JP2008147763A - Ebg構造 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板1と、基板1の第一の面に形成された導体2と、基板1の第二の面に形成され、所定の間隔を有して配列された複数の導体パターン3と、導体2と導体パターン3とを電気的に接続するスルーホール4とから構成されて、基板1として、厚み方向(Y軸方向)と面に平行な方向(X軸方向)とで、温度変化による長さの変化量(熱膨張率)が異なる基板を用いて、温度変化を付与することによって、バンドギャップが生じる周波数を変化させることができる。
【選択図】図1
Description
この発明の実施の形態1に係るEBG構造について図面を参照しながら説明する。図1は、この発明の実施の形態1に係るEBG構造を示す断面図であり、図2は上面図である。さらに、図3および図4は、この発明の実施の形態1におけるEBG構造の電気的な機能を説明する図である。なお、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
1)EBG構造に入射した電磁波は同相で反射される(通常の金属板では、逆相で反射される)。
2)EBG構造では、共振周波数およびその近傍の周波数成分を有する表面電流は流れない。すなわち、共振周波数およびその近傍の周波数では、電磁波の伝搬を抑圧する。
という、二つの特徴を有する。
この発明の実施の形態2に係るEBG構造について図面を参照しながら説明する。図15は、この発明の実施の形態2に係るEBG構造を示す断面図であり、図16は上面図である。なお、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
この発明の実施の形態3に係るEBG構造について図面を参照しながら説明する。図20は、この発明の実施の形態3に係るEBG構造を示す断面図であり、図21は上面図である。なお、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
この発明の実施の形態4に係るEBG構造について図面を参照しながら説明する。図24は、この発明の実施の形態4に係るEBG構造を示す断面図であり、図25は上面図である。なお、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (11)
- 基板と、前記基板の第一の面に形成された導体と、前記基板の第二の面に形成され、所定の間隔を有して配列された複数の導体パターンとからなるEBG構造において、
前記EBG構造を構成する各単位セルがLC並列共振回路を構成しており、
前記基板に付与する外的環境条件を変化させることにより、前記LC並列共振回路のインダクタンス成分およびキャパシタンス成分の少なくともいずれか一方の値が変化する
ことを特徴とするEBG構造。 - 基板と、前記基板の第一の面に形成された導体と、前記基板の第二の面に形成され、所定の間隔を有して配列された複数の導体パターンとからなるEBG構造において、
前記基板に、厚み方向と面に平行な方向とで、温度変化による長さの変化量が異なる基板を用いたことを特徴とするEBG構造。 - 前記基板に、温度変化に対して、主として厚み方向の長さが変化する基板を用いたことを特徴とする請求項2に記載のEBG構造。
- 前記基板に、温度変化に対して、主として面に平行な方向の長さが変化する基板を用いたことを特徴とする請求項2に記載のEBG構造。
- 基板と、前記基板の第一の面に形成された導体と、前記基板の第二の面に形成され、所定の間隔を有して配列された複数の導体パターンとからなるEBG構造において、
前記基板に、少なくとも一部に圧電性を有し、厚み方向と面に平行な方向とで、印加電圧による長さの変化量が異なる基板を用いたことを特徴とするEBG構造。 - 前記基板に、印加電圧に対して、主として厚み方向の長さが変化する基板を用いたことを特徴とする請求項5に記載のEBG構造。
- 前記基板に、印加電圧に対して、主として面に平行な方向の長さが変化する基板を用いたことを特徴とする請求項5に記載のEBG構造。
- 基板と、前記基板の第一の面に形成された導体と、前記基板の第二の面に形成され、所定の間隔を有して配列された複数の導体パターンとからなるEBG構造において、
前記基板に、厚み方向と面に平行な方向で、外力による長さの変化量が異なる基板を用いたことを特徴とするEBG構造。 - 前記基板に、外力に対して、主として厚み方向の長さが変化する基板を用いたことを特徴とする請求項8に記載のEBG構造。
- 前記基板に、外力に対して、主として面に平行な長さが変化する基板を用いたことを特徴とする請求項8に記載のEBG構造。
- 基板と、前記基板の第一の面に形成された導体と、前記基板の第二の面に形成され、所定の間隔を有して配列された複数の導体パターンとからなるEBG構造において、
前記基板は、少なくとも一部に液晶を有していることを特徴とするEBG構造。
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