JP2008142895A

JP2008142895A - モールド構造体

Info

Publication number: JP2008142895A
Application number: JP2006328796A
Authority: JP
Inventors: Toshihiro Usa; 利裕宇佐; Kenji Ichikawa; 健次市川; Kazunori Komatsu; 和則小松
Original assignee: Fujifilm Corp
Current assignee: Fujifilm Corp
Priority date: 2006-12-05
Filing date: 2006-12-05
Publication date: 2008-06-26
Also published as: US7850441B2; US20080142680A1

Abstract

【課題】ナノインプリント技術を用いて、ディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアに高品質なパターンを効率よく転写形成することができるモールド構造体の提供。
【解決手段】基板の一方の表面上に、所定間隔を有して複数の凸部が同心円状に形成されたモールド構造体であって、前記同心円の半径方向における前記凸部の断面形状は、該凸部の高さ方向の半値幅Ｍが、前記同心円の半径方向における前記凸部の頂部の幅Ｔよりも大である形状である。
【選択図】図１

Description

本発明は、磁気記録媒体に情報を転写するためのパターン状の凹凸を備えたモールド構造体、特に、ナノインプリント用モールド構造体に関する。

近年、高速性やコストに優れたハードディスクドライブが、ストレージ機器の主力として、携帯電話、小型音響機器や、ビデオカメラなどのポータブル機器に搭載され始め、より一層の小型大容量化という要求に応えるために、記録密度を向上させる技術が求められている。
ハードディスクドライブの記録密度を高めるためには、磁気記録媒体の高性能化、及び磁気ヘッド幅の狭小化という手法が従来より用いられてきたが、データトラック間隔を狭めることにより、隣接トラック間の磁気の影響（クロストーク）や、熱揺らぎの影響が無視できなくなり、磁気ヘッドの狭小化などによる面記録密度の向上には限界があった。

そこで、クロストークによるノイズを解決する手段として、ディスクリートトラックメディアと呼ばれる形態の磁気記録媒体が提案されている（特許文献１〜２参照）。
ディスクリートトラックメディアは、隣接するトラック間に非磁性のガードバンド領域を設けて個々のトラックを磁気的に分離したディスクリート構造とすることにより、隣接トラック間の磁気的干渉を低減したものである。

また、熱揺らぎによる減磁を解決する手段として、信号記録のための個々のビットを予め所定の形状パターンで備えたパターンドメディアと呼ばれる形態の磁気記録媒体が提案されている（特許文献３参照）。

上記ディスクリートトラックメディアやパターンドメディアを製造する際には、特許文献４に開示されたように、レジストパターン形成用モールド（スタンパとも称することがある。）を用いて、磁気記録媒体の表面に形成されたレジスト層に所望のパターンを転写するインプリンティング法がある。
しかしながら、特許文献４に記載のレジストパターン形成用モールドでは、その表面に形成された凸部の断面形状が矩形をなしているため、レジスト層に押し当てる際に、レジスト層を十分に押し出すことができず、適正なレジストパターンが得られない結果として、モールド構造体の凸部の高さがばらつく虞があった。これは、レジスト層に押し当てた前記凸部をレジスト層から離す際にも生じ得る現象である。

したがって、磁気記録媒体の基板上に塗布されたレジスト層に対して効率よくパターンを転写し得るモールド構造体は未だ実現されておらず、その提供が望まれているのが現状である。

特開昭５６−１１９９３４号公報特開平２−２０１７３０号公報特開平３−２２２１１号公報特開２００４−２２１４６５号公報

本発明は、従来における前記問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、ナノインプリント技術を用いて、ディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアに高品質なパターンを効率よく転写形成することができるモールド構造体を提供することを目的とする。
また、本発明は、クロストークなどが更に少なく、信号品位が良好なパターンをディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアに転写形成することができるモールド構造体を提供することを目的とする。

