JP2008227720A - 伝送線路接続構造 - Google Patents

Abstract

【課題】伝送損失を軽減させて基板間接続部分におけるインピーダンス整合をとる。
【解決手段】伝送線路接続構造は、誘電体基板上に中心導体４ａ，４ｂが設けられた一対のマイクロストリップ線路基板３ａ，３ｂを所定間隔のエアーギャップＡを空けて導電性基材としてのケース２ａに配置し、一対のマイクロストリップ線路基板３ａ，３ｂ間の中心導体４ａ，４ｂの端点同士が導電性を有する線路接続導体５で接続される。一対のマイクロストリップ線路基板３ａ，３ｂ間のエアーギャップ６Ａには、線路接続導体５の全てをまとめて被覆した状態で比誘電率が１より大きい接着剤７を充填する。
【選択図】図１

Description

本発明は、例えばマイクロストリップ型伝送線路やコプレーナ型伝送線路等の基板間接続部分の特性インピーダンスを安定させて伝送損失を軽減する伝送線路接続構造に関するものである。

従来、アナログ・ディジタル携帯電話、ＰＨＳ端末に代表される移動体通信機器や無線ＬＡＮ、車載レーダ機器などのマイクロ波・ミリ波を用いた通信、計測、レーダ機器などの様々な電子機器にマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ：Microwave Monolithic Integrated Circuit ）が用いられている。このＭＭＩＣは、例えば絶縁性基板上に形成された電解効果トランジスタ（ＦＥＴ：Field effect transistor ）と、信号を伝送する伝送線路から構成される。

伝送線路としては、例えば絶縁性基板の表面に導体ワイヤや導体リボンなどの配線、裏面に接地導体を有するマイクロストリップ型伝送線路や、絶縁性基板の表面に配線と接地導体の両方を形成したコプレーナ型伝送線路などが知られている。そして、５０Ωの伝送線路を構築する場合には、どの微小区間においても単位長さ当りの（Ｌ／Ｃ）^1/2 が５０となるように設計されている。しかしながら、このような５０Ω伝送線路を構築する場合、各基板間接続部分の配線や基板−ＭＭＩＣ間配線にインダクタ成分が生じ、このインダクタ成分によって基板間接続部分のインピーダンスが５０Ωからかけ離れてしまい、インピーダンスの整合をとるのが困難であった。

このインピーダンスの不整合が起きる原因としては、インダクタ（Ｌ）成分が大きいかコンダクタ（Ｃ）成分が小さいか、或いはその複合によるものと考えられる。このため、各基板間や基板−ＭＭＩＣ間の接続部分の配線を短くしたり、配線の本数を増やし、さらにはＰＡＤの寸法を増やすことによって配線のインダクタ成分をキャンセルし、トータルでインピーダンスを５０Ωにする方法が用いられていた。しかしながら、上記方法を採用した場合、配線の本数を増やすことによってインダクタ成分が多少は軽減するものの、所定本数以上になると差程効果が変わらなくなり、また低域のインピーダンスしか改善することができないという問題があった。そして、上記問題を解決するための別の方法としては、例えば特許文献１に開示されるものが公知である。

特許文献１には、マイクロストリップ線路基板同士を接続したマイクロ波回路の形態と、マイクロストリップ線路基板の代わりにコプレーナ線路基板同士を接続したマイクロ波回路の形態とがそれぞれ記載されている。図９及び図１０はマイクロストリップ線路基板同士を接続したマイクロ波回路の構成を示している。図９及び図１０において、１０１ａ及び１０１ｂは金属ブロック、１０２はケース又はシャーシ、１０３は導体リボン又は導体ワイヤなどの配線、１０４ａ，１０４ｂはマイクロストリップ線路基板、１０５ａ，１０５ｂは誘電体基板、１０６ａ，１０６ｂはストリップ導体、１０７はギャップ、１０８ａ，１０８ｂは接地導体、１０９はシリコン系接着剤などの樹脂製接着剤である。

