JP2008311660A - 半導体ウェハを洗浄、乾燥及び親水化する方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 238000001035 drying Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 20
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 43
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 42
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 70
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- CUPFNGOKRMWUOO-UHFFFAOYSA-N hydron;difluoride Chemical compound F.F CUPFNGOKRMWUOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005660 hydrophilic surface Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- -1 isopropanol Chemical class 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000010815 organic waste Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
【課題】洗浄処理された半導体ウェハの表面上でパーティクル、金属及び有機不純物の濃度をさらに改善する洗浄法及び乾燥法を提供すること
【解決手段】次の工程を記載の順序で有する、半導体ウェハを洗浄、乾燥及び親水化する方法
ａ） 前記半導体ウェハを、フッ化水素を含有する液体水溶液で処理し、前記半導体ウェハを少なくとも一時的にその中心軸を中心に回転させ、及び
ｂ） オゾン含有雰囲気中で、前記半導体ウェハを、その中心軸を中心に１０００〜５０００ｒｐｍの回転速度で回転させることによりこの半導体ウェハを乾燥させ、フッ化水素を含有する液体水溶液を前記半導体ウェハから回転により生じる遠心力に基づき流れ去らせ、半導体ウェハの表面をオゾンにより親水化する
【選択図】なし
【解決手段】次の工程を記載の順序で有する、半導体ウェハを洗浄、乾燥及び親水化する方法
ａ） 前記半導体ウェハを、フッ化水素を含有する液体水溶液で処理し、前記半導体ウェハを少なくとも一時的にその中心軸を中心に回転させ、及び
ｂ） オゾン含有雰囲気中で、前記半導体ウェハを、その中心軸を中心に１０００〜５０００ｒｐｍの回転速度で回転させることによりこの半導体ウェハを乾燥させ、フッ化水素を含有する液体水溶液を前記半導体ウェハから回転により生じる遠心力に基づき流れ去らせ、半導体ウェハの表面をオゾンにより親水化する
【選択図】なし
Description
本発明は、乾燥を半導体ウェハの回転により行う、半導体ウェハを洗浄、乾燥及び同時に親水化する方法に関する。
例えばマイクロエレクトロニクス素子の製造のための基板として利用される半導体ウェハ、通常ではシリコンウェハは、ポリシング、コーティング（例えばエピタキシャルデポジションによる）又は熱処理工程（アニーリング）の後に、又は高温プロセス工程の前に湿式化学的方法で洗浄される。この洗浄の目的は、前記半導体ウェハの、例えば銅のような金属又は有機物質による汚染、及びウェハ表面に付着するパーティクルをできる限り完全に除去することである、それというのも、この汚染は、素子の後続する製造の際に問題、例えばゲート酸化物の不均一な成長又はポリシリコンゲートの不均一なデポジションを引き起こすためである。
先行技術では、半導体ウェハを洗浄及び乾燥する複数の方法が公知である：
US5714203は、フッ化水素溶液（フッ化水素酸）を有する浴中に完全に浸した半導体ウェハを、前記の浴からゆっくりとオゾン含有雰囲気中へ引き上げる方法を開示している。前記オゾンは前記雰囲気から液体表面に溶け込み、前記液体の表面張力を低下させ、このことが前記液体のウェハ表面からの流下を容易にする。同時に、ウェハ表面はオゾン含有雰囲気により酸化される。前記ウェハは、従って乾燥後に親水化されている。US6451124では、実際に乾燥したウェハ表面を達成するために、半導体ウェハを単に０．０１〜１５ｍｍ／秒、有利に０．０１〜０．５ｍｍ／秒の速度で、フッ酸から引き上げられることが確立された。３００ｍｍのウェハ直径及び０．５ｍｍ／秒の速度の場合この手順だけで１０分を必要とする。このウェハは完全に乾燥しなければならない、そうでないとウェハ表面の不均一性、例えばいわゆる「ウォーターマーク」が観察されるためである。
