JP2008135539A - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】発光装置1が、発光素子5と、前記発光素子5からの光を吸収し、波長変換して発光する蛍光体20を含有する蛍光体層10と、を有するように構成する。また、前記蛍光体層10を、前記蛍光体20の平均粒径よりも薄く塗布された接着剤21に前記蛍光体20を配置した構成にすると共に、前記蛍光体層10の厚さを前記蛍光体20の平均粒径の5倍以下の厚さとし、前記蛍光体層10中の前記蛍光体20の占有率が50%以上であるようにする。また、前記接着剤21に配置する前記蛍光体20の粒径を調整しておく。
【選択図】図3
Description
2θ(1/2)=|θ1−θ2|
ただし、最も大きな輝度の値を100%としたときの基準角度から0°の位置側に回転させたときに、輝度が50%になる角度をθ1とし、基準角度から180°の位置側に回転させたときに輝度が50%になる角度をθ2とする。
図18は、青色光を発する発光素子5上に直接的に2つの異なる蛍光体層10、11が積層された図2に示す発光装置1の輝度比及び相関色温度の値を、発光装置1の位置が0〜180°である場合について各々測定した測定結果を示している。実施例1では、蛍光体層10に含有される蛍光体20は赤色光を発し、蛍光体層11に含有される蛍光体25は緑色光を発する。蛍光体20の粒子径は、10μm以下、蛍光体25の粒子径は、13μm以下に調整されている。
図20は、紫外線光を発する発光素子5上に直接的に3つの異なる蛍光体層10、11、60が積層された図14に示す発光装置1の輝度比及び相関色温度の値を、発光装置1の位置が0〜180°である場合について各々測定した測定結果を示している。実施例2では、蛍光体層10に含有される蛍光体20は赤色光を発し、蛍光体層11に含有される蛍光体25は緑色光を発し、且つ蛍光体層60に含有される蛍光体101は青色光を発する。蛍光体20の粒子径は、10μm以下、蛍光体25の粒子径は、13μm以下、蛍光体101の粒子径は、20μm以下に調整されている。
図22は、青色光を発する発光素子5上に設けられた中間層12を介して2つの異なる蛍光体層10、11が積層された図15に示す発光装置1の輝度比及び相関色温度の値を、発光装置1の位置が0〜180°である場合について各々測定した測定結果を示している。実施例3では、蛍光体層10に含有される蛍光体20は赤色光を発し、蛍光体層11に含有される蛍光体25は緑色光を発する。蛍光体20の粒子径は、10μm以下、蛍光体25の粒子径は、13μm以下に調整されている。なお、各蛍光体層10、11が含有する蛍光体20、25の平均粒径はそれぞれ、7μm、10μmであった。
図24は、図15と概ね同様に構成されているが、紫外線光を発する発光素子5が用いられ、発光素子5上の中間層12を介して蛍光体層10、11、60の3層が設けられた図16に示す発光装置1の輝度比及び相関色温度の値を、発光装置1の位置が0〜180°である場合について各々測定した測定結果を示している。実施例4では、蛍光体層10に含有される蛍光体20は赤色光を発し、蛍光体層11に含有される蛍光体25は緑色光を発し、且つ蛍光体層60に含有される蛍光体101は青色光を発する。蛍光体20の粒子径は、10μm以下、蛍光体25の粒子径は、13μm以下、蛍光体101の粒子径は、20μm以下に調整されている。
図26は、図27に示す従来公知の発光装置100の輝度比及び相関色温度の値を、発光装置100の位置が0〜180°である場合について各々測定した測定結果を示している。図28は、図26の測定結果を、横軸が発光装置100の角度(°)であり、縦軸が相関色温度(K)である座標にプロットして示したものである。図27に示す従来公知の発光装置100は、基板2上に配置された発光素子5の周囲に、赤色光を発する蛍光体20及び緑色光を発する蛍光体25を混合させた樹脂を厚く配置した構成を有する。発光素子5としては青色光を発する発光素子5が用いられている。
図29は、図30に示す他の従来公知の発光装置100の輝度比及び相関色温度の値を、発光装置100の位置が0〜180°である場合について各々測定した測定結果を示している。図31は、図29の測定結果を、横軸が発光装置100の角度(°)であり、縦軸が相関色温度(K)である座標にプロットして示したものである。図30に示す他の従来公知の発光装置100は、基板2上に配置された発光素子5の周囲に、赤色光を発する蛍光体20、緑色光を発する蛍光体25及び青色光を発する蛍光体101を混合させた樹脂を厚く配置した構成を有する。発光素子5としては紫外線光を発する発光素子5が用いられている。
2 基板
3 側壁
5 発光素子
6 外部電極
7 導電線ワイヤ
10、11、60 蛍光体層
10a〜10c、11a〜11c 蛍光体構成層
12 封止部材
20、25、101 蛍光体
21、26 接着剤
30 ヒータ
31 排出口
35 ノズル
36 カートリッジ
37 配管
40 貯留部
41 配管
42 圧力調整装置
43 開閉弁
46 検出器
47 光ファイバー
48 分光器
49 配線
50 電源
55 高圧電源
56 電圧制御装置
61 従来公知の構成の蛍光体層
100 従来公知の発光装置
Claims (14)
- 発光素子と、
前記発光素子からの光を吸収し、波長変換して発光する蛍光体を含有する蛍光体層と、を有する発光装置であって、
前記蛍光体層における最大厚さ及び最小厚さの差が前記蛍光体の平均粒径の2倍以下であり、且つ前記蛍光体層中の前記蛍光体の占有率が50%以上であることを特徴とする、発光装置。 - 前記蛍光体層は、含有する蛍光体が異なる複数の蛍光体層からなり、前記複数の蛍光体層のうち、前記発光素子の最も近くにある蛍光体層の最大厚さ及び最小厚さの差が、前記発光素子の最も近くにある蛍光体層が含有する蛍光体の平均粒径の2倍以下であることを特徴とする、請求項1に記載の発光装置。
- 前記蛍光体層の厚さは、前記蛍光体の平均粒径の5倍以下であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の発光装置。
- 前記蛍光体層は、前記蛍光体の平均粒径以下の厚さの接着剤に前記蛍光体を配置した蛍光体構成層が1層以上積層された構成であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の発光装置。