図９及び図１０に示す構成によれば、マイクロ波又はミリ波をマイクロストリップ線路基板間で反射することなく伝送することができ、またマイクロストリップ線路基板間に所定のギャップを設けることで、マイクロ波回路の周囲温度変化に対してマイクロストリップ線路基板が膨張、収縮してもマイクロストリップ線路基板の干渉による破損を防ぐことができる。さらに、マイクロストリップ線路基板については従来のままで特に加工を必要とせず、樹脂性接着剤の素材及び量を加減しながら充填でき、インピーダンス整合の調整が容易に行え作業性が改善される。

また、図１１及び図１２はコプレーナ線路基板同士を接続したマイクロ波回路の構成を示している。図１１及び図１２において、１０５ｃ，１０５ｄは誘電体基板、１０６ｃ，１０６ｄは上記誘電体基板１０５ｃ，１０５ｄ上面に構成されたストリップ導体、１０８ｃ〜１０８ｆは接地導体である。尚、図中において１０１ａ，１０１ｂ，１０２，１０３，１０７，１０９は図９及び図１０で説明したものと同一である。

そして、この場合もマイクロ波又はミリ波をコプレーナ線路基板間で反射することなく伝送することができ、又コプレーナ線路基板間に所定のギャップを設けることで、マイクロ波回路の周囲温度変化に対してコプレーナ線路基板が膨張、収縮してもコプレーナ線路基板の干渉による破損を防止することができる。また、樹脂性接着剤の素材及び量を加減しながら充填でき、インピーダンス整合の調整が容易に行え作業性が改善される。
特開平１０−２５６８０１号公報

特許文献１に開示されたマイクロストリップ線路基板におけるマイクロ波回路は、配線と接地導体（ＧＮＤ）との間にインピーダンスを低くするために樹脂製接着剤を充填している。しかしながら、この構成では、配線と樹脂製接着剤との間に比誘電率が１の空気層からなるギャップが介在する。このため、接地導体に対して最小の容量となり、結果としてインピーダンスの整合がとれないという問題があった。また、コプレーナ線路基板を用いたマイクロ波回路でも、同様にストリップ導体間の配線と接地導体間の配線との間に比誘電率が１の空気層からなるギャップが存在しているため、インピーダンスの整合がとれなかった。

そこで、本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、例えばマイクロ波・ミリ波回路における基板間接続部分で生じるインダクタ成分を減少させて所望のインピーダンスに整合することができる伝送線路接続構造を提供することを目的とするものである。

上記した目的を達成するために、請求項１記載の伝送線路接続構造は、誘電体基板上に中心導体４ａ，４ｂが設けられた一対のマイクロストリップ線路基板３ａ，３ｂを所定間隔を空けて導電性基材２ａに配置し、前記一対のマイクロストリップ線路基板間の中心導体の端点同士が線路接続導体５で接続された伝送線路接続構造において、
前記線路接続導体５の全てをまとめて被覆した状態で前記一対のマイクロストリップ線路基板間のエアーギャップ６Ａに比誘電率が１より大きい接着剤７を充填したことを特徴とする。

請求項２記載の伝送線路接続構造は、誘電体基板の上面中央部分に中心導体４ｃ，４ｄが設けられるとともに、前記中心導体の両側に所定間隔を空けて接地導体９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄが設けられた一対のコプレーナ線路基板８ａ，８ｂを所定間隔を空けて導電性基材２ｂに配置し、前記一対のコプレーナ線路基板間の中心導体の端点同士および前記接地導体の端点同士が線路接続導体５で接続された伝送線路接続構造において、
比誘電率が１より大きい接着剤７で少なくとも前記線路接続導体の全てをまとめて被覆したことを特徴とする。

請求項３記載の伝送線路接続構造は、誘電体基板上に中心導体４ｅが設けられたマイクロストリップ線路基板３ｃと、誘電体基板上面中央部分に中心導体４ｆが配設されるとともに、前記中心導体の両側に所定間隔を空けて接地導体９ｅ，９ｆが設けられたコプレーナ線路構造を有するＭＭＩＣ１０とを所定間隔を空けて導電性基材２ｄに配置し、前記マイクロストリップ線路基板の中心導体と前記ＭＭＩＣの中心導体との間及び前記ＭＭＩＣの接地導体と前記導電性基材との間が線路接続導体５で接続された伝送線路接続構造において、
前記線路接続導体の全てをまとめて被覆した状態で前記マイクロストリップ線路基板と前記ＭＭＩＣとの間のエアーギャップ６Ｃに比誘電率が１より大きい接着剤７を充填したことを特徴とする。