US5714203は、フッ化水素溶液（フッ化水素酸）を有する浴中に完全に浸した半導体ウェハを、前記の浴からゆっくりとオゾン含有雰囲気中へ引き上げる方法を開示している。前記オゾンは前記雰囲気から液体表面に溶け込み、前記液体の表面張力を低下させ、このことが前記液体のウェハ表面からの流下を容易にする。同時に、ウェハ表面はオゾン含有雰囲気により酸化される。前記ウェハは、従って乾燥後に親水化されている。US6451124では、実際に乾燥したウェハ表面を達成するために、半導体ウェハを単に０．０１〜１５ｍｍ／秒、有利に０．０１〜０．５ｍｍ／秒の速度で、フッ酸から引き上げられることが確立された。３００ｍｍのウェハ直径及び０．５ｍｍ／秒の速度の場合この手順だけで１０分を必要とする。このウェハは完全に乾燥しなければならない、そうでないとウェハ表面の不均一性、例えばいわゆる「ウォーターマーク」が観察されるためである。
数年来、半導体ウェハを、その中心軸を中心に高速回転させ、まず１種又は数種の液体で洗浄し、次いで脱塩水でリンスし、乾燥する、枚葉式洗浄法を使用することも多くなっている。この液体は回転する半導体ウェハに適用され、遠心力によりウェハ縁部方向へ加速されるため、この液体は外側に流れ去り、この場合、一般にウェハ表面の全面に薄い膜が形成される。半導体ウェハをさらに回転させながら、例えば液膜の表面張力を低下させる蒸気（例えばイソプロパノール）の添加下での引き続く乾燥の際に、全気液膜は完全に外側に流れ去る。このタイプの方法は、US2004/0103915A1及びEP0905747A1に記載されている。このタイプの枚葉式洗浄法は、低い化学薬品消費を特徴としている。
このような装置中でフッ化水素酸を洗浄液として使用することも公知である。このように、US6869487B1は、半導体ウェハを高速回転させながら液体を用いて洗浄する方法を記載していて、その際、前記液体は溶解されたオゾンを含有し、このオゾンは予め液体中に溶解されるか又はオゾン含有プロセス雰囲気から生じる。親水性表面は、液体の供給を既に停止した後に前記プロセス雰囲気にさらにオゾンを添加することにより達成できる。しかしながら、ウェハ表面とオゾンとが接触する間、ウェハ表面上に閉じた液膜が常に存在することに留意しなければならない。引き続き、前記半導体ウェハを脱塩水でリンスし、乾燥する。この乾燥は、例えば、イソプロパノール蒸気の添加下で遠心乾燥により行われる。
US5714203
US6451124
US2004/0103915A1
EP0905747A1
US6869487B1
しかしながら、このように処理された半導体ウェハの表面上でパーティクル、金属及び有機不純物の濃度は未だになお改善を必要とすることが判明した。従って、前記課題は、前記欠点を克服する洗浄法及び乾燥法を提供することであった。
前記課題は、次の工程を記載の順序で有する半導体ウェハを洗浄、乾燥及び親水化する方法により解決される：
ａ） 前記半導体ウェハを、フッ化水素を含有する液体水溶液で処理し、前記半導体ウェハを少なくとも一時的にその中心軸を中心に回転させ、及び
ｂ） オゾン含有雰囲気中で、前記半導体ウェハを、その中心軸を中心に１０００〜５０００ｒｐｍの回転速度で回転させることによりこの半導体ウェハを乾燥させ、フッ化水素を含有する液体水溶液を前記半導体ウェハから回転により生じる遠心力に基づき流れ去らせ、半導体ウェハの表面をオゾンにより親水化する。
ａ） 前記半導体ウェハを、フッ化水素を含有する液体水溶液で処理し、前記半導体ウェハを少なくとも一時的にその中心軸を中心に回転させ、及び
ｂ） オゾン含有雰囲気中で、前記半導体ウェハを、その中心軸を中心に１０００〜５０００ｒｐｍの回転速度で回転させることによりこの半導体ウェハを乾燥させ、フッ化水素を含有する液体水溶液を前記半導体ウェハから回転により生じる遠心力に基づき流れ去らせ、半導体ウェハの表面をオゾンにより親水化する。
本発明は、ＨＦ含有洗浄溶液で覆われた半導体ウェハを、オゾン含有ガス雰囲気中で、半導体ウェハを回転させながら乾燥させることにある。乾燥及び表面親水化は、１つのプロセス工程で行われる。この方法は、特に、例えばUS2004/0103915A1から公知の枚葉式洗浄装置で適用するために適している。公知のスピン乾燥法と異なるのは、別個のリンス媒体、例えば脱塩水を不要とし、及び有機溶剤、例えばイソプロパノールを不要とすることである。US6869487B1により必要な脱塩水によるリンスは、ウェハ表面上でのパーティクル及び金属不純物の濃度をさらに高め、さらにいわゆる「ウォーターマーク」の形成を引き起こすことが判明した。ウォーターマークは、リンス水が完全かつ均一に除去されずに、半導体ウェハ上のいくつかの箇所に残留する場合に生じる。この残留物はその後で制御されずに乾燥される。この場合、リンス水中に存在する全ての不純物は半導体ウェハ上に堆積し、「ウォーターマーク」を形成する。特に水中に痕跡量で溶解している二酸化ケイ素は、特別な汚染として堆積する。従って、先行技術においてこのリンス工程が必要であるとして記載されていたにもかかわらず、本発明の場合に水を用いたリンス工程は不要となる。同時に、本発明による方法は、洗浄後にまた有機汚染物を生じさせる有機化合物、例えばイソプロパノールを不要にすることができる。
更なる利点は、プロセス化学薬品の脱塩水及びイソプロパノールを節約である。特に、有機廃棄物の環境に適合する処理のためのコストが避けられる。さらに、本発明による方法は、従来の、親水化、リンス及び乾燥からなる３段階のプロセスと比較して、プロセス時間の明らかな短縮をもたらす。
