JP2008533709A - 取扱い可能な絞り又は開口絞りを備えたマイクロリソグラフィー投影光学系 - Google Patents
取扱い可能な絞り又は開口絞りを備えたマイクロリソグラフィー投影光学系 Download PDFInfo
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Abstract
【選択図】図5a
Description
物体:物体面の位置
鏡1:鏡S1
鏡2:鏡S2
鏡3:鏡S3
鏡4:鏡S4
鏡5:鏡S5
鏡6:鏡S6
鏡7:鏡S7
鏡8:鏡S8
絞り:開口絞り又は絞り
像:像面の位置
K 円錐定数
A,B,C,D,E,F,G 非球面係数
物体:物体面の位置
鏡1:鏡S1
鏡2:鏡S2
鏡3:鏡S3
鏡4:鏡S4
鏡5:鏡S5
鏡6:鏡S6
鏡7:鏡S7
鏡8:鏡S8
絞り:開口絞り又は絞り
像:像面の位置
K 円錐定数
A,B,C,D,E,F,G 非球面係数
物体:物体面の位置
鏡1:鏡S1
鏡2:鏡S2
鏡3:鏡S3
鏡4:鏡S4
鏡5:鏡S5
鏡6:鏡S6
鏡7:鏡S7
鏡8:鏡S8
絞り:開口絞り又は絞り
像:像面の位置
K 円錐定数
A,B,C,D,E,F,G 非球面係数
物体:物体面の位置
鏡1:鏡S1
鏡2:鏡S2
鏡3:鏡S3
鏡4:鏡S4
鏡5:鏡S5
鏡6:鏡S6
鏡7:鏡S7
鏡8:鏡S8
絞り:開口絞り又は絞り
像:像面の位置
K 円錐定数
A,B,C,D,E,F,G 非球面係数
Claims (79)
- 使用領域(N1、N2、N3)を有する少なくとも3枚の鏡(S1、S2、S3)を備え、投影光学系を物体面から像面へ進む光路の光束の光線が、各使用領域(N1、N2、N3)の少なくとも一つに入射し、絞り(B)を絞り面(1000)に設け、第1の使用領域(N1)と第2の使用領域(N2)の間の前記光路の第1部が前記絞り面を通過し、更に、前記第2の使用領域(N2)と第3の使用領域(N3)の間の前記光路の第2部が前記絞り面(1000)を前記光路の第1部の上方又は下方でのみ通過する、前記物体面の物体フィールドを前記像面の像フィールドに結像する、波長が248nm以下、好ましくは193nm以下、特に波長が1〜30nmの範囲のEUVリソグラフィー用のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記絞り(B)を絞り面(1000)の位置(BO)に配置し、前記位置(BO)への前記光路の第2部の半径方向の距離が前記投影光学系の構造上の長さの1%、特には5%、好ましくは10%、より好ましくは15%、更に好ましくは20%、更に好ましくは25%、より好ましくは30%、更に好ましくは35%以上であり、前記投影光学系の構造上の長さは結像する前記物体フィールドと前記像フィールドの間の軸方向の距離として定義する、請求項1記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 使用領域(N1、N2、N3)を有する少なくとも3枚の鏡(S1、S2、S3)を備え、投影光学系を物体面から像面へ進む光路の光束の光線が、各使用領域(N1、N2、N3)の少なくとも一つに入射し、絞り(B)を絞り面(1000)に設け、第2の使用領域(N2)と第3の使用領域(N3)の間の前記光路の第2部が前記絞り面を通過し、更に、第1の使用領域(N1)と前記第2の使用領域(N2)の間の前記光路の第1部が前記絞り面(1000)を前記光路の第2部の上方又は下方でのみ通過する、前記物体面の物体フィールドを前記像面の像フィールドに結像する、波長が248nm以下、好ましくは193nm以下、特に波長が1〜30nmの範囲のEUVリソグラフィー用のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記絞り(B)を前記絞り面(1000)の位置(BO)に配置し、前記位置(BO)への前記光路の第1部の半径方向の距離が前記投影光学系の構造上の長さの1%、特には5%、好ましくは10%、より好ましくは15%、更に好ましくは20%、更に好ましくは25%、より好ましくは30%、更に好ましくは35%以上であり、前記投影光学系の構造上の長さは結像する前記物体フィールドと前記像フィールドの間の軸方向の距離として定義する、請求項3記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 使用領域(N1、N2、N3)を有する少なくとも3枚の鏡(S1、S2、S3)を備え、投影光学系を物体面から像面へ進む光路の光束の光線が、各使用領域(N1、N2、N3)の少なくとも一つに入射し、絞り(B)を第1の使用領域(N1)と第2の使用領域(N2)の間の前記光路の第1部の絞り面(1000)の位置(BO)に配置し、前記位置(BO)から前記第2の使用領域(N2)と第3の使用領域(N3)の間の前記光路の第2部の半径方向の距離が前記投影光学系の構造上の長さの1%、特には5%、好ましくは10%、より好ましくは15%、更に好ましくは20%、更に好ましくは25%、より好ましくは30%、更に好ましくは35%以上であり、前記投影光学系の構造上の長さは結像する物体フィールドと像フィールドの間の軸方向の距離として定義する、前記物体面の前記物体フィールドを前記像面の前記像フィールドに結像する、波長が248nm以下、好ましくは193nm以下、特に波長が1〜30nmの範囲のEUVリソグラフィーのマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 使用領域(N1、N2、N3)を有する少なくとも3枚の鏡(S1、S2、S3)を備え、投影光学系を物体面から像面へ進む光路の光束の光線が、各使用領域(N1、N2、N3)の少なくとも一つに入射し、絞り(B)を第2の使用領域(N2)と第3の使用領域(N3)の間の前記光路の第2部の絞り面(1000)の位置(BO)に設け、前記位置(BO)から第1の使用領域(N1)と前記第2の使用領域(N2)の間の前記光路の第1部の半径方向の距離が前記投影光学系の構造上の長さの12%、特には20%、好ましくは35%以上であり、前記投影光学系の構造上の長さは結像する物体フィールドと像フィールドの間の軸方向の距離として定義する、前記物体面の前記物体フィールドを前記像面の前記像フィールドに結像する、波長が248nm以下、好ましくは193nm以下、特に波長が1〜30nmの範囲のEUVリソグラフィー用のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 