本発明に係る伝送線路接続構造によれば、一対のコプレーナ線路基板同士間の接続に関しては、比誘電率が１より大きい接着剤によって少なくとも線路接続導体の全てをまとめて被覆する構成とし、また一対のマイクロストリップ線路基板同士間の接続やマイクロストリップ線路基板とコプレーナ線路構造を有するＭＭＩＣとの間の接続に関しては、線路接続導体の全てをまとめて被覆した状態で基板間や基板とＭＭＩＣ間のエアーギャップに比誘電率が１より大きい接着剤を充填する構成とすることにより、全ての線路接続導体が直接空気に触れるのを防ぐことができるとともに、線路接続導体の微小区間毎に、より大きな微小容量を付けることができ、インピーダンス整合がとれた信頼性の高い伝送線路接続構造を提供することができる。

以下、本発明を実施するための最良の形態である第１形態〜第３形態の伝送線路接続構造について、それぞれ添付した図面を参照しながら詳細に説明する。

図１は本発明に係る伝送線路接続構造の第１形態を説明するための平面図、図２は第１形態における伝送線路接続構造の断面図、図３は第１形態における伝送線路接続構造と従来の伝送線路接続構造との電気特性評価実験に係る特性インピーダンスの変化を示す図、図４は本発明に係る伝送線路接続構造の第２形態を説明するための平面図、図５は第２形態における伝送線路接続構造の断面図、図６は同第２形態における他の構成を説明するための断面図、図７は本発明に係る伝送線路接続構造の第３形態を説明するための平面図、図８は第３形態における伝送線路接続構造の断面図である。

まず、本発明に係る伝送線路接続構造の第１形態について図１及び図２を参照しながら説明する。第１形態の伝送線路接続構造は、伝送線路モジュール１ａに実装される一対のマイクロストリップ線路基板間における伝送線路接続構造である。

第１形態の伝送線路接続構造は、高周波ノイズなどの不要な電波などを遮断するようにシールドされた接地導体（ＧＮＤ）を兼ねる金属製のケース２ａを導電性基材としている。この導電性基材をなすケース２ａの上には、誘電体からなる一対のマイクロストリップ線路基板３ａ，３ｂが所定間隔のエアーギャップＡを空けて固着して取り付けられている。マイクロストリップ線路基板３ａの上面中央部分には、マイクロ波またはミリ波を伝送するための中心導体４ａが設けられている。同様に、マイクロストリップ線路基板３ｂの上面中央部分にも、マイクロ波またはミリ波を伝送するための中心導体４ｂが中心導体４ａと対向して設けられている。そして、この一対のマイクロストリップ線路基板３ａ，３ｂに設けられた中心導体４ａ，４ｂ間は、例えば導体ワイヤや導体リボン等の導電性を有する線路接続導体５（図１の例では３本）により接続されている。

さらに、図２に示すように、エアーギャップＡ中の中心導体４ａ（４ｂ）幅のエアーギャップ６Ａ部分には、中心導体４ａ，４ｂの端点同士を接続する全ての線路接続導体５をまとめて被覆しつつ、ケース２ａの表面に及ぶようにして接着剤７が充填されている。これにより、中心導体４ａ，４ｂの端点同士を接続する全ての線路接続導体５が直接空気に触れないようにしている。接着剤７としては、誘電損失が少なく、且つ、比誘電率が１より大きい材料が好ましい。具体的には、硬化時や硬化後に発生する有機性アウトガスの発生が極力少ないアクリル系もしくはエポキシ系の紫外線硬化型接着剤が好適である。

上記構成による第１形態の伝送線路接続構造では、伝送線路モジュール１ａに入力されたマイクロ波またはミリ波を、中心導体４ａ（４ｂ）から線路接続導体５を介して中心導体４ｂ（４ａ）に伝送している。

