-29 | 2008-10-21 | Cymer, Inc. | LPP EUV light source drive laser system |
| US7598509B2 (en) * | 2004-11-01 | 2009-10-06 | Cymer, Inc. | Laser produced plasma EUV light source |
| US7378673B2 (en) * | 2005-02-25 | 2008-05-27 | Cymer, Inc. | Source material dispenser for EUV light source |
| US7088758B2 (en) | 2001-07-27 | 2006-08-08 | Cymer, Inc. | Relax gas discharge laser lithography light source |
| DE10151080C1 (de) * | 2001-10-10 | 2002-12-05 | Xtreme Tech Gmbh | Einrichtung und Verfahren zum Erzeugen von extrem ultravioletter (EUV-)Strahlung auf Basis einer Gasentladung |
| US7217941B2 (en) * | 2003-04-08 | 2007-05-15 | Cymer, Inc. | Systems and methods for deflecting plasma-generated ions to prevent the ions from reaching an internal component of an EUV light source |
| US7217940B2 (en) * | 2003-04-08 | 2007-05-15 | Cymer, Inc. | Collector for EUV light source |
| DE10325151B4 (de) * | 2003-05-30 | 2006-11-30 | Infineon Technologies Ag | Vorrichtung für die Erzeugung und/oder Beeinflussung elektromagnetischer Strahlung eines Plasmas |
| US20060146906A1 (en) * | 2004-02-18 | 2006-07-06 | Cymer, Inc. | LLP EUV drive laser |
| US7193228B2 (en) | 2004-03-10 | 2007-03-20 | Cymer, Inc. | EUV light source optical elements |
| US7087914B2 (en) * | 2004-03-17 | 2006-08-08 | Cymer, Inc | High repetition rate laser produced plasma EUV light source |
| US7164144B2 (en) * | 2004-03-10 | 2007-01-16 | Cymer Inc. | EUV light source |
| US8075732B2 (en) * | 2004-11-01 | 2011-12-13 | Cymer, Inc. | EUV collector debris management |
| US7196342B2 (en) * | 2004-03-10 | 2007-03-27 | Cymer, Inc. | Systems and methods for reducing the influence of plasma-generated debris on the internal components of an EUV light source |
| US7355191B2 (en) * | 2004-11-01 | 2008-04-08 | Cymer, Inc. | Systems and methods for cleaning a chamber window of an EUV light source |
| US7109503B1 (en) * | 2005-02-25 | 2006-09-19 | Cymer, Inc. | Systems for protecting internal components of an EUV light source from plasma-generated debris |
| US7449703B2 (en) * | 2005-02-25 | 2008-11-11 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for EUV plasma source target delivery target material handling |
| US7482609B2 (en) * | 2005-02-28 | 2009-01-27 | Cymer, Inc. | LPP EUV light source drive laser system |
| US7180083B2 (en) * | 2005-06-27 | 2007-02-20 | Cymer, Inc. | EUV light source collector erosion mitigation |
| US7365349B2 (en) * | 2005-06-27 | 2008-04-29 | Cymer, Inc. | EUV light source collector lifetime improvements |
| US7141806B1 (en) | 2005-06-27 | 2006-11-28 | Cymer, Inc. | EUV light source collector erosion mitigation |
| US7402825B2 (en) * | 2005-06-28 | 2008-07-22 | Cymer, Inc. | LPP EUV drive laser input system |
| US7394083B2 (en) | 2005-07-08 | 2008-07-01 | Cymer, Inc. | Systems and methods for EUV light source metrology |
| US7453077B2 (en) | 2005-11-05 | 2008-11-18 | Cymer, Inc. | EUV light source |
| US7307237B2 (en) * | 2005-12-29 | 2007-12-11 | Honeywell International, Inc. | Hand-held laser welding wand nozzle assembly including laser and feeder extension tips |
| DE102006030874B4 (de) * | 2006-07-04 | 2013-03-14 | Pro-Beam Ag & Co. Kgaa | Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung von Werkstücken |
| RU2459393C1 (ru) * | 2010-12-27 | 2012-08-20 | Учреждение Российской Академии Наук Институт Сильноточной Электроники Сибирского Отделения Ран (Исэ Со Ран) | Способ и устройство для генерации мягкого рентгеновского излучения из плазмы газового разряда лайнерного типа |