US5714203から公知のＨＦ−オゾン−乾燥機とは異なり、本発明による方法は浴プロセスではなく、回転する半導体ウェハ上にプロセス化学薬品を少なくとも１つのノズルを用いて分配する枚葉式プロセスである。この種の方法実施は極めて有利である、それというのも乾燥方法を最低の操作コストで多段階の枚葉式洗浄シーケンスに統合できるためである。
工程ａ）
本発明による方法の工程ａ）で、ウェハ表面をフッ化水素（フッ化水素酸）を有する液体水溶液で処理する。有利に、前記溶液は１つ又は複数のノズルにより半導体ウェハに適用、例えば吹き付けられ、他方で半導体ウェハをホルダ装置により回転させる。遠心力により、前記液体は外側に流れ去り、その際、半導体ウェハの表面に薄い膜が形成される。この半導体ウェハは一般に、鉛直の軸を中心に回転できるように水平に取り付けられている。この液体は、一般に、上から、及び場合により同時に下から供給される。
本発明による方法の工程ａ）で、ウェハ表面をフッ化水素（フッ化水素酸）を有する液体水溶液で処理する。有利に、前記溶液は１つ又は複数のノズルにより半導体ウェハに適用、例えば吹き付けられ、他方で半導体ウェハをホルダ装置により回転させる。遠心力により、前記液体は外側に流れ去り、その際、半導体ウェハの表面に薄い膜が形成される。この半導体ウェハは一般に、鉛直の軸を中心に回転できるように水平に取り付けられている。この液体は、一般に、上から、及び場合により同時に下から供給される。
液体水溶液中のフッ化水素の濃度は、有利に０．００１〜５０質量％、特に有利に０．０１〜２質量％である。０．００１％より低いＨＦ濃度の場合には、半導体ウェハ上の酸化物層の完全な溶解はもはや保証されない。高濃度のフッ化水素酸は極めて腐食性であり、従って、本発明の場合に５０％より高くない濃度、有利に２％より高くない濃度が使用される。場合により、他の洗浄薬品、例えば塩化水素を前記溶液中に存在させてもよい。塩化水素は、金属カチオンと一緒に易溶性の錯化合物を形成し、これはフッ化水素溶液と一緒に除去される。
前記溶液にオゾンを添加し、その後この溶液を半導体ウェハに供給することも可能である。オゾンの濃度は少なくとも０．１ｍｇ／ｌである。それにより、前記溶液の洗浄効果は高められ、液膜の表面張力は低下する。
工程ａ）は、例えばクリーンルーム空気中で又は不活性雰囲気、例えば窒素下で実施することができる。しかしながら、既に工程ａ）の雰囲気にオゾンを添加することもできる。オゾンは、有利にＯ3／Ｏ2混合物として連続的ガス流で供給される。工程ａ）中でこのガス流は有利にオゾン１〜３５質量％を含有し、５〜２０質量％の範囲が特に有利である。雰囲気がオゾンを含有する場合に、このオゾンは液膜中に溶解し、拡散により半導体ウェハの表面に到達し、それにより前記表面を酸化する。このオゾン含有の雰囲気を、オゾン含有溶液に代えて、又はオゾン含有溶液に対して付加的に使用することができる。オゾン及びＨＦを含有する溶液は、酸化物層の持続的な溶解及び再形成により半導体ウェハをエッチングすることができる。これはパーティクルの除去を容易にし、かつ比較的厚い表面層を除去すべき場合に有利である。同時に、半導体表面への金属の還元による堆積が、オゾンのような強い酸化剤の存在で抑制される。フッ化水素だけを含有しかつ酸化剤を含有しない洗浄溶液は、選択的に基板表面上の薄い酸化物層だけを除去し、元素状のシリコンに対するエッチング作用を有していない。これは、表面粗さについて厳密な要求を課せられた半導体ウェハにとって有利である。
工程ｂ）
工程ａ）の終了時に、半導体ウェハの表面は、フッ化水素及び場合により他の成分、例えば塩化水素又はオゾンを含有する薄い水性の液膜で覆われる。本発明の場合に、工程ａ）の後に半導体ウェハの表面上に存在する液体水溶液中のフッ化水素の濃度は、工程ｂ）の前に変化させず、特に前記半導体ウェハは乾燥の前に水又は他の液体でリンスされない。
工程ａ）の終了時に、半導体ウェハの表面は、フッ化水素及び場合により他の成分、例えば塩化水素又はオゾンを含有する薄い水性の液膜で覆われる。本発明の場合に、工程ａ）の後に半導体ウェハの表面上に存在する液体水溶液中のフッ化水素の濃度は、工程ｂ）の前に変化させず、特に前記半導体ウェハは乾燥の前に水又は他の液体でリンスされない。
オゾン含有のガス混合物は、工程ｂ）において半導体ウェハ上のガス空間を通過して流動する。例えば、オゾンは酸素（Ｏ2）又は空気との混合物の形で使用される。オゾンは、有利にＯ3／Ｏ2混合物として連続的ガス流で供給される。工程ｂ）での前記ガス流中のオゾンの濃度は、有利に５〜３５質量％、特に有利に５〜２０質量％である。このオゾン濃度の場合に、一方ではウェハ表面の完全な親水化が保証され、他方では液膜の表面張力は溶解したオゾンにより十分に低下され、完全に満足できる乾燥が達成される。
雰囲気からオゾンは部分的に液膜中へ溶け込み、前記液体の表面張力は低下する。半導体ウェハを高速回転させ、それにより前記液膜は遠心力の作用下で流れ去る。この回転速度は、前記液体を完全にウェハ表面から飛ばし去るために十分な高さが選択すべきである。これは、１０００〜５０００ｒｐｍ、有利に２０００〜３０００ｒｐｍｎ回転速度により達成することができる。この回転速度を維持する場合にだけ、先行技術の場合に必要な水を用いるリンスを不要とすることができる。