なお、上述した第１形態において、一対のマイクロストリップ線路基板３ａ，３ｂの下面に電気伝導体で基準電位点となる接地導体（不図示）を備えた構成とし、一対のマイクロストリップ線路基板３ａ，３ｂの上面に設けられた中心導体４ａ，４ｂ間を接続する全ての線路接続導体５を被覆した状態でエアーギャップ６Ａに接着剤７を充填しても、上述した形態と同様の効果が得られる。

また、図１及び図２の例では、全ての線路接続導体５をまとめて被覆した状態でエアーギャップ６Ａ（エアーギャップＡの一部）に接着剤７を充填する構成としたが、全ての線路接続導体５をまとめて被覆した状態でエアーギャップＡ全体に接着剤７を充填しても良い。

次に、上述した第１形態の伝送線路接続構造と従来のマイクロストリップ線路基板間の伝送線路接続構造（接着剤７が無い構造）との特性インピーダンス評価実験について説明する。

本実験では、５０Ω伝送線路としてマイクロストリップ線路基板間のエアーギャップを１３０μｍとし、接着剤７に紫外線硬化型接着剤を使用し、線路接続導体５にＡｕワイヤ（φ２０μｍ）３本配線してインピーダンス特性を評価した。具体的には、金属製のケース２ａに設けられたコネクタ（不図示）の中心導体とマイクロストリップ線路の中心導体４ａ（４ｂ）とを接続する。そして、ＴＤＲ（Time Domain Reflectometer ）を用いて、ＴＤＲからの出力信号を金属ケースのコネクタを介して入力し、当該出力信号に対する反射特性を測定した。

図３に示すように、従来のマイクロストリップ線路基板を採用した伝送線路接続構造では、特性インピーダンスＺ＝５５．１〔Ω〕であったのに対し、本例の第１形態における伝送線路接続構造は、特性インピーダンスＺ＝５３．２〔Ω〕となった。この結果、本例の第１形態の伝送線路接続構造のように、全ての線路接続導体５をまとめて被覆するように、マイクロストリップ線路基板間のエアーギャップに接着剤７を充填することにより、従来の伝送線路接続構造に比べて特性インピーダンスをより低減することができた。

次に、本発明に係る伝送線路接続構造の第２形態について図４〜図６を参照しながら説明する。第２形態の伝送線路接続構造は、伝送線路モジュール１ｂに実装される一対のコプレーナ線路基板（Coplanar Waveguide :ＣＰＷ）間における伝送線路接続構造である。なお、以下に説明する第２形態において、上述した第１形態と同一構成部分については同一番号を付して説明する。

図４または図５に示すように、第２形態の伝送線路接続構造は、高周波ノイズなどの不要な電波などを遮断するようにシールドされた接地導体（ＧＮＤ）を兼ねる金属製のケース２ｂを導電性基材としている。この導電性基材をなすケース２ｂの上には、誘電体からなる一対のコプレーナ線路基板８ａ，８ｂが所定間隔のエアーギャップＢを空けて固着して取り付けられている。コプレーナ線路基板８ａの上面中央部分には、マイクロ波またはミリ波を伝送するための中心導体４ｃが設けられている。また、この中心導体４ｃの両側には、所定間隔を空けて接地導体９ａ，９ｂが設けられている。同様に、コプレーナ線路基板８ｂの上面中央部分にも、マイクロ波またはミリ波を伝送するための中心導体４ｄが中心導体４ｃと対向して設けられている。また、この中心導体４ｄの両側にも、所定間隔を空けて接地導体９ｃ，９ｄが接地導体９ａ，９ｂと対向して設けられている。そして、この一対のコプレーナ線路基板８ａ，８ｂの上面に設けられた中心導体４ｃ，４ｄの端点間、接地導体９ａ，９ｃの端点と９ｂ，９ｄの端点との間は、例えば導体ワイヤや導体リボン等の導電性を有する線路接続導体５（図４の例では５本）によってそれぞれ接続されている。

