JP2003107354A - 結像光学系および露光装置 - Google Patents
結像光学系および露光装置Info
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B27/00—Photographic printing apparatus
- G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
- G03B27/42—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera for automatic sequential copying of the same original
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- Lenses (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 十分な大きさの開口数を有すると共に良好に
収差補正され，照明系の射出瞳と投影光学系の入射瞳と
の共役関係を確保し，構成が容易な結像光学系および露
光装置を提供すること。 【解決手段】 第１面に配置された物体の像を第２面上
に形成する結像光学系であって，第１面に対して結像光
学系とは反対側に位置する入射瞳を有する。この構成に
おいて，第２面側は実質的にテレセントリックとなるよ
うに構成されている。また結像光学系は，第１面から第
２面までの空間に，結像光学系を構成する全ての反射面
が配置されており，第１面から第２面までの光路中に，
第１面と共役な位置を少なくとも１つ有する。
収差補正され，照明系の射出瞳と投影光学系の入射瞳と
の共役関係を確保し，構成が容易な結像光学系および露
光装置を提供すること。 【解決手段】 第１面に配置された物体の像を第２面上
に形成する結像光学系であって，第１面に対して結像光
学系とは反対側に位置する入射瞳を有する。この構成に
おいて，第２面側は実質的にテレセントリックとなるよ
うに構成されている。また結像光学系は，第１面から第
２面までの空間に，結像光学系を構成する全ての反射面
が配置されており，第１面から第２面までの光路中に，
第１面と共役な位置を少なくとも１つ有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，例えば半導体素子
や液晶表示素子，撮像素子，ＣＣＤ素子，薄膜磁気ヘッ
ド等のマイクロデバイスをフォトリソグラフィ技術を用
いて製造する際に用いられるのに好適な結像光学系およ
び露光装置に関するものである。
や液晶表示素子，撮像素子，ＣＣＤ素子，薄膜磁気ヘッ
ド等のマイクロデバイスをフォトリソグラフィ技術を用
いて製造する際に用いられるのに好適な結像光学系およ
び露光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】上記半導体等の分野においては，世代が
進むほど回路パターンの最小線幅が小さくなっている。
そのため，上記技術分野における露光装置では，世代が
進むほど解像力の向上が要求され，短波長の光を露光光
として用いるようになる（なお，特に断りがない限り，
光とは，狭義の可視光だけでなく，電磁波のうち波長が
１ｍｍより短い，赤外線からＸ線までをも含む広義の光
を意味するものとする）。次世代露光装置の候補の一つ
として，５〜２０ｎｍ程度の波長の光を用いるＥＵＶＬ
（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ Ｌｉｔ
ｈｏｇｒａｐｈｙ）を採用したＥＵＶＬ装置が検討され
ている。この波長領域になると，屈折材として十分光学
系を形成しうる程の透過率を有する物質は存在しない
為，反射面のみで光学系を構成することになる。これま
でに，ＥＵＶＬ用の投影光学系として，多数の光学系の
タイプが提案されている。
進むほど回路パターンの最小線幅が小さくなっている。
そのため，上記技術分野における露光装置では，世代が
進むほど解像力の向上が要求され，短波長の光を露光光
として用いるようになる（なお，特に断りがない限り，
光とは，狭義の可視光だけでなく，電磁波のうち波長が
１ｍｍより短い，赤外線からＸ線までをも含む広義の光
を意味するものとする）。次世代露光装置の候補の一つ
として，５〜２０ｎｍ程度の波長の光を用いるＥＵＶＬ
（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ Ｌｉｔ
ｈｏｇｒａｐｈｙ）を採用したＥＵＶＬ装置が検討され
ている。この波長領域になると，屈折材として十分光学
系を形成しうる程の透過率を有する物質は存在しない
為，反射面のみで光学系を構成することになる。これま
でに，ＥＵＶＬ用の投影光学系として，多数の光学系の
タイプが提案されている。
【０００３】露光装置の解像限界は，物理法則により，
下記の式にて表される。 （解像限界線幅）＝ｋ×λ／ＮＡ ここで，λは露光光の波長，ＮＡは投影光学系の開口
数，ｋは装置や受光樹脂の特性等，環境によって決まる
定数である。物理法則によれば，ｋは最小０．２５であ
るが，装置としての実用性までを考慮すると，ｋは０．
４前後と考えるのが妥当である。現在ＥＵＶＬ装置で使
用される光の波長の多くは１３．４ｎｍである。ＥＵＶ
Ｌ装置の対象となる最小線幅は現時点では一般に５０ｎ
ｍとされている。これらの値と上式より最小線幅５０ｎ
ｍのＥＵＶＬ装置に必要な投影光学系のＮＡを求める
と， （必要なＮＡ）＞ｋ×λ／（最小線幅）＝０．４×１３．４／５０ ＝０．１１ となる。さらに，最小線幅５０ｎｍの次世代である最小
線幅３０ｎｍに対しても適用可能とするためには，必要
なＮＡは０．１８以上となる。
下記の式にて表される。 （解像限界線幅）＝ｋ×λ／ＮＡ ここで，λは露光光の波長，ＮＡは投影光学系の開口
数，ｋは装置や受光樹脂の特性等，環境によって決まる
定数である。物理法則によれば，ｋは最小０．２５であ
るが，装置としての実用性までを考慮すると，ｋは０．
４前後と考えるのが妥当である。現在ＥＵＶＬ装置で使
用される光の波長の多くは１３．４ｎｍである。ＥＵＶ
Ｌ装置の対象となる最小線幅は現時点では一般に５０ｎ