ガス空間中へのオゾンの添加と共に、有利に工程ａ）での液体供給が完了され、同時に半導体ウェハの回転速度が高められる。液膜の厚さが回転運動により既に低下された場合には、オゾンを後で添加することも可能である。しかしながら、液体の完全でかつ均一な除去のためには、ウェハ上に閉じた液膜が存在する限り、ガス空間にオゾンを添加することが必要である。この全体の洗浄法及び乾燥法は、３０秒より短い時間で実施することができる。
半導体ウェハの乾燥の間にオゾン含有ガス雰囲気はウェハ表面と接触し、その際に、親水性酸化物層が形成されるため、工程ｂ）の完了時に半導体ウェハは親水性でありかつ乾燥されている。乾燥したウェハはウォーターマークを有していない。本発明による方法は、ウェハ表面上での金属濃度及びパーティクル濃度を高めないため、本発明により処理された半導体ウェハは、低い金属濃度及び低いパーティクル濃度を特徴とする。
本発明による方法は、全ての半導体ウェハ、有利に単結晶シリコンウェハに適用することができる。
まだ素子構造を有していない半導体ウェハに適用することも有利である。
Claims (10)
- 次の工程：
ａ） 前記半導体ウェハを、フッ化水素を含有する液体水溶液で処理し、前記半導体ウェハを少なくとも一時的にその中心軸を中心に回転させる工程、及び
ｂ） オゾン含有雰囲気中で、前記半導体ウェハを、その中心軸を中心に１０００〜５０００ｒｐｍの回転速度で回転させることによりこの半導体ウェハを乾燥させ、フッ化水素を含有する液体水溶液を前記半導体ウェハから回転により生じる遠心力に基づき流れ去らせ、半導体ウェハの表面をオゾンにより親水化する工程
を記載の順序で有する、半導体ウェハを洗浄、乾燥及び親水化する方法。 - 工程ｂ）で２０００〜３０００ｒｐｍの回転速度を特徴とする、請求項１記載の方法。
- 工程ａ）及びｂ）で、液体水溶液中のフッ化水素の濃度は０．０１〜２質量％であることを特徴とする、請求項１又は２記載の方法。
- 工程ａ）の後で半導体ウェハの表面上に存在する液体水溶液中のフッ化水素の濃度を、工程ｂ）の前に変化させないことを特徴とする、請求項３記載の方法。
- 工程ｂ）で、雰囲気中のオゾンの濃度は５〜２０質量％であることを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
- 工程ａ）をオゾン含有雰囲気下で実施することを特徴とする、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
- 工程ａ）で、雰囲気中のオゾンの濃度は５〜２０質量％であることを特徴とする、請求項６記載の方法。
- 液体水溶液がオゾンを含有することを特徴とする、請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。
- 枚葉式洗浄装置を用いて方法を実施することを特徴とする、請求項１から８までのいずれか１項記載の方法。
- 半導体ウェハが連続する液膜で覆われている時点から、前記半導体ウェハをオゾン含有雰囲気に曝すことを特徴とする、請求項１から９までのいずれか１項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102007027112A DE102007027112B4 (de) | 2007-06-13 | 2007-06-13 | Verfahren zur Reinigung, Trocknung und Hydrophilierung einer Halbleiterscheibe |
| DE102007027112.5 | 2007-06-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008311660A true JP2008311660A (ja) | 2008-12-25 |
| JP4763756B2 JP4763756B2 (ja) | 2011-08-31 |
Family
ID=39986047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008155145A Active JP4763756B2 (ja) | 2007-06-13 | 2008-06-13 | 半導体ウェハを洗浄、乾燥及び親水化する方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9230794B2 (ja) |
| JP (1) | JP4763756B2 (ja) |
| KR (1) | KR100962624B1 (ja) |
| CN (1) | CN101325152B (ja) |
| DE (1) | DE102007027112B4 (ja) |
| SG (1) | SG148943A1 (ja) |
