JP2008113894A - 半導体装置及び、電子装置 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体素子回路面を外部環境に露出することで、その機能を果たす半導体装置において、前記半導体装置を搭載する筐体に設けられた開口部と、前記筐体内部に設けられたマザーボードとが作るクリアランスに適合するように、前記半導体装置の厚み方向高さを調節する。
【解決手段】その回路面を外部環境に露出することで、その機能を果たす半導体素子１０と、半導体素子１０と電気的に接続し、少なくとも一つの屈曲部をもうけて折り畳まれたフレキシブル基板２０と、折り畳まれたフレキシブル基板２０同士が対向する面の間に接着剤を設けてなり、半導体装置１０搭載面と反対側の面に外部装置と接続するための半田ボール３０を設けた構成とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、特定の機能を有する機能部を備えた回路面を有する半導体素子と、前記半導体素子を実装する実装基板とを備えた半導体装置と、前記半導体装置を、その筐体内に搭載する電子装置であって、特に、前記回路面に備えられた機能部が筐体から外部に露出することにより、その機能を果たす電子装置に関わる。

従来、半導体装置を搭載することができる筐体を持った電子装置であって、前記半導体装置に搭載された半導体素子の回路面に備えられた機能部が、前記電子装置筐体から露出することにより、その機能を果たす電子装置、例えば指紋認証装置などが知られていた。

近年、個人情報保護の意識が高まるにつれ、セキュリティ対策として個人認証装置への関心が高まっている。とりわけ、より高度で、より簡便な個人認証装置である生体認証装置への市場の要求が増大している。現在、個人情報を扱う情報機器である、携帯電話、ＰＣなどには、省スペースで信頼性の高い指紋認証装置が普及している。この様な指紋認証装置は、携帯電話、ノートＰＣ等のモバイル機器において、その携帯性を損なわないように、機器筐体内部に組み込まれていることが一般的である。

従来例として公知文献１記載の電子装置を図８に示す、筐体４０に搭載された半導体装置６は、指紋センサ１０と、実装基板４３と、インターポーザ４２と、を備え、指紋センサ１０の回路面に備えられた図示しない電極パッド（以後電極パッド）と実装基板４３上面に設けられた図示しない上面電極（以後上面電極）はワイヤ１２によって電気的に接続されており、実装基板４３と、指紋センサ１０とは、その回路面に備えた機能部を除いて、ワイヤ１２を十分に包含できるようにモールド樹脂１１で封止されている。指紋センサ１０とマザーボード４１とは、ワイヤ１２と、実装基板４３内部に設けられた図示しない貫通電極（以後貫通電極）と、実装基板４３下面に設けられた接続端子４４と、インターポーザ上面に設けられた図示しない上面電極（以後上面電極）と、インターポーザ４２内部に設けられた図示しない貫通電極（以後貫通電極）と、インターポーザ下面に設けられた接続端子３２とを介して電気的に接続されている。指紋センサ１０の機能部を、その一面に設けられた開口部から露出させることの出来る筐体４０に、半導体装置６を搭載することで、電子装置７が得られる。
特開２００４−３１９６７８ 特開２００１−２１７３８８

指紋センサを搭載できる情報機器の種類は多岐に亘り、また市場の要求も少量多品種生産に移行しつつある今日では、単一の金型によって、単一規格で生産される半導体装置では対応が難しくなっている。

より詳細には、電子機器筐体に搭載された指紋センサは、電子機器筐体内部に備えられたマザーボードと電気的に接続されており、指紋センサはマザーボードと接続された状態でその機能部を筐体から露出させることを求められる。また、筐体から露出した機能部は筐体から不自然に突出すると指紋センサ搭載装置の携帯性に不具合を生じ、筐体開口部高さに機能部高さが届かなければ指を接触させることが難しくなり指紋センサの操作性に不具合が生じる、また製品デザイン上も好ましくない。その上、電子装置装置は、筐体内部へのゴミや埃、水分の侵入を極力防がなくてはならない為、筐体開口部から露出してなる指紋センサパッケージは、筐体開口部と指紋センサパッケージとが作る空間を可能な限り減らすことが必要とされる、すなわち筐体開口部と指紋センサとの高さを所望の位置に厳密に合わせることが必要である。