ｍとされている。これらの値と上式より最小線幅５０ｎ
ｍのＥＵＶＬ装置に必要な投影光学系のＮＡを求める
と， （必要なＮＡ）＞ｋ×λ／（最小線幅）＝０．４×１３．４／５０ ＝０．１１ となる。さらに，最小線幅５０ｎｍの次世代である最小
線幅３０ｎｍに対しても適用可能とするためには，必要
なＮＡは０．１８以上となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，これま
でに提案されている多数のＥＵＶＬ用の光学系のなか
で，実用的な露光エリアを実現した上でＮＡ＝０．１〜
０．１８という開口数を確保し，かつ十分に収差補正で
きるものはほとんどない。これは，近年まで，ＥＵＶＬ
の対象となる最小線幅を１００ｎｍとして想定してきた
からである。近年になって，最小線幅１００ｎｍ世代，
７０ｎｍ世代は，他の露光方法で対応可能の見通しがつ
いた。その結果，ＥＵＶＬの対象となる世代が急速に進
み，現時点では最小線幅５０ｎｍ以下に対応可能な解像
力を有する光学系は些少というのが実情である。現在提
案されている光学系のタイプのうち，ＮＡ＝０．１〜
０．１８にて十分に収差補正され，かつそのパラメータ
が公開されているものは非常に僅かであり，例えば，特
開平１０−９０６０２号公報，及び特開平９−２１１３
３２号公報に開示されているものがある。
でに提案されている多数のＥＵＶＬ用の光学系のなか
で，実用的な露光エリアを実現した上でＮＡ＝０．１〜
０．１８という開口数を確保し，かつ十分に収差補正で
きるものはほとんどない。これは，近年まで，ＥＵＶＬ
の対象となる最小線幅を１００ｎｍとして想定してきた
からである。近年になって，最小線幅１００ｎｍ世代，
７０ｎｍ世代は，他の露光方法で対応可能の見通しがつ
いた。その結果，ＥＵＶＬの対象となる世代が急速に進
み，現時点では最小線幅５０ｎｍ以下に対応可能な解像
力を有する光学系は些少というのが実情である。現在提
案されている光学系のタイプのうち，ＮＡ＝０．１〜
０．１８にて十分に収差補正され，かつそのパラメータ
が公開されているものは非常に僅かであり，例えば，特
開平１０−９０６０２号公報，及び特開平９−２１１３
３２号公報に開示されているものがある。
【０００５】ところで，ＥＵＶＬでは，被露光パターン
が描かれたマスクに反射型のものを用いるため，照明光
はマスクに対して斜めに入射しなければならない。なぜ
ならば，反射型のマスクに対して照明光を垂直に入射さ
せると，マスクを照明する照明系の光路とマスクで反射
された後の結像系の光路とが重なってしまい，照明系の
光学部材が結像系の光路を遮光する，もしくは結像系の
光学部材が照明系の光路を遮光するからである。
が描かれたマスクに反射型のものを用いるため，照明光
はマスクに対して斜めに入射しなければならない。なぜ
ならば，反射型のマスクに対して照明光を垂直に入射さ
せると，マスクを照明する照明系の光路とマスクで反射
された後の結像系の光路とが重なってしまい，照明系の
光学部材が結像系の光路を遮光する，もしくは結像系の
光学部材が照明系の光路を遮光するからである。
【０００６】光束を斜入射させるに際し，上記２公報に
記載されているものでは共に，マスク面から投影光学系
に向かって光束が絞られる方向に傾けてある。言い換え
れば，投影光学系の入射瞳がマスク面よりも投影光学系
側に来ている。このことは照明系の構成を考える上で以
下に述べるような不具合を生じさせる。
記載されているものでは共に，マスク面から投影光学系
に向かって光束が絞られる方向に傾けてある。言い換え
れば，投影光学系の入射瞳がマスク面よりも投影光学系
側に来ている。このことは照明系の構成を考える上で以
下に述べるような不具合を生じさせる。
【０００７】一般に，マスクパターンを歪みなく，効率
よく被露光面に転写するためには，照明系の射出瞳と投
影光学系の入射瞳とを共役にする必要がある。そのた
め，投影光学系の入射瞳位置を考慮した上で，照明系を
構成する必要がある。図５（ａ），（ｂ）はそれぞれ，
投影光学系の入射瞳位置がマスク面に対し投影光学系側
にある場合，投影光学系の入射瞳位置がマスク面に対し
照明系側にある場合に構成される照明系の模式図であ
る。図５（ａ），（ｂ）共に，光源１から射出した光束
が反射光学系２で反射されてマスク３を照明するまでを
示す。ＡＸは光軸を意味する。
よく被露光面に転写するためには，照明系の射出瞳と投
影光学系の入射瞳とを共役にする必要がある。そのた
め，投影光学系の入射瞳位置を考慮した上で，照明系を
構成する必要がある。図５（ａ），（ｂ）はそれぞれ，
投影光学系の入射瞳位置がマスク面に対し投影光学系側
にある場合，投影光学系の入射瞳位置がマスク面に対し
照明系側にある場合に構成される照明系の模式図であ
る。図５（ａ），（ｂ）共に，光源１から射出した光束
が反射光学系２で反射されてマスク３を照明するまでを
示す。ＡＸは光軸を意味する。
【０００８】図５（ａ）よりわかるように，投影光学系
の入射瞳位置がマスク面に対し投影光学系側にある場合
は，光源１から反射光学系２に向かう光束と，反射光学
系２で反射してマスク３に向かう光束とが近接する。こ
れらの光束は場合によっては全く重なってしまい，光束
の分離が難しくなる。一方，図５（ｂ）のように投影光
学系の入射瞳位置がマスク面に対し照明系側にある場合
では，これらの光束の重なりは少なく，分離は容易であ
る。以上より，投影光学系の入射瞳位置がマスク面に対
し投影光学系側にある場合は，照明系の構成が難しくな
るという短所がある。
の入射瞳位置がマスク面に対し投影光学系側にある場合
は，光源１から反射光学系２に向かう光束と，反射光学
系２で反射してマスク３に向かう光束とが近接する。こ
れらの光束は場合によっては全く重なってしまい，光束
の分離が難しくなる。一方，図５（ｂ）のように投影光
学系の入射瞳位置がマスク面に対し照明系側にある場合
では，これらの光束の重なりは少なく，分離は容易であ
る。以上より，投影光学系の入射瞳位置がマスク面に対
し投影光学系側にある場合は，照明系の構成が難しくな
るという短所がある。
【０００９】次に，既知の照明系と上記２公報に記載さ
れている投影光学系を組み合わせる際に生じる問題点に