使用領域(N1、N2、N3、N4)を有する少なくとも4枚の鏡(S1、S2、S3、S4)を備え、投影光学系を物体面から像面へ進む光路の光束の光線が、各使用領域(N1、N2、N3、N4)の少なくとも一つに入射し、絞りを第2の使用領域(N2)と第3の使用領域(N3)の間の前記光路の第2部の絞り面(1000)の位置(BO)に配置し、前記位置(BO)から第1の使用領域(N1)と前記第2の使用領域(N2)の間の前記光路の第1部の第1の半径方向の距離が前記投影光学系の構造上の長さの12%を上回り、第3の使用領域(N3)と第4の使用領域(N4)の間の前記光路の第3部からの第2の半径方向の距離が前記投影光学系の構造上の長さの16%を上回り、前記投影光学系の構造上の長さは結像する物体フィールドと像フィールドの間の前記投影光学系の光学軸に沿った距離として定義する、前記物体面の前記物体フィールドを前記像面の前記像フィールドに結像する、波長が248nm以下、好ましくは193nm以下、特に波長が1〜30nmの範囲のEUVリソグラフィー用のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 少なくとも第1の鏡を有する第1の鏡群(SG1)と少なくとも第2の鏡(S6)を有する第2の鏡群(SG2)とを少なくとも備え、絞り(B)を前記第1の鏡群(SG1)と前記第2の鏡群(SG2)の間の絞り面に設け、光束の光線が投影光学系を物体面(100)から像面(102)へ通過する光路を進み、前記光路が前記絞り面を一度だけ通過し、前記第1の鏡群(SG1)が前記第2の鏡群(SG2)と光学軸(HA)に沿って物理的幾何学的に分離している、前記物体面を前記像面の像フィールドに結像する、波長が248nm以下、好ましくは193nm以下、特に波長が1〜30nmの範囲のEUVリソグラフィー用のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記絞り(B)が、前記像面(102)に対して第1の軸方向距離(A1)を有する前記第1の鏡群(SG1)の前記第1の鏡(S1)と、前記像面に対して第2の軸方向距離(A2)を有する前記第2の鏡群(SG2)の第2の鏡との間に位置し、前記第1の軸方向距離(A1)は常に前記第2の軸方向距離(A2)を上回る、請求項8記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記第2の軸方向距離(A2)が、前記第1の軸方向距離(A1)の0.3倍、好ましくは前記第1の軸方向距離(A1)の0.4倍、より好ましくは前記第1の軸方向距離(A1)の0.5倍、更に好ましくは前記第1の軸方向距離(A1)の0.6倍、より好ましくは前記第1の軸方向距離(A1)の0.7倍、更に好ましくは前記第1の軸方向距離(A1)の0.8倍、一層好ましくは前記第1の軸方向距離(A1)の0.9倍以上である、請求項9記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記絞りが虹彩絞りである、請求項1から請求項10迄の何れかに記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記投影光学系が、第1の使用領域、第2の使用領域、第3の使用領域、第4の使用領域の少なくとも4の使用領域を有する、請求項1から請求項11迄の何れかに記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記絞りを第1の使用領域と第2の使用領域の間に配置した、請求項12記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記絞りを前記第2の使用領域と前記第3の使用領域の間に配置した、請求項12記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記絞りを前記第3の使用領域と前記第4の使用領域の間に配置した、請求項12記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記マイクロリソグラフィー投影光学系が、第1の使用領域、第2の使用領域、第3の使用領域、第4の使用領域、第5の使用領域の少なくとも5の使用領域を有する、請求項1から請求項11迄の何れかに記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記絞りを第1の使用領域と第2の使用領域の間に配置した、請求項16記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記絞りを第2の使用領域と第3の使用領域の間に配置した、請求項16記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記絞りを第3の使用領域と第4の使用領域の間に配置した、請求項16記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記絞りを第4の使用領域と第5の使用領域の間に配置した、請求項16記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記マイクロリソグラフィー投影光学系が、第1の使用領域、第2の使用領域、第3の使用領域、第4の使用領域、第5の使用領域、第6の使用領域の少なくとも6の使用領域を有する、請求項1から請求項11迄の何れかに記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記絞りを第2の使用領域と第3の使用領域の間に配置した、請求項21記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記絞りを第3の使用領域と第4の使用領域の間に配置した、請求項21記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記絞りを第4の使用領域と第5の使用領域の間に配置した、請求項21記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記マイクロリソグラフィー投影光学系が、第1の使用領域(N1)、第2の使用領域(N2)、第3の使用領域(N3)、第4の使用領域(N4)、第5の使用領域(N5)、第6の使用領域(N6)、第7の使用領域(N7)の少なくとも7の使用領域を有する、請求項1から請求項11迄の何れかに記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記絞りを第3の使用領域と第4の使用領域の間に配置した、請求項25記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記絞りを第4の使用領域と第5の使用領域の間に配置した、請求項25記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 