しかしながら、指紋センサを搭載する情報機器の増加により、筐体の種類も増加し、それに伴って筐体内部に備えられたマザーボードの位置も様々となり、マザーボードに搭載された指紋センサの機能部と筐体開口部との高さが合わない問題が増加してきた、また指紋センサはユーザが指を押圧することによってその機能を果たす為、指紋センサを搭載したパッケージには、押圧という機械的な応力に対する強度も同時に求められることとなり、機械的強度と厚み方向高さを同時に満足する指紋センサが求められている。

上記の問題を解決するためには、複数の金型を製作し、様々な筐体のマザーボード位置に対応した指紋センサを個別に製造することが望ましいが、すべての種類の筐体に適合するだけの金型を用意することは、コストと生産性を考えた場合、不可能である。

従来例は、指紋センサと、実装基板との間にインターポーザを多数設けることで、機械的強度を損なわずに、指紋センサパッケージの高さを調節することにより、筐体毎に異なるマザーボードと開口部とが作るクリアランスに対応してきた例を示している。インターポーザを多段に積層することにより、半導体素子回路面と、実装基板との間の電送経路が冗長化し、従来用いられてきたワイヤボンディング法を適用するためには、重なり合うインターポーザの面積を違えて、インターポーザに電極パッドを設けることにより、ワイヤをインターポーザに中継して実装基板へと導く方法が採用されてきた。しかしながら、前記構造では、インターポーザの大型化が必要条件のため、半導体装置の大型化を避けることが出来なかった。近年の半導体装置小型化の要求を満たすためには、インターポーザに貫通電極と半田ボールとを設けて、フリップチップ実装を採用しなければならない。しかし、インターポーザの数だけ半田ボール形成のためのリフロー処理を行うことは、指紋認証装置の製造コスト増大を招いていた。

上記課題は指紋認証装置に限らず、半導体素子機能部が筐体から外部に露出することによってその機能を果たすような、例えば気圧センサ、面実装型フォトダイオード、半導体磁気センサ、半導体温度センサ、半導体ガスセンサ、半導体音響センサなどの半導体センサや、半導体レーザ、発光ダイオード、シリコンマイクロホンなどの半導体素子にも同様に生じる。これらの半導体装置は、その機能面が筐体から露出していることが求められ、また筐体内部保護や、携帯性・操作性の向上、デザイン上の制約のために、筐体と半導体素子機能部とを所望の位置に、厳密に配置することが必要である。

本発明は上記の問題を鑑みて成されたものであり、本発明による半導体装置は、その一面側を回路面とする半導体素子と、その表面に外部装置と接続するための上面電極を備え、その内層に内部配線とを備えた可撓性を有するフレキシブル基板と、前記フレキシブル基板と、前記半導体装置とを電気的に接続するワイヤと、前記フレキシブル基板と、外部装置とを電気的に接続する半田ボールと、を備える。前記フレキシブル基板は少なくとも一つの屈曲部を設けられ、前記屈曲部を境に折り畳まれており、前記折り畳まれたフレキシブル基板同士の互いに対向する面が作る空間に接着剤が設けられている。前記半導体素子が、前記回路面に備えられた機能部を除いて、前記フレキシブル基板の一部と、前記ワイヤを十分に包含するように封止樹脂により封止されることで、本発明による半導体装置が提供される。

上記構成によれば、前記半導体装置は、前記フレキシブル基板に設ける屈曲部の個数を変え、折り畳み回数を変更することで、自由にその高さを変化させることが出来る。また、多層に重なったフレキシブル基板同士が作る空間に接着剤を設けることにより、その機械的強度を飛躍的に向上させることが可能となる。これにより、単一の金型を用いた単一規格の半導体装置でも、あらゆる筐体高さに対応することが可能となり、従来例のように多数のインターポーザを用いる必要が無いため、半導体装置の製造コストを削減することが可能となる。また、半導体装置と、マザーボードとの間にフレキシブル基板と接着剤とからなる層が形成されることで、半田ボール形成時のリフロー工程で生じる基板の反りが、半導体素子に影響を与えることを防止する効果も期待できる。

本発明によれば、フレキシブル基板の長さ、フレキシブル基板折り畳み回数、補強板の数、補強板の厚さを変えることによって半導体装置の高さを自由に変化させることが可能となり、単一の金型から製造された、単一の規格の半導体素子であっても、あらゆる筐体の規格に合わせて搭載することが可能となる、更にはインターポーザを多数用いて半導体装置の高さを調節する方法に比べ、時間、工数、材料の削減が可能となり、半導体装置や、半導体装置を搭載した筐体にかかるコストを抑えることが出来る。