ついて説明する。ＥＵＶＬ用照明系として従来提案され
た光学系のタイプのなかで，米国で標準的に考えられて
いるものは，「Ｗｉｌｌｉａｍ Ｃ． Ｓｗｅａｔｔ
“Ｈｉｇｈ−Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ Ｃｏｎｄｅｎｓｅ
ｒ Ｄｅｓｉｇｎ ｆｏｒ Ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｎｇ
ａ Ｒｉｎｇ Ｆｉｅｌｄ” ＯＳＡ Ｐｒｏｃｅｅ
ｄｉｎｇｓ ｏｎ Ｓｏｆｔ Ｘ−Ｒａｙ Ｐｒｏｊｅ
ｃｔｉｏｎ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ Ｖｏｌ．１８
， １９９３」に記載されたものである。また，近年
注目されているものは，「Ｈｅｎｒｙ Ｎ． Ｃｈａｐ
ｍａｎ ， Ｋｅｉｔｈ Ａ． Ｎｕｇｅｎｔ “Ａ
ＮｏｖｅｌＣｏｎｄｅｎｓｅｒ ｆｏｒ ＥＵＶ Ｌｉ
ｔｈｏｇｒａｐｈｙ Ｒｉｎｇ−Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｊ
ｅｃｔｉｏｎ Ｏｐｔｉｃｓ” Ｐａｒｔ ｏｆ ｔｈ
ｅＳＰＩＥ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ ＥＵＶ，
Ｘ−Ｒａｙ， ａｎｄＮｅｕｔｒｏｎ Ｏｐｔｉｃｓ
ａｎｄ Ｓｏｕｒｃｅｓ ， Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ
ｏｆ ＳＰＩＥ Ｖｏｌ．３７６７ ， Ｊｕｌｙ
１９９９」に紹介されたものである。
れている投影光学系を組み合わせる際に生じる問題点に
ついて説明する。ＥＵＶＬ用照明系として従来提案され
た光学系のタイプのなかで，米国で標準的に考えられて
いるものは，「Ｗｉｌｌｉａｍ Ｃ． Ｓｗｅａｔｔ
“Ｈｉｇｈ−Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ Ｃｏｎｄｅｎｓｅ
ｒ Ｄｅｓｉｇｎ ｆｏｒ Ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｎｇ
ａ Ｒｉｎｇ Ｆｉｅｌｄ” ＯＳＡ Ｐｒｏｃｅｅ
ｄｉｎｇｓ ｏｎ Ｓｏｆｔ Ｘ−Ｒａｙ Ｐｒｏｊｅ
ｃｔｉｏｎ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ Ｖｏｌ．１８
， １９９３」に記載されたものである。また，近年
注目されているものは，「Ｈｅｎｒｙ Ｎ． Ｃｈａｐ
ｍａｎ ， Ｋｅｉｔｈ Ａ． Ｎｕｇｅｎｔ “Ａ
ＮｏｖｅｌＣｏｎｄｅｎｓｅｒ ｆｏｒ ＥＵＶ Ｌｉ
ｔｈｏｇｒａｐｈｙ Ｒｉｎｇ−Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｊ
ｅｃｔｉｏｎ Ｏｐｔｉｃｓ” Ｐａｒｔ ｏｆ ｔｈ
ｅＳＰＩＥ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ ＥＵＶ，
Ｘ−Ｒａｙ， ａｎｄＮｅｕｔｒｏｎ Ｏｐｔｉｃｓ
ａｎｄ Ｓｏｕｒｃｅｓ ， Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ
ｏｆ ＳＰＩＥ Ｖｏｌ．３７６７ ， Ｊｕｌｙ
１９９９」に紹介されたものである。
【００１０】これらの照明系では，照明系の射出瞳がマ
スク面に対し照明側にある。上記２公報に記載されてい
る投影光学系では，投影光学系の入射瞳はマスク面に対
し投影光学系側にある。そこで，照明系の射出瞳と投影
光学系の入射瞳とを共役にするためには何らかの光学手
段が必要になる。上記論文の照明系では，そのための光
学手段としてマスク直前に回転楕円鏡を配置している。
スク面に対し照明側にある。上記２公報に記載されてい
る投影光学系では，投影光学系の入射瞳はマスク面に対
し投影光学系側にある。そこで，照明系の射出瞳と投影
光学系の入射瞳とを共役にするためには何らかの光学手
段が必要になる。上記論文の照明系では，そのための光
学手段としてマスク直前に回転楕円鏡を配置している。
【００１１】しかしながら，回転楕円鏡は，二つの焦点
間の結像関係に関しては全くの無収差であるが，焦点か
ら少しでも外れた点とその共役点との結像関係に関して
は非常に収差の大きい光学素子である。光源が点光源の
場合は問題ないが，通常，光源はある程度の大きさを有
する。そのため，この方法では照明光が歪み，投影光学
系の瞳に形成される光源像は歪んだものとなってしま
い，マスクパターンを歪みなく被露光面に転写すること
が困難になる。
間の結像関係に関しては全くの無収差であるが，焦点か
ら少しでも外れた点とその共役点との結像関係に関して
は非常に収差の大きい光学素子である。光源が点光源の
場合は問題ないが，通常，光源はある程度の大きさを有
する。そのため，この方法では照明光が歪み，投影光学
系の瞳に形成される光源像は歪んだものとなってしま
い，マスクパターンを歪みなく被露光面に転写すること
が困難になる。
【００１２】本発明は，このような問題に鑑みてなされ
たものであり，その目的とするところは，十分な大きさ
の開口数を有すると共に良好に収差補正され，照明系と
の組み合わせにおいて，照明系の射出瞳と投影光学系の
入射瞳との共役関係を確保し，構成が容易な結像光学系
および露光装置を提供することにある。
たものであり，その目的とするところは，十分な大きさ
の開口数を有すると共に良好に収差補正され，照明系と
の組み合わせにおいて，照明系の射出瞳と投影光学系の
入射瞳との共役関係を確保し，構成が容易な結像光学系
および露光装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に，本発明の第１の態様にかかる結像光学系は，第１面
の像を第２面上に形成する反射型の結像光学系であっ
て，前記第１面に対して前記結像光学系と反対側に位置
する入射瞳，および前記第２面に対して前記結像光学系
と反対側に位置する射出瞳の少なくとも一方を有するこ
とを特徴とする。
に，本発明の第１の態様にかかる結像光学系は，第１面