像側の開口数(N1)が0.26を上回る、好ましくは0.30を上回る、より好ましくは0.35を上回る、更に好ましくは0.40を上回る、請求項1から請求項27迄の何れかに記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記マイクロリソグラフィー投影光学系が少なくとも1つの中間像を生成する、請求項1から請求項28迄の何れかに記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記マイクロリソグラフィー投影光学系が少なくとも2つの中間像を生成する、請求項1から請求項28迄の何れかに記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記マイクロリソグラフィー投影光学系が反射式投影光学系である、請求項1から請求項30迄の何れかに記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記マイクロリソグラフィー投影光学系が反射屈折型投影光学系である、請求項1から請求項30迄の何れかに記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 少なくとも2枚の鏡を備え、開口絞り又は絞りを前記2枚の鏡の間に配置し、前記2枚の鏡の一方から前記2枚の鏡の他方へ進む光路には、前記開口絞りの他に光学素子は配置されておらず、主光線が前記開口絞りを通過する際に主光線がなす角度は投影光学系の光学軸(HA)に対して14度以下であり、像側開口数(NA)は0.3以上、好ましくは0.35以上、より好ましくは0.4である、マイクロリソグラフィー投影光学系。
- 少なくとも2枚の鏡を備え、開口絞り又は絞りを前記2枚の鏡の間に配置し、前記2枚の鏡の一方から前記2枚の鏡の他方へ進む光路には、前記開口絞りの他に光学素子は配置されておらず、主光線(CR)は前記開口絞りを通過し、前記投影光学系の光学軸(HA)に対する主光線の角度(α)と像側開口数(NA)の比が、50以下、好ましくは40以下、より好ましくは35以下、更に好ましくは30以下である、マイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記2枚の鏡の一方から前記2枚の鏡の他方への光学軸に沿った軸方向距離は、前記投影光学系の構造上の長さの40%を上回り、好ましくは前記投影光学系の構造上の長さの50%を上回り、より好ましくは前記投影光学系の構造上の長さの60%を上回り、前記投影光学系の構造上の長さの70%を上回り、前記投影光学系の構造上の長さの80%を上回り、前記投影光学系の構造上の長さは物体面から像面への軸方向距離として定義する、請求項33又は請求項34の何れかに記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記投影光学系が、物体面から像面へレンズを通過する光束の光線が入射する使用領域(N1、N2、N3)を有した少なくとも3枚の鏡(S1、S2、S3)を備える、請求項33から請求項35迄の何れかに記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記開口絞りを前記第1の使用領域(N1)と前記第2の使用領域(N2)の間に配置した、請求項36記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記開口絞りを前記第2の使用領域(N2)と前記第3の使用領域(N3)の間に配置した、請求項36記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記投影光学系が、第1の使用領域(N1)、第2の使用領域(N2)、第3の使用領域(N3)、第4の使用領域(N4)の少なくとも4の使用領域を有する、請求項33から請求項35迄の何れかに記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記開口絞りを前記第1の使用領域と前記第2の使用領域の間に配置した、請求項39記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記開口絞りを前記第2の使用領域と前記第3の使用領域の間に配置した、請求項39記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記開口絞りを前記第3の使用領域と前記第4の使用領域の間に配置した、請求項39記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記投影光学系が、第1の使用領域(N1)、第2の使用領域(N2)、第3の使用領域(N3)、第4の使用領域(N4)、第5の使用領域(N5)の少なくとも5の使用領域を有する、請求項33から請求項35迄の何れかに記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記開口絞りを前記第1の使用領域と前記第2の使用領域の間に配置した、請求項43記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記開口絞りを前記第2の使用領域と前記第3の使用領域の間に配置した、請求項43記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記開口絞りを前記第3の使用領域と前記第4の使用領域の間に配置した、請求項43記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記開口絞りを前記第4の使用領域と前記第5の使用領域の間に配置した、請求項43記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記投影光学系が、第1の使用領域(N1)、第2の使用領域(N2)、第3の使用領域(N3)、第4の使用領域(N4)、第5の使用領域(N5)、第6の使用領域(N6)の少なくとも6の使用領域を有する、請求項33から請求項35迄の何れかに記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記開口絞りを前記第2の使用領域と前記第3の使用領域の間に配置した、請求項48記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記開口絞りを前記第3の使用領域と前記第4の使用領域の間に配置した、請求項48記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記開口絞りを前記第4の使用領域と前記第5の使用領域の間に配置した、請求