前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞基板の一方の表面上に、所定間隔を有して複数の凸部が同心円状に形成されたモールド構造体であって、前記同心円の半径方向における前記凸部の断面形状は、該凸部の高さ方向の半値幅Ｍが、前記同心円の半径方向における前記凸部の頂部の幅Ｔよりも大である形状であることを特徴とするモールド構造体である。
該＜１＞に記載のモールド構造体においては、基板上に複数形成された凸部の、半径方向における断面形状が、少なくとも頂部を含む領域において台形形状をなしているので、磁気記録媒体の基板上に塗布された樹脂に対して当該モールド構造体を押し当ててパターンを転写する際に、前記凸部が前記樹脂に入り易く、ナノインプリント技術を用いて、ディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアに高品質なパターンを容易に転写形成することができる。
また、前記凸部の、半径方向における断面形状が、少なくとも頂部を含む領域において台形形状をなしていることにより、磁気記録媒体の基板上に形成されたトラック溝のパターンは、逆台形状となるので、隣接するトラック溝間のクロストークなど更に少なく、信号品位が良好なパターンをディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアに転写形成することができる。
＜２＞凸部の高さ方向の半値幅Ｍが、前記凸部と基板の一方の面との接合面の断面寸法Ｂと、隣接する凸部間の距離Ｌとの和であるトラックピッチＰの半分以下である前記＜１＞に記載のモールド構造体である。
＜３＞凸部の断面形状における高さＨと、該凸部と基板の一方の面との接合面の断面寸法Ｂとのアスペクト比（Ｈ／Ｂ）が、５以下である前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載のモールド構造体である。
＜４＞凸部の長さ方向に対する凸部の半値幅Ｍのライン幅ラフネス値（ＬＷＲ値）が、２０ｎｍ以下である前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載のモールド構造体である。
＜５＞凸部の長さ方向に対する凸部のラインエッジラフネス値（ＬＥＲ値）が、２０ｎｍ以下である前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載のモールド構造体である。
＜６＞基板の一方の表面に対して凸部の側面がなす角度θが、４５°≦θ＜９０°を満たす前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載のモールド構造体である。
＜７＞基板の一方の表面と、凸部の側面とが曲面によって接続されている前記＜１＞から＜６＞のいずれかに記載のモールド構造体である。
＜８＞曲面の曲率半径が、１０ｎｍ以下である前記＜７＞に記載のモールド構造体である。

＜９＞前記＜１＞から＜８＞のいずれかに記載のモールド構造体に形成された凸部のパターン形状を、基板上に塗布された樹脂に対して転写し、該転写されたパターンに基づいて凹凸形状が前記基板上に形成されたことを特徴とするディスクリート記録媒体である。

本発明によると、従来における諸問題を解決でき、ナノインプリント技術を用いて、ディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアに高品質なパターンを効率よく転写形成するモールド構造体を提供することができる。
また、本発明によれば、クロストークなどが少なく、信号品位が良好なパターンをディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアに転写形成するモールド構造体を提供することができる。

以下、本発明のモールド構造体について図面を参照して説明する。
＜モールド構造体の構成＞
図１は、本発明の第１の実施形態におけるモールド構造体の構成を示す部分斜視図である。また、図２は、本発明の第１の実施形態におけるモールド構造体の構成を示す断面図である。
図１に示すように、本実施形態におけるモールド構造体１は、円盤状をなす基板２の一方の表面２ａ（以下、基準面２ａということがある。）に、複数の凸部３が同心円状に、所定の間隔で形成されてなる。
なお、基板２としては、ニッケル、シリコン、石英板、ガラス、アルミニウム、セラミックス、合成樹脂等が用いられる。

また、前記同心円の半径方向（凸部３が列設されている方向）における凸部３の断面形状は、少なくともその凸部の上部において台形形状をなしている。
具体的には、図２Ａに示すように、前記同心円の半径方向における凸部３の高さ方向の半値幅Ｍが、前記同心円の半径方向における凸部３の頂部の幅Ｔよりも大をなす。
以下、本実施形態の説明において、「断面（形状）」とは、特に断りがない限り、前記同心円の半径方向（凸部３が列設されている方向）における断面（形状）を指す。