の像を第２面上に形成する反射型の結像光学系であっ
て，前記第１面に対して前記結像光学系と反対側に位置
する入射瞳，および前記第２面に対して前記結像光学系
と反対側に位置する射出瞳の少なくとも一方を有するこ
とを特徴とする。
【００１４】ここで，第１面と第２面は共役関係にある
ので，物体面と像面を逆にすれば，第２面の像が第１面
上に形成される，と考えることができる。このように，
第２面を物体面と考えたときは，上記の「前記第２面に
対して前記結像光学系と反対側に位置する射出瞳」と
は，第２面に対して結像光学系と反対側に位置する入射
瞳であると考えることができる。
ので，物体面と像面を逆にすれば，第２面の像が第１面
上に形成される，と考えることができる。このように，
第２面を物体面と考えたときは，上記の「前記第２面に
対して前記結像光学系と反対側に位置する射出瞳」と
は，第２面に対して結像光学系と反対側に位置する入射
瞳であると考えることができる。
【００１５】本結像光学系を投影光学系として用いて，
射出瞳が被照明面より照明系側にある照明系と組み合わ
せる場合，照明系の射出瞳と投影光学系の入射瞳とを共
役にするためには，単純に照明系の射出瞳位置に投影光
学系の入射瞳を一致させればよい。回転楕円鏡のような
特殊な光学手段を用いる必要がなく，また，それらの光
学手段に付随する問題を回避できる。
射出瞳が被照明面より照明系側にある照明系と組み合わ
せる場合，照明系の射出瞳と投影光学系の入射瞳とを共
役にするためには，単純に照明系の射出瞳位置に投影光
学系の入射瞳を一致させればよい。回転楕円鏡のような
特殊な光学手段を用いる必要がなく，また，それらの光
学手段に付随する問題を回避できる。
【００１６】本発明の第２の態様にかかる結像光学系
は，第１面の像を第２面上に形成する反射型の結像光学
系であって，前記第１面に対して前記結像光学系と反対
側に位置する入射瞳を有し，前記第２面側は実質的にテ
レセントリックとなるように構成されていることを特徴
とする。
は，第１面の像を第２面上に形成する反射型の結像光学
系であって，前記第１面に対して前記結像光学系と反対
側に位置する入射瞳を有し，前記第２面側は実質的にテ
レセントリックとなるように構成されていることを特徴
とする。
【００１７】本結像光学系を露光装置の投影光学系とし
て用いて，射出瞳が被照明面より照明系側にある照明系
と組み合わせる場合，照明系の射出瞳と投影光学系の入
射瞳とを共役にするためには，単純に照明系の射出瞳位
置に投影光学系の入射瞳を一致させればよい。回転楕円
鏡のような特殊な光学手段を用いる必要がなく，また，
それらの光学手段に付随する問題を回避できる。さら
に，第２面側をテレセントリックとすることにより，被
露光面と投影光学系の合焦位置がずれた場合でも，投影
される回路パターン等の大きさが変わることがないの
で，露光装置に好適である。
て用いて，射出瞳が被照明面より照明系側にある照明系
と組み合わせる場合，照明系の射出瞳と投影光学系の入
射瞳とを共役にするためには，単純に照明系の射出瞳位
置に投影光学系の入射瞳を一致させればよい。回転楕円
鏡のような特殊な光学手段を用いる必要がなく，また，
それらの光学手段に付随する問題を回避できる。さら
に，第２面側をテレセントリックとすることにより，被
露光面と投影光学系の合焦位置がずれた場合でも，投影
される回路パターン等の大きさが変わることがないの
で，露光装置に好適である。
【００１８】本発明の第３の態様にかかる結像光学系
は，第１面の像を第２面上に形成する反射型の結像光学
系であって，前記第２面に対して前記結像光学系と反対
側に位置する射出瞳を有し，前記第１面側は実質的にテ
レセントリックとなるように構成されていることを特徴
とする。かかる構成によれば，結像光学系の物側，像側
を逆にすることにより，前記の第２の態様における結像
光学系と同様の作用，効果を有する。
は，第１面の像を第２面上に形成する反射型の結像光学
系であって，前記第２面に対して前記結像光学系と反対
側に位置する射出瞳を有し，前記第１面側は実質的にテ
レセントリックとなるように構成されていることを特徴
とする。かかる構成によれば，結像光学系の物側，像側
を逆にすることにより，前記の第２の態様における結像
光学系と同様の作用，効果を有する。
【００１９】本発明の第４の態様は，上記第１乃至第３
の態様のうち何れか一つの態様において，前記第１面か
ら前記第２面までの光路中に，前記第１面と共役な位置
を少なくとも１つ有することを特徴とする。このような
光学系タイプを採用することにより，像側のＮＡが０．
１１以上の光学系を達成することが容易となる。
の態様のうち何れか一つの態様において，前記第１面か
ら前記第２面までの光路中に，前記第１面と共役な位置
を少なくとも１つ有することを特徴とする。このような
光学系タイプを採用することにより，像側のＮＡが０．
１１以上の光学系を達成することが容易となる。
【００２０】本発明の第５の態様は，上記第１乃至第４
態様のうち何れか一つの態様において，前記第１面から
前記第２面までの空間に，前記結像光学系を構成する全
ての反射面が配置されていることをを特徴とする。かか
る構成によれば，光学系の構成の複雑化，装置の大型化
を防ぎ，光学系の調整，本光学系を用いた装置の製作が
容易になる。
態様のうち何れか一つの態様において，前記第１面から
前記第２面までの空間に，前記結像光学系を構成する全
ての反射面が配置されていることをを特徴とする。かか
る構成によれば，光学系の構成の複雑化，装置の大型化
を防ぎ，光学系の調整，本光学系を用いた装置の製作が
容易になる。
【００２１】本発明の第６の態様にかかる露光装置は，
前記第１面上に配置された所定のパターンを有するマス
クを照明する照明光学系と，前記所定のパターンの像を
前記第２面上に配置された感光性基板上へ投影するため
の上記第１乃至第５の態様のうちの何れか一つの態様に
おける結像光学系と，を備えることを特徴とする。
前記第１面上に配置された所定のパターンを有するマス
クを照明する照明光学系と，前記所定のパターンの像を
前記第２面上に配置された感光性基板上へ投影するため
の上記第１乃至第５の態様のうちの何れか一つの態様に
おける結像光学系と，を備えることを特徴とする。
