JP2007318131A - リソグラフィ装置および熱ひずみを小さくする方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】パターニングデバイスを加熱するためのエネルギーをパターニングデバイスに供給し、パターニングデバイスの所望の熱ひずみパターンを形成するように構成されたヒータと、パターンに対するパターニングデバイスの熱ひずみの影響を小さくするために、所望の熱ひずみパターンに対応する光学補正を装置内で実施するように構成されたコントローラとを有する。
【選択図】図4
Description
ビームにパターンを付与するパターニングデバイスを保持する支持構造と、
基板を保持する基板テーブルと、
パターニングされたビームを基板のターゲット部分に投射する投影システムと、
パターニングデバイスを加熱するためのエネルギーをパターニングデバイスに供給するヒータと、
パターンに対するパターニングデバイスの熱ひずみの影響を小さくするために、装置内で光学補正を実施するコントローラと、
を備えるリソグラフィ装置が提供される。
パターンを有するパターニングデバイスを保持する支持構造と、
基板を保持する基板テーブルと、
基板のターゲット部分にパターンを転写する投影システムと、
パターニングデバイスの所望の熱ひずみパターンを形成するためのエネルギーをパターニングデバイスに供給するヒータと、
所望の熱ひずみパターンに対応する補正(修正)を装置内で実施するコントローラと、
を備えるリソグラフィ装置が提供される。
パターニングデバイスを加熱してパターニングデバイスの所望の熱ひずみパターンを形成するために、パターニングデバイスにエネルギーを供給するステップと、
パターンの画像に対するパターニングデバイスの熱ひずみの影響を小さくするために、基板に向かうパターンの画像の光路に、所望の熱ひずみパターンに対応する光学補正を適用するステップ、
が含まれている。
[0018] 放射ビームB(たとえばUV放射またはDUV放射)を条件付けるように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
[0019] パターニングデバイス(たとえばマスク)MAを保持するように構築された、特定のパラメータに従って該パターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された支持構造(たとえばマスクテーブル)MTと、
[0020] 基板(たとえばレジストコートウェーハ)Wを保持するように構築された、特定のパラメータに従って該基板を正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル(たとえばウェーハテーブル)WTと、
[0021] パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付与されたパターンを基板Wのターゲット部分C(たとえば1つまたは複数のダイを備えている)に投影するように構成された投影システム(たとえば屈折型投影レンズシステム)PSと、
を備えている。
[0033] 1.ステップモード:支持構造MTおよび基板テーブルWTが基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターン全体がターゲット部分Cに1回で投影される(すなわち単一静的露光)。次に、基板テーブルWTがX方向および/またはY方向にシフトされ、異なるターゲット部分Cが露光される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で画像化されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
[0034] 2.スキャンモード:放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Cに投影されている間、支持構造MTおよび基板テーブルWTが同期スキャンされる(すなわち単一動的露光)。支持構造MTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの倍率(縮小率)および画像反転特性によって決まる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の幅(非スキャン方向の幅)が制限され、また、スキャン運動の長さによってターゲット部分の高さ(スキャン方向の高さ)が決まる。
[0035] 3.その他のモード:プログラマブルパターニングデバイスを保持するべく支持構造MTが基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Cに投影されている間、基板テーブルWTが移動またはスキャンされる。このモードでは、通常、パルス放射源が使用され、スキャン中、基板テーブルWTが移動する毎に、あるいは連続する放射パルスと放射パルスの間に、必要に応じてプログラマブルパターニングデバイスが更新される。この動作モードは、上で参照したタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用しているマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
Claims (20)
- ビームにパターンを付与するパターニングデバイスを保持する支持構造と、
基板を保持する基板テーブルと、
パターニングされたビームを前記基板のターゲット部分に投射する投影システムと、
前記パターニングデバイスを加熱するためのエネルギーを前記パターニングデバイスに供給するヒータと、
前記パターンに対する前記パターニングデバイスの熱ひずみの影響を小さくするために、装置内で光学補正を実施するコントローラと、
を備えるリソグラフィ装置。 - 前記光学補正が前記投影システムの倍率調整を含む、