項48記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記投影光学系が、第1の使用領域(N1)、第2の使用領域(N2)、第3の使用領域(N3)、第4の使用領域(N4)、第5の使用領域(N5)、第6の使用領域(N6)、第7の使用領域(N7)の少なくとも7の使用領域を有する、請求項33から請求項35迄の何れかに記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記開口絞りを前記第3の使用領域と前記第4の使用領域の間に配置した、請求項52記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記開口絞りを前記第4の使用領域と前記第5の使用領域の間に配置した、請求項52記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記投影光学系が、第1の使用領域(N1)、第2の使用領域(N2)、第3の使用領域(N3)、第4の使用領域(N4)、第5の使用領域(N5)、第6の使用領域(N6)、第7の使用領域(N7)、第8の使用領域(N8)の少なくとも8の使用領域を有する、請求項33から請求項35迄の何れかに記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記開口絞りを前記第4の使用領域と前記第5の使用領域の間に配置した、請求項55記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 像側開口数(NA)が0.26以上、好ましくは0.3以上、より好ましくは0.35以上、一層好ましくは0.4以上である、請求項33から請求項56迄の何れかに記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記マイクロリソグラフィー投影光学系が少なくとも1つの中間像を生成する、請求項33から請求項57迄の何れかに記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記マイクロリソグラフィー投影光学系が少なくとも2つの中間像を生成する、請求項33から請求項58迄の何れかに記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記マイクロリソグラフィー投影光学系が、波長λで物体面の物体を像面の像に結像し、波長λが248nm以下、好ましくは193nm以下、或いはλが1から30nmの範囲のEUVリソグラフィー用である、請求項33から請求項59迄の何れかに記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記マイクロリソグラフィー投影光学系が反射式投影光学系である、請求項33から請求項60迄の何れかに記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記マイクロリソグラフィー投影光学系が反射屈折型投影光学系である、請求項33から請求項61迄の何れかに記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 波長λで物体面の物体フィールドを像面の像フィールドに結像する反射式投影光学系であって、物体の中間像を少なくとも一つ生成し、前記物体面から前記像面へ進む光束の光路に開口絞りを配置し、前記光路の前記開口絞りが前記少なくとも一つの中間像の下流方向に位置する、マイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記反射式投影光学系は、使用領域を有する少なくとも1枚の鏡を備える、請求項63記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記開口絞りが虹彩絞りである、請求項63又は請求項64の何れかに記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記開口絞りを使用領域から大きな軸方向距離をもって配置し、具体的には該軸方向距離がマイクロリソグラフィー投影光学系の構造上の長さの0.1%を上回る、好ましくは構造上の長さの1%を上回る、更に好ましくは構造上の長さの5%を上回る、より好ましくは構造上の長さの10%を上回る、請求項63から請求項65迄の何れかに記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記投影光学系が光路に少なくとも2つの中間像を有する、請求項62から請求項66迄の何れかに記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記投影光学系が4の使用領域を有する少なくとも4枚の鏡を備える、好ましくは6の使用領域を有する少なくとも6枚の鏡を備える、より好ましくは8枚の使用領域を有する8枚の鏡を有する、請求項63から請求項67迄の何れかに記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記マイクロリソグラフィー投影光学系が、波長λで物体面の物体を像面の像に結像し、前記波長λが248nm以下、好ましくは193nm以下、或いは1から30nmの範囲のEUVリソグラフィー用である、請求項62から請求項67迄の何れかに記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 少なくとも第1の使用領域(N1)、第2の使用領域(N2)、第3の使用領域(N3)、第4の使用領域(N4)、第5の使用領域(N5)、第6の使用領域(N6)、第7の使用領域(N7)、第8の使用領域(N8)と、物体面から像面に進む光路とを備え、更に、物体フィールドを該物体フィールドの第1の中間像に結像する第1の小光学系(SUB1)と、前記物体フィールドの前記第1の中間像を前記物体フィールドの第2の中間像に結像する第2の小光学系(SUB2)と、前記物体フィールドの前記第2の中間像を像フィールドに結像する第3の小光学系(SUB3)の3つの小光学系を備え、絞りを、前記物体面から前記像面への光束の光路で前記第1の中間像の後方で前記第2の中間像の前方に配置し、前記物体面の前記物体フィールドを前記像面の前記像フィールドに結像する、波長が248nm以下、好ましくは193nm以下、特に波長が1〜30nmの範囲のEUVリソグラフィー用のマイクロリソグラフィー投影レンズ。