【００２２】また，本発明は，第１面に配置された物体
の像を前記第１面からの反射光に基づいて第２面上に形
成する結像光学系であって，前記第１面に対して前記結
像光学系とは反対側に位置する入射瞳を有することを特
徴とする。この構成において，前記第２面側は実質的に
テレセントリックとなるように構成されることが好まし
い。そして，前記結像光学系は縮小倍率を有することが
好ましい。
の像を前記第１面からの反射光に基づいて第２面上に形
成する結像光学系であって，前記第１面に対して前記結
像光学系とは反対側に位置する入射瞳を有することを特
徴とする。この構成において，前記第２面側は実質的に
テレセントリックとなるように構成されることが好まし
い。そして，前記結像光学系は縮小倍率を有することが
好ましい。
【００２３】また，本発明は，マスク上の所定のパター
ンを感光性基板へ投影する投影露光方法であって，前記
第１面上に配置された所定のパターンを有するマスクを
照明し，上記の何れか一項に記載の結像光学系を用い
て，前記所定のパターンの像を前記第２面上に形成し，
前記第２面上に配置された感光性基板上に前記所定のパ
ターンを転写することを特徴とする。
ンを感光性基板へ投影する投影露光方法であって，前記
第１面上に配置された所定のパターンを有するマスクを
照明し，上記の何れか一項に記載の結像光学系を用い
て，前記所定のパターンの像を前記第２面上に形成し，
前記第２面上に配置された感光性基板上に前記所定のパ
ターンを転写することを特徴とする。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下，図面に基づいて本発明の実
施の形態を詳細に説明する。なお，以下の説明及び添付
図面において，略同一の機能及び構成を有する構成要素
については，同一符号を付すことにより，重複説明を省
略する。
施の形態を詳細に説明する。なお，以下の説明及び添付
図面において，略同一の機能及び構成を有する構成要素
については，同一符号を付すことにより，重複説明を省
略する。
【００２５】図１は，本発明の第１実施例にかかる結像
光学系の構成断面図である。本結像光学系は，マスクと
してのレチクルＲ上に形成された回路パターンの縮小像
をウエハＷ上に形成する。本結像光学系は，レチクルＲ
に対して本結像光学系とは反対側に位置する入射瞳を有
し，ウエハＷ側は実質的にテレセントリックとなるよう
に構成されている。また，本結像光学系は，レチクルＲ
からウエハＷまでの光路中に，レチクルＲと共役な位置
を有する。
光学系の構成断面図である。本結像光学系は，マスクと
してのレチクルＲ上に形成された回路パターンの縮小像
をウエハＷ上に形成する。本結像光学系は，レチクルＲ
に対して本結像光学系とは反対側に位置する入射瞳を有
し，ウエハＷ側は実質的にテレセントリックとなるよう
に構成されている。また，本結像光学系は，レチクルＲ
からウエハＷまでの光路中に，レチクルＲと共役な位置
を有する。
【００２６】図１に示すように，本結像光学系は，８つ
の反射面を有し，これらの反射面はレチクルＲからウエ
ハＷまでの空間に配置されている。図１では，左側にウ
エハＷ，右側にレチクルＲを配しており，各反射面には
ウエハＷ側からレチクルＲ側に向かって光路に沿って順
にＭ１１，Ｍ１２，Ｍ１３，Ｍ１４，Ｍ１５，Ｍ１６，
Ｍ１７，Ｍ１８の符号が付されている。全反射面は共通
の光軸ＡＸ上に配置されている。反射面Ｍ１６とＭ１７
の光路中には絞り面ＡＳが配置されている。反射面Ｍ１
４の近傍にレチクルＲの中間像が形成されている。
の反射面を有し，これらの反射面はレチクルＲからウエ
ハＷまでの空間に配置されている。図１では，左側にウ
エハＷ，右側にレチクルＲを配しており，各反射面には
ウエハＷ側からレチクルＲ側に向かって光路に沿って順
にＭ１１，Ｍ１２，Ｍ１３，Ｍ１４，Ｍ１５，Ｍ１６，
Ｍ１７，Ｍ１８の符号が付されている。全反射面は共通
の光軸ＡＸ上に配置されている。反射面Ｍ１６とＭ１７
の光路中には絞り面ＡＳが配置されている。反射面Ｍ１
４の近傍にレチクルＲの中間像が形成されている。
【００２７】表１に本結像光学系の諸元値をウエハＷ側
からレチクルＲ側の順に示す。表中の面のＭ１１〜Ｍ１
８，ＡＳは図１のものと対応している。表１において，
ＮＡはウエハＷ側の開口数，ＩＨはウエハＷにおける像
高である。なお，曲率半径，間隔の単位の一例としてｍ
ｍを用いることができる。表１において曲率半径，間隔
の単位としてｍｍを採用した場合には以下に述べる像
高，入射瞳位置の単位もｍｍである。この単位について
の考え方は以下の実施例においても同様である。
からレチクルＲ側の順に示す。表中の面のＭ１１〜Ｍ１
８，ＡＳは図１のものと対応している。表１において，
ＮＡはウエハＷ側の開口数，ＩＨはウエハＷにおける像
高である。なお，曲率半径，間隔の単位の一例としてｍ
ｍを用いることができる。表１において曲率半径，間隔
の単位としてｍｍを採用した場合には以下に述べる像
高，入射瞳位置の単位もｍｍである。この単位について
の考え方は以下の実施例においても同様である。
【００２８】
【表１】
【００２９】表１においてＡ〜Ｆは各面の非球面係数で
ある。各係数の意味は，下記式にて定義されたものであ
る。
ある。各係数の意味は，下記式にて定義されたものであ
る。
【数１】
ここで，光軸に垂直な方向の高さをｈとし，非球面の頂
点における接平面から高さｈにおける非球面上の位置ま
での光軸に沿った距離（サグ量）をＺ（ｈ），面の曲率
半径をｒとしている。なお，以下の実施例においても本
実施例と同様の記号を用いる。
点における接平面から高さｈにおける非球面上の位置ま
での光軸に沿った距離（サグ量）をＺ（ｈ），面の曲率
半径をｒとしている。なお，以下の実施例においても本
実施例と同様の記号を用いる。
【００３０】本実施例においてはＮＡ＝０．２５という
大きな開口数を有する光学系が実現されている。また，
本実施例における入射瞳は，レチクルＲに対して本結像
光学系とは反対側の８０２．０１９７の位置にある。
大きな開口数を有する光学系が実現されている。また，
本実施例における入射瞳は，レチクルＲに対して本結像
光学系とは反対側の８０２．０１９７の位置にある。