| TW (1) | TWI375987B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014212213A (ja) * | 2013-04-18 | 2014-11-13 | 信越半導体株式会社 | シリコンウエーハの研磨方法およびエピタキシャルウエーハの製造方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5317529B2 (ja) | 2008-05-02 | 2013-10-16 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 半導体ウェーハの処理方法及び処理装置 |
| KR101591135B1 (ko) * | 2009-07-16 | 2016-02-02 | 램 리서치 아게 | 반도체 웨이퍼의 건조 방법 |
| DE102010063178B4 (de) * | 2010-12-15 | 2014-05-22 | Siltronic Ag | Verfahren zur Reinigung einer Halbleiterscheibe aus Silizium unmittelbar nach einer Politur der Halbleiterscheibe |
| CN102251242A (zh) * | 2011-07-05 | 2011-11-23 | 国电宁夏太阳能有限公司 | 多晶硅清洗方法 |
| JP6894264B2 (ja) * | 2016-03-25 | 2021-06-30 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0756323A (ja) * | 1993-08-11 | 1995-03-03 | Nikon Corp | 基板洗浄装置 |
| JP2001053050A (ja) * | 1999-06-01 | 2001-02-23 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 半導体基板の洗浄方法 |
| JP2007049176A (ja) * | 1999-07-23 | 2007-02-22 | Semitool Inc | 半導体ウエハ等のワークピースを処理するための方法及び装置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5714203A (en) | 1995-08-23 | 1998-02-03 | Ictop Entwicklungs Gmbh | Procedure for the drying of silicon |
| US20050034745A1 (en) * | 1997-05-09 | 2005-02-17 | Semitool, Inc. | Processing a workpiece with ozone and a halogenated additive |
| US6701941B1 (en) * | 1997-05-09 | 2004-03-09 | Semitool, Inc. | Method for treating the surface of a workpiece |
| US20020157686A1 (en) * | 1997-05-09 | 2002-10-31 | Semitool, Inc. | Process and apparatus for treating a workpiece such as a semiconductor wafer |
| US6869487B1 (en) | 1997-05-09 | 2005-03-22 | Semitool, Inc. | Process and apparatus for treating a workpiece such as a semiconductor wafer |
| EP0905747B1 (en) | 1997-09-24 | 2005-11-30 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw | Method and apparatus for removing a liquid from a surface of a rotating substrate |
| DE19801360A1 (de) * | 1998-01-16 | 1999-07-22 | Sez Semiconduct Equip Zubehoer | Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von Halbleiter-Oberflächen |
| US6295998B1 (en) | 1999-05-25 | 2001-10-02 | Infineon Technologies North America Corp. | Temperature controlled gassification of deionized water for megasonic cleaning of semiconductor wafers |