ここで、前記半値幅Ｍは、凸部３の高さ（基準面２ａから凸部３の頂部までの最短距離）をＨとしたときに、基準面２ａから高さＨ／２における凸部３の断面における幅寸法を指す。半値幅Ｍは、５０ｎｍ以下であることが好ましい。
なお、基準面２ａが平坦とみなせない場合、基板２の凸部３が形成される側の面を平坦化した面を基準面２ａと仮定して高さＨが計測される。
凸部３の底面幅Ｂは、基準面２ａにおける凸部３の断面の幅寸法を指す。なお、凸部３の底面幅Ｂは、基準面２ａから凸部３の頂部方向に、基準面２ａから高さＨの１０％以内の範囲における幅Ｂ’（図２Ｂ参照）を採用してもよい。
凸部３の頂部幅Ｔは、凸部３の断面形状において、基準面２ａに略平行な凸部３の頂部の幅寸法を指す。なお、凸部３の頂部幅Ｔは、その頂部の形状が複雑であると、計測が困難であるため、凸部３の最頂部から基準面２ａの方向に、前記最頂部から高さＨの１０％以内の範囲における幅Ｔ’（図２Ｂ参照）を採用してもよい。
ここで、トラックピッチＰは、基準面２ａにおける凸部３間の距離Ｌと、一方の凸部３の前記底面幅Ｂとの和を示す。本実施形態では、モールド構造体の凸部３の半値幅Ｍが、トラックピッチＰの半分以下であることが好ましい。
なお、前記距離Ｌは、前記同心円の半径方向の断面において、一の凸部３の高さＨ／２での側面３ａの接線と、基準面２ａとの交点と、一の凸部３に隣接する他の凸部３の高さＨ／２での側面３ａの接線と、基準面２ａとの交点との距離を指す。

本実施形態のモールド構造体１において、凸部３の断面形状は、図２Ｂに示すように、アスペクト比（高さＨと、凸部３と基準面２ａとの接合面における底面幅Ｂとの比＝Ｈ／Ｂ）が５以下であることが好ましい。このアスペクト比が５を超えると、凸部３間において、インプリントレジストが奥まで侵入できない部位が増え、高さバラツキという問題が生じることがある。

また、基準面２ａと、凸部３の側面（隣接する２つの凸部３において互いに対向する面）３ａとのなす角度θは、４５°≦θ＜９０°を満たすことが好ましい。なお、前記角度θは、前記同心円の半径方向の断面において、高さＨ／２での凸部３の側面３ａの接線と、基準面２ａとがなす角度を指す。

また、本実施形態のモールド構造体１における凸部３の形状は、図２Ｂに示すように、基準面２ａと、凸部３の側面３ａとが、前記同心円の半径方向における断面において曲線状に連結されていてもよい。この曲線部分の曲率半径ｒは、１０ｎｍ以下が好ましい。

更に、本実施形態では、凸部３の長さ方向に対する半値幅Ｍのライン幅ラフネス（ＬＷＲ）値が２０ｎｍ以下であることが好ましい。半値幅Ｍのライン幅ラフネス（ＬＷＲ）値が２０ｎｍを超えると、凸部３と、インプリントレジストとの接地面積が増大し、剥離性に問題が生じることがある。
加えて、凸部３の長さ方向に対する半値幅Ｍのラインエッジラフネス（ＬＥＲ）値が２０ｎｍ以下であることが好ましい。半値幅Ｍのラインエッジラフネス（ＬＥＲ）値が２０ｎｍを越えると、凸部３と、インプリントレジストとの接地面積が増大し、剥離性に問題が生じることがある。
なお、本実施形態におけるライン幅ラフネス（ＬＷＲ）値、及びラインエッジラフネス（ＬＥＲ）値は、基準面２ａの法線方向から見た凸部３の形状について、特開２００６−３８７７９号公報に開示されたラインパターンに関するライン幅ラフネス（ＬＷＲ）値、及びラインエッジラフネス（ＬＥＲ）値の測定方法を適用した。

＜モールド構造体の作製方法＞
以下、本発明に係るモールド構造体の作製方法について図面を参照して説明する。
［第１の実施形態］
図３は、第１の実施形態におけるモールド構造体の作製方法を示す断面図である。図３に示すように、まず、Ｓｉ（シリコン）基板１０上に、スピンコートなどでＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）などのフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層２１を形成する。
その後、基板１０を回転させながら、サーボ信号に対応して変調したレーザー光（又は電子ビーム）を照射し、フォトレジスト全面に所定のパターン、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に露光する。
その後、フォトレジスト層２１を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層２１のパターンをマスクにしてＲＩＥ（ＲｅａｃｔｉｖｅＩｏｎＥｔｃｈｉｎｇ；反応性イオンエッチング）などにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有するモールド構造体１を得る。
なお、前記選択エッチングは、凹凸形状を有するモールド構造体１の凹部の断面形状が、図２Ａ〜Ｂに示す凸部３の断面形状を転写した断面形状となるように行われる。