【００３１】図２は，本発明の第２実施例にかかる結像
光学系の構成断面図である。本結像光学系は，レチクル
Ｒ上に形成された回路パターンの縮小像をウエハＷ上に
形成する。本結像光学系は，レチクルＲに対して本結像
光学系とは反対側に位置する入射瞳を有し，ウエハＷ側
は実質的にテレセントリックとなるように構成されてい
る。また，本結像光学系は，レチクルＲからウエハＷま
での光路中に，レチクルＲと共役な位置を有する。
光学系の構成断面図である。本結像光学系は，レチクル
Ｒ上に形成された回路パターンの縮小像をウエハＷ上に
形成する。本結像光学系は，レチクルＲに対して本結像
光学系とは反対側に位置する入射瞳を有し，ウエハＷ側
は実質的にテレセントリックとなるように構成されてい
る。また，本結像光学系は，レチクルＲからウエハＷま
での光路中に，レチクルＲと共役な位置を有する。
【００３２】図２に示すように，本結像光学系は，６つ
の反射面を有し，これらの反射面はレチクルＲからウエ
ハＷまでの空間に配置されている。図２では，左側にウ
エハＷ，右側にレチクルＲを配しており，各反射面には
ウエハＷ側からレチクルＲ側に向かって光路に沿って順
にＭ２１，Ｍ２２，Ｍ２３，Ｍ２４，Ｍ２５，Ｍ２６の
符号が付されている。全反射面は共通の光軸ＡＸ上に配
置されている。反射面Ｍ２４とＭ２５の光路中には絞り
面ＡＳが配置されている。反射面Ｍ２２と反射面Ｍ２３
との間の光路中にレチクルＲの間像が形成されている。
表２に本結像光学系の諸元値をウエハＷ側からレチクル
Ｒ側の順に示す。表中の面のＭ２１〜Ｍ２６，ＡＳは図
２のものと対応している。
の反射面を有し，これらの反射面はレチクルＲからウエ
ハＷまでの空間に配置されている。図２では，左側にウ
エハＷ，右側にレチクルＲを配しており，各反射面には
ウエハＷ側からレチクルＲ側に向かって光路に沿って順
にＭ２１，Ｍ２２，Ｍ２３，Ｍ２４，Ｍ２５，Ｍ２６の
符号が付されている。全反射面は共通の光軸ＡＸ上に配
置されている。反射面Ｍ２４とＭ２５の光路中には絞り
面ＡＳが配置されている。反射面Ｍ２２と反射面Ｍ２３
との間の光路中にレチクルＲの間像が形成されている。
表２に本結像光学系の諸元値をウエハＷ側からレチクル
Ｒ側の順に示す。表中の面のＭ２１〜Ｍ２６，ＡＳは図
２のものと対応している。
【００３３】
【表２】
【００３４】本実施例においてはＮＡ＝０．１８という
大きな開口数を有する光学系が実現されている。また，
本実施例における入射瞳は，レチクルＲに対して本結像
光学系とは反対側の５９８．４５７９１２の位置にあ
る。
大きな開口数を有する光学系が実現されている。また，
本実施例における入射瞳は，レチクルＲに対して本結像
光学系とは反対側の５９８．４５７９１２の位置にあ
る。
【００３５】上記第１実施例，第２実施例にかかる結像
光学系は共に，ＮＡが０．１８以上である。これは従来
の同種の結像光学系に比べ，大きな開口数であり，これ
により高い解像力を実現することができる。これより上
記結像光学系は，現在求められる最小線幅５０ｎｍ用の
露光装置だけでなく，次世代の最小線幅３０ｎｍ用の露
光装置に適用可能である。
光学系は共に，ＮＡが０．１８以上である。これは従来
の同種の結像光学系に比べ，大きな開口数であり，これ
により高い解像力を実現することができる。これより上
記結像光学系は，現在求められる最小線幅５０ｎｍ用の
露光装置だけでなく，次世代の最小線幅３０ｎｍ用の露
光装置に適用可能である。
【００３６】また，上記第１実施例，第２実施例にかか
る結像光学系は共に，入射瞳位置がレチクルＲに対して
結像光学系とは反対側に位置している。よって，これら
の結像光学系を照明系と組み合わせて使用する際，その
照明系は図５（ｂ）の模式図のような構成をとることが
でき，光束の分離が容易になる。さらに，照明系の射出
瞳と結像光学系の入射瞳とを共役にする際には，特殊な
光学手段を用いる必要がなく，単純に照明系の射出瞳位
置に投影光学系の入射瞳を一致させればよいので，極め
て簡単である。このように，組み合わせる照明系の構成
が非常に容易になる。よって，従来使用していた回転楕
円鏡等の特別な光学手段を用いる必要がないので，それ
らの光学手段に付随する問題を回避できる。
る結像光学系は共に，入射瞳位置がレチクルＲに対して
結像光学系とは反対側に位置している。よって，これら
の結像光学系を照明系と組み合わせて使用する際，その
照明系は図５（ｂ）の模式図のような構成をとることが
でき，光束の分離が容易になる。さらに，照明系の射出
瞳と結像光学系の入射瞳とを共役にする際には，特殊な
光学手段を用いる必要がなく，単純に照明系の射出瞳位
置に投影光学系の入射瞳を一致させればよいので，極め
て簡単である。このように，組み合わせる照明系の構成
が非常に容易になる。よって，従来使用していた回転楕
円鏡等の特別な光学手段を用いる必要がないので，それ
らの光学手段に付随する問題を回避できる。
【００３７】特に，本実施例の結像光学系は図３に示す
ような照明系と組み合わせることが可能である。この照
明系は，光源１が集光作用を有している。光源１から射
出した光束はそのままレチクルＲを照明する。集光作用
を有する手段としては例えばフライアイレンズを用いる
ことができる。このような構成を有する照明系では，光
束の分離がより容易になる。また，照明系として少なく
とも反射面を１つ省略することができるので，露光光量
の増加が期待できる。
ような照明系と組み合わせることが可能である。この照
明系は，光源１が集光作用を有している。光源１から射
出した光束はそのままレチクルＲを照明する。集光作用
を有する手段としては例えばフライアイレンズを用いる
ことができる。このような構成を有する照明系では，光
束の分離がより容易になる。また，照明系として少なく
とも反射面を１つ省略することができるので，露光光量
の増加が期待できる。
【００３８】本実施例では，このような大きな長所を有
する照明系と組み合わせて使用することが可能である。
しかし，従来の結像光学系のような，入射瞳位置がレチ
クルＲに対して結像光学系側に位置する光学系では，こ
のような照明系と組み合わせることができない。
する照明系と組み合わせて使用することが可能である。