- 前記マイクロリソグラフィー投影光学系が、少なくとも3の使用領域を有する第3の小光学系(SUB3)を備える、請求項63から請求項70迄の何れかに記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記マイクロリソグラフィー投影光学系が、少なくとも2の使用領域を有する第1の小光学系を備える、請求項63から請求項71迄の何れかに記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記マイクロリソグラフィー投影光学系が、少なくとも2の使用領域を有する第2の小光学系を備える、請求項63から請求項72迄の何れかに記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 前記マイクロリソグラフィー投影光学系が、少なくとも第1の使用領域、第2の使用領域、第3の使用領域、第4の使用領域、第5の使用領域を備え、前記絞り又は開口絞りが前記第4の使用領域と前記第5の使用領域の間に位置する、請求項62から請求項73迄の何れかに記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 像側開口数(NA)が0.26以上、好ましくは0.3以上、より好ましくは0.35以上、更に好ましくは0.4以上である、請求項62から請求項74迄の何れかに記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 主光線が物体の各点から射出され、光学系が、前記主光線が分散して入射する入射瞳を備える、請求項1から請求項75迄の何れかに記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 鏡又は鏡面が2つの使用領域を有する、請求項1から請求項76迄の何れかに記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
- 波長λの放射線を生成する放射線源と、
前記放射線源から射出された放射線を部分的に収集して、照射してフィールドを照明する照明部と、
基板システム上のフィールド面内に配置された構造を有するマスクと、
構造を有するマスクの被照射部を像フィールドに結像する請求項1から請求項77迄の何れかに記載の投影光学系と、
前記基板システム上の前記投影光学系の前記像フィールド平面に配置された感光性基板とを備えた投影露光光学系。 - 請求項78記載の投影露光光学系を用いてチップを製造する方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US65966005P | 2005-03-08 | 2005-03-08 | |
PCT/EP2006/002005 WO2006094729A2 (en) | 2005-03-08 | 2006-03-04 | Microlithography projection system with an accessible diaphragm or aperture stop |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012137567A Division JP5793470B2 (ja) | 2005-03-08 | 2012-06-19 | 取扱い可能な絞り又は開口絞りを備えたマイクロリソグラフィー投影光学系 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008533709A true JP2008533709A (ja) | 2008-08-21 |
JP2008533709A5 JP2008533709A5 (ja) | 2009-04-30 |
Family
ID=36282861
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008500101A Pending JP2008533709A (ja) | 2005-03-08 | 2006-03-04 | 取扱い可能な絞り又は開口絞りを備えたマイクロリソグラフィー投影光学系 |
JP2012137567A Expired - Fee Related JP5793470B2 (ja) | 2005-03-08 | 2012-06-19 | 取扱い可能な絞り又は開口絞りを備えたマイクロリソグラフィー投影光学系 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012137567A Expired - Fee Related JP5793470B2 (ja) | 2005-03-08 | 2012-06-19 | 取扱い可能な絞り又は開口絞りを備えたマイクロリソグラフィー投影光学系 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7999913B2 (ja) |
EP (2) | EP1856578B1 (ja) |
JP (2) | JP2008533709A (ja) |
KR (1) | KR101176686B1 (ja) |
DE (1) | DE602006014368D1 (ja) |
WO (1) | WO2006094729A2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011503831A (ja) * | 2006-12-14 | 2011-01-27 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィのための照明光学ユニット及び露光装置 |
CN102341738A (zh) * | 2009-03-06 | 2012-02-01 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 成像光学部件以及具有该类型成像光学部件的用于微光刻的投射曝光装置 |
CN103283238A (zh) * | 2011-01-04 | 2013-09-04 | Sk电信有限公司 | 利用按照编码单元的并行帧内预测进行编码和解码的方法和装置 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101176686B1 (ko) | 2005-03-08 | 2012-08-23 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 접근 용이한 조리개 또는 구경 조리개를 구비한마이크로리소그래피 투영 시스템 |
JP5337159B2 (ja) * | 2007-10-26 | 2013-11-06 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像光学系及びこれを有する投影露光装置 |