請求項1に記載の装置。 - 前記ヒータが、前記パターニングデバイスへのエネルギーとして放射を供給する照明デバイスを備える、
請求項1に記載の装置。 - 前記照明デバイスが、空間的に分離された、個々に制御可能な複数の放射のビームを前記パターニングデバイスへ導く、
請求項3に記載の装置。 - 前記照明デバイスが、それぞれ前記複数のビームのうちの1つに対応する複数の発光ダイオードを備える、
請求項4に記載の装置。 - 前記ヒータが、前記パターニングデバイス上の露光フィールドの直ぐ隣に隣接する領域にエネルギーを供給する、
請求項1に記載の装置。 - 前記ヒータが、前記パターニングデバイスが移動する方向の前記露光フィールドの前面および背面にエネルギーを供給する、
請求項6に記載の装置。 - 前記ヒータが、前記パターニングデバイスが移動する方向を横切る方向に変化するエネルギーを供給する、
請求項6に記載の装置。 - 前記パターニングデバイスの熱ひずみパターンを決定するために前記パターニングデバイスの物理特性を測定する測定システムをさらに備える、
請求項1に記載の装置。 - 前記ヒータが、前記パターニングデバイスの熱ひずみパターンを形成するためのエネルギーを供給し、
前記熱ひずみパターンが、前記パターニングデバイスの露光フィールド内の実質的にすべてのひずみが1つの方向に展開する形状を有する、
請求項1に記載の装置。 - パターンを有するパターニングデバイスを保持する支持構造と、
基板を保持する基板テーブルと、
前記基板のターゲット部分に前記パターンを転写する投影システムと、
前記パターニングデバイスの所望の熱ひずみパターンを形成するためのエネルギーを前記パターニングデバイスに供給するヒータと、
前記所望の熱ひずみパターンに対応する補正を装置内で実施するコントローラと、
を備えるリソグラフィ装置。 - 前記補正が前記投影システムの倍率調整を含む、
請求項11に記載の装置。 - 前記ヒータが、空間的に分離された、個々に制御可能な複数の放射のビームを前記パターニングデバイスへ導く照明デバイスを備える、
請求項11に記載の装置。 - 前記熱ひずみパターンが、前記パターニングデバイスの露光フィールド内の実質的にすべてのひずみが1つの方向に展開する形状を有する、
請求項11に記載の装置。 - パターニングデバイスのパターンの画像に対する前記パターニングデバイスの熱ひずみの影響を小さくする方法であって、
前記パターニングデバイスを加熱して前記パターニングデバイスの所望の熱ひずみパターンを形成するために、前記パターニングデバイスにエネルギーを供給するステップと、
前記パターンの画像に対する前記パターニングデバイスの熱ひずみの影響を小さくするために、基板に向かう前記パターンの画像の光路に、前記所望の熱ひずみパターンに対応する光学補正を適用するステップと、
を含む方法。 - 前記光学補正を適用するステップが、前記パターンの画像を投影するために使用される投影システムの倍率調整を含む、
請求項15に記載の方法。 - 熱を供給するステップが、空間的に分離された、個々に制御可能な複数の放射のビームを前記パターニングデバイスへ導くステップを含む、
請求項15に記載の方法。 - 前記パターニングデバイス上の露光フィールドの直ぐ隣に隣接する領域にエネルギーを供給するステップを含む、
請求項15に記載の方法。 - 前記パターニングデバイスを移動させ、かつ、前記パターニングデバイスが移動する方向の前記露光フィールドの前面および背面にエネルギーを供給するステップをさらに含む、
請求項18に記載の方法。 - 前記パターニングデバイスの熱ひずみパターンを決定するために前記パターニングデバイスの物理特性を測定するステップをさらに含む、
請求項15に記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/440,437 US7359029B2 (en) | 2006-05-25 | 2006-05-25 | Lithographic apparatus and method of reducing thermal distortion |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007318131A true JP2007318131A (ja) | 2007-12-06 |
Family
ID=38749172
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007130397A Pending JP2007318131A (ja) | 2006-05-25 | 2007-05-16 | リソグラフィ装置および熱ひずみを小さくする方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7359029B2 (ja) |
JP (1) | JP2007318131A (ja) |
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- 2007-05-16 JP JP2007130397A patent/JP2007318131A/ja active Pending
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US20070273851A1 (en) | 2007-11-29 |
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A977 | Report on retrieval |
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A521 | Written amendment |
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