JP2008135742A - リソグラフィ装置、デバイス製造方法およびコンピュータプログラム製品 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】リソグラフィ装置内で、その瞳面に近い投影システムの要素の、生産露光中にそれほど加熱されない選択部分を加熱するように構成された照明モードを使用して、補正照射手順が実行される。補正照射手順は、投影システムの光学部品の加熱の均一性を改善し、かつ/または位相勾配を減少させることを目的とする。
【選択図】図2
Description
パターニングデバイスを選択的に第一または第二照明モードで照明するように、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、
放射ビームの断面にパターンを与えて、パターン化されたビームを形成するパターニングデバイスを支持するように構築された支持構造と、
基板を保持する基板テーブルと、
パターン化されたビームを基板のターゲット部分に投影し、複数の光学部品を備え、瞳面を有し、光学部品の少なくとも1つが瞳面に、またはその付近に配置される投影システムと、
照明システム、支持構造および基板テーブルを制御して、パターニングデバイス上のパターンおよび基板テーブル上の基板が放射ビームの路にある場合は、第一照明モードを選択して、生産露光を実行し、基板が放射ビームの路にない間は、第二照明モードを選択して、補正照射プロセスを実行する制御システムと、
を備えるリソグラフィ装置であって、
装置の使用中に、パターニングデバイスにおける放射の角度分布は、パターン化されたビームの強度が、第一照明モードでは少なくとも1つの光学部品の断面区域の第一部分内に、第二照明モードでは少なくとも1つの光学部品の断面区域の第二部分内に実質的に閉じ込められるような分布であり、第一および第二部分が実質的に重ならず、第一部分と第二部分の組合せが、少なくとも1つの光学部品の断面区域全体を包囲しないリソグラフィ装置が提供される。
瞳面を有し、複数の光学部品を備え、光学部品の少なくとも1つが瞳面に、またはその付近に配置された投影システムを使用して、波長を有する放射のパターン化されたビームを基板に投影し、
実質的にパターン化されたビームと同じ波長を有する放射の補正ビームで、投影システムを照射することを含み、
パターン化されたビームの強度が、少なくとも1つの光学部品の断面区域の第一部分内に実質的に閉じ込められ、補正ビームの強度が、少なくとも1つの光学部品の断面区域の第二部分内に実質的に閉じ込められ、第一および第二部分が実質的に重ならず、第一部分と第二部分の組合せが、少なくとも1つの光学部品の断面区域全体を包囲しない
デバイス製造方法が提供される。
投影システムを使用して、波長を有する放射のパターン化されたビームを基板に投影し、
パターン化されたビームと実質的に同じ波長を有する放射の補正ビームで、投影システムを照射することを含み、
パターン化されたビームの強度が、少なくとも1つの光学部品の断面区域の第一部分内に実質的に閉じ込められ、補正ビームの強度が、少なくとも1つの光学部品の断面区域の第二部分内に実質的に閉じ込められ、第一および第二部分が実質的に重ならず、第一部分と第二部分の組合せが、少なくとも1つの光学部品の断面区域全体を包囲しない
コンピュータプログラム製品が提供される。
Claims (24)
- パターニングデバイスを選択的に第一または第二照明モードで照明するように、放射ビームを調整する照明システムと、
放射ビームの断面にパターンを与えて、パターン化されたビームを形成する前記パターニングデバイスを支持する支持構造と、
基板を保持する基板テーブルと、
前記パターン化されたビームを前記基板のターゲット部分に投影し、複数の光学部品を備え、瞳面を有し、前記光学部品の少なくとも1つが前記瞳面に、またはその付近に配置される投影システムと、
前記照明システム、前記支持構造および前記基板テーブルを制御して、前記パターニングデバイス上のパターンおよび前記基板テーブル上の基板が前記放射ビームの路にある場合は、第一照明モードを選択して生産露光を実行し、基板が前記放射ビームの前記路にない間は、第二照明モードを選択して補正照射プロセスを実行する制御システムと、
を備えるリソグラフィ装置であって、
前記装置の使用中に、前記パターニングデバイスにおける放射の角度分布は、前記パターン化されたビームの強度が、前記第一照明モードでは前記少なくとも1つの光学部品の断面区域の第一部分内に、前記第二照明モードでは前記少なくとも1つの光学部品の断面区域の第二部分内に実質的に閉じ込められるような分布であり、前記第一および第二部分が実質的に重ならず、前記第一部分と第二部分の組合せが、前記少なくとも1つの光学部品の前記断面区域全体を包囲しない、
リソグラフィ装置。 - 第一回折光学部品または第二回折光学部品を前記放射ビームの前記路に選択的に配置して、それぞれ前記第一または第二照明モードを実行する交換機構を備える、
請求項1に記載の装置。 - 前記放射ビームの前記路内にあって、前記第一照明モードを実行するように構成された第一回折光学部品と、前記第一回折光学部品との組合せで前記第二照明モードを実行するように構成された第二回折部品を、前記放射ビームの前記路内に選択的に配置するように構成された挿入機構とを備える、