本発明の実施の形態を以下で図と共に説明する。
図１（ａ）は、本発明の第一の観点による半導体装置１の構造を示し、半導体装置１を、半導体素子１０が設けられている面に向かって垂直に見下ろした上面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に図示されている半導体装置１をＸ−Ｘに沿って垂直に切断した断面を示す。

図１において、半導体素子１０は、その機能面を外部に露出することでその機能を果たすことができる半導体素子であり、例えば指紋センサ、気圧センサ、フォトダイオード、半導体磁気センサ、半導体温度センサ、半導体ガスセンサ、半導体音響センサのような、その機能部に対する外部環境からの圧力、光、熱、磁気、音、化学物質の性質、を電気信号に変換することが出来る機能を備えた半導体素子であり、また発光ダイオード、半導体レーザ、シリコンマイクロホンのような、その機能部に電子信号を光や音に変換する機能を備えた半導体素子である。

半導体素子１０は、その一面側に設けられた回路面をフレキシブル基板２０と逆方向に向けて配置されており、半導体素子１０の他面側と、フレキシブル基板２０とはエポキシ系の熱硬化性を有する接着剤によって機械的に固定されている。

フレキシブル基板は、ポリイミド等からなる絶縁性フィルム基材に、Ｃｕからなる導体パターンを形成し、更にポリイミド等からなる絶縁性フィルムをカバーフィルムとして表面に設けたものを使用している。フレキシブル基板２０の厚さは例えば６０〜１００μｍのものを用いる。

半導体素子１０と固定されたフレキシブル基板２０は、屈曲部を設けて複数回折り畳まれており、フレキシブル基板２０同士の互いに対向する面が作る空間にエポキシ系熱硬化性接着剤２１が設けられている。また、半導体素子１０回路面に備えた電極パッドと、フレキシブル基板２０表面に設けられた上面電極とを、ワイヤ１２によって電気的に接続している。

フレキシブル基板２０の半導体装置１０が固定されている面と反対側の面に、外部装置と電気的に接続するための半田ボール３０が設けられている。半田ボール３０は鉛フリー半田を用いて形成される。一般的な鉛フリー半田とはＳｎ、Ｃｕ、Ｎｉ等を含んだ合金である。

半導体素子１０と外部装置とは、ワイヤ１２と、フレキシブル基板内層に施された内部配線と、半田ボール３０と、を介して電気的に接続される。

半導体素子１０回路面と、フレキシブル基板２０の半導体素子１０が固定されている面には、半導体素子１０の回路面に設けられた機能部を除いて、ワイヤ１２を十分に包含できるようにモールド樹脂１１が設けられている。ワイヤ１２は一般的に用いられるＡｕワイヤであり、モールド樹脂１１も一般的に用いられているエポキシ系の樹脂である。

半導体装置１は、フレキシブル基板２０を折り畳むことにより、複数枚のインターポーザを用いて、複数回のリフロー工程を経ずとも、半導体装置１の厚み方向高さを調節することが出来る。また、フレキシブル基板２０の長さと、折り畳み回数を変更することにより、半導体装置１の厚み方向高さをより詳細に調整することが可能となる。すなわち、同じ長さのフレキシブル基板２０を用いて、一方のフレキシブル基板２０の折り畳み回数を多くした場合、他方に比べてより半導体装置１の厚み方向高さを得ることが可能となる。また、同一の折り畳み回数を、長さの違う２種類のフレキシブル基板２０に設けた場合、よりフレキシブル基板２０長さの長い方が半導体装置１の厚み方向高さを高くすることが可能となる。この様に、フレキシブル基板２０の長さと、折り畳み回数の組み合わせを変更することで、より厚み方向高さを自由に変更することが可能となり、あらゆる種類の筐体高さに適合させることが出来る。

また、半導体素子１０と外部装置との間に、熱硬化性接着剤２２とフレキシブル基板２０が、交互に配置されることで、半田ボール形成時のリフロー工程において、熱膨張係数の不整合によって発生する熱応力を緩和することが可能となる。

接着剤２１はシリコーン系の熱硬化性を有する樹脂を用いても良い。また、硬化前の状態は、液状でも良いし、シート状でも良い。接着剤２１はフレキシブル基板２０を折り畳む前に設けても良いし、折り畳んだ後に注入しても良い。

