JP4831216B2 - ウェーハ表面処理方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 76
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 title claims description 34
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 153
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 77
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 77
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 77
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 46
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 27
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 25
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 19
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 15
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 7
- 239000012756 surface treatment agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 claims description 5
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 4
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 183
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 111
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 92
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 84
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 44
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 43
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 28
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 19
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 17
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 17
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 16
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 13
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 10
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000009789 rate limiting process Methods 0.000 description 1
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02054—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process combining dry and wet cleaning steps
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02046—Dry cleaning only
- H01L21/02049—Dry cleaning only with gaseous HF
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
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Description
(a) 拡散律速型処理による化学反応を伴うウェーハ表面処理方法において、ウェーハ表面に付着した異物等によるウェーハ表面の不均質性が、反応ムラの主たる要因となっていること。
(b) 上記拡散律速型処理工程に先立ち、ウェーハ表面の均質化を図る工程を設けることが、反応ムラを抑制する上で有効であること。
(c) 上記拡散律速型処理工程の前に、所定の反応律速型処理工程を設けることが、ウェーハ表面の均質化を図る上で有効であること。
(1)化学処理を伴うウェーハ表面処理方法であって、前記化学処理が、単一の表面処理剤を用いた表面処理工程及び/または複数の表面処理剤を用いた表面処理工程を含む反応律速型処理工程と、該反応律速型処理工程に続く拡散律速型処理工程とを具え、前記反応律速型処理工程は、酸化処理と該酸化処理に続く還元処理とからなる気相反応処理工程であることを特徴とする、ウェーハ表面処理方法。
(実施例1)
SC1洗浄を施した直径300mmのシリコンウェーハに対し、図3に示す処理装置を用いて、以下(1)〜(5)の処理を順次施した。なお、ウェーハの回転数は50rpmとした。
(1) オゾンガス処理
(ガス濃度:200ppm,ガス流量:5L/min,処理時間:60sec,処理温度:20℃)
(2) フッ化水素ガス処理
(ガス濃度:5000ppm,ガス流量:5L/min,処理時間:60sec,処理温度:20℃)
(3) オゾン水処理
(オゾン水濃度:10ppm,流量:5L/min,処理時間:60sec,処理温度:20℃)
(4) フッ酸処理
(フッ酸濃度:1%,流量:5L/min,処理時間:60sec,処理温度:20℃)
(5) オゾン水処理
(オゾン水濃度:10ppm,流量:5L/min,処理時間:60sec,処理温度:20℃)
実施例と同一条件のSC1洗浄を施した直径300mmのシリコンウェーハに対し、上記 (3)〜(5)の処理を順次施した。
実施例と同一条件のSC1洗浄を施した直径300mmのシリコンウェーハに対し、上記(1), (3)〜(5)の処理を順次施した。
実施例と同一条件のSC1洗浄を施した直径300mmのシリコンウェーハに対し、上記(2)〜(5)の処理を順次施した。
実施例1、参考例1、2および比較例1のシリコンウェーハについて、以下の方法によりウェーハ表面性状を測定した。すなわち、KLAテンコール社製のSurfScanSP2パーティクルカウンタを使用して、表面処理前および表面処理後それぞれにおける、ウェーハ表面上の0.08μm以下のLPDの個数をカウントした。
図4(a)〜(c)は実施例1の測定結果で、(a)はSC1洗浄処理前、(b)は上記(2)フッ化水素ガス処理後、(c)は上記(5)オゾン水処理後におけるウェーハ表面上のLPDの分布および個数をそれぞれ示す。図5(a)および(b)は比較例1の測定結果で、(a)は上記(3)オゾン水処理前、(b)は上記(5)オゾン水処理後におけるウェーハ表面上のLPDの分布および個数をそれぞれ示す。図6(a)および(b)は参考例1の測定結果で、(a)は上記(1)オゾンガス処理前、(b)は上記(5)オゾン水処理後におけるウェーハ表面上のLPDの分布および個数をそれぞれ示す。図7(a)および(b)は参考例2の測定結果で、(a)は上記(2)フッ化水素ガス処理前、(b)は上記(5)オゾン水処理後におけるウェーハ表面上のLPDの分布および個数をそれぞれ示す。
ウェット処理である拡散律速型処理工程のみを用いた比較例1では、図5(b)に示すように、LPD欠陥のレベルが十分に抑えられていない。一方、拡散律速型処理工程前に2工程の反応律速型処理工程を設けた表面処理を施した実施例1では、図4(c)に示すように、LPD欠陥のレベルが最も低レベルに抑えられている。ここで、図4(a)のLPD欠陥レベルと比較して図4(b)のLPD欠陥レベルが増加している理由としては、オゾンガス処理およびフッ化水素ガス処理を行った後の段階においてはウェーハ表面が均質化されるがこの段階ではLPDは除去されないこと、また、このオゾンガス処理およびフッ化水素ガス処理によって、ウェーハ表層部に残留しているLPDが分解するために、検出されるLPDの個数が増加し、その結果、LPD欠陥レベルが増大したためであることが推測される。
また、拡散律速型処理工程前に1工程の反応律速型処理工程を設けて表面処理を施した参考例1および参考例2のシリコンウェーハでは、2工程の反応律速型処理工程を設けた実施例1には劣るものの、図6(b)および図7(b)に示すようにLPD欠陥のレベルは比較的低レベルに抑えられている。
2 … ガス供給カップ
3 … チャンバ
w … ウェーハ
Claims (3)