さらに、図５に示すように、一対のコプレーナ線路基板８ａ，８ｂ上面に設けられた中心導体４ｃ，４ｄの端点同士や接地導体９ａ，９ｂ、９ｃ，９ｄの端点同士を接続する全ての線路接続導体５をまとめて被覆するように接着剤７が充填されている。これにより、中心導体４ｃ，４ｄの端点同士や接地導体９ａ，９ｂ、９ｃ，９ｄの端点同士を接続する全ての線路接続導体５が直接空気に触れないようにしている。接着剤７は、前述したように、誘電損失が少なく、且つ、比誘電率が１より大きい材料が好ましく、具体的にはアクリル系やエポキシ系の紫外線硬化型接着剤を用いることができる。

上記構成による第２形態の伝送線路接続構造では、第１形態と同様、伝送線路モジュール１ｂに入力されたマイクロ波またはミリ波を、中心導体４ｃ（４ｄ）から線路接続導体５を介して中心導体４ｄ（４ｃ）に伝送している。

ところで、コプレーナ線路としては、上記第２形態における接地導体９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄ以外に、導電性基材としての金属製のケース２ｃが接地導体（ＧＮＤ）を兼ねたグランデッドコプレーナ線路基板８ｃ，８ｄ（グランデッドＣＰＷ）も知られている。この構成では、接地導体９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄだけでなく、ケース２ｃにも中心導体４ｃ，４ｄからの電波が及ぶので、図６に示すように、接着剤７が全ての線路接続導体５をまとめて被覆するだけでなく、ケース２ｃの表面に及ぶように一対のグランデッドコプレーナ線路基板８ｃ，８ｄ間のエアーギャップ６Ｂにも接着剤７を充填する。

なお、第１形態と同様に、コプレーナ線路基板８ａ，８ｂの下面に電気伝導体で基準電位点となる接地導体（不図示）を備えた構成としたり、またグランデッドコプレーナ線路基板８ｃ，８ｄの下面に電気伝導体で基準電位点となる接地導体（不図示）を備えた構成とし、全ての線路接続導体５をまとめて被覆した状態でエアーギャップ６ＢまたはエアーギャップＢ全体に接着剤７を充填しても、上述した形態と同様の効果が得られる。

次に、本発明に係る伝送線路接続構造の第３形態について図７および図８を参照しながら説明する。第３形態の伝送線路接続構造は、伝送線路モジュール１ｄに実装されるマイクロストリップ線路基板とコプレーナ線路構造を有するマイクロ波集積回路（以下、ＭＭＩＣと記す）との間における伝送線路接続構造である。なお、以下に説明する第３形態において、上述した第１形態や第２形態と同一構成部分については同一番号を付して説明する。

図７および図８に示すように、第３形態における伝送線路接続構造は、高周波ノイズなどの不要な電波などを遮断するようにシールドされた接地（ＧＮＤ）を兼ねる金属製のケース２ｄを導電性基材としている。この導電性基材をなすケース２ｄの上には、上面中央部分に中心導体４ｅを備えた誘電体からなるマイクロストリップ線路基板３ｃが固着して取り付けられている。

また、金属製のケース２ｄの上には、マイクロストリップ線路基板３ｃと近接するように所定間隔のエアーギャップＣを空けてＭＭＩＣ１０が固着して取り付けられている。このＭＭＩＣ１０は、上面中央部分にマイクロ波またはミリ波を伝送するための中心導体４ｆが設けられ、中心導体４ｆの両側に所定間隔を空けて接地導体９ｅ，９ｆがそれぞれ設けられたコプレーナ線路構造である。また、マイクロストリップ線路基板３ｃに設けられた中心導体４ｅとＭＭＩＣ１０の中心導体４ｆとの間は、例えば導体ワイヤや導体リボン等の導電性を有する線路接続導体５で接続されている。同様に、ケース２ｄとＭＭＩＣ１０に設けられた接地導体９ｅ，９ｆとの間も線路接続導体５で接続されている。