［第２の実施形態］
図４Ａ〜Ｂは、第２の実施形態におけるモールド構造体の作製方法を示す断面図である。図４Ａに示すように、まず、Ｓｉ（シリコン）基板１０上に、スピンコートなどでＰＭＭＡなどのフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層２１を形成する。
その後、基板１０を回転させながら、サーボ信号に対応して変調したレーザー光（又は電子ビーム）を照射し、フォトレジスト全面に所定のパターン、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に露光する。
その後、フォトレジストを現像処理し、露光部分を除去して、フォトレジストパターンをマスクにしてＲＩＥなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有する原盤１１を得る。
次に、図４Ｂに示すように、原盤１１の表面の凹凸パターンをもとに、この表面にスパッタリング、あるいは無電解メッキなどにより、導電膜２２を形成する。その後、導電膜２２に対してメッキなどにより導電膜２２を所定の厚さに成膜して、ポジ状凹凸パターンを有するＮｉ基板２３を作製し、原盤１１から剥離する。このようにして、モールド構造体１が得られる。
なお、導電膜２２を所定の厚さに成膜してＮｉ基板２３を作製する際には、Ｎｉ基板２３の凹部の断面形状が、図２Ａ〜Ｂに示す凸部３の断面形状を転写した断面形状となるように行われる。

金属製基板の材料としては、前述の通り、ＮｉもしくはＮｉ合金等を使用することができ、この基板を作製する前記メッキとしては、無電解メッキ、電鋳、スパッタリング、イオンプレーティングを含む各種の金属成膜法が適用できる。基板の凸部高さ（凹凸パターンの深さ）Ｈは、３０〜８００ｎｍの範囲が好ましく、５０〜３００ｎｍがより好ましい。
この凹凸パターンがサーボバースト信号である場合は、円周方向よりも半径方向に長い矩形状の凸部が形成される。具体的には、半径方向の長さは０．０５〜２０μｍ、円周方向は０．０５〜１μｍが好ましく、この範囲で半径方向の方が長い形状となる値を選ぶことがサーボ信号の情報を担持するパターンとして好ましい。

原盤１１の凹凸パターン上への導電膜２２の形成は、磁性材料を真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の真空成膜手段、メッキ法などを用いて行う。Ｎｉ基板２３の厚みは、２０〜８００μｍの範囲が好ましく、４０〜４００μｍがより好ましい。

［第３の実施形態］
図５は、第３の実施形態におけるモールド構造体の作製方法を示す断面図である。図５に示すように、まず、石英基板３０上に、スピンコートなどでＰＭＭＡなどのフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層２１を形成する。
その後、石英基板３０を回転させながら、サーボ信号に対応して変調したレーザー光（又は電子ビーム）を照射し、フォトレジスト全面に所定のパターン、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に露光する。
その後、フォトレジスト層２１を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層２１のパターンをマスクにしてＲＩＥなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有するモールド構造体１を得る。
なお、前記選択エッチングは、凹凸形状を有するモールド構造体１の凹部の断面形状が、図２Ａ〜Ｂに示す凸部３の断面形状を転写した断面形状となるように行われる。

［第４の実施形態］
図６Ａ〜Ｂは、第４の実施形態におけるモールド構造体の作製方法を示す断面図である。図６Ａに示すように、まず、Ｓｉ基板１０上に、スピンコートなどでＰＭＭＡなどのフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層２１を形成する。
その後、Ｓｉ基板１０を回転させながら、サーボ信号に対応して変調したレーザー光（又は電子ビーム）を照射し、フォトレジスト全面に所定のパターン、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に露光する。
その後、フォトレジスト層２１を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層２１のパターンをマスクにしてＲＩＥなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有する原盤１１を得る。

次に、図６Ｂに示すように、光硬化性樹脂を含有するインプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層２４が形成された石英基板３０に対して、原盤３１を押し当て、原盤１１上に形成された凸部のパターンがインプリントレジスト層２４に転写される。
その後、インプリントレジスト層２４に紫外線などを照射して転写されたパターンを硬化させ、該パターンをマスクにしてＲＩＥなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有するモールド構造体１を得る。
なお、前記選択エッチングは、凹凸形状を有するモールド構造体１の凹部の断面形状が、図２Ａ〜Ｂに示す凸部３の断面形状を転写した断面形状となるように行われる。