- 化学処理を伴うウェーハ表面処理方法であって、前記化学処理が、単一の表面処理剤を用いた表面処理工程及び/または複数の表面処理剤を用いた表面処理工程を含む反応律速型処理工程と、該反応律速型処理工程に続く拡散律速型処理工程とを具え、
前記反応律速型処理工程は、酸化処理と該酸化処理に続く還元処理とからなる気相反応処理工程であることを特徴とする、ウェーハ表面処理方法。 - 前記拡散律速型処理工程が、液相反応処理工程であることを特徴とする、請求項1に記載のウェーハ表面処理方法。
- 請求項1又は2に記載のウェーハ表面処理方法を用いることを特徴とする、シリコンウェーハの表面洗浄方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009175226A JP4831216B2 (ja) | 2009-07-28 | 2009-07-28 | ウェーハ表面処理方法 |
KR1020127005066A KR101468877B1 (ko) | 2009-07-28 | 2010-07-27 | 웨이퍼 표면 처리 방법 |
US13/384,889 US20120122316A1 (en) | 2009-07-28 | 2010-07-27 | Method for surface treatment of a wafer |
DE112010003101.0T DE112010003101B4 (de) | 2009-07-28 | 2010-07-27 | Verfahren zur Oberflächenbehandlung eines Wafers |
PCT/JP2010/004775 WO2011013356A1 (ja) | 2009-07-28 | 2010-07-27 | ウェーハ表面処理方法 |
TW099124911A TWI460782B (zh) | 2009-07-28 | 2010-07-28 | 晶圓表面處理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009175226A JP4831216B2 (ja) | 2009-07-28 | 2009-07-28 | ウェーハ表面処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011029486A JP2011029486A (ja) | 2011-02-10 |
JP4831216B2 true JP4831216B2 (ja) | 2011-12-07 |
Family
ID=43529026
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009175226A Active JP4831216B2 (ja) | 2009-07-28 | 2009-07-28 | ウェーハ表面処理方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120122316A1 (ja) |
JP (1) | JP4831216B2 (ja) |
KR (1) | KR101468877B1 (ja) |
DE (1) | DE112010003101B4 (ja) |
TW (1) | TWI460782B (ja) |
WO (1) | WO2011013356A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6099996B2 (ja) * | 2013-01-29 | 2017-03-22 | 信越半導体株式会社 | オゾン水を用いた洗浄方法及び洗浄装置 |
CN109755099B (zh) * | 2017-11-01 | 2022-04-08 | 天津环鑫科技发展有限公司 | 一种硅片扩散后清洗工艺 |
DE102019216438A1 (de) * | 2019-10-25 | 2021-04-29 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Erzeugen von hydrophilen Oberflächen oder Oberflächenbereichen auf einem Träger |
JP2024071899A (ja) * | 2022-11-15 | 2024-05-27 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの洗浄方法、シリコンウェーハの製造方法、及びシリコンウェーハ |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05326464A (ja) * | 1992-05-15 | 1993-12-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板表面の気相洗浄方法 |
JPH10199847A (ja) * | 1997-01-08 | 1998-07-31 | Sony Corp | ウエハの洗浄方法 |
US20050215063A1 (en) * | 1997-05-09 | 2005-09-29 | Bergman Eric J | System and methods for etching a silicon wafer using HF and ozone |
US6239039B1 (en) * | 1997-12-09 | 2001-05-29 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Semiconductor wafers processing method and semiconductor wafers produced by the same |
JP3491523B2 (ja) * | 1998-04-15 | 2004-01-26 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウエーハの加工方法 |
JP3419439B2 (ja) * | 1998-07-31 | 2003-06-23 | 三菱住友シリコン株式会社 | 半導体基板を洗浄する方法 |
JP2001269631A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄装置 |
JP2002134478A (ja) * | 2000-10-25 | 2002-05-10 | Hitachi Ltd | オゾン処理装置 |
DE102004054566B4 (de) * | 2004-11-11 | 2008-04-30 | Siltronic Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Einebnen einer Halbleiterscheibe sowie Halbleiterscheibe mit verbesserter Ebenheit |
JP4827587B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2011-11-30 | Sumco Techxiv株式会社 | シリコンウェーハの製造方法 |
-
2009
- 2009-07-28 JP JP2009175226A patent/JP4831216B2/ja active Active
-
2010
- 2010-07-27 KR KR1020127005066A patent/KR101468877B1/ko active IP Right Grant
- 2010-07-27 US US13/384,889 patent/US20120122316A1/en not_active Abandoned
- 2010-07-27 DE DE112010003101.0T patent/DE112010003101B4/de active Active
- 2010-07-27 WO PCT/JP2010/004775 patent/WO2011013356A1/ja active Application Filing
- 2010-07-28 TW TW099124911A patent/TWI460782B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120122316A1 (en) | 2012-05-17 |
KR101468877B1 (ko) | 2014-12-04 |
KR20120041770A (ko) | 2012-05-02 |
DE112010003101B4 (de) | 2017-05-11 |
TWI460782B (zh) | 2014-11-11 |
DE112010003101T5 (de) | 2012-10-04 |
JP2011029486A (ja) | 2011-02-10 |
TW201115642A (en) | 2011-05-01 |
WO2011013356A1 (ja) | 2011-02-03 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101026 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101216 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110607 |
|
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