請求項1に記載の装置。 - それぞれが異なる第一照明モードを実行するように構成された複数の第一回折光学部品のうちの1つを前記放射ビームの前記路内に選択的に挿入するように構成された交換機構を備え、前記第二回折部品が、前記第一回折光学部品のいずれか1つとの組合せで前記第2照明モードを実行するように構成される、
請求項3に記載の装置。 - 前記制御システムがさらに、前記第一または第二照明モードが選択された場合に、それぞれ第一出力レベルまたは第二出力レベルで放射ビームを放射するために放射源を制御するように構成され、前記第二出力レベルが前記第一出力レベルより高い、
請求項1に記載の装置。 - 前記第二部分は、前記補正照射手順が、前記少なくとも1つの光学部品の前記生産露光中の不均一な加熱によって引き起こされた収差を減少させるのに効果的であるように構成される、
請求項1に記載の装置。 - 第一照明モードが双極放射分布を含み、前記第二照明モードが、前記第一照明モードの前記極の位置に隣接して極を有する四極放射分布を含む、
請求項1に記載の装置。 - 前記双極分布の前記極が、環の弓形であり、前記四極分布の前記極が、同じ前記環の弓形である、
請求項7に記載の装置。 - 前記第一と第二照明モードの組合せが、前記投影システム内に、前記投影され、パターン化されたビームに許容不能な収差を引き起こさない温熱作用を生じるものである、
請求項1に記載の装置。 - 前記投影システムがさらに、前記投影され、パターン化されたビームの収差を補正するように構成された調節可能な光学部品を備え、前記第一と第二照明モードの前記組合せが、前記投影システム内に、前記調節可能な光学部品によって補正可能な収差を引き起こす温熱作用を生じるものである、
請求項1に記載の装置。 - 瞳面を有し、複数の光学部品を備え、前記光学部品の少なくとも1つが前記瞳面に、またはその付近に配置された投影システムを使用して、波長を有する放射のパターン化されたビームを基板に投影し、
実質的に前記パターン化されたビームと同じ波長を有する放射の補正ビームで、前記投影システムを照射することを含み、
前記パターン化されたビームの強度が、前記少なくとも1つの光学部品の断面区域の第一部分内に実質的に閉じ込められ、前記補正ビームの強度が、前記少なくとも1つの光学部品の前記断面区域の第二部分内に実質的に閉じ込められ、前記第一および第二部分が実質的に重ならず、前記第一部分と第二部分の組合せが、前記少なくとも1つの光学部品の前記断面区域全体を包囲しない、
デバイス製造方法。 - 前記パターン化されたビームおよび前記補正ビームが、それぞれ第一および第二出力レベルを有し、前記第二出力レベルが前記第一出力レベルより高い、
請求項11に記載の方法。 - 前記第二部分は、前記補正ビームでの前記照射が、前記パターン化されたビームの前記投影中の前記少なくとも1つの光学部品の不均一な加熱によって引き起こされた収差を減少させるのに効果的であるように構成される、
請求項11に記載の方法。 - 前記パターン化されたビームおよび補正ビームを形成するために放射ビームの生成に使用される照明システムの瞳面における前記放射の分布を制御することを含む、
請求項11に記載の方法。 - 第一回折光学部品または第二回折光学部品を前記放射ビームの前記路に選択的に配置して、前記放射の分布を制御するために、前記配置された回折光学部品を使用することを含む、
請求項14に記載の方法。 - 前記第一照明モードを実行するように構成された第一回折光学部品を、前記放射ビームの前記路に配置し、前記第一回折光学部品との組合せで前記第二照明モードを実行するように構成された第二回折部品を、前記放射ビームの前記路に選択的に配置することを含む、
請求項15に記載の方法。 - それぞれが異なる第一照明モードを実行するように構成された複数の第一回折光学部品の1つを、前記放射ビームの前記路に選択的に挿入するように構成された交換機構を使用することを含み、前記第二回折部品が、前記第一回折光学部品の任意の1つとの組合せで前記第二照明モードを実行するように構成される、
請求項16に記載の方法。 - 前記パターン化されたビームの形成に使用される前記放射ビームが、前記照明システムの前記瞳面に第一放射分布を有し、前記補正ビームの形成に使用される前記放射ビームが、前記照明システムの前記瞳面に第二放射分布を有し、前記第一放射分布が双極分布であり、前記第二放射分布が、前記第一放射分布の前記極の位置に隣接して極を有する四極分布である、
請求項14に記載の方法。 - 前記双極分布の前記極が環の弓形であり、前記四極分布の前記極が、同じ前記環の弓形である、
請求項18に記載の方法。 - 前記パターン化されたビームの形成に使用される前記放射ビームが、前記照明システムの前記瞳面に第一放射分布を有し、前記補正ビームの形成に使用される前記放射ビームが、前記照明システムの前記瞳面に第二放射分布を有し、前記第一と第二放射分布の前記組合せが、前記投影システム内に、前記投影され、パターン化されたビームに許容不能な収差を引き起こさない温熱作用を生じるものである、
請求項14に記載の方法。 - 前記投影システムが、前記投影された像の収差を補正するように構成された調節可能な光学部品を有し、前記パターン化されたビームの形成に使用される前記放射ビームが、前記照明システムの前記瞳面に第一放射分布を有し、前記補正ビームの形成に使用される前記放射ビームが、前記照明システムの前記瞳面に第二放射分布を有し、前記第一と第二照明モードの前記組合せが、前記投影システム内に、前記調節可能な光学部品によって補正可能な収差を引き起こす温熱作用を生じるものである、