- 前記1層以上の蛍光体構成層のうち、前記発光素子から最も遠くにある蛍光体構成層の占有率が50%以下であることを特徴とする、請求項4に記載の発光装置。
- 前記蛍光体の粒径が調整されていることを特徴とする、請求項1〜5のいずれかに記載の発光装置。
- 前記蛍光体層が前記発光素子の発光面上に1層以上積層されていることを特徴とする、請求項1〜6のいずれかに記載の発光装置。
- 発する光の半値角内における最大色温度及び最低色温度の差が250K以下であり、且つ平均演色評価数が90以上であることを特徴とする、発光装置。
- 発光素子と、前記発光素子からの光を吸収し、波長変換して発光する蛍光体を含有する蛍光体層と、を備えた発光装置の製造方法であって、
最大厚さ及び最小厚さの差が前記蛍光体の平均粒径の2倍以下であり、且つ含有する前記蛍光体の占有率が50%以上である前記蛍光体層を、前記発光素子の発光面を覆うように、前記発光素子の発光面上に直接又は中間層を介して形成することを特徴とする、発光装置の製造方法。 - 前記蛍光体層の厚さを前記蛍光体の平均粒径の5倍以下に形成することを特徴とする、請求項9に記載の発光装置の製造方法。
- 前記蛍光体層を形成する際には、被積層面上に前記接着剤を前記蛍光体の平均粒径よりも薄く塗布し、前記塗布された接着剤に前記蛍光体を配置して蛍光体構成層を形成する形成工程を、前記蛍光体層について所望の色温度が得られるまで行うことを特徴とする、請求項9又は10に記載の発光装置の製造方法。
- 前記蛍光体層を形成する際には、最後に形成する前記蛍光体構成層中の前記蛍光体の占有率を50%以下に設定することにより、前記蛍光体層中の前記蛍光体の色温度を調整することを特徴とする、請求項11に記載の発光装置の製造方法。
- 前記接着剤を塗布する際には、前記接着剤の粘度を低下させた状態で行うことを特徴とする、請求項11又は12に記載の発光装置の製造方法。
- 前記蛍光体を配置する際には、配置される前記蛍光体の粒径を調整することを特徴とする、請求項9〜13のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
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Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100986336B1 (ko) | 2009-10-22 | 2010-10-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자, 발광소자 제조방법 및 발광소자 패키지 |
KR101049483B1 (ko) * | 2009-05-20 | 2011-07-15 | 주식회사 루멘스 | 발광 다이오드 패키지 제조 장치 및 이를 이용한 발광 다이오드 패키지 제조 방법 |
WO2011122655A1 (ja) | 2010-03-30 | 2011-10-06 | 三菱化学株式会社 | 発光装置 |
WO2011122576A1 (ja) | 2010-03-30 | 2011-10-06 | 三菱化学株式会社 | 発光装置 |
JP2011253998A (ja) * | 2010-06-03 | 2011-12-15 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
WO2012090966A1 (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-05 | コニカミノルタオプト株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
JP2013521652A (ja) * | 2010-03-03 | 2013-06-10 | クリー インコーポレイテッド | 光学素子に光学材料を塗布するためのシステム及び方法 |
JP2015035512A (ja) * | 2013-08-09 | 2015-02-19 | 豊田合成株式会社 | Ledランプの製造方法及び封止材の枡型装置 |
KR20150021077A (ko) * | 2012-05-25 | 2015-02-27 | 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 | 광전자 컴포넌트들을 제조하기 위한 방법 그리고 광전자 컴포넌트들을 제조하기 위한 디바이스 |
JP2015173280A (ja) * | 2008-11-13 | 2015-10-01 | メイベン オプトロニクス インターナショナル リミテッド | 蛍光体変換発光装置のための蛍光体被覆光抽出構造 |
JP2015179846A (ja) * | 2008-11-13 | 2015-10-08 | メイベン オプトロニクス インターナショナル リミテッド | 蛍光体変換発光装置のための薄膜蛍光体層を形成するシステムおよび方法 |
JP2015228389A (ja) * | 2014-05-30 | 2015-12-17 | 日亜化学工業株式会社 | 光学的機能部材の製造方法、発光装置の製造方法及び発光装置 |
US9508904B2 (en) | 2011-01-31 | 2016-11-29 | Cree, Inc. | Structures and substrates for mounting optical elements and methods and devices for providing the same background |
JP7450121B2 (ja) | 2020-10-08 | 2024-03-14 | ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー | 発光ダイオードの保護層 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101423456B1 (ko) * | 2006-12-28 | 2014-07-29 | 서울반도체 주식회사 | 형광막 구조를 포함하는 백라이팅 유닛 |
US8455910B2 (en) * | 2009-09-21 | 2013-06-04 | Walsin Lihwa Corporation | Method of manufacturing light emitting diode packaging lens and light emitting diode package |
US8227274B2 (en) * | 2010-01-26 | 2012-07-24 | Lightizer Korea Co. | Light emitting diode (LED) and method of manufacture |
US8587187B2 (en) | 2010-12-06 | 2013-11-19 | Byoung GU Cho | Light diffusion of visible edge lines in a multi-dimensional modular display |
US8017417B1 (en) * | 2010-03-31 | 2011-09-13 | Lightizer Korea Co. | Light emitting diode having a wavelength shift layer and method of manufacture |
JP5746553B2 (ja) * | 2011-04-28 | 2015-07-08 | 株式会社東芝 | 基板加工システム、および基板加工プログラム |
KR101249444B1 (ko) * | 2012-10-25 | 2013-04-03 | 주식회사 포스포 | 토륨이 도핑된 가넷계 형광체 및 이를 이용한 발광장치 |
US8933478B2 (en) | 2013-02-19 | 2015-01-13 | Cooledge Lighting Inc. | Engineered-phosphor LED packages and related methods |
US8754435B1 (en) | 2013-02-19 | 2014-06-17 | Cooledge Lighting Inc. | Engineered-phosphor LED package and related methods |
JP6237181B2 (ja) * | 2013-12-06 | 2017-11-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
DE102015214360A1 (de) * | 2015-04-29 | 2016-11-03 | Tridonic Jennersdorf Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines LED-Moduls |
KR102674066B1 (ko) | 2016-11-11 | 2024-06-13 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 패키지 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1131845A (ja) * | 1997-07-14 | 1999-02-02 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオードの形成方法 |
JP2003526212A (ja) * | 2000-03-03 | 2003-09-02 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 発光変換素子を備えた、光を放射する半導体ボディの製造方法 |
JP2004048040A (ja) * | 2003-08-26 | 2004-02-12 | Toshiba Electronic Engineering Corp | 半導体発光装置 |
JP2004088013A (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-18 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
JP2004172586A (ja) * | 2002-11-07 | 2004-06-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Led照明光源 |
JP2004260169A (ja) * | 2003-02-26 | 2004-09-16 | Agilent Technol Inc | 修正出力スペクトルを供給するため光源を被覆する装置及び方法 |
JP2004288760A (ja) * | 2003-03-20 | 2004-10-14 | Stanley Electric Co Ltd | 多層led |
JP2005340512A (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Fujikura Ltd | 発光装置及び発光装置製造方法 |
JP2006005336A (ja) * | 2004-05-18 | 2006-01-05 | Showa Denko Kk | 発光ダイオードおよびその製造方法 |
JP2006049799A (ja) * | 2004-04-27 | 2006-02-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3524459B2 (ja) * | 1999-03-04 | 2004-05-10 | キヤノン株式会社 | 画像形成装置、フェースプレートの製造方法及び画像形成装置の製造方法 |
JP2001127346A (ja) | 1999-10-22 | 2001-05-11 | Stanley Electric Co Ltd | 発光ダイオード |
TW480744B (en) * | 2000-03-14 | 2002-03-21 | Lumileds Lighting Bv | Light-emitting diode, lighting device and method of manufacturing same |