［第５の実施形態］
図７Ａ〜Ｂは、第５の実施形態におけるモールド構造体の作製方法を示す断面図である。図６Ａに示すように、まず、Ｓｉ基板１０上に、スピンコートなどでＰＭＭＡなどのフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層２１を形成する。
その後、Ｓｉ基板１０を回転させながら、サーボ信号に対応して変調したレーザー光（又は電子ビーム）を照射し、フォトレジスト全面に所定のパターン、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に露光する。
その後、フォトレジスト層２１を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層２１のパターンをマスクにしてＲＩＥなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有する原盤１１を得る。

次に、図７Ｂに示すように、光硬化性樹脂を含有するインプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層２４が形成された石英基板３０に対して、原盤１１を押し当て、原盤１１上に形成された凸部のパターンがインプリントレジスト層２４に転写される。
その後、インプリントレジスト層２４に紫外線などを照射して転写されたパターンを硬化させ、該パターンをマスクにしてＲＩＥなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有するモールド構造体１を得る。
なお、前記選択エッチングは、凹凸形状を有するモールド構造体１の凹部の断面形状が、図２Ａ〜Ｂに示す凸部３の断面形状を転写した断面形状となるように行われる。

［第６の実施形態］
図８Ａ〜Ｂは、第６の実施形態におけるモールド構造体の作製方法を示す断面図である。図８Ａに示すように、まず、石英基板３０上に、スピンコートなどでＰＭＭＡなどのフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層２１を形成する。
その後、石英基板３０を回転させながら、サーボ信号に対応して変調したレーザー光（又は電子ビーム）を照射し、フォトレジスト層２１の全面に所定のパターン、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に露光する。
その後、フォトレジスト層２１を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層２１のパターンをマスクにしてＲＩＥなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有する原盤３１を得る。

次に、図８Ｂに示すように、光硬化樹脂が含有されたインプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層２４が形成された石英基板３０に対して、原盤３１を押し当て、原盤３１上に形成された凸部のパターンがインプリントレジスト層２４に転写される。
その後、インプリントレジスト層２４に紫外線などを照射して転写されたパターンを硬化させ、該パターンをマスクにしてＲＩＥなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有するモールド構造体１を得る。
なお、前記選択エッチングは、凹凸形状を有するモールド構造体１の凹部の断面形状が、図２Ａ〜Ｂに示す凸部３の断面形状を転写した断面形状となるように行われる。

上記第１〜６の実施形態においては、ポジ型のフォトレジストを用いて露光及び現像を行ったが、前記レジスト液をネガ型とすることで、本実施形態とは対称的なパターンのモールド構造体を作製することもできる。したがって、本実施形態におけるフォトレジストの適用に特に制限はなく、目的に応じて、ネガ型フォトレジスト、及びポジ型フォトレジストのいずれが適宜選択される。

また、前記原盤にメッキを施して第２の原盤を作製し、この第２の原盤を使用してメッキを行い、ネガ状凹凸パターンを有する基板を作製してもよい。更に、第２の原盤にメッキを行うか、樹脂液を押し付けて硬化を行って第３の原盤を作製し、第３の原盤にメッキを行い、ポジ状凹凸パターンを有する基板を作製してもよい。

更に、上記第４〜６の実施形態においては、光硬化性樹脂を含有するインプリントレジスト液を基板上に塗布してインプリントレジスト層２４を形成する実施形態を説明したが、光硬化樹脂の代わり、又は光硬化性樹脂に加えて、熱可塑性樹脂がインプリントレジスト液に含まれてもよい。
熱可塑性樹脂がインプリントレジスト液に含まれる場合、該熱可塑性樹脂のガラス転移点（Ｔｇ）付近に維持した状態で、凸部のパターンをインプリントレジスト層２４に転写後、インプリントレジスト層２４を前記熱可塑性樹脂のガラス転移点よりも低下させることにより転写されたパターンを硬化させ、該パターンをマスクにしてＲＩＥなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有するモールド構造体１を得ることとなる。