さらに、図８に示すように、マイクロストリップ線路基板３ｃとＭＭＩＣ１０との間のエアーギャップ６Ｃ（エアーギャップＣの一部）には、マイクロストリップ線路基板３ｃとＭＭＩＣ１０との間、ＭＭＩＣ１０とケース２ｄとの間を接続する全ての線路接続導体５をまとめて被覆した状態でケース２ｄの表面に及ぶように接着剤７が充填されている。これにより、マイクロストリップ線路基板３ｃとＭＭＩＣ１０との間、ＭＭＩＣ１０とケース２ｄとの間に接続された全ての線路接続導体５が直接空気に触れないようにしている。接着剤７は、前述したように、誘電損失が少なく、且つ、比誘電率が１より大きい材料が好ましい。特に、マイクロストリップ線路基板３ｃとＭＭＩＣ１０との間の接続においては、使用する接着剤７に有機溶剤の成分が残留していると、その有機性アウトガスによりＭＭＩＣ１０の内部回路にダメージを与える可能性があるため、このアウトガスの発生が少ない紫外線硬化型接着剤を用いるのが好ましい。

上記構成による第３形態の伝送線路接続構造では、第１形態や第２形態と同様に、伝送線路モジュール１ｄに入力されたマイクロ波またはミリ波を、中心導体４ｅ（４ｆ）から線路接続導体５を介して中心導体４ｆ（４ｅ）に伝送している。

なお、上述した第３形態において、マイクロストリップ線路基板３ｃとＭＭＩＣ１０の下面に電気伝導体で基準電位点となる接地導体（不図示）を備えた構成とし、マイクロストリップ線路基板３ｃとＭＭＩＣ１０間に接続された全ての線路接続導体５をまとめて被覆した状態でマイクロストリップ線路基板３ｃとＭＭＩＣ１０との間のエアーギャップ６ＣまたはエアーギャップＣ全体に接着剤７を充填しても、上述した形態と同様の効果が得られる。

また、図７及び図８の例では、全ての線路接続導体５をまとめて被覆した状態でエアーギャップ６Ｃ（エアーギャップＣの一部）に接着剤７を充填する構成としたが、全ての線路接続導体５をまとめて被覆した状態でエアーギャップＣ全体に接着剤７を充填しても良い。

このように、上述した第１形態の伝送線路接続構造は、一対のマイクロストリップ線路基板３ａ，３ｂ間に接続された全ての線路接続導体５をまとめて被覆した状態で一対のマイクロストリップ線路基板３ａ，３ｂ間のエアーギャップ６Ａに接着剤７を充填している。

これにより、全ての線路接続導体５がまとめて接着剤７で被覆され、全ての線路接続導体５が直接空気に触れることを防ぐとともに、線路接続導体５の微小区間毎により大きな微小容量を付けることができるので、この結果、ケース２ａと線路接続導体５との間に存在した空気層によって生じるインピーダンスの不整合を防止することができる。

また、第２形態の伝送線路接続構造は、コプレーナ線路基板８ａ，８ｂ間に接続された全ての線路接続導体５を少なくともまとめて被覆するように接着剤７を充填することにより、全ての線路接続導体５が直接空気に触れることなく線路接続導体５の微小区間毎により大きな微小容量を付けることができるので、第１形態と同様、ケース２ｂと線路接続導体５と間に存在した空気層によって生じるインピーダンスの不整合を防止することができる。

さらに、第２形態の他の構成であるグランデッドコプレーナ線路基板８ｃ，８ｄを採用した場合であっても、グランデッドコプレーナ線路基板８ｃ，８ｄ間に接続された全ての線路接続導体５をまとめて被覆した状態で一対のグランデッドコプレーナ線路基板８ｃ，８ｄ間のエアーギャップ６Ｂに接着剤７を充填することにより、全ての線路接続導体５が直接空気に触れることを防ぐとともに、線路接続導体５の微小区間毎により大きな微小容量を付けることができるので、上記形態と同様の効果を奏する。

また、第３形態の伝送線路接続構造は、マイクロストリップ線路基板３ｃとＭＭＩＣ１０との間に接続された全ての線路接続導体５をまとめて被覆した状態でマイクロストリップ線路基板３ｃとＭＭＩＣ１０との間のエアーギャップ６Ｃに接着剤７を充填している。これにより、全ての線路接続導体５とが直接空気に触れることを防ぐとともに、線路接続導体５の微小区間毎により大きな微小容量を付けることができるので、第１形態、第２形態と同様、ケース２ｄと線路接続導体５との間に存在した空気層によって生じるインピーダンスの不整合を防止することができる。