DE102007051671A1 (de) | 2007-10-26 | 2009-05-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einer derartigen abbildenden Optik |
DE102011077784A1 (de) | 2011-06-20 | 2012-12-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsanordnung |
WO2013118615A1 (ja) | 2012-02-06 | 2013-08-15 | 株式会社ニコン | 反射結像光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
WO2014019617A1 (en) | 2012-08-01 | 2014-02-06 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Imaging optical unit for a projection exposure apparatus |
DE102012218221A1 (de) | 2012-10-05 | 2014-04-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Monitorsystem zum Bestimmen von Orientierungen von Spiegelelementen und EUV-Lithographiesystem |
JP7459523B2 (ja) * | 2020-01-23 | 2024-04-02 | セイコーエプソン株式会社 | 投写光学系およびプロジェクター |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000100694A (ja) * | 1998-09-22 | 2000-04-07 | Nikon Corp | 反射縮小投影光学系、該光学系を備えた投影露光装置および該装置を用いた露光方法 |
JP2001185480A (ja) * | 1999-10-15 | 2001-07-06 | Nikon Corp | 投影光学系及び該光学系を備える投影露光装置 |
JP2003015040A (ja) * | 2001-07-04 | 2003-01-15 | Nikon Corp | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 |
JP2003107354A (ja) * | 2001-10-01 | 2003-04-09 | Nikon Corp | 結像光学系および露光装置 |
JP2004214242A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Canon Inc | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2004325649A (ja) * | 2003-04-23 | 2004-11-18 | Canon Inc | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイスの製造方法 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61123812A (ja) * | 1984-11-20 | 1986-06-11 | Canon Inc | 反射光学系 |
US4701035A (en) * | 1984-08-14 | 1987-10-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Reflection optical system |
US5686728A (en) | 1996-05-01 | 1997-11-11 | Lucent Technologies Inc | Projection lithography system and method using all-reflective optical elements |
US5956192A (en) * | 1997-09-18 | 1999-09-21 | Svg Lithography Systems, Inc. | Four mirror EUV projection optics |
US6199991B1 (en) * | 1997-11-13 | 2001-03-13 | U.S. Philips Corporation | Mirror projection system for a scanning lithographic projection apparatus, and lithographic apparatus comprising such a system |
US5973826A (en) * | 1998-02-20 | 1999-10-26 | Regents Of The University Of California | Reflective optical imaging system with balanced distortion |
US6859328B2 (en) | 1998-05-05 | 2005-02-22 | Carl Zeiss Semiconductor | Illumination system particularly for microlithography |
EP0955641B1 (de) | 1998-05-05 | 2004-04-28 | Carl Zeiss | Beleuchtungssystem insbesondere für die EUV-Lithographie |
US6255661B1 (en) | 1998-05-06 | 2001-07-03 | U.S. Philips Corporation | Mirror projection system for a scanning lithographic projection apparatus, and lithographic apparatus comprising such a system |
US6142641A (en) * | 1998-06-18 | 2000-11-07 | Ultratech Stepper, Inc. | Four-mirror extreme ultraviolet (EUV) lithography projection system |