＜磁気記録媒体の作製方法＞
以下、本発明に係るモールド構造体を用いて、ディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアなどの磁気記録媒体を作製する作製方法について図面を参照して説明する。
図９に示すように、例えば、上記第２の実施形態で作製したモールド構造体１を用いる場合、磁性層５０と、ＰＭＭＡなどのインプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層２４とがこの順に形成された磁気記録媒体の基板４０に対して、モールド構造体１を押し当て、加圧することにより、モールド構造体１上に形成された凸部３のパターンをインプリントレジスト層２４に転写する。
なお、インプリントレジスト層２４にモールド構造体１を押し当てる際には、系を前記レジスト液のガラス転移点（Ｔｇ）付近に維持しておき、転写後、インプリントレジスト層２４が前記レジスト液のガラス転移点よりも低下することにより硬化することとなる。
その後、凸部３のパターンが転写されたインプリントレジスト層２４をマスクにして、ＲＩＥなどにより選択エッチングを行い、モールド構造体１上に形成されたパターン形状に基づく凹凸形状を磁性層５０に形成し、凹部に非磁性材料７０を埋め込み、表面を平坦化した後、必要に応じて、保護膜などを形成して磁気記録媒体１００を得る。

以上説明したように、本発明に係るモールド構造体によれば、該モールド構造体の基板上に形成される凸部の少なくとも頂部を含む部分の断面形状を、矩形ではなく、台形形状としたため、磁気記録媒体上に塗布されたフォトレジストに対して、前記凸部が押し入り易くなり、ナノインプリント技術を用いて、ディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアに高品質なパターンを容易に転写形成するモールド構造体を提供することができる。
また、本発明に係るモールド構造体によれば、被転写体である磁気記録媒体の溝部の断面形状が逆台形状をなすため、離型し易い。
更に、本発明に係るモールド構造体によれば、前述のように、被転写体である磁気記録媒体の溝部の断面形状が逆台形状をなすため、クロストークなどが少なく、信号品位が良好なパターンをディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアに転写形成するモールド構造体を提供することができる。

本発明のモールド構造体は、該モールド構造体上に形成された微細なパターンが、基板上のレジストに効率よく入り込み、高い歩留まりで前記基板上にパターンを形成することができるので、ディスクリートメディアの作製や、パターンドメディアの作製に好適である。

図１は、本発明の第１の実施形態におけるモールド構造体の構成を示す斜視図である。図２Ａは、本発明の第１の実施形態におけるモールド構造体の構成を示す断面図である。図２Ｂは、本発明の第１の実施形態におけるモールド構造体の構成を示す断面図である。図３は、本発明の第１の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。図４Ａは、本発明の第２の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。図４Ｂは、本発明の第２の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。図５は、本発明の第３の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。図６Ａは、本発明の第４の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。図６Ｂは、本発明の第４の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。図７Ａは、本発明の第５の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。図７Ｂは、本発明の第５の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。図８Ａは、本発明の第６の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。図８Ｂは、本発明の第６の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。図９は、本発明のモールド構造体を用いて磁気記録媒体を製造する製造方法を示す断面図である。

符号の説明

１モールド構造体
２基板
３凸部
１０Ｓｉ基板
１１Ｓｉ原盤
２１フォトレジスト
２２導電膜
２３Ｎｉ基板
２４インプリントレジスト層
３０石英基板
３１石英原盤
４０磁気記録媒体の基板
５０磁性層
１００磁気記録媒体

Claims

基板の一方の表面上に、所定間隔を有して複数の凸部が同心円状に形成されたモールド構造体であって、前記同心円の半径方向における前記凸部の断面形状は、該凸部の高さ方向の半値幅Ｍが、前記同心円の半径方向における前記凸部の頂部の幅Ｔよりも大である形状であることを特徴とするモールド構造体。
凸部の高さ方向の半値幅Ｍが、前記凸部と基板の一方の面との接合面の断面寸法Ｂと、隣接する凸部間の距離Ｌとの和であるトラックピッチＰの半分以下である請求項１に記載のモールド構造体。
凸部の断面形状における高さＨと、該凸部と基板の一方の面との接合面の断面寸法Ｂとのアスペクト比（Ｈ／Ｂ）が、５以下である請求項１から２のいずれかに記載のモールド構造体。
凸部の長さ方向に対する凸部の半値幅Ｍのライン幅ラフネス値（ＬＷＲ値）が、２０ｎｍ以下である請求項１から３のいずれかに記載のモールド構造体。
基板の一方の表面に対して凸部の側面がなす角度θが、４５°≦θ＜９０°を満たす請求項１から４のいずれかに記載のモールド構造体。
基板の一方の表面と、凸部の側面とが曲面によって接続されている請求項１から５のいずれかに記載のモールド構造体。