外部接続端子として設けられた半田ボール３０は、鉛フリー半田に限定するものでは無く、鉛を含んだ半田を用いても良い。

外部接続端子の端子形状は、半田ボール３０のようにボール形状を有していても良いが、ボール形状に限定するものではなく、ピン形状を有していても良いし、ランド形状を有していても良い。

半導体装置１では、フレキシブル基板２０は、３つの屈曲部を設けて３回折り畳まれているが、屈曲部の数、折り畳み回数共に限定するものではない。

以後、同様の機能を持つ部材には同一の符号を付し、重ねての説明は省略する。

図２（ａ）は、本発明の第二の観点によるによる半導体装置２の構造を示し、半導体装置２を、半導体素子１０が設けられている面に向かって垂直に見下ろした上面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）に図示されている半導体装置２をＸ−Ｘに沿って垂直に切断した断面を示す。

図２に示す半導体装置２は、フレキシブル基板２０の、屈曲部を有しない箇所に補強板２２を設けたものである。補強板２２はフレキシブル基板２０の半導体素子が固定されている面と同一面に２枚設けられ、熱硬化性を有するエポキシ系の樹脂接着剤により固定されている。補強板２２はフレキシブル基板を打ち抜き加工することで形成する。また補強板２２は、セラミクス等の絶縁性を有する素材で形成されていても良い。

補強板２２を設ける箇所は、フレキシブル基板２０の一面側に限定せず、その枚数もまた限定するものではないし、補強板２２は任意の形状を採用することが出来る。

補強板２２を設けることにより、半導体装置２の機械的強度が向上し、フレキシブル基板２０の長さ、折り畳み回数、補強板２２の数、補強板２２の厚みを変更することにより、半導体装置２の高さを詳細に調整することが可能となる。特に、補強板の厚みを変えることにより、フレキシブル基板２０の長さが短い、又は折り畳み回数が少なくとも半導体装置２の高さを稼ぐことが可能である。特に、同じ長さのフレキシブル基板２０を用いた場合、補強板２２を設けたフレキシブル基板２０は、補強板２２を設けないフレキシブル基板に比べ、補強板２２の数、厚さを変更することで、より半導体装置２の厚み方向高さを得ることが出来る。

その他の説明は、本発明第一の観点による半導体装置１と同様の為、説明を省略する。

図３（ａ）は、本発明の第三の観点によるによる半導体装置３の構造を示し、半導体装置３を、半導体素子１０が設けられている面へ向かって垂直に見下ろした上面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）に図示されている半導体装置３を、Ｙの方向から見た側面図を示す。

図３に示す半導体装置３は、切り欠き部２３が設けられたフレキシブル基板２０を用いて半導体装置を形成したものを示す。

切り欠き部２３は、フレキシブル基板２０に設けられた屈曲部において三角形状に設けられ、フレキシブル基板２０内層に施された配線に影響を及ぼさない程度の大きさで打ち抜かれている。また、切り欠き部２３の形状は三角形状に限定するものではない。

上記によると、切り欠き部２３を形成することによって、フレキシブル基板２０を、屈曲部を境にして折り畳むことが容易となり、折り畳みによるフレキシブル基板２０の破損を防ぐことが可能である。

その他の説明は、本発明第一の観点による半導体装置１と同様の為、説明を省略する。

図４（ａ）は、本発明の第四の観点によるによる半導体装置４の構造を示し、半導体装置４を、半導体素子１０が設けられている面へ向かって垂直に見下ろした上面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）に図示されている半導体装置４を、Ｘ−Ｘに沿って垂直に切断した断面を示す。

図４に示す半導体装置４は、フレキシブル基板２０の代わりにリジットＦＰＣを用いたものである。リジットＦＰＣは、フレキシブル基板２０の半導体素子搭載面と、フレキシブル基板２０の外部接続端子搭載面とに、ガラス不織布にエポキシ樹脂を含浸させたガラスエポキシ樹脂からなる基板を設けたものであり、ガラスエポキシ樹脂基板部と、フレキシブル基板部とからなる。ガラスエポキシ基板部を、半導体素子側基板２４と、外部接続端子側基板２５とし、フレキシブル基板部をフレキシブル基板２０とする。

半導体素子側基板２４には、半導体素子１０と電気的に接続するための上面電極と、フレキシブル基板２０と上面電極を電気的に接続する貫通電極が備えられており、外部接続端子側基板２５には、外部接続端子として半田ボール３０を形成するための下面電極と、フレキシブル基板２０と電気的に接続する貫通電極が備えられている。

