JP2008177154A5 - - Google Patents
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- 加工物(112)を荷電粒子のビームで処理する方法であって、
前記加工物(112)を真空チャンバ(114)内で位置決めするステップと、
前記加工物の表面に前駆物質ガスを誘導するステップと、
前記加工物を処理するために前記加工物の表面を、前記加工物にエネルギーを供給して前記加工物の表面において前記前駆物質ガスの化学反応を誘起させる荷電粒子の集束ビームで照射するステップと、
を含み、
前記荷電粒子の集束ビームは、原子または分子の荷電クラスタの集束ビーム(108)であることを特徴とする方法。 - 前記荷電クラスタが、炭素、金、ビスマス、またはキセノンを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記荷電クラスタの集束ビーム(108)が、C60、C70、C80、C84、Au3、Bi3、またはXe40を含むクラスタを含む、請求項2に記載の方法。
- 前記荷電クラスタの集束ビーム(108)がフラーレンを含む、請求項3に記載の方法。
- 前記化学反応が、前記前駆物質ガスを分解して前記加工物上に材料を堆積させることを含む、請求項1から4のいずれかに記載の方法。
- 前記化学反応が、前記前駆物質ガスを分解して前記加工物の表面をエッチングすることを含む、請求項1から5に記載の方法。
- 前記ガスが、XeF2、F2、Cl2、Br2、I2、過フッ化炭化水素、トリフルオロア
セトアミド、トリフルオロ酢酸、トリクロロ酢酸、水、アンモニア、または酸素を含む、請求項6に記載の方法。 - 前記ガスが、シラン化合物または有機金属化合物を含む前駆物質ガスを含み、前記加工物における前記化学反応が、前記前駆物質ガスを分解して前記加工物(112)上に堆積層を形成することを含む、請求項5に記載の方法。
- 前記ガスが、テトラメチルオルトシラン(TMOS)、テトラエチルオルトシラン(TEOS)、テトラブトキシシラン(Si(OC4H9))、ジメチル金アセチルアセトネート、タングステンヘキサカルボニル(W(CO)6)、またはメチルシクロペンタジエニ
ルトリメチル白金(C9H16Pt)を含む、請求項8に記載の方法。 - 前記荷電クラスタの集束ビームで前記加工物を照射するステップが、プラズマ・イオン源(301)からの荷電クラスタの集束ビームで前記加工物を照射するステップを含む、請求項1から9のいずれかに記載の方法。
- 前記プラズマ・イオン源が誘導結合プラズマ・イオン源である、請求項10に記載の方法。
- 前記荷電クラスタの集束ビームで前記加工物を照射するステップが、蒸発クラスタ源(400)からの荷電クラスタの集束ビームで前記加工物を照射するステップを含む、請求項1から9のいずれかに記載の方法。
- 前記堆積層が、前記荷電クラスタが形成される材料を含む、請求項5、8、9のいずれかに記載の方法。
- 前記荷電クラスタのビーム(108)を形成するクラスタが0.1未満の原子当たりの電荷比を有する、請求項1から13のいずれかに記載の方法。
- 前記原子当たりの電荷比が0.01未満である、請求項14に記載の方法。
- 加工物(112)を荷電粒子のビームで処理する方法であって、
前記加工物(112)を真空チャンバ(114)内で位置決めするステップと、
前記加工物の表面を荷電クラスタの集束ビームで照射するステップであって、前記クラスタ中の材料が前記加工物の表面に堆積し保護層を形成するステップと、
前記保護層によって覆われた前記加工物の表面の一部分に荷電粒子の集束ビームを誘導して前記加工物をエッチングするステップであって、前記荷電粒子の集束ビームはイオン化された原子または電子を含んでいるステップと、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記クラスタ中の材料が、炭素を含むことを特徴とする、請求項16に記載の方法。
- 加工物(112)を処理するための荷電粒子装置であって、
真空チャンバ(114)と、
前記真空チャンバ内で前記加工物を加工物位置(110)に支持するための加工物支持体(116)と、
原子または分子の荷電クラスタの集束ビームを生成するための第1の荷電粒子源と、
イオンまたは電子の集束ビームを生成するための第2の荷電粒子源と、
を備え、前記第1の荷電粒子源からのビームおよび前記第2の荷電粒子源からのビームによって前記加工物を処理することを特徴とする装置。 - 前記荷電クラスタのビームによって活性化して材料を堆積あるいはエッチングする前駆物質ガスを前記加工物位置(110)に導くためのガス注入システム(104)をさらに備える、請求項18に記載の装置。
- 前記第1の荷電粒子源がプラズマ・イオン源(301)を含む、請求項18または19に記載の装置。
- 前記プラズマ・イオン源が誘導結合プラズマ・イオン源(301)である、請求項20に記載の装置。
- 前記第1の荷電粒子源が蒸発クラスタ・イオン源(400)を含む、請求項18または19に記載の装置。
- 前記第1の荷電粒子源が、フラーレン、ビスマス、金、またはキセノンを含むクラスタを生成する、請求項18から21のいずれかに記載の装置。
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