しかし，従来の結像光学系のような，入射瞳位置がレチ
クルＲに対して結像光学系側に位置する光学系では，こ
のような照明系と組み合わせることができない。
【００３９】次に，本発明の実施例の結像光学系を適用
した投影光学系を備えた露光装置について説明する。図
４はこの露光装置の全体構成を概略的に示す図である。
図４において，投影光学系４０からウエハＷへの投射方
向をＺ軸方向，これに直交する面内で図４における紙面
内の方向をＹ軸方向，紙面に直交する方向をＸ軸方向と
して説明する。
した投影光学系を備えた露光装置について説明する。図
４はこの露光装置の全体構成を概略的に示す図である。
図４において，投影光学系４０からウエハＷへの投射方
向をＺ軸方向，これに直交する面内で図４における紙面
内の方向をＹ軸方向，紙面に直交する方向をＸ軸方向と
して説明する。
【００４０】光源１０はＥＵＶ光，例えば波長１３．４
ｎｍまたは１１．５ｎｍの光を射出する。光源１０から
射出された光ＥＬは，照明光学系２０を介し，平面反射
板３０で偏向された後，所定のパターンが形成されたレ
チクルＲを照明する。レチクルＲは，レチクルステージ
ＲＳ上にＸＹ平面に平行に保持されている。レチクルス
テージＲＳはＸＹ平面に沿って二次元的に移動可能であ
り，その移動量はレチクルステージコントローラＲＣに
より制御される。
ｎｍまたは１１．５ｎｍの光を射出する。光源１０から
射出された光ＥＬは，照明光学系２０を介し，平面反射
板３０で偏向された後，所定のパターンが形成されたレ
チクルＲを照明する。レチクルＲは，レチクルステージ
ＲＳ上にＸＹ平面に平行に保持されている。レチクルス
テージＲＳはＸＹ平面に沿って二次元的に移動可能であ
り，その移動量はレチクルステージコントローラＲＣに
より制御される。
【００４１】レチクルＲは，投影光学系４０の物体面に
配置されており，投影光学系４０の像面には，基板とし
てのフォトレジストが塗布されたウエハＷが配置されて
いる。レチクルＲで反射された光は投影光学系４０を介
して，感光性基板であるウエハＷ上にマスクパターンの
縮小像を形成する。ここで，投影光学系４０の入射瞳お
よび照明光学系２０の射出瞳はレチクルＲに対して照明
光学系側に位置しており，両者が一致するよう各光学系
が配置されている。投影光学系４０はウエハＷ側におい
て，実質的にテレセントリックとなるよう構成されてい
る。
配置されており，投影光学系４０の像面には，基板とし
てのフォトレジストが塗布されたウエハＷが配置されて
いる。レチクルＲで反射された光は投影光学系４０を介
して，感光性基板であるウエハＷ上にマスクパターンの
縮小像を形成する。ここで，投影光学系４０の入射瞳お
よび照明光学系２０の射出瞳はレチクルＲに対して照明
光学系側に位置しており，両者が一致するよう各光学系
が配置されている。投影光学系４０はウエハＷ側におい
て，実質的にテレセントリックとなるよう構成されてい
る。
【００４２】ウエハＷは，ウエハステージＷＳ上にＸＹ
平面に平行に保持されている。ウエハステージＷＳはＸ
Ｙ平面内およびＺ方向に移動可能であり，その移動量は
ウエハステージコントローラＷＣにより制御される。そ
して，例えばＹ方向に沿ってレチクルステージＲＳとウ
エハステージＷＳとを，ひいてはレチクルＲとウエハＷ
とを同期的に移動（走査）させる。これにより，ウエハ
Ｗ上にはマスクパターンが走査露光され，レチクルＲの
回路パターンをウエハＷ上の複数のショット領域の各々
にステップアンドスキャン方式で転写することができ
る。
平面に平行に保持されている。ウエハステージＷＳはＸ
Ｙ平面内およびＺ方向に移動可能であり，その移動量は
ウエハステージコントローラＷＣにより制御される。そ
して，例えばＹ方向に沿ってレチクルステージＲＳとウ
エハステージＷＳとを，ひいてはレチクルＲとウエハＷ
とを同期的に移動（走査）させる。これにより，ウエハ
Ｗ上にはマスクパターンが走査露光され，レチクルＲの
回路パターンをウエハＷ上の複数のショット領域の各々
にステップアンドスキャン方式で転写することができ
る。
【００４３】以上，添付図面を参照しながら本発明にか
かる好適な実施形態について説明したが，本発明はかか
る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であ
れば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内
において，各種の変更例または修正例に想到し得ること
は明らかであり，それらについても当然に本発明の技術
的範囲に属するものと了解される。
かる好適な実施形態について説明したが，本発明はかか
る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であ
れば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内
において，各種の変更例または修正例に想到し得ること
は明らかであり，それらについても当然に本発明の技術
的範囲に属するものと了解される。
【００４４】例えば，半導体素子の製造に用いられる露
光装置だけでなく，液晶表示素子などを含むディスプレ
イの製造に用いられる，デバイスパターンをガラスプレ
ート上に転写する露光装置，薄膜磁気ヘッドの製造に用
いられる，デバイスパターンをセラミックウエハ上に転
写する露光装置，撮像素子（ＣＣＤなど）の製造に用い
られる露光装置などにも本発明を適用することができ
る。また，レチクルまたはマスクを製造するためにガラ
ス基板またはシリコンウエハなどに回路パターンを転写
する露光装置にも，本発明を適用することができる。
光装置だけでなく，液晶表示素子などを含むディスプレ
イの製造に用いられる，デバイスパターンをガラスプレ
ート上に転写する露光装置，薄膜磁気ヘッドの製造に用
いられる，デバイスパターンをセラミックウエハ上に転
写する露光装置，撮像素子（ＣＣＤなど）の製造に用い
られる露光装置などにも本発明を適用することができ
る。また，レチクルまたはマスクを製造するためにガラ
ス基板またはシリコンウエハなどに回路パターンを転写
する露光装置にも，本発明を適用することができる。
