JP6117041B2 - 液処理方法、液処理装置および記憶媒体 - Google Patents
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Description
まず、ウェハWの中心部の真上に薬液ノズル401が位置し、薬液ノズル401からウェハWの表面の中心部にDHFが所定時間にわたって供給される(図4(a)を参照)。供給されたDHFは遠心力により広がりウェハWの外方に向けて流れる。このとき、ウェハWの表面の全域はDHFの液膜により覆われる。ウェハWの表面に存在する不要な自然酸化膜またはシリコン酸化膜が、DHFにより除去される。
次に、DHFの供給を停止するとともに、ウェハWの中心部の真上にリンスノズル402が位置し、リンスノズル402からウェハWの表面の中心部にDIWが所定時間にわたって供給される(図4(b)を参照)。供給されたDIWは遠心力により広がりウェハWの外方に向けて流れる。このとき、ウェハWの表面の全域はDIWの液膜により覆われる。これによりウェハWの表面上に残存する薬液(DHF)および薬液処理時の反応生成物が、DIWにより洗い流されてウェハW表面から除去される。遅くともこのリンス処理の終了時点において、ウェハWの表面は疎水性になっている。
リンス処理が終了したら、乾燥処理を実行する。この乾燥処理は、乾燥用液体としてのIPAをウェハWに供給してウェハW表面上に残存するDIWをIPAで置換する段階(乾燥用液体供給工程)と、IPAを振り切るかあるいは蒸発させてウェハW上からIPAを除去することによってウェハWを乾燥させる段階(乾燥工程)との2つの段階に大別される。
リンス処理の終期から引き続き説明を行う。リンスノズル402からウェハWに所定時間DIWを供給した後、DIWの供給を停止する。そして、ウェハWの中心部の真上に第1乾燥用液体ノズル403が位置し、第1乾燥用液体ノズル403からウェハWの表面の中心部にIPAが、ウェハWの表面全域にIPAの液膜を形成するのに十分な大流量(第1の流量)で、第1の所定時間にわたって供給される(図4(c)を参照)。供給されたIPAは遠心力により広がりウェハWの外方に向けて流れる。このとき、ウェハWの表面の全域はIPAの液膜により覆われる。これによりウェハWの表面上に残存するDIWが、IPAに置換されてゆく。
30 基板保持機構
40a アーム(ノズルアーム)
402,420,421,422 リンス液供給部
403,430,431,432,404,440,441,442 乾燥用液体供給部
403 第1のノズル(第1乾燥用液体ノズル)
404 第2のノズル(第2乾燥用液体ノズル)
Claims (9)
- 基板を回転させながらリンス液を基板に供給して、前記基板にリンス処理を施すリンス工程と、
前記リンス工程の後に、前記基板を回転させながら、前記リンス液よりも表面張力が低くかつ揮発性が高い乾燥用液体を前記基板に供給して、前記基板の上にある前記リンス液を前記乾燥用液体で置換する乾燥用液体供給工程と、
前記基板を回転させながら、前記乾燥用液体供給工程において供給された乾燥用液体を除去する乾燥工程と、を備え、
前記乾燥用液体供給工程において、前記乾燥用液体を前記基板の中心部に第1の流量で供給した後に、前記第1の流量よりも小さい第2の流量で前記乾燥用液体を前記基板に供給し、
前記第1の流量での前記乾燥用液体の供給は、第1のノズルにより行われ、前記第2の流量での前記乾燥用液体の供給は、前記第1のノズルよりも吐出口径の小さい第2のノズルにより行われることを特徴とする、液処理方法。 - 前記第2の流量で前記乾燥用液体を供給するときに、前記乾燥用液体の供給位置を前記基板の中心部から周縁部に向かって移動させる、請求項1記載の液処理方法。
- 前記乾燥用液体の供給位置を前記基板の周縁部に向かって移動させる前に、前記乾燥用液体を前記第2の流量で前記基板の中心部に供給する、請求項2記載の液処理方法。