US6213610B1 (en) | 1998-09-21 | 2001-04-10 | Nikon Corporation | Catoptric reduction projection optical system and exposure apparatus and method using same |
US6600552B2 (en) | 1999-02-15 | 2003-07-29 | Carl-Zeiss Smt Ag | Microlithography reduction objective and projection exposure apparatus |
EP1772775B1 (de) | 1999-02-15 | 2008-11-05 | Carl Zeiss SMT AG | Mikrolithographie-Reduktionsobjektiveinrichtung sowie Projektionsbelichtungsanlage |
US6985210B2 (en) * | 1999-02-15 | 2006-01-10 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection system for EUV lithography |
EP1093021A3 (en) | 1999-10-15 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Projection optical system as well as equipment and methods making use of said system |
KR100787525B1 (ko) * | 2000-08-01 | 2007-12-21 | 칼 짜이스 에스엠티 아게 | 6 거울-마이크로리소그래피 - 투사 대물렌즈 |
DE10052289A1 (de) * | 2000-10-20 | 2002-04-25 | Zeiss Carl | 8-Spiegel-Mikrolithographie-Projektionsobjektiv |
TW573234B (en) | 2000-11-07 | 2004-01-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection apparatus and integrated circuit device manufacturing method |
JP2002162566A (ja) | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Nikon Corp | 光学系の設計方法,光学系および投影露光装置 |
JP2003233002A (ja) | 2002-02-07 | 2003-08-22 | Canon Inc | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2003233005A (ja) | 2002-02-07 | 2003-08-22 | Canon Inc | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2003233001A (ja) | 2002-02-07 | 2003-08-22 | Canon Inc | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2004138926A (ja) | 2002-10-21 | 2004-05-13 | Nikon Corp | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 |
JP2004140390A (ja) * | 2003-12-01 | 2004-05-13 | Canon Inc | 照明光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
TWI372262B (en) * | 2004-06-23 | 2012-09-11 | Nikon Corp | Optical projection system, exposuring device, and exposuring method |
US7312851B2 (en) | 2004-06-23 | 2007-12-25 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method in which a reflective projection optical system has a non-circular aperture stop |
DE102005042005A1 (de) * | 2004-12-23 | 2006-07-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Hochaperturiges Objektiv mit obskurierter Pupille |
KR101332494B1 (ko) * | 2005-02-15 | 2013-11-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영 광학계, 노광 장치 및 디바이스의 제조 방법 |
KR101176686B1 (ko) | 2005-03-08 | 2012-08-23 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 접근 용이한 조리개 또는 구경 조리개를 구비한마이크로리소그래피 투영 시스템 |
-
2006
- 2006-03-04 KR KR20077020465A patent/KR101176686B1/ko active IP Right Grant
- 2006-03-04 JP JP2008500101A patent/JP2008533709A/ja active Pending
- 2006-03-04 EP EP20060723220 patent/EP1856578B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-03-04 WO PCT/EP2006/002005 patent/WO2006094729A2/en not_active Application Discontinuation
- 2006-03-04 EP EP20100002198 patent/EP2192446B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-03-04 DE DE200660014368 patent/DE602006014368D1/de active Active