以上、本願発明における最良の形態について説明したが、この形態による記述及び図面により本発明が限定されることはない。すなわち、この形態に基づいて当業者等によりなされる他の形態、実施例及び運用技術等はすべて本発明の範疇に含まれることは勿論である。

本発明に係る伝送線路接続構造の第１形態を説明するための平面図である。 図１の第１形態における伝送線路接続構造の断面図である。 第１形態における伝送線路接続構造と従来の伝送線路接続構造との電気特性評価実験に係る特性インピーダンスの変化を示す図である。 本発明に係る伝送線路接続構造の第２形態を説明するための平面図である。 図４の第２形態における伝送線路接続構造の断面図である。 第２形態における他の構成を説明するための断面図である。 本発明に係る伝送線路接続構造の第３形態を説明するための平面図である。 図７の第３形態における伝送線路接続構造の断面図である。 特許文献１に開示されたマイクロストリップ線路基板間の接続構造を説明するための平面図である。 図９のマイクロストリップ線路基板間の接続構造の断面図である。 特許文献１に開示されたコプレーナ線路基板間の接続構造を説明するための平面図である。 図１１のコプレーナ線路基板間の接続構造の断面図である。

符号の説明

１ａ〜１ｄ 伝送線路モジュール
２ａ〜２ｄ ケース（導電性基材）
３ａ〜３ｃ マイクロストリップ線路基板
４ａ〜４ｆ 中心導体
５ 線路接続導体
Ａ〜Ｃ，６Ａ〜６Ｃ エアーギャップ
７ 接着剤
８ａ，８ｂ コプレーナ線路基板
８ｃ，８ｄ グランデッドコプレーナ線路基板
９ａ〜９ｆ 接地導体
１０ ＭＭＩＣ

Claims (3)

1. 誘電体基板上に中心導体（４ａ，４ｂ）が設けられた一対のマイクロストリップ線路基板（３ａ，３ｂ）を所定間隔を空けて導電性基材（２ａ）に配置し、前記一対のマイクロストリップ線路基板間の中心導体の端点同士が線路接続導体（５）で接続された伝送線路接続構造において、
   前記線路接続導体（５）の全てをまとめて被覆した状態で前記一対のマイクロストリップ線路基板間のエアーギャップ（６Ａ）に比誘電率が１より大きい接着剤（７）を充填したことを特徴とする伝送線路接続構造。
2. 誘電体基板の上面中央部分に中心導体（４ｃ，４ｄ）が設けられるとともに、前記中心導体の両側に所定間隔を空けて接地導体（９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄ）が設けられた一対のコプレーナ線路基板（８ａ，８ｂ）を所定間隔を空けて導電性基材（２ｂ）に配置し、前記一対のコプレーナ線路基板間の中心導体の端点同士および前記接地導体の端点同士が線路接続導体（５）で接続された伝送線路接続構造において、
   比誘電率が１より大きい接着剤（７）で少なくとも前記線路接続導体の全てをまとめて被覆したことを特徴とする伝送線路接続構造。
3. 誘電体基板上に中心導体（４ｅ）が設けられたマイクロストリップ線路基板（３ｃ）と、誘電体基板上面中央部分に中心導体（４ｆ）が配設されるとともに、前記中心導体の両側に所定間隔を空けて接地導体（９ｅ，９ｆ）が設けられたコプレーナ線路構造を有するＭＭＩＣ（１０）とを所定間隔を空けて導電性基材（２ｄ）に配置し、前記マイクロストリップ線路基板の中心導体と前記ＭＭＩＣの中心導体との間及び前記ＭＭＩＣの接地導体と前記導電性基材との間が線路接続導体（５）で接続された伝送線路接続構造において、
   前記線路接続導体の全てをまとめて被覆した状態で前記マイクロストリップ線路基板と前記ＭＭＩＣとの間のエアーギャップ（６Ｃ）に比誘電率が１より大きい接着剤（７）を充填したことを特徴とする伝送線路接続構造。

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