| CN102699529A (zh) * | 2012-05-30 | 2012-10-03 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 改进的激光退火设备 |
| JP6355313B2 (ja) * | 2013-10-16 | 2018-07-11 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ装置、電力供給方法、および物品の製造方法 |
| CN111722263B (zh) * | 2020-06-15 | 2022-08-23 | 电子科技大学 | 一种用于大功率电子束束斑测量的法拉第杯设计 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6086743A (ja) * | 1983-10-18 | 1985-05-16 | Fujitsu Ltd | ガスプラズマ型エツクス線発生装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3471694A (en) * | 1965-03-01 | 1969-10-07 | Philips Electronics & Pharm In | Charge particle barrier consisting of magnetic means for removing electrons from an x-ray beam |
| US3614424A (en) * | 1969-12-19 | 1971-10-19 | Ass Elect Ind | Collimator for an x-ray analyzer |
| US4514858A (en) * | 1983-03-15 | 1985-04-30 | Micronix Partners | Lithography system |
-
1984
- 1984-02-14 JP JP59024496A patent/JPS60175351A/ja active Granted
-
1985
- 1985-02-07 US US06/699,402 patent/US4635282A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-02-11 EP EP85101451A patent/EP0153648B1/en not_active Expired
- 1985-02-11 DE DE8585101451T patent/DE3573876D1/de not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6086743A (ja) * | 1983-10-18 | 1985-05-16 | Fujitsu Ltd | ガスプラズマ型エツクス線発生装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62122034A (ja) * | 1985-11-21 | 1987-06-03 | Nichicon Capacitor Ltd | Ｘ線露光用線源装置 |
| JP2002248344A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-09-03 | Nikon Corp | 極端紫外光発生装置並びにそれを用いた露光装置及び半導体製造方法 |
| WO2002069677A1 (fr) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | Nikon Corporation | Dispositif de production de rayonnement ultraviolet extreme, dispositif d'exposition mettant en oeuvre ledit dispositif de production et procede de production de semi-conducteurs |
| JP2008522379A (ja) * | 2004-12-04 | 2008-06-26 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 電気放電装置を動作させる方法及び機器 |
| JP2010536166A (ja) * | 2007-08-08 | 2010-11-25 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4635282A (en) | 1987-01-06 |
| EP0153648A3 (en) | 1986-04-02 |
| EP0153648B1 (en) | 1989-10-18 |
| EP0153648A2 (en) | 1985-09-04 |
| JPH0372184B2 (ja) | 1991-11-15 |
| DE3573876D1 (en) | 1989-11-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS60175351A (ja) | Ｘ線発生装置およびｘ線露光法 | |
| JP2819420B2 (ja) | イオン源 | |
| US6172324B1 (en) | Plasma focus radiation source | |
| US4752946A (en) | Gas discharge derived annular plasma pinch x-ray source | |
| TWI284916B (en) | Method and device for producing extreme ultraviolet radiation and soft x-ray radiation | |
| US4771447A (en) | X-ray source | |
| CA2011644C (en) | Vacuum switch apparatus | |
| JPH0373100B2 (ja) | ||
| US4627088A (en) | Intense X-ray source using a plasma microchannel | |
| KR920004961B1 (ko) | 초미세형상용 연 x선 발생장치 | |
| JP2001207259A (ja) | 表面改質方法及び表面改質装置 | |
| JP2572787B2 (ja) | Ｘ線発生装置 | |
| JPH0638391B2 (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| JPH11273894A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP3334306B2 (ja) | イオン注入装置 | |
| JPH0373101B2 (ja) | ||
| JPH08165563A (ja) | 電子ビームアニール装置 | |
| JPH0372183B2 (ja) | ||
| JPS63211598A (ja) | プラズマｘ線発生装置 | |
| JPS61206142A (ja) | Ｘ線発生装置 | |
| JPH09223594A (ja) | ビーム源及び微細加工方法 | |
| JP3589278B2 (ja) | ピンチプラズマの発生方法および装置 | |
| JPS6298543A (ja) | イオンビ−ム発生装置 | |
| Urai et al. | High-repetition-rate operation of the wire ion plasma source using a novel method | |
| JP3624986B2 (ja) | ビーム加工方法及び装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |