JP2008124103A - 基板の表面処理方法及び基板の表面処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明の目的は、疎水性基板の上面に好適に処理液層を形成することによって、
乾燥処理にてウォーターマークの発生を抑制する基板の表面処理方法、及び、基板の表面
処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板Sの表面の洗浄処理後、処理液保持枠16を基板Sの側面に接触させ、
純水層WSを形成する。基板Sへの純水Wの供給を停止すると共に、基板Sの中心部に窒
素ガス供給ノズル11から窒素ガスGを噴出する。純水Wが除去されて基板Sの表面が略
円形に露出する。乾燥穴GSが処理液保持枠16に達すると同時に、処理液保持枠16を
基板Sから離間させる。基板Sの四辺に残る純水層WSは、スムーズに基板Sの側面から
流出する。これによって、基板Sの表面の乾燥処理が完了する。
【選択図】図2
乾燥処理にてウォーターマークの発生を抑制する基板の表面処理方法、及び、基板の表面
処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板Sの表面の洗浄処理後、処理液保持枠16を基板Sの側面に接触させ、
純水層WSを形成する。基板Sへの純水Wの供給を停止すると共に、基板Sの中心部に窒
素ガス供給ノズル11から窒素ガスGを噴出する。純水Wが除去されて基板Sの表面が略
円形に露出する。乾燥穴GSが処理液保持枠16に達すると同時に、処理液保持枠16を
基板Sから離間させる。基板Sの四辺に残る純水層WSは、スムーズに基板Sの側面から
流出する。これによって、基板Sの表面の乾燥処理が完了する。
【選択図】図2
Description
本発明は、アクティブLCD基板等の大型基板の表面処理方法、詳しくは、純水洗浄後
の基板表面の乾燥方法、及び、乾燥処理を行うための基板の表面処理装置に関する。
の基板表面の乾燥方法、及び、乾燥処理を行うための基板の表面処理装置に関する。
通常、疎水性基板を純水洗浄した後の乾燥工程においては、水滴とシリコン及び雰囲気
中の酸素が反応して基板上にウォーターマークが発生する。そこで、乾燥工程において、
微小な水滴が基板上に残留しないようにするために、基板全面に純水を液盛りし、純水の
液層を形成した後、基板の中心部に窒素ガスを噴出して、純水を基板の周辺に押し出して
ウォーターマークの発生を抑制する方法が提案されている。
中の酸素が反応して基板上にウォーターマークが発生する。そこで、乾燥工程において、
微小な水滴が基板上に残留しないようにするために、基板全面に純水を液盛りし、純水の
液層を形成した後、基板の中心部に窒素ガスを噴出して、純水を基板の周辺に押し出して
ウォーターマークの発生を抑制する方法が提案されている。
特許文献1では、先ず洗浄処理が終了した基板の上面に純水を液盛し、純水の液層を形
成する。次に、純水が液盛された基板の上面の中心部近傍に窒素ガスを噴出して、当該中
心部近傍に存在する純水を基板の周辺部に押し流す。その結果、基板の中心部からは純水
が排除され、純水層が周辺部のみに存在する状態へと移行する。この状態にて、基板の回
転数を上昇させながら、窒素ガスを吐出するガスノズルを基板の回転中心直上から端縁部
に向けてスキャンさせると、基板周辺部の純水が遠心力によって飛散するとともに、窒素
ガスが噴出される範囲が拡大して、基板の上面に残留付着している微小な水滴も確実に乾
燥することができる。
特開2006−66579号公報
成する。次に、純水が液盛された基板の上面の中心部近傍に窒素ガスを噴出して、当該中
心部近傍に存在する純水を基板の周辺部に押し流す。その結果、基板の中心部からは純水
が排除され、純水層が周辺部のみに存在する状態へと移行する。この状態にて、基板の回
転数を上昇させながら、窒素ガスを吐出するガスノズルを基板の回転中心直上から端縁部
に向けてスキャンさせると、基板周辺部の純水が遠心力によって飛散するとともに、窒素
ガスが噴出される範囲が拡大して、基板の上面に残留付着している微小な水滴も確実に乾
燥することができる。
しかしながら、基板の撓みが大きくなる大型基板においては、特許文献1の方法によっ
ても、好適な純水層を形成することは困難であり、基板の上面を好適に乾燥処理すること
はできなかった。
ても、好適な純水層を形成することは困難であり、基板の上面を好適に乾燥処理すること
はできなかった。
本発明の目的は、疎水性を有するシリコン膜を成膜した大型基板の上面に、好適な純水
層を形成し、これを除去することによって、乾燥工程におけるウォーターマークの発生を
抑制する基板の表面処理方法、及び、基板の表面処理装置を提供することにある。
層を形成し、これを除去することによって、乾燥工程におけるウォーターマークの発生を
抑制する基板の表面処理方法、及び、基板の表面処理装置を提供することにある。
本発明の基板の表面処理方法は、テーブル上に載置された基板上の処理液を、前記テー
ブルを回転させながら、噴出する不活性ガスによって除去し、該基板を乾燥させる基板の
表面処理方法において、前記基板を回転させながら前記処理液を該基板上に供給する工程
と、回転する前記テーブルに載置された該基板の各辺に処理液保持部材をそれぞれ当接し
、該基板の4辺を前記処理液保持部材にて囲み、該基板の上面に前記処理液を供給して処
理液層を形成する工程と、前記処理液の供給を停止して、回転する前記テーブルに載置し
た前記基板の上面中央部に前記不活性ガスを噴出し、該基板の中央部の該処理液を除去し
て、該基板の前記処理液層に乾燥穴を開ける工程と、前記乾燥穴の外周が前記処理液保持
部材に近接した時、該処理液保持部材を前記基板から離間させる工程と、を有する。
ブルを回転させながら、噴出する不活性ガスによって除去し、該基板を乾燥させる基板の
表面処理方法において、前記基板を回転させながら前記処理液を該基板上に供給する工程
と、回転する前記テーブルに載置された該基板の各辺に処理液保持部材をそれぞれ当接し
、該基板の4辺を前記処理液保持部材にて囲み、該基板の上面に前記処理液を供給して処
理液層を形成する工程と、前記処理液の供給を停止して、回転する前記テーブルに載置し
た前記基板の上面中央部に前記不活性ガスを噴出し、該基板の中央部の該処理液を除去し
て、該基板の前記処理液層に乾燥穴を開ける工程と、前記乾燥穴の外周が前記処理液保持
部材に近接した時、該処理液保持部材を前記基板から離間させる工程と、を有する。
本発明の基板の表面処理方法によれば、基板の上面に処理液保持部材を当接させること
から、基板は処理液保持部材によって周囲が囲まれ、該囲まれた範囲内で、処理液保持部
材が堰となって所定の深さの処理液層を形成する。そして、該処理液層の中央付近に不活
性ガスにより乾燥穴を開ける。その後、乾燥穴の外周が処理液保持部材に近接したときに
、処理液保持部材を基板から離間させる。
から、基板は処理液保持部材によって周囲が囲まれ、該囲まれた範囲内で、処理液保持部
材が堰となって所定の深さの処理液層を形成する。そして、該処理液層の中央付近に不活
性ガスにより乾燥穴を開ける。その後、乾燥穴の外周が処理液保持部材に近接したときに
、処理液保持部材を基板から離間させる。
従って、例えば、大型化した基板の表面のように、基板の表面が撓んでいて、そのまま
では基板の表面に所定の深さの処理液層が形成できない場合でも、処理液保持部材が堰と
なって基板の表面に好適に処理液層を形成することができる。そして、形成された処理液
層に不活性ガスにより乾燥穴を形成する。
では基板の表面に所定の深さの処理液層が形成できない場合でも、処理液保持部材が堰と
なって基板の表面に好適に処理液層を形成することができる。そして、形成された処理液
層に不活性ガスにより乾燥穴を形成する。
その結果、噴出した不活性ガス以外によって基板の上面に乾燥穴は形成されず、処理液
層から分離した微小な水滴が基板の上面に生じることを抑止できて、乾燥染みの発生を抑
制することができる。
層から分離した微小な水滴が基板の上面に生じることを抑止できて、乾燥染みの発生を抑
制することができる。
本発明の基板の表面処理装置は、基板を載置固定するためのテーブルと、前記テーブル
を回転させるための回転手段と、前記テーブルに載置した前記基板の中心付近に上方から
処理液を供給する処理液供給手段と、前記テーブルに載置した前記基板の中心付近に上方
から不活性ガスを噴出するガス供給手段と、を備える基板の表面処理装置であって、前記
テーブルに載置した前記基板の各辺に対応して備えられ、該対応する辺にそれぞれ当接し
て前記基板の周囲を囲み、前記処理液を該基板から流出させないための処理液保持部材と
、前記処理液保持部材を前記基板の各辺に当接させるための当接手段と、を備える。
を回転させるための回転手段と、前記テーブルに載置した前記基板の中心付近に上方から
処理液を供給する処理液供給手段と、前記テーブルに載置した前記基板の中心付近に上方
から不活性ガスを噴出するガス供給手段と、を備える基板の表面処理装置であって、前記
テーブルに載置した前記基板の各辺に対応して備えられ、該対応する辺にそれぞれ当接し
て前記基板の周囲を囲み、前記処理液を該基板から流出させないための処理液保持部材と
、前記処理液保持部材を前記基板の各辺に当接させるための当接手段と、を備える。
本発明の基板の表面処理装置によれば、基板は処理液保持部材によって該基板周囲が囲
まれることから、該囲まれた範囲内で、処理液保持部材が堰となって所定の深さの処理液
層を形成することができる。従って、例えば、大型化した基板の表面のように、基板の表
面が撓んでいて、そのままでは基板の表面に所定の深さの処理液層が形成できない場合で
も、処理液保持部材が堰となって基板の表面に好適に処理液層を形成することができる。
その結果、形成された処理液層を用いて好適に乾燥処理をすることができる。
まれることから、該囲まれた範囲内で、処理液保持部材が堰となって所定の深さの処理液
層を形成することができる。従って、例えば、大型化した基板の表面のように、基板の表
面が撓んでいて、そのままでは基板の表面に所定の深さの処理液層が形成できない場合で
も、処理液保持部材が堰となって基板の表面に好適に処理液層を形成することができる。
その結果、形成された処理液層を用いて好適に乾燥処理をすることができる。
本発明の基板の表面処理装置において、前記処理液保持部材は、弾性部材であることが
望ましい。
本発明の基板の表面処理装置によれば、処理液保持部材は弾性部材で形成したので、基
板の表面に撓みなどが生じていても、処理液保持部材を基板に当接させて、基板の表面の
処理液が流出しないようにすることができる。その結果、基板の撓みに影響されず好適に
処理液層を形成することができる。
望ましい。
本発明の基板の表面処理装置によれば、処理液保持部材は弾性部材で形成したので、基
板の表面に撓みなどが生じていても、処理液保持部材を基板に当接させて、基板の表面の
処理液が流出しないようにすることができる。その結果、基板の撓みに影響されず好適に
処理液層を形成することができる。
本発明の基板の表面処理装置において、前記当接手段は、前記処理液保持部材を、前記
基板の各辺の上面に当接させてもよい。
本発明の基板の表面処理装置によれば、処理液保持部材を基板の各辺の上面に載置する
だけで、基板の表面に簡単に当接させることができる。
基板の各辺の上面に当接させてもよい。
本発明の基板の表面処理装置によれば、処理液保持部材を基板の各辺の上面に載置する
だけで、基板の表面に簡単に当接させることができる。
本発明の基板の表面処理装置において、前記当接手段は、前記処理液保持部材を、前記
基板の側面に向かって押圧し、該処理液保持部材の前記基板を押圧する面は、該基板の側
面と嵌合する溝が形成されていてもよい。
基板の側面に向かって押圧し、該処理液保持部材の前記基板を押圧する面は、該基板の側
面と嵌合する溝が形成されていてもよい。
本発明の基板の表面処理装置によれば、当接手段によって処理液保持部材は基板の側面
に押圧される。この時、処理液保持部材の溝が基板の側面に嵌合される。従って、処理液
保持部材が確実に基板の側面に当接される。その結果、より確実に基板の表面に処理液層
を形成することができる。
に押圧される。この時、処理液保持部材の溝が基板の側面に嵌合される。従って、処理液
保持部材が確実に基板の側面に当接される。その結果、より確実に基板の表面に処理液層
を形成することができる。
本発明の基板の表面処理装置において、前記処理液保持部材の表面は、疎水性であるこ
とが好ましい。
本発明の基板の表面処理装置によれば、処理液保持部材の表面は疎水性であるので、処
理液との接触面積をできるだけ小さくすることができる。その結果、処理液保持部材から
処理液への汚染物質の拡大を抑制できる。
とが好ましい。
本発明の基板の表面処理装置によれば、処理液保持部材の表面は疎水性であるので、処
理液との接触面積をできるだけ小さくすることができる。その結果、処理液保持部材から
処理液への汚染物質の拡大を抑制できる。
本発明の基板の表面処理装置において、前記処理液保持部材の、前記基板の内側に向い
ている面は、内側に向かって傾斜していてもよい。
本発明の基板の表面処理装置によれば、処理液保持部材に囲まれた処理液は、疎水性で
ある処理液保持部材の傾斜面と接しているので、傾斜面と処理液層の処理液との接触面積
をより小さくすることができる。その結果、処理液保持部材から処理液への汚染物質の拡
大をより抑制できる。
ている面は、内側に向かって傾斜していてもよい。
本発明の基板の表面処理装置によれば、処理液保持部材に囲まれた処理液は、疎水性で
ある処理液保持部材の傾斜面と接しているので、傾斜面と処理液層の処理液との接触面積
をより小さくすることができる。その結果、処理液保持部材から処理液への汚染物質の拡
大をより抑制できる。
本発明の基板の表面処理装置において、前記処理液保持部材は、前記処理液保持部材の
下面に前記基板の上面に当接する可撓性の舌部が備えられていてもよい。
本発明の基板の表面処理装置によれば、処理液保持部材の下面に基板の表面に当接する
舌部を設けたので、処理液保持部材と基板との接触面積を小さくすることができる。その
結果、処理液保持部材から処理液への汚染物質の拡大をより抑制できる。また、舌部は可
撓性を有しているので、撓みの大きい基板にも馴染んでより好適に当接することができる
。その結果、撓みの大きな基板にも好適に処理液層を形成することができる。
下面に前記基板の上面に当接する可撓性の舌部が備えられていてもよい。
本発明の基板の表面処理装置によれば、処理液保持部材の下面に基板の表面に当接する
舌部を設けたので、処理液保持部材と基板との接触面積を小さくすることができる。その
結果、処理液保持部材から処理液への汚染物質の拡大をより抑制できる。また、舌部は可
撓性を有しているので、撓みの大きい基板にも馴染んでより好適に当接することができる
。その結果、撓みの大きな基板にも好適に処理液層を形成することができる。
本発明の基板の表面処理装置において、前記当接手段は、前記テーブルに備えられてい
てもよい。
本発明の基板の表面処理装置によれば、当接手段はテーブルに設けたので当接手段の当
接機構が非常に簡単な構成となる。
てもよい。
本発明の基板の表面処理装置によれば、当接手段はテーブルに設けたので当接手段の当
接機構が非常に簡単な構成となる。
本発明の基板の表面処理装置において、前記当接手段は、前記処理液保持部材を前記基
板に押圧するためのバネ部材を備え、該処理液保持部材は前記バネ部材の弾性力によって
前記基板に押圧されてもよい。
板に押圧するためのバネ部材を備え、該処理液保持部材は前記バネ部材の弾性力によって
前記基板に押圧されてもよい。
本発明の基板の表面処理装置によれば、当接手段の処理液保持部材はバネ部材にて、容
易に基板に押圧できる。その結果、当接手段を簡易な構造とすることができる。
本発明の基板の表面処理装置において、前記バネ部材の弾性力は、前記テーブルが所定
の回転数で回転するまでは前記処理液保持部材を前記基板に押圧すると好ましい。
易に基板に押圧できる。その結果、当接手段を簡易な構造とすることができる。
本発明の基板の表面処理装置において、前記バネ部材の弾性力は、前記テーブルが所定
の回転数で回転するまでは前記処理液保持部材を前記基板に押圧すると好ましい。
本発明の基板の表面処理装置によれば、バネ部材の弾性力はテーブルが所定の回転数で
回転するまでは処理液保持部材を基板に押圧するので、当接手段は所定の回転数までは処
理液保持部材を基板に押圧する。一方、所定の回転数よりも速く回転すると遠心力が弾性
力より大きくなり処理液保持部材にて基板を押圧できなくなる。その結果、基板へ押圧す
るか否かを回転数に基づいて決めることができて、当接手段の構造を簡単にすることがで
きる。
回転するまでは処理液保持部材を基板に押圧するので、当接手段は所定の回転数までは処
理液保持部材を基板に押圧する。一方、所定の回転数よりも速く回転すると遠心力が弾性
力より大きくなり処理液保持部材にて基板を押圧できなくなる。その結果、基板へ押圧す
るか否かを回転数に基づいて決めることができて、当接手段の構造を簡単にすることがで
きる。
本発明の基板の表面処理装置において、前記テーブルの上方に該テーブルの回転軸と中
心が一致して、該テーブルと同期して回転する上部回転手段を備え、前記当接手段は、前
記上部回転手段に備えられていてもよい。
心が一致して、該テーブルと同期して回転する上部回転手段を備え、前記当接手段は、前
記上部回転手段に備えられていてもよい。
本発明の基板の表面処理装置によれば、当接手段は、テーブルの上方に設けたので、上
方から処理液保持部材を移動させて基板の周囲を囲むことができる。
方から処理液保持部材を移動させて基板の周囲を囲むことができる。
(第1実施形態)
以下に、本発明を具体化した第1実施形態を図面に従って説明する。図1は、基板洗浄
装置1を模式的に示した模式図である。
以下に、本発明を具体化した第1実施形態を図面に従って説明する。図1は、基板洗浄
装置1を模式的に示した模式図である。
基板洗浄装置1の下部には、回転手段としての回転装置2が備えられている。又、基板
洗浄装置1の上部には、上部回転手段としての昇降回転装置3が備えられている。回転装
置2と昇降回転装置3とは、基板洗浄装置1において互いに向かい合うように配置されて
いる。
洗浄装置1の上部には、上部回転手段としての昇降回転装置3が備えられている。回転装
置2と昇降回転装置3とは、基板洗浄装置1において互いに向かい合うように配置されて
いる。
回転装置2は、その筐体2aに、上方に突出した回転軸4が回転可能に支持されている
。回転軸4は、筐体2a内に設けたモータ(図示せず)にて回転制御される。回転軸4の
上端には、テーブルとしてのスピンベース5が固着され、同スピンベース5を回転させる
。
。回転軸4は、筐体2a内に設けたモータ(図示せず)にて回転制御される。回転軸4の
上端には、テーブルとしてのスピンベース5が固着され、同スピンベース5を回転させる
。
スピンベース5は、十分な剛性を備えている略矩形状のテーブルであって、その上面に
は、処理基板(以下、単に基板という)Sを支持するための複数の支持ピン6と、基板S
をスピンベース5に対して吸着保持するスピンチャック7とが設けられている。
は、処理基板(以下、単に基板という)Sを支持するための複数の支持ピン6と、基板S
をスピンベース5に対して吸着保持するスピンチャック7とが設けられている。
各支持ピン6の上端部は、基板Sの裏面を傷つけない素材で構成されている。スピンチ
ャック7の上面は、基板Sの裏面を傷つけない素材で構成されているとともに、基板Sを
吸着するための図示しない吸着孔が備えられ、基板Sの裏面を真空吸着する。又、スピン
チャック7が吸着した基板Sの裏面の高さは、支持ピン6の上端部の高さと略同じ高さに
なる。
ャック7の上面は、基板Sの裏面を傷つけない素材で構成されているとともに、基板Sを
吸着するための図示しない吸着孔が備えられ、基板Sの裏面を真空吸着する。又、スピン
チャック7が吸着した基板Sの裏面の高さは、支持ピン6の上端部の高さと略同じ高さに
なる。
スピンベース5の上方位置には、昇降回転装置3が設けられている。本実施形態では、
昇降回転装置3は、その筐体3aが図示しない支柱を介して、前記回転装置2の筐体2a
に連結され支持されている。昇降回転装置3の筐体3aは、支柱に対して上下動可能に支
持され、図示しない昇降用モータにて昇降動作を行う。又、昇降回転装置3の筐体3aに
は、回転筒9が回転可能に支持されている。回転筒9は、その回転軸芯(中心軸線)が前
記回転軸4の回転軸芯(中心軸線)と一致するように、対向配置されている。回転筒9は
、筐体3a内に設けたモータ(図示せず)にて回転制御される。
昇降回転装置3は、その筐体3aが図示しない支柱を介して、前記回転装置2の筐体2a
に連結され支持されている。昇降回転装置3の筐体3aは、支柱に対して上下動可能に支
持され、図示しない昇降用モータにて昇降動作を行う。又、昇降回転装置3の筐体3aに
は、回転筒9が回転可能に支持されている。回転筒9は、その回転軸芯(中心軸線)が前
記回転軸4の回転軸芯(中心軸線)と一致するように、対向配置されている。回転筒9は
、筐体3a内に設けたモータ(図示せず)にて回転制御される。
回転筒9の筒内には、図示しない純水供給管、及び、窒素ガス供給管が回転筒9ととも
に回転することなく貫挿されている。純水供給管、及び、窒素ガス供給管は、回転筒9の
下端の開口部から下方(スピンベース5側)に向かって突出した処理液供給手段としての
純水供給ノズル10、及び、ガス供給手段としての窒素ガス供給ノズル11にそれぞれ接
続されている。そして、純水供給ノズル10は、純水供給管を介して供給される処理液と
しての純水W(図2(a)参照)を、スピンベース5に載置した基板Sの中心位置に真上
から噴出するようになっている。同様に、窒素ガス供給ノズル11は、窒素ガス供給管を
介して供給される不活性ガスとしての窒素ガスG(図2(d)参照)を、スピンベース5
に載置した基板Sの中心位置に真上から噴出するようになっている。
に回転することなく貫挿されている。純水供給管、及び、窒素ガス供給管は、回転筒9の
下端の開口部から下方(スピンベース5側)に向かって突出した処理液供給手段としての
純水供給ノズル10、及び、ガス供給手段としての窒素ガス供給ノズル11にそれぞれ接
続されている。そして、純水供給ノズル10は、純水供給管を介して供給される処理液と
しての純水W(図2(a)参照)を、スピンベース5に載置した基板Sの中心位置に真上
から噴出するようになっている。同様に、窒素ガス供給ノズル11は、窒素ガス供給管を
介して供給される不活性ガスとしての窒素ガスG(図2(d)参照)を、スピンベース5
に載置した基板Sの中心位置に真上から噴出するようになっている。
なお、純水供給ノズル10から噴出される純水Wは、純水供給管を介して図示しない純
水供給装置から供給される。また、窒素ガス供給ノズル11から噴出される窒素ガスGは
、窒素ガス管を介して図示しない窒素ガス供給装置から供給される。
水供給装置から供給される。また、窒素ガス供給ノズル11から噴出される窒素ガスGは
、窒素ガス管を介して図示しない窒素ガス供給装置から供給される。
回転筒9には、該回転筒9と一体的に回転する処理液保持装置12が設けられている。
処理液保持装置12は、回転筒9に固着した支持基材13を備えている。支持基材13は
、板材を十字形状に形成したものであって、その十字の中心位置を前記回転筒9が貫通し
、その貫通した回転筒に9に対して固着されている。固着された回転筒9から四方に延び
た支持基材13のフレーム部13aの先端部には、それぞれ当接手段としての支柱駆動装
置14が固着されている。
処理液保持装置12は、回転筒9に固着した支持基材13を備えている。支持基材13は
、板材を十字形状に形成したものであって、その十字の中心位置を前記回転筒9が貫通し
、その貫通した回転筒に9に対して固着されている。固着された回転筒9から四方に延び
た支持基材13のフレーム部13aの先端部には、それぞれ当接手段としての支柱駆動装
置14が固着されている。
各支柱駆動装置14は、該装置本体14aが、フレーム部13aに固着され、該装置本
体14aの左右両側部に回転部14bが、該装置本体14aに対して回転可能に支持され
ている。そして、装置本体14a内に設けた図示しないモータにて、左右一対の回転部1
4bは、装置本体14aに対して同方向に同期して回転するようになっている。
体14aの左右両側部に回転部14bが、該装置本体14aに対して回転可能に支持され
ている。そして、装置本体14a内に設けた図示しないモータにて、左右一対の回転部1
4bは、装置本体14aに対して同方向に同期して回転するようになっている。
各支柱駆動装置14の左右一対の回転部14bは、それぞれ連結アーム15を介して、
それぞれ対応する処理液保持部材としての処理液保持枠16と連結されている。従って、
回転部14bが回動すると連結アーム15を介して処理液保持枠16は、回転部14bを
回動中心として回動する。つまり、四方に延びた各フレーム部13aに対して、処理液保
持枠16がそれぞれ設けられ、それら4個の処理液保持枠16が、各支柱駆動装置14に
よって同方向に同期して回転部14bを回動する。
それぞれ対応する処理液保持部材としての処理液保持枠16と連結されている。従って、
回転部14bが回動すると連結アーム15を介して処理液保持枠16は、回転部14bを
回動中心として回動する。つまり、四方に延びた各フレーム部13aに対して、処理液保
持枠16がそれぞれ設けられ、それら4個の処理液保持枠16が、各支柱駆動装置14に
よって同方向に同期して回転部14bを回動する。
そして、4個の処理液保持枠16は、スピンベース5に載置された基板Sの各辺に対応
して設けられ、4個の処理液保持枠16が回動して、図2(c)に示すように、各辺の側
面に当接し、図2(c)に示す位置(以下、作用位置という)において、協働して基板S
の四方から囲むようになっている。
して設けられ、4個の処理液保持枠16が回動して、図2(c)に示すように、各辺の側
面に当接し、図2(c)に示す位置(以下、作用位置という)において、協働して基板S
の四方から囲むようになっている。
各処理液保持枠16は、基板Sの表面を傷つけない略角柱の弾性部材としての合成ゴム
からなり、その一側面に嵌合溝16aが長手方向に凹設されている。この嵌合溝16aは
、処理液保持枠16が作用位置にあるとき、基板Sの側端部に嵌合するようになっている
。
からなり、その一側面に嵌合溝16aが長手方向に凹設されている。この嵌合溝16aは
、処理液保持枠16が作用位置にあるとき、基板Sの側端部に嵌合するようになっている
。
従って、各処理液保持枠16が作用位置にあって、スピンベース5に載置された基板S
の四方が、各処理液保持枠16にて囲まれているとき、基板Sの上に純水Wを流し込んで
も、各処理液保持枠16が堰となって基板Sから漏れ出ることはない。
の四方が、各処理液保持枠16にて囲まれているとき、基板Sの上に純水Wを流し込んで
も、各処理液保持枠16が堰となって基板Sから漏れ出ることはない。
そして、作用位置にある各処理液保持枠16を、支柱駆動装置14の回転部14bを使
い反対方向に回転させると、各処理液保持枠16は基板Sの各辺から離間する。これによ
って、基板Sの各辺は、各処理液保持枠16からそれぞれ解放される。
い反対方向に回転させると、各処理液保持枠16は基板Sの各辺から離間する。これによ
って、基板Sの各辺は、各処理液保持枠16からそれぞれ解放される。
次に、本実施形態における基板洗浄装置1を用いた基板Sの乾燥方法について、図2(
a)〜(f)に基づいて説明する。
図2(a)〜(f)は、基板Sを乾燥処理する手順を示した図である。説明の都合上、
図示はしないが、基板Sは、スピンベース5の支持ピン6に載置されて、スピンチャック
7によって固定されているものとする。又、基板Sは、本実施形態では、アモルファスシ
リコンやポリシリコンなどの疎水性膜を全体に成膜したものである。
a)〜(f)に基づいて説明する。
図2(a)〜(f)は、基板Sを乾燥処理する手順を示した図である。説明の都合上、
図示はしないが、基板Sは、スピンベース5の支持ピン6に載置されて、スピンチャック
7によって固定されているものとする。又、基板Sは、本実施形態では、アモルファスシ
リコンやポリシリコンなどの疎水性膜を全体に成膜したものである。
この基板Sは、その表面を純水Wによって洗浄される。表面を純水Wによって洗浄され
た基板Sは、その表面を乾燥させる乾燥処理が行われる。
この乾燥処理は、まず、図2(a)に示すように、基板S(スピンベース5)を、本実
施形態では、毎分10回転で回転させながら、純水供給ノズル10から基板Sの表面に純
水Wを供給する。そして、基板Sの表面の全体に処理液層としての純水層WSを形成する
。
た基板Sは、その表面を乾燥させる乾燥処理が行われる。
この乾燥処理は、まず、図2(a)に示すように、基板S(スピンベース5)を、本実
施形態では、毎分10回転で回転させながら、純水供給ノズル10から基板Sの表面に純
水Wを供給する。そして、基板Sの表面の全体に処理液層としての純水層WSを形成する
。
この時点では、各処理液保持枠16が作用位置にないので、純水Wは、純水供給ノズル
10から純水Wを供給しつづけることで基板Sの表面に純水層WSが形成されている。
続いて、昇降回転装置3の回転筒9を、スピンベース5と同じ回転数(本実施形態では
、毎分10回転)で回転するように回転制御するとともに、各処理液保持枠16と基板S
の各側面が平行になるように位置制御を行う。この状態においても、純水Wを供給し続け
基板Sの表面に純水層WSを形成しつづける。
10から純水Wを供給しつづけることで基板Sの表面に純水層WSが形成されている。
続いて、昇降回転装置3の回転筒9を、スピンベース5と同じ回転数(本実施形態では
、毎分10回転)で回転するように回転制御するとともに、各処理液保持枠16と基板S
の各側面が平行になるように位置制御を行う。この状態においても、純水Wを供給し続け
基板Sの表面に純水層WSを形成しつづける。
次に、図2(c)に示すように、基板Sとともに回転する4個の処理液保持枠16を作
用位置まで回動させて、基板Sの四方から囲む。この状態においても、純水Wを供給し続
け基板Sの表面に純水層WSを形成しつづける。この時、基板Sの上面には、処理液保持
枠16が堰となって、該保持枠16の高さと略同じ高さの純水層WSが形成される。そし
て、処理液保持枠16の高さを超える分の純水Wは、処理液保持枠16から溢れて上面か
ら流出する。
用位置まで回動させて、基板Sの四方から囲む。この状態においても、純水Wを供給し続
け基板Sの表面に純水層WSを形成しつづける。この時、基板Sの上面には、処理液保持
枠16が堰となって、該保持枠16の高さと略同じ高さの純水層WSが形成される。そし
て、処理液保持枠16の高さを超える分の純水Wは、処理液保持枠16から溢れて上面か
ら流出する。
続いて、基板Sの中心部に供給していた純水Wの供給を停止すると共に、図2(d)に
示すように、基板Sの中心部に窒素ガス供給ノズル11から窒素ガスGを噴出する。これ
によって、基板Sの中心部に噴出された窒素ガスGは、基板Sの中心部の純水Wを、基板
Sの側部へ押し出すように除去する。基板Sの中心部には、純水層WSに略円形の純水W
が除去された穴(以下、乾燥穴という)GSが形成される。つまり、基板Sの中心部に、
純水Wが除去されて乾燥した疎水性膜からなる基板Sの表面が略円形に露出する。そして
、基板Sの中心部に供給する窒素ガスGの噴出量を徐々に増加させて、乾燥穴GSを広げ
る。
示すように、基板Sの中心部に窒素ガス供給ノズル11から窒素ガスGを噴出する。これ
によって、基板Sの中心部に噴出された窒素ガスGは、基板Sの中心部の純水Wを、基板
Sの側部へ押し出すように除去する。基板Sの中心部には、純水層WSに略円形の純水W