JP2002344029A (ja) * | 2001-05-17 | 2002-11-29 | Rohm Co Ltd | 発光ダイオードの色調調整方法 |
CN100423296C (zh) * | 2001-09-03 | 2008-10-01 | 松下电器产业株式会社 | 半导体发光元件、发光装置及半导体发光元件的制造方法 |
JP3925137B2 (ja) | 2001-10-03 | 2007-06-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
AUPS327002A0 (en) * | 2002-06-28 | 2002-07-18 | Kabay & Company Pty Ltd | An electroluminescent light emitting device |
US7091653B2 (en) * | 2003-01-27 | 2006-08-15 | 3M Innovative Properties Company | Phosphor based light sources having a non-planar long pass reflector |
JP2004273798A (ja) * | 2003-03-10 | 2004-09-30 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光デバイス |
US20050157483A1 (en) * | 2003-06-24 | 2005-07-21 | Philip Chan | Lenticular medium with electro-luminescent backlighting |
EP1515368B1 (en) * | 2003-09-05 | 2019-12-25 | Nichia Corporation | Light equipment |
US7380962B2 (en) * | 2004-04-23 | 2008-06-03 | Light Prescriptions Innovators, Llc | Optical manifold for light-emitting diodes |
KR20050116203A (ko) * | 2004-06-07 | 2005-12-12 | 삼성전자주식회사 | 평판형광램프, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 표시장치 |
-
2006
- 2006-11-28 JP JP2006320149A patent/JP4520972B2/ja active Active
-
2007
- 2007-11-28 US US11/987,177 patent/US8164254B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-07-20 US US12/805,231 patent/US8253326B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1131845A (ja) * | 1997-07-14 | 1999-02-02 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオードの形成方法 |
JP2003526212A (ja) * | 2000-03-03 | 2003-09-02 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 発光変換素子を備えた、光を放射する半導体ボディの製造方法 |
JP2004088013A (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-18 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
JP2004172586A (ja) * | 2002-11-07 | 2004-06-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Led照明光源 |
JP2004260169A (ja) * | 2003-02-26 | 2004-09-16 | Agilent Technol Inc | 修正出力スペクトルを供給するため光源を被覆する装置及び方法 |
JP2004288760A (ja) * | 2003-03-20 | 2004-10-14 | Stanley Electric Co Ltd | 多層led |
JP2004048040A (ja) * | 2003-08-26 | 2004-02-12 | Toshiba Electronic Engineering Corp | 半導体発光装置 |
JP2006049799A (ja) * | 2004-04-27 | 2006-02-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光装置 |
JP2006005336A (ja) * | 2004-05-18 | 2006-01-05 | Showa Denko Kk | 発光ダイオードおよびその製造方法 |
JP2005340512A (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Fujikura Ltd | 発光装置及び発光装置製造方法 |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8940561B2 (en) | 2008-01-15 | 2015-01-27 | Cree, Inc. | Systems and methods for application of optical materials to optical elements |
JP2015179846A (ja) * | 2008-11-13 | 2015-10-08 | メイベン オプトロニクス インターナショナル リミテッド | 蛍光体変換発光装置のための薄膜蛍光体層を形成するシステムおよび方法 |