【００４５】
【発明の効果】以上，詳細に説明したように本発明によ
れば，十分な大きさの開口数を有すると共に良好に収差
補正された結像光学系を提供できる。また，照明系と組
み合わせて使用する際に，特殊な光学手段を用いること
なく照明系の射出瞳と投影光学系の入射瞳との共役関係
を確保でき，照明系の構成を容易にする結像光学系を提
供できる。さらに，上記結像光学系を用いて露光を行
い，極めて微細なパターンの像を高解像に基板上に投影
可能な露光装置を提供できる。
れば，十分な大きさの開口数を有すると共に良好に収差
補正された結像光学系を提供できる。また，照明系と組
み合わせて使用する際に，特殊な光学手段を用いること
なく照明系の射出瞳と投影光学系の入射瞳との共役関係
を確保でき，照明系の構成を容易にする結像光学系を提
供できる。さらに，上記結像光学系を用いて露光を行
い，極めて微細なパターンの像を高解像に基板上に投影
可能な露光装置を提供できる。
【図１】 本発明の第１実施例に係る結像光学系の構成
断面図である。
断面図である。
【図２】 本発明の第２実施例に係る結像光学系の構成
断面図である。
断面図である。
【図３】 本発明の実施例に係る結像光学系と組み合わ
せ可能な照明系の構成図である。
せ可能な照明系の構成図である。
【図４】 本発明の実施の形態に係る露光装置の概略構
成図である。
成図である。
【図５】 照明系の射出瞳位置と光束の関係を示す模式
図である。
図である。
【図６】 従来の露光装置の構成図である。
１，１０ 光源
２ 反射光学系
３，７ マスク
４ 射出瞳
５ 凹面鏡
６，３０ 平面反射板
８ 結像系
９ 被露光面
２０ 照明光学系
４０ 投影光学系
ＡＳ 絞り面
ＡＸ 光軸
Ｒ レチクル
ＲＣ レチクルステージコントローラ
ＲＳ レチクルステージ
Ｗ ウエハ
ＷＣ ウエハステージコントローラ
ＷＳ ウエハステージ
Ｍ１１〜Ｍ１８，Ｍ２１〜Ｍ２６ 反射面
Claims (6)
- 【請求項１】 第１面の像を第２面上に形成する反射型
の結像光学系であって，前記第１面に対して前記結像光
学系と反対側に位置する入射瞳，および前記第２面に対
して前記結像光学系と反対側に位置する射出瞳の少なく
とも一方を有することを特徴とする結像光学系。 - 【請求項２】 第１面の像を第２面上に形成する反射型
の結像光学系であって，前記第１面に対して前記結像光
学系と反対側に位置する入射瞳を有し，前記第２面側は
実質的にテレセントリックとなるように構成されている
ことを特徴とする結像光学系。 - 【請求項３】 第１面の像を第２面上に形成する反射型
の結像光学系であって，前記第２面に対して前記結像光
学系と反対側に位置する射出瞳を有し，前記第１面側は
実質的にテレセントリックとなるように構成されている
ことを特徴とする結像光学系。 - 【請求項４】 前記第１面から前記第２面までの光路中
に，前記第１面と共役な位置を少なくとも１つ有するこ
とを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の結
像光学系。 - 【請求項５】 前記第１面から前記第２面までの空間
に，前記結像光学系を構成する全ての反射面が配置され
ていることをを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項
に記載の結像光学系。 - 【請求項６】 前記第１面上に配置された所定のパター
ンを有するマスクを照明する照明光学系と，前記所定の
パターンの像を前記第２面上に配置された感光性基板上
へ投影するための請求項１乃至５の何れか一項に記載の
結像光学系と，を備えることを特徴とする露光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001305521A JP4134544B2 (ja) | 2001-10-01 | 2001-10-01 | 結像光学系および露光装置 |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Publications (2)
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|---|---|
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ID=19125299
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| JP (1) | JP4134544B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2005315918A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Nikon Corp | 反射型投影光学系および該反射型投影光学系を備えた露光装置 |
| WO2007023665A1 (ja) * | 2005-08-24 | 2007-03-01 | Nikon Corporation | 投影光学系、露光装置、およびデバイスの製造方法 |
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| JP2008533709A (ja) * | 2005-03-08 | 2008-08-21 | カール ツァイス エスエムテー アーゲー | 取扱い可能な絞り又は開口絞りを備えたマイクロリソグラフィー投影光学系 |
| JP2011109096A (ja) * | 2009-11-17 | 2011-06-02 | Nikon Corp | 反射結像光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
| JP2012060128A (ja) * | 2010-09-10 | 2012-03-22 | Nikon Corp | 反射結像光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
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