-
2007
- 2007-09-07 US US11/851,852 patent/US7999913B2/en active Active
-
2011
- 2011-06-30 US US13/173,560 patent/US8614785B2/en active Active
-
2012
- 2012-06-19 JP JP2012137567A patent/JP5793470B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-11-14 US US14/080,224 patent/US9146472B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000100694A (ja) * | 1998-09-22 | 2000-04-07 | Nikon Corp | 反射縮小投影光学系、該光学系を備えた投影露光装置および該装置を用いた露光方法 |
JP2001185480A (ja) * | 1999-10-15 | 2001-07-06 | Nikon Corp | 投影光学系及び該光学系を備える投影露光装置 |
JP2003015040A (ja) * | 2001-07-04 | 2003-01-15 | Nikon Corp | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 |
JP2003107354A (ja) * | 2001-10-01 | 2003-04-09 | Nikon Corp | 結像光学系および露光装置 |
JP2004214242A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Canon Inc | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2004325649A (ja) * | 2003-04-23 | 2004-11-18 | Canon Inc | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイスの製造方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011503831A (ja) * | 2006-12-14 | 2011-01-27 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィのための照明光学ユニット及び露光装置 |
CN102341738A (zh) * | 2009-03-06 | 2012-02-01 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 成像光学部件以及具有该类型成像光学部件的用于微光刻的投射曝光装置 |
JP2012519872A (ja) * | 2009-03-06 | 2012-08-30 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像光学系及び該結像光学系を有するマイクロリソグラフィ用の投影露光装置 |
US9639004B2 (en) | 2009-03-06 | 2017-05-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Imaging optics and projection exposure installation for microlithography with an imaging optics |
CN103283238A (zh) * | 2011-01-04 | 2013-09-04 | Sk电信有限公司 | 利用按照编码单元的并行帧内预测进行编码和解码的方法和装置 |
CN103283238B (zh) * | 2011-01-04 | 2016-08-03 | Sk电信有限公司 | 利用按照编码单元的并行帧内预测进行编码和解码的方法和装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5793470B2 (ja) | 2015-10-14 |
WO2006094729A3 (en) | 2006-12-28 |
US7999913B2 (en) | 2011-08-16 |
KR101176686B1 (ko) | 2012-08-23 |
EP2192446B1 (en) | 2011-10-19 |
JP2012212910A (ja) | 2012-11-01 |
EP1856578A2 (en) | 2007-11-21 |
US9146472B2 (en) | 2015-09-29 |
KR20070115940A (ko) | 2007-12-06 |
US20110261338A1 (en) | 2011-10-27 |
EP1856578B1 (en) | 2010-05-19 |
DE602006014368D1 (de) | 2010-07-01 |
US8614785B2 (en) | 2013-12-24 |
US20140071414A1 (en) | 2014-03-13 |
US20080024746A1 (en) | 2008-01-31 |
WO2006094729A2 (en) | 2006-09-14 |
EP2192446A1 (en) | 2010-06-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20081222 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20081222 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20090106 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090304 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090304 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111219 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120319 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120327 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120820 |