| US7021319B2 (en) | 2000-06-26 | 2006-04-04 | Applied Materials Inc. | Assisted rinsing in a single wafer cleaning process |
| DE10036691A1 (de) | 2000-07-27 | 2002-02-14 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur chemischen Behandlung von Halbleiterscheiben |
-
2007
- 2007-06-13 DE DE102007027112A patent/DE102007027112B4/de active Active
-
2008
- 2008-05-13 KR KR1020080044075A patent/KR100962624B1/ko active IP Right Grant
- 2008-06-06 US US12/134,378 patent/US9230794B2/en active Active
- 2008-06-10 SG SG200804381-2A patent/SG148943A1/en unknown
- 2008-06-11 TW TW097121724A patent/TWI375987B/zh active
- 2008-06-11 CN CN200810125954XA patent/CN101325152B/zh active Active
- 2008-06-13 JP JP2008155145A patent/JP4763756B2/ja active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0756323A (ja) * | 1993-08-11 | 1995-03-03 | Nikon Corp | 基板洗浄装置 |
| JP2001053050A (ja) * | 1999-06-01 | 2001-02-23 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 半導体基板の洗浄方法 |
| JP2007049176A (ja) * | 1999-07-23 | 2007-02-22 | Semitool Inc | 半導体ウエハ等のワークピースを処理するための方法及び装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014212213A (ja) * | 2013-04-18 | 2014-11-13 | 信越半導体株式会社 | シリコンウエーハの研磨方法およびエピタキシャルウエーハの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9230794B2 (en) | 2016-01-05 |
| KR100962624B1 (ko) | 2010-06-11 |
| SG148943A1 (en) | 2009-01-29 |
| JP4763756B2 (ja) | 2011-08-31 |
| US20080308122A1 (en) | 2008-12-18 |
| TWI375987B (en) | 2012-11-01 |
| KR20080109605A (ko) | 2008-12-17 |
| CN101325152B (zh) | 2010-06-23 |
| TW200849358A (en) | 2008-12-16 |
| CN101325152A (zh) | 2008-12-17 |
| DE102007027112A1 (de) | 2008-12-18 |
| DE102007027112B4 (de) | 2011-06-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100723 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101028 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101227 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110511 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110609 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140617 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4763756 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140617 Year of fee payment: 3 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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