が除去された穴(以下、乾燥穴という)GSが形成される。つまり、基板Sの中心部に、
純水Wが除去されて乾燥した疎水性膜からなる基板Sの表面が略円形に露出する。そして
、基板Sの中心部に供給する窒素ガスGの噴出量を徐々に増加させて、乾燥穴GSを広げ
る。
やがて、純水層WSに形成された乾燥穴GSの円周の一部が処理液保持枠16に達する
と同時に、図2(e)に示すように、処理液保持枠16を基板Sの側面から離間させる。
処理液保持枠16が基板Sから離間すると、基板Sの四辺に残る純水層WSは、基板S
の疎水性膜の性質と、毎分10回転の回転及び窒素ガスGの噴出により、スムーズに基板
Sの側面から流出する。以上の手順によって基板Sの表面の乾燥処理が完了する。
と同時に、図2(e)に示すように、処理液保持枠16を基板Sの側面から離間させる。
処理液保持枠16が基板Sから離間すると、基板Sの四辺に残る純水層WSは、基板S
の疎水性膜の性質と、毎分10回転の回転及び窒素ガスGの噴出により、スムーズに基板
Sの側面から流出する。以上の手順によって基板Sの表面の乾燥処理が完了する。
その後、窒素ガスGの供給を停止する。さらに、処理液保持装置12が基板Sと干渉し
ない位置まで離脱したら、図2(f)に示すように、スピンベース5を毎分1000回転
で回転させることにより、基板Sの裏面に付着した純水Wを基板Sから飛ばして乾燥させ
る。
ない位置まで離脱したら、図2(f)に示すように、スピンベース5を毎分1000回転
で回転させることにより、基板Sの裏面に付着した純水Wを基板Sから飛ばして乾燥させ
る。
以上によって基板Sの乾燥処理が完了する。
本実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
(1)本実施形態によれば、基板Sには処理液保持枠16の高さと略同じ高さの純水層
WSが形成される。従って、基板Sに、例えば基板の大型化などにより撓みが生じていて
も、処理液保持枠16が堰となって基板Sの表面に所定の深さの純水層WSを形成するこ
とができる。その結果、基板Sが大型化してもウォーターマークを生じさせない乾燥処理
を行うことができる。
本実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
(1)本実施形態によれば、基板Sには処理液保持枠16の高さと略同じ高さの純水層
WSが形成される。従って、基板Sに、例えば基板の大型化などにより撓みが生じていて
も、処理液保持枠16が堰となって基板Sの表面に所定の深さの純水層WSを形成するこ
とができる。その結果、基板Sが大型化してもウォーターマークを生じさせない乾燥処理
を行うことができる。
(2)同様に本実施形態によれば、処理液保持枠16によって撓んだ基板Sの表面にも
所定の深さの純水層WSが形成されるので、基板を載置するための機構、例えばスピンベ
ース5に基板の撓みを矯正させる仕組みが無くてもよい。従って、基板洗浄装置1の構造
を簡易化できると共に、洗浄処理を容易にできる。
所定の深さの純水層WSが形成されるので、基板を載置するための機構、例えばスピンベ
ース5に基板の撓みを矯正させる仕組みが無くてもよい。従って、基板洗浄装置1の構造
を簡易化できると共に、洗浄処理を容易にできる。
(3)本実施形態によれば、処理液保持枠16は、合成ゴムからなる。従って、基板S
が撓んでいる場合でも、基板Sに処理液保持枠16を強く押し付けなくとも密接させるこ
とができる。その結果、基板Sに処理液保持枠16を好適に設置して、好適に純水層WS
を形成することができる。
が撓んでいる場合でも、基板Sに処理液保持枠16を強く押し付けなくとも密接させるこ
とができる。その結果、基板Sに処理液保持枠16を好適に設置して、好適に純水層WS
を形成することができる。
(4)本実施形態によれば、安定に形成された純水層WSに窒素ガスGを噴出すること
によって乾燥穴GSを形成した。従って、乾燥穴GSに微小な水滴が生じることを抑止で
きる。又、乾燥穴GSが偏よることや、複数生じることが無いように乾燥穴GSを形成で
きるので、乾燥穴GSの偏りなどにより微小な水滴が生じることも抑止できる。その結果
、基板Sの乾燥した面にウォーターマークを生じさせずに乾燥処理を行うことができる。
によって乾燥穴GSを形成した。従って、乾燥穴GSに微小な水滴が生じることを抑止で
きる。又、乾燥穴GSが偏よることや、複数生じることが無いように乾燥穴GSを形成で
きるので、乾燥穴GSの偏りなどにより微小な水滴が生じることも抑止できる。その結果
、基板Sの乾燥した面にウォーターマークを生じさせずに乾燥処理を行うことができる。
(5)本実施形態によれば、乾燥穴GSの外周が処理液保持枠16に近接した時、処理
液保持枠16を基板Sから離間させた。従って、乾燥穴GSが処理液保持枠16に近接す
るまで、基板Sの表面に、乾燥穴GS以外で乾燥した箇所が形成されることを防ぐことが
できる。その結果、基板Sの乾燥した面にウォーターマークを生じさせずに乾燥処理を行
うことができる。
液保持枠16を基板Sから離間させた。従って、乾燥穴GSが処理液保持枠16に近接す
るまで、基板Sの表面に、乾燥穴GS以外で乾燥した箇所が形成されることを防ぐことが
できる。その結果、基板Sの乾燥した面にウォーターマークを生じさせずに乾燥処理を行
うことができる。
又、処理液保持枠16を基板Sから離間させた時に、基板Sの四隅に残る純水Wは、引
き続き広がる乾燥穴GSによって基板Sの側面からスムーズに流出させられる。その結果
、基板Sの四隅の乾燥した面にもウォーターマークを生じさせずに乾燥処理を行うことが
できる。
き続き広がる乾燥穴GSによって基板Sの側面からスムーズに流出させられる。その結果
、基板Sの四隅の乾燥した面にもウォーターマークを生じさせずに乾燥処理を行うことが
できる。
(第2実施形態)
以下に、本発明を具体化した第2実施形態を図面に従って説明する。図3は、基板洗浄
装置21を模式的に示した模式図である。尚、第1実施形態において説明したものと同様
の部位には同一の番号を付して重複した説明を省略する。
以下に、本発明を具体化した第2実施形態を図面に従って説明する。図3は、基板洗浄
装置21を模式的に示した模式図である。尚、第1実施形態において説明したものと同様
の部位には同一の番号を付して重複した説明を省略する。
基板洗浄装置21には、回転装置2、回転軸4、テーブルとしてのスピンベース22が
備えられている。
スピンベース22は、第1実施形態のスピンベース5とほぼ同様の略矩形状の基台であ
るが、基板Sよりも大きく構成されている。スピンベース22上側の基板Sよりも内側に
は、支持ピン6及びスピンチャック7が備えられている。
備えられている。
スピンベース22は、第1実施形態のスピンベース5とほぼ同様の略矩形状の基台であ
るが、基板Sよりも大きく構成されている。スピンベース22上側の基板Sよりも内側に
は、支持ピン6及びスピンチャック7が備えられている。
又、スピンベース22上側の基板Sよりも外側には、当接手段としての伸縮装置23が
固着されている。伸縮装置23は、基板Sの各辺に対応して各辺に2つずつ全部で8つ設
けられ、支持ピン6にて支持された基板Sの各側面にそれぞれ相対向する位置に設置され
ている。
固着されている。伸縮装置23は、基板Sの各辺に対応して各辺に2つずつ全部で8つ設
けられ、支持ピン6にて支持された基板Sの各側面にそれぞれ相対向する位置に設置され
ている。
各伸縮装置23の筐体23aには、可動ロッド24が基板Sに向かって移動可能に支持
されている。可動ロッド24の先端には、処理液保持枠16が基板Sの側面と平行に備え
られている。
されている。可動ロッド24の先端には、処理液保持枠16が基板Sの側面と平行に備え
られている。
各伸縮装置23の筐体23a内には、バネ部材としてのスプリングコイル(図示せず)
が設けられている。該スプリングコイルによって各可動ロッド24は常に基板Sに向かっ
て弾性力を付与され、可動ロッド24の先端に設けた各処理液保持枠16が、図3に示す
位置(以下、作用位置という)まで移動する。つまり、各処理液保持枠16は、その嵌合
溝16aが基板Sの側端部と嵌合し押圧した状態で、基板Sを保持するようになっている
。
が設けられている。該スプリングコイルによって各可動ロッド24は常に基板Sに向かっ
て弾性力を付与され、可動ロッド24の先端に設けた各処理液保持枠16が、図3に示す
位置(以下、作用位置という)まで移動する。つまり、各処理液保持枠16は、その嵌合
溝16aが基板Sの側端部と嵌合し押圧した状態で、基板Sを保持するようになっている
。
そして、各処理液保持枠16は、スピンベース5が所定の回転数以上で回転すると、基
板Sを押圧保持ができなくなって、各処理液保持枠16は基板Sから離間する。これは、
遠心力がスプリングコイルのバネ力より大きくなるからである。そして、本実施形態では
、スプリングコイルのバネ力を、スピンベース5が毎分10回転よりも速く回転すると、
基板Sを押圧保持できなくなるバネ力に設定している。
板Sを押圧保持ができなくなって、各処理液保持枠16は基板Sから離間する。これは、
遠心力がスプリングコイルのバネ力より大きくなるからである。そして、本実施形態では
、スプリングコイルのバネ力を、スピンベース5が毎分10回転よりも速く回転すると、
基板Sを押圧保持できなくなるバネ力に設定している。
伸縮装置23の筐体23aには、操作レバー23bが、移動可能に設けられている。操
作レバー23bの基端は可動ロッド24に連結され、操作レバー23bを手前(基板Sか
ら離間する方向)に操作することによって、可動ロッド24をスプリングコイルのバネ力
に抗して手前側に移動させることができる。つまり、処理液保持枠16を基板Sから離間
させることができる。
作レバー23bの基端は可動ロッド24に連結され、操作レバー23bを手前(基板Sか
ら離間する方向)に操作することによって、可動ロッド24をスプリングコイルのバネ力
に抗して手前側に移動させることができる。つまり、処理液保持枠16を基板Sから離間
させることができる。
伸縮装置23の筐体23aの一側には、牽引装置25が設けられている。牽引装置25
は、操作レバー23bと係合するフック部材25aが設けられている。牽引装置25は、
フック部材25aを伸張位置と収縮位置の2位置に移動制御する。詳述すると、可動ロッ
ド24が作用位置にあって、フック部材25aが伸張位置にある時、フック部材25aは
、操作レバー23bと係合可能な相対向位置に向き合った状態にある。そして、フック部
材25aがこの伸張位置から伸縮位置に移動すると、フック部材25aは操作レバー23
bを係合して手前に引き寄せ移動させる。その結果、可動ロッド24をスプリングコイル
のバネ力に抗して手前側に移動させ、処理液保持枠16を基板Sから離間させることがで
きる。
は、操作レバー23bと係合するフック部材25aが設けられている。牽引装置25は、
フック部材25aを伸張位置と収縮位置の2位置に移動制御する。詳述すると、可動ロッ
ド24が作用位置にあって、フック部材25aが伸張位置にある時、フック部材25aは
、操作レバー23bと係合可能な相対向位置に向き合った状態にある。そして、フック部
材25aがこの伸張位置から伸縮位置に移動すると、フック部材25aは操作レバー23
bを係合して手前に引き寄せ移動させる。その結果、可動ロッド24をスプリングコイル
のバネ力に抗して手前側に移動させ、処理液保持枠16を基板Sから離間させることがで
きる。
尚、フック部材25aが伸張位置にある時、操作レバー23bは、その移動範囲で自由
に摺動操作でき、操作レバー23bを操作して処理液保持枠16を基板Sから離間させた
りすることができる。
に摺動操作でき、操作レバー23bを操作して処理液保持枠16を基板Sから離間させた
りすることができる。
又、基板洗浄装置21には、供給アーム26が備えられている。供給アーム26は、基
板Sよりも高い位置に備えられ、その先端部には純水供給ノズル10、及び、窒素ガス供
給ノズル11が備えられている。供給アーム26には、図示しない駆動装置が備えられて
いて、その駆動装置によって供給アーム26の先端部を基板Sの中心付近に移動可能にな
っている。
板Sよりも高い位置に備えられ、その先端部には純水供給ノズル10、及び、窒素ガス供
給ノズル11が備えられている。供給アーム26には、図示しない駆動装置が備えられて
いて、その駆動装置によって供給アーム26の先端部を基板Sの中心付近に移動可能にな
っている。
次に、本実施形態における基板洗浄装置21を用いた場合の基板Sの乾燥方法について
、図2(a)〜(f)に基づいて説明する。尚、乾燥方法は、第1実施形態で説明した方
法とほぼ同様なので、第1実施形態と異なる部分を中心に説明する。
、図2(a)〜(f)に基づいて説明する。尚、乾燥方法は、第1実施形態で説明した方
法とほぼ同様なので、第1実施形態と異なる部分を中心に説明する。
表面を純水Wによって洗浄された基板Sは、その表面を乾燥させる乾燥処理が行われる
。
この乾燥処理は、まず、図2(a)に示すように、基板S(スピンベース5)を、毎分
10回転で回転させながら、純水供給ノズル10から基板Sの表面に純水Wを供給する。
そして、基板Sの表面の全体に純水層WSを形成する。
。
この乾燥処理は、まず、図2(a)に示すように、基板S(スピンベース5)を、毎分
10回転で回転させながら、純水供給ノズル10から基板Sの表面に純水Wを供給する。
そして、基板Sの表面の全体に純水層WSを形成する。
続いて、図2(b)に示すように、牽引装置25のフック部材25aを伸張位置に移動
することにより、処理液保持枠16を基板Sに近づける。
次に、図2(c)に示すように、スプリングコイルのバネ力により4個の処理液保持枠
16を作用位置まで移動させて、基板Sの四方から囲む。この時、基板Sの上面には、処
理液保持枠16の高さと略同じ高さの純水層WSが形成される。
することにより、処理液保持枠16を基板Sに近づける。
次に、図2(c)に示すように、スプリングコイルのバネ力により4個の処理液保持枠
16を作用位置まで移動させて、基板Sの四方から囲む。この時、基板Sの上面には、処
理液保持枠16の高さと略同じ高さの純水層WSが形成される。
続いて、基板Sの中心部に供給していた純水Wの供給を停止すると共に、図2(d)に
示すように、基板Sの中心部に窒素ガス供給ノズル11から窒素ガスGを噴出する。これ
によって、基板Sの中心部には、純水層WSに略円形の純水Wが除去された乾燥穴GSが
形成される。そして、基板Sの中心部に供給する窒素ガスGの噴出量を徐々に増加させて
、乾燥穴GSを広げる。
示すように、基板Sの中心部に窒素ガス供給ノズル11から窒素ガスGを噴出する。これ
によって、基板Sの中心部には、純水層WSに略円形の純水Wが除去された乾燥穴GSが
形成される。そして、基板Sの中心部に供給する窒素ガスGの噴出量を徐々に増加させて
、乾燥穴GSを広げる。
やがて、純水層WSに形成された乾燥穴GSの円周の一部が処理液保持枠16に達する
のに合わせて、スピンベース22の回転を速くする。回転が速くなるに伴って、図2(e
)に示すように、筐体23a内のスプリングコイルのバネ力よりも、可動ロッド24及び
処理液保持枠16の遠心力が大きくなり、処理液保持枠16が基板Sから離間する。
のに合わせて、スピンベース22の回転を速くする。回転が速くなるに伴って、図2(e
)に示すように、筐体23a内のスプリングコイルのバネ力よりも、可動ロッド24及び
処理液保持枠16の遠心力が大きくなり、処理液保持枠16が基板Sから離間する。
処理液保持枠16が基板Sから離間すると、基板Sの四辺に残る純水層WSは、基板S
の疎水性膜の性質と、基板Sの回転及び窒素ガスGの噴出により、スムーズに基板Sの側
面から流出する。以上の手順によって基板Sの表面の乾燥処理が完了する。
の疎水性膜の性質と、基板Sの回転及び窒素ガスGの噴出により、スムーズに基板Sの側
面から流出する。以上の手順によって基板Sの表面の乾燥処理が完了する。
その後、窒素ガスGの供給を停止する。さらに、牽引装置25のフック部材25aを伸
縮位置まで移動してから、図2(f)に示すように、スピンベース5を毎分1000回転
で回転させることにより、基板Sの裏面に付着した純水Wを基板Sから飛ばして乾燥させ
る。
縮位置まで移動してから、図2(f)に示すように、スピンベース5を毎分1000回転
で回転させることにより、基板Sの裏面に付着した純水Wを基板Sから飛ばして乾燥させ
る。
以上によって基板Sの乾燥処理が完了する。
本実施形態によれば、前記第1実施形態の効果に加えて以下のような効果を得ることが
できる。
本実施形態によれば、前記第1実施形態の効果に加えて以下のような効果を得ることが
できる。
(1)本実施形態によれば、伸縮装置23、可動ロッド24及び牽引装置25をスピン
ベース22の上に備えて、処理液保持枠16を伸縮させた。従って、基板洗浄装置1の小
型化、簡易化ができる。
ベース22の上に備えて、処理液保持枠16を伸縮させた。従って、基板洗浄装置1の小
型化、簡易化ができる。
(2)本実施形態によれば、バネ力により処理液保持枠16を基板Sに押圧保持させ、
バネ力より大きい遠心力により処理液保持枠16を基板Sから離間させた。従って、簡単
な構造の伸縮装置23を用いて処理液保持枠16を基板Sに押圧保持することができる。
バネ力より大きい遠心力により処理液保持枠16を基板Sから離間させた。従って、簡単
な構造の伸縮装置23を用いて処理液保持枠16を基板Sに押圧保持することができる。
尚、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
・第1実施形態及び第2実施形態では、処理液保持枠16は、断面がコの字型をしてい
て、基板Sの側面に嵌合した。しかしこれに限らず、処理液保持枠16の断面は異なる形
状でもよい。
・第1実施形態及び第2実施形態では、処理液保持枠16は、断面がコの字型をしてい
て、基板Sの側面に嵌合した。しかしこれに限らず、処理液保持枠16の断面は異なる形
状でもよい。
例えば、図4(a)に示すように、処理液保持枠31は、溝31aと、基板Sの上面に
対して立ち上がる側面に斜面31cを備えてもよい。これによって、斜面31cが疎水性
であれば、斜面31cと純水Wの接触面積を減少さることができて、処理液保持枠31か
ら処理液への汚染物質の拡大を抑制することができる。
対して立ち上がる側面に斜面31cを備えてもよい。これによって、斜面31cが疎水性
であれば、斜面31cと純水Wの接触面積を減少さることができて、処理液保持枠31か
ら処理液への汚染物質の拡大を抑制することができる。
又、例えば、図4(b)に示すように、処理液保持枠32は、略角柱状であり、溝を備
えていなくてもよい。この場合は、処理液保持枠32は、基板Sの側面に嵌合するのでは
なく、基板S側面の上側に載置される。従って、より容易に処理液保持枠32を基板洗浄
装置1に設けることができる。
えていなくてもよい。この場合は、処理液保持枠32は、基板Sの側面に嵌合するのでは
なく、基板S側面の上側に載置される。従って、より容易に処理液保持枠32を基板洗浄
装置1に設けることができる。
さらに、例えば、図4(c)に示すように、処理液保持枠33は、略角柱状であり、基
板Sの上面に対して立ち上がる側面に斜面33cを備えてもよい。斜面33cが疎水性で
あれば、斜面33cと純水Wの接触面積を減少さることができて、処理液保持枠33から
処理液への汚染物質の拡大を抑制することができる。
板Sの上面に対して立ち上がる側面に斜面33cを備えてもよい。斜面33cが疎水性で
あれば、斜面33cと純水Wの接触面積を減少さることができて、処理液保持枠33から
処理液への汚染物質の拡大を抑制することができる。
さらに又、例えば、図4(d)に示すように、処理液保持枠34は略角柱状であり、そ
の下側には基板Sの上面に接するための、合成ゴムからなる薄い舌部34cを備えてもよ
い。舌部34cには弾性があるので基板Sにより好適に接触できる。又、舌部34cは薄
いので、接触部34aと基板Sとの接触面積を減らすことができる。従って、処理液保持
枠34から処理液への汚染物質の拡大を抑制することができる。
の下側には基板Sの上面に接するための、合成ゴムからなる薄い舌部34cを備えてもよ
い。舌部34cには弾性があるので基板Sにより好適に接触できる。又、舌部34cは薄
いので、接触部34aと基板Sとの接触面積を減らすことができる。従って、処理液保持
枠34から処理液への汚染物質の拡大を抑制することができる。
・第1実施形態及び第2実施形態では、処理液保持枠16の部材は、合成ゴムであった
。しかしこれに限らず、処理液保持枠16の部材は、基板Sの上に純水層WSが形成でき
るのであれば、どのような部材、例えば樹脂製部材や金属製部材でもよい。
。しかしこれに限らず、処理液保持枠16の部材は、基板Sの上に純水層WSが形成でき
るのであれば、どのような部材、例えば樹脂製部材や金属製部材でもよい。
さらに、処理液保持枠16の表面は疎水性であってもよい。そうすれば、純水Wと処理
液保持枠16の接触面積を減少させることができて、処理液保持枠16から処理液への汚
染物質の拡大を抑制することができる。
液保持枠16の接触面積を減少させることができて、処理液保持枠16から処理液への汚
染物質の拡大を抑制することができる。
・第1実施形態及び第2実施形態では、洗浄液には純水Wを用い、乾燥穴GSの形成に
は窒素ガスGを用いた。しかしこれに限らず、洗浄液は基板Sの表面を好適に洗浄できれ
ば、その他の液体でもよい。又、窒素ガスも基板Sの表面に好適に乾燥穴GSを形成でき
れば、その他のガスでもよい。
は窒素ガスGを用いた。しかしこれに限らず、洗浄液は基板Sの表面を好適に洗浄できれ
ば、その他の液体でもよい。又、窒素ガスも基板Sの表面に好適に乾燥穴GSを形成でき
れば、その他のガスでもよい。
・第1実施形態及び第2実施形態では、回転装置2、回転軸4、スピンベース5,22
、支持ピン6、及びスピンチャック7を備えて、基板Sを保持し、又、回転させた。しか
しこれに限らず、回転装置2、回転軸4、スピンベース5,22、支持ピン6、及びスピ
ンチャック7からなる構造は、基板Sを保持し、又、回転させることができれば、どのよ
うの構造でもよい。
、支持ピン6、及びスピンチャック7を備えて、基板Sを保持し、又、回転させた。しか
しこれに限らず、回転装置2、回転軸4、スピンベース5,22、支持ピン6、及びスピ
ンチャック7からなる構造は、基板Sを保持し、又、回転させることができれば、どのよ
うの構造でもよい。
・第2実施形態において、伸縮装置23のスプリングコイルの代わりに、サーボモータ
を備え、可動ロッド24の伸縮位置を位置制御してもよい。
・第1実施形態では、処理液保持枠16を保持するために、処理液保持装置12を備え
た。又、第2実施形態では、処理液保持枠16を保持するために、伸縮装置23、可動ロ
ッド24、及び牽引装置25を備えた。しかしこれに限らず、処理液保持枠16を保持す
るため機構や構造は、基板Sに処理液保持枠16を当接及び離間可能であれば、どのよう
なものでもよい。そうすれば、様々な方法で基板洗浄装置1に処理液保持枠16を備える
ことができる。
を備え、可動ロッド24の伸縮位置を位置制御してもよい。
・第1実施形態では、処理液保持枠16を保持するために、処理液保持装置12を備え
た。又、第2実施形態では、処理液保持枠16を保持するために、伸縮装置23、可動ロ
ッド24、及び牽引装置25を備えた。しかしこれに限らず、処理液保持枠16を保持す
るため機構や構造は、基板Sに処理液保持枠16を当接及び離間可能であれば、どのよう
なものでもよい。そうすれば、様々な方法で基板洗浄装置1に処理液保持枠16を備える
ことができる。
G…窒素ガス、S…基板、W…純水、GS…乾燥穴、WS…純水層、1,21…基板洗浄
装置、2…回転装置、3…昇降回転装置、4…回転軸、5,22…スピンベース、6…支
持ピン、7…スピンチャック、9…回転筒、10…純水供給ノズル、11…窒素ガス供給
ノズル、12…処理液保持装置、13…支持基材、14…支柱駆動装置、15…連結アー
ム、16…処理液保持枠、23…伸縮装置、24…可動ロッド、25…牽引装置、26…
供給アーム。
装置、2…回転装置、3…昇降回転装置、4…回転軸、5,22…スピンベース、6…支
持ピン、7…スピンチャック、9…回転筒、10…純水供給ノズル、11…窒素ガス供給
ノズル、12…処理液保持装置、13…支持基材、14…支柱駆動装置、15…連結アー
ム、16…処理液保持枠、23…伸縮装置、24…可動ロッド、25…牽引装置、26…
供給アーム。
Claims (12)
- テーブル上に載置された基板上の処理液を、前記テーブルを回転させながら、噴出する不
活性ガスによって除去し、該基板を乾燥させる基板の表面処理方法において、
前記基板を回転させながら前記処理液を該基板上に供給する工程と、
回転する前記テーブルに載置された該基板の各辺に処理液保持部材をそれぞれ当接し、
該基板の4辺を前記処理液保持部材にて囲み、該基板の上面に前記処理液を供給して処理
液層を形成する工程と、
前記処理液の供給を停止して、回転する前記テーブルに載置した前記基板の上面中央部
に前記不活性ガスを噴出し、該基板の中央部の該処理液を除去して、該基板の前記処理液
層に乾燥穴を開ける工程と、
前記乾燥穴の外周が前記処理液保持部材に近接した時、該処理液保持部材を前記基板か
ら離間させる工程と、
を有することを特徴とする基板の表面処理方法。 - 基板を載置固定するためのテーブルと、
前記テーブルを回転させるための回転手段と、
前記テーブルに載置した前記基板の中心付近に上方から処理液を供給する処理液供給手
段と、
前記テーブルに載置した前記基板の中心付近に上方から不活性ガスを噴出するガス供給
手段と、
を備える基板の表面処理装置であって、
前記テーブルに載置した前記基板の各辺に対応して備えられ、該対応する辺にそれぞれ
当接して前記基板の周囲を囲み、前記処理液を該基板から流出させないための処理液保持
部材と、
前記処理液保持部材を前記基板の各辺に当接させるための当接手段と、
を備えた基板の表面処理装置。 - 請求項2に記載の基板の表面処理装置において、
前記処理液保持部材は、弾性部材からなることを特徴とする基板の表面処理装置。 - 請求項2又は3に記載の基板の表面処理装置において、
前記当接手段は、前記処理液保持部材を、前記基板の各辺の上面に当接させることを特
徴とする基板の表面処理装置。 - 請求項2又は3に記載の基板の表面処理装置において、
前記当接手段は、前記処理液保持部材を、前記基板の側面に向かって押圧し、
該処理液保持部材の前記基板を押圧する面は、該基板の側面と嵌合する溝が形成されて
いることを特徴とする基板の表面処理装置。 - 請求項2〜5のいずれか1つに記載の基板の表面処理装置において、
前記処理液保持部材の表面は、疎水性であることを特徴とする基板の表面処理装置。 - 請求項6に記載の基板の表面処理装置において、
前記処理液保持部材の、前記基板の内側に向いている面は、内側に向かって傾斜してい
ることを特徴とする基板の表面処理装置。 - 請求項2〜6のいずれか1つに記載の基板の表面処理装置において、
前記処理液保持部材は、前記処理液保持部材の下面に前記基板の上面に当接する可撓性
の舌部が備えられていることを特徴とする基板の表面処理装置。 - 請求項2〜8のいずれか1つに記載の基板の表面処理装置において、
前記当接手段は、前記テーブルに備えられていることを特徴とする基板の表面処理装置
。 - 請求項9に記載の基板の表面処理装置において、
前記当接手段は、前記処理液保持部材を前記基板に押圧するためのバネ部材を備え、
該処理液保持部材は前記バネ部材の弾性力によって前記基板に押圧されることを特徴と
する基板の表面処理装置。 - 請求項10に記載の基板の表面処理装置において、
前記バネ部材の弾性力は、前記テーブルが所定の回転数で回転するまでは前記処理液保
持部材を前記基板に押圧することを特徴とする基板の表面処理装置。 - 請求項2〜8のいずれか1つに記載の基板の表面処理装置において、
前記テーブルの上方に該テーブルの回転軸と中心が一致して、該テーブルと同期して回
転する上部回転手段を備え、
前記当接手段は、前記上部回転手段に備えられていることを特徴とする基板の表面処理
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006303649A JP2008124103A (ja) | 2006-11-09 | 2006-11-09 | 基板の表面処理方法及び基板の表面処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006303649A JP2008124103A (ja) | 2006-11-09 | 2006-11-09 | 基板の表面処理方法及び基板の表面処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008124103A true JP2008124103A (ja) | 2008-05-29 |
Family
ID=39508563
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006303649A Withdrawn JP2008124103A (ja) | 2006-11-09 | 2006-11-09 | 基板の表面処理方法及び基板の表面処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008124103A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010157531A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-15 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2011009602A (ja) * | 2009-06-29 | 2011-01-13 | Ebara Corp | 基板処理方法及び基板処理装置 |
KR20150014198A (ko) * | 2013-07-29 | 2015-02-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 패널 건조 장치 |
JP7502070B2 (ja) | 2020-04-10 | 2024-06-18 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置 |
-
2006
- 2006-11-09 JP JP2006303649A patent/JP2008124103A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010157531A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-15 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2011009602A (ja) * | 2009-06-29 | 2011-01-13 | Ebara Corp | 基板処理方法及び基板処理装置 |
KR20150014198A (ko) * | 2013-07-29 | 2015-02-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 패널 건조 장치 |
KR102043848B1 (ko) * | 2013-07-29 | 2019-11-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 패널 건조 장치 |
JP7502070B2 (ja) | 2020-04-10 | 2024-06-18 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20100202 |