JP2015173280A (ja) * | 2008-11-13 | 2015-10-01 | メイベン オプトロニクス インターナショナル リミテッド | 蛍光体変換発光装置のための蛍光体被覆光抽出構造 |
US9797041B2 (en) | 2008-11-13 | 2017-10-24 | Maven Optronics Corp. | System and method for forming a thin-film phosphor layer for phosphor-converted light emitting devices |
US10038123B2 (en) | 2008-11-13 | 2018-07-31 | Maven Optronics International, Ltd. | Phosphor-coated light extraction structures for phosphor-converted light emitting devices |
KR101049483B1 (ko) * | 2009-05-20 | 2011-07-15 | 주식회사 루멘스 | 발광 다이오드 패키지 제조 장치 및 이를 이용한 발광 다이오드 패키지 제조 방법 |
US8415698B2 (en) | 2009-10-22 | 2013-04-09 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device with encapsulant formed with barriers and light emitting device package having the same |
KR100986336B1 (ko) | 2009-10-22 | 2010-10-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자, 발광소자 제조방법 및 발광소자 패키지 |
US9190577B2 (en) | 2009-10-22 | 2015-11-17 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device with encapsulant formed with barriers and light emitting device package having the same |
JP2013521652A (ja) * | 2010-03-03 | 2013-06-10 | クリー インコーポレイテッド | 光学素子に光学材料を塗布するためのシステム及び方法 |
WO2011122576A1 (ja) | 2010-03-30 | 2011-10-06 | 三菱化学株式会社 | 発光装置 |
WO2011122655A1 (ja) | 2010-03-30 | 2011-10-06 | 三菱化学株式会社 | 発光装置 |
JP2011253998A (ja) * | 2010-06-03 | 2011-12-15 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
WO2012090966A1 (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-05 | コニカミノルタオプト株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
US9508904B2 (en) | 2011-01-31 | 2016-11-29 | Cree, Inc. | Structures and substrates for mounting optical elements and methods and devices for providing the same background |
KR20150021077A (ko) * | 2012-05-25 | 2015-02-27 | 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 | 광전자 컴포넌트들을 제조하기 위한 방법 그리고 광전자 컴포넌트들을 제조하기 위한 디바이스 |
KR101640197B1 (ko) | 2012-05-25 | 2016-07-15 | 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 | 광전자 컴포넌트들을 제조하기 위한 방법 그리고 광전자 컴포넌트들을 제조하기 위한 디바이스 |
US9793445B2 (en) | 2012-05-25 | 2017-10-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method of manufacturing optoelectronic components and device for manufacturing optoelectronic components |
JP2015527725A (ja) * | 2012-05-25 | 2015-09-17 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | オプトエレクトロニクス素子を作製する方法およびオプトエレクトロニクス素子を作製するための装置 |
JP2015035512A (ja) * | 2013-08-09 | 2015-02-19 | 豊田合成株式会社 | Ledランプの製造方法及び封止材の枡型装置 |
JP2015228389A (ja) * | 2014-05-30 | 2015-12-17 | 日亜化学工業株式会社 | 光学的機能部材の製造方法、発光装置の製造方法及び発光装置 |
JP7450121B2 (ja) | 2020-10-08 | 2024-03-14 | ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー | 発光ダイオードの保護層 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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