請求項14に記載の方法。 - コンピュータ読み取り可能媒体上に記録された命令を備え、前記命令は、瞳面および複数の光学部品を有し、かつ、前記光学部品の少なくとも1つが前記瞳面に、またはその付近に配置される投影システムを有するリソグラフィ装置を制御して、デバイス製造方法を実行するものであり、前記方法が、
前記投影システムを使用して、波長を有する放射のパターン化されたビームを基板に投影し、
前記パターン化されたビームと実質的に同じ波長を有する放射の補正ビームで、前記投影システムを照射することを含み、
前記パターン化されたビームの強度が、前記少なくとも1つの光学部品の断面区域の第一部分内に実質的に閉じ込められ、前記補正ビームの強度が、前記少なくとも1つの光学部品の前記断面区域の第二部分内に実質的に閉じ込められ、前記第一および第二部分が実質的に重ならず、前記第一部分と第二部分の組合せが、前記少なくとも1つの光学部品の前記断面区域全体を包囲しない、
コンピュータプログラム製品。 - 前記パターン化されたビームおよび前記補正ビームが、それぞれ第一および第二出力レベルを有し、前記第二出力レベルが前記第一出力レベルより高い、
請求項22に記載のコンピュータプログラム製品。 - 前記パターン化されたビームの形成に使用される前記放射ビームが、前記照明システムの前記瞳面に第一放射分布を有し、前記補正ビームの形成に使用される前記放射ビームが、前記照明システムの前記瞳面に第二放射分布を有し、前記第一放射分布が双極分布であり、前記第二放射分布が、前記第一放射分布の前記極の位置に隣接して極を有する四極分布である、
請求項22に記載のコンピュータプログラム製品。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US60440206A | 2006-11-27 | 2006-11-27 | |
US11/604,402 | 2006-11-27 | ||
US79849207A | 2007-05-14 | 2007-05-14 | |
US11/798,492 | 2007-05-14 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008135742A true JP2008135742A (ja) | 2008-06-12 |
JP4851422B2 JP4851422B2 (ja) | 2012-01-11 |
Family
ID=39204047
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007300017A Expired - Fee Related JP4851422B2 (ja) | 2006-11-27 | 2007-11-20 | リソグラフィ装置及び露光方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1925981A2 (ja) |
JP (1) | JP4851422B2 (ja) |
KR (1) | KR100944506B1 (ja) |
CN (1) | CN101196695B (ja) |
SG (1) | SG143178A1 (ja) |
TW (1) | TWI377449B (ja) |
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-
2007
- 2007-11-16 SG SG200717852-8A patent/SG143178A1/en unknown
- 2007-11-19 TW TW96143726A patent/TWI377449B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-11-20 JP JP2007300017A patent/JP4851422B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-11-26 KR KR20070120689A patent/KR100944506B1/ko active IP Right Grant
- 2007-11-27 CN CN2007101934564A patent/CN101196695B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-11-27 EP EP20070254599 patent/EP1925981A2/en not_active Withdrawn
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TWI377449B (en) | 2012-11-21 |
KR100944506B1 (ko) | 2010-03-03 |
EP1925981A2 (en) | 2008-05-28 |
CN101196695A (zh) | 2008-06-11 |
TW200844669A (en) | 2008-11-16 |
KR20080047993A (ko) | 2008-05-30 |
JP4851422B2 (ja) | 2012-01-11 |
SG143178A1 (en) | 2008-06-27 |
CN101196695B (zh) | 2010-06-09 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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