- 乾燥用液体の供給位置を前記基板の周縁部に向かって移動させるときに、乾燥用ガスを、その供給位置を前記基板の周縁部に向かって移動させながら前記基板に供給し、このとき、前記乾燥用ガスの供給位置は前記乾燥用液体の供給位置よりも半径方向内側に維持される、請求項2または3記載の液処理方法。
- 基板を回転させながらリンス液を基板に供給して、前記基板にリンス処理を施すリンス工程と、
前記リンス工程の後に、前記基板を回転させながら、前記リンス液よりも表面張力が低くかつ揮発性が高い乾燥用液体を前記基板に供給して、前記基板の上にある前記リンス液を前記乾燥用液体で置換する乾燥用液体供給工程と、
前記基板を回転させながら、前記乾燥用液体供給工程において供給された乾燥用液体を除去する乾燥工程と、を備え、
前記乾燥用液体供給工程において、前記乾燥用液体を前記基板の中心部に第1の流量で供給した後に、前記第1の流量よりも小さい第2の流量で前記乾燥用液体を前記基板に供給し、
前記第2の流量で前記乾燥用液体を供給するときに、前記乾燥用液体の供給位置を前記基板の中心部から周縁部に向かって移動させ、このとき、前記乾燥用液体の供給位置よりも半径方向外側にある基板表面の全領域が前記乾燥用液体の液膜に覆われるように前記乾燥用液体を供給することを特徴とする液処理方法。 - 基板を水平に保持して回転させる基板保持機構と、
前記基板保持機構により保持された基板にリンス液を供給するリンス液供給部と、
少なくとも、第1の流量と、前記第1の流量より小さい第2の流量で、前記基板保持機構により保持された基板に乾燥用液体を供給する乾燥用液体供給部と、
を備え、
前記乾燥用液体供給部は、乾燥用液体を吐出する第1のノズル及び第2のノズルを有しており、前記第1のノズルの吐出口径は前記第2のノズルの吐出口径よりも大きく、
前記基板保持機構により保持されて回転する基板に、前記リンス液供給部によりリンス液を供給した後に、前記乾燥用液体供給部の前記第1のノズルにより前記第1の流量で乾燥用液体を供給し、その後、前記第2のノズルにより前記第2の流量で乾燥用液体を供給する、液処理装置。 - 前記乾燥用液体供給部は、前記第2のノズルを移動させるアームを有しており、前記乾燥用液体供給部は、前記基板の中心部に前記第1のノズルから前記第1の流量で前記乾燥用液体を供給した後に、前記アームにより前記第2のノズルを移動させることにより前記乾燥用液体の供給位置を前記基板の中心部から周縁部に移動させながら前記第2のノズルから前記第2の流量で前記乾燥用液体を供給する、請求項6記載の液処理装置。
- 基板を水平に保持して回転させる基板保持機構と、
前記基板保持機構により保持された基板にリンス液を供給するリンス液供給部と、
少なくとも、第1の流量と、前記第1の流量より小さい第2の流量で、前記基板保持機構により保持された基板に乾燥用液体を供給する乾燥用液体供給部と、
を備え、
前記基板保持機構により保持されて回転する基板に、前記リンス液供給部によりリンス液を供給した後に、前記乾燥用液体供給部の第1のノズルにより前記第1の流量で乾燥用液体を供給し、その後、第2のノズルにより前記第2の流量で乾燥用液体を供給し、前記第2の流量で前記乾燥用液体を供給するときに、前記乾燥用液体の供給位置を前記基板の中心部から周縁部に向かって移動させ、このとき、前記乾燥用液体の供給位置よりも半径方向外側にある基板表面の全領域が前記乾燥用液体の液膜に覆われるように前記乾燥用液体を供給する、液処理装置。 - 基板を水平に保持して回転させる基板保持機構と、前記基板保持機構により保持された基板にリンス液を供給するリンス液供給部と、前記基板保持機構により保持された基板に乾燥用液体を供給する乾燥用液体供給部と、前記基板保持機構、前記リンス液供給部および前記乾燥用液体供給部の動作を制御するコンピュータからなる制御部と、を備えた基板処理装置の動作を制御するためのプログラムが格納された記憶媒体であって、前記コンピュータからなる制御部により実行されることにより、前記基板処理装置が、請求項1から5のうちのいずれか一項に記載の液処理方法を実行する、記憶媒体。
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