半導体素子１０は、その回路面に備えた電極パッドと半導体素子側基板２４に設けられた上面電極とを、ワイヤ１２を用いて電気的に接続されている。半導体素子側基板２４は、半導体素子１０回路面と反対側の面と、熱硬化性を有するエポキシ系樹脂を用いて固定されており、半導体素子１０と、外部装置は、半導体素子側基板２４内部に設けられた貫通電極と、フレキシブル基板２０に設けられた内部配線と、外部接続端子側基板に設けられた貫通電極と、外部接続端子側基板に設けられた半田ボール３０とを介して、電気的に接続されている。半導体素子１０と、半導体素子側基板２４は、半導体素子１０の回路面に備えられた機能部を除いて、ワイヤ１２を十分に包含できるようモールド樹脂１１により封止されている。

リジットＦＰＣが複数回折り畳まれた半導体装置４は、折り畳まれたリジットＦＰＣの一部分であるフレキシブル基板２０同士が互いに対向する面が作る空間に、熱硬化性を有するエポキシ系接着剤２１が設けられており、半導体素子側基板２４とフレキシブル基板２０とが作る空間と、外部接続端子側基板２５とフレキシブル基板２０の作る空間とにもまた、接着剤２１が設けられている。

半導体素子１０とフレキシブル基板２０との間に半導体装置側基板２３を設けることにより、半導体装置４の機械的強度の向上と、半導体素子側基板２４に搭載半導体素子１０を搭載する際の実装の容易化と、半導体素子１０と、フレキシブル基板２０との機械的、電気的接続の信頼性を向上させることが可能である。外部接続端子側基板２５においても同様に、半導体装置４の機械的強度の向上と、外部接続端子側基板２５に半田ボール３０を設ける際の実装の容易化と、フレキシブル基板２０と外部装置との機械的、電気的接続信頼性の向上を図ることが出来る。

半導体素子側基板２４及び外部接続端子側基板２５は、ガラスエポキシ基板に限定されず、半導体素子１０のピン数に応じて、多層基板を用いても良いし、セラミクス基板を用いても良い。

その他の説明は、本発明第一の観点による半導体装置１と同様の為、説明を省略する
図５は、本発明の第五の観点によるによる電子装置６の構造を示す図である。本発明の半導体装置１を筐体４０に搭載した電子装置６の構造を示している。図５（ｂ）は、電子装置７を、半導体素子１０が設けられている面に向かって垂直に見下ろした上面図であり、図５（ａ）は、図５（ｂ）に図示されている半導体装置７をＸ−Ｘに沿って垂直に切断した断面を示す。図５（ｃ）はマザーボードと筐体の位置を変化させた電子装置６の構造を示した断面である。

筐体４０は、半導体装置１を搭載することができるマザーボード４１をその内部に備えており、半導体装置１に設けられた半田ボール３０は、マザーボード４１に備えられた図示しない上面電極とリフロー工程を経て電気的に接続される。また、筐体４０には、半導体素子１０回路面に備えられた機能部が外部に露出することが出来る開口部が設けられている。

図５（ｂ）は、筐体４０の一つのパターンを示したもので、マザーボードは、筐体開口部形成面と反対側の面に固定されている。マザーボードと開口部との間の高さに適合するよう厚み方向高さを調節した半導体装置１が搭載されている。

図５（ｃ）は、筐体４０のもう一方のパターンを示したもので、マザーボードは、筐体開口部形成面を上面として見た場合の側面に固定されている。図５（ｂ）に比べマザーボードと開口部との間が狭くなっているため、図５（ｂ）で用いられた半導体装置1よりも、フレキシブル基板２０の折り畳み回数を減らした半導体装置が設けられている。

図６は、本発明の第四の観点による半導体装置４の製造方法を示している。
図６（ａ）は、ガラスエポキシ基材から分離する前のリジットＦＰＣを示したものである、フレキシブル基板２０は、ガラスエポキシ基材に設けられた開口部の長手方向の端部を結ぶように設けられており、フレキシブル基板２０の長手方向の両端部は、半導体素子側基板２４と、外部接続端子側基板２５に、それぞれ電気的に接続されている。半導体素子側基板２４の一面側には、半導体素子１０が設けられ、その回路面に備えられた電極パッドと、半導体素子側基板２４の一面側に設けられた上面電極とが、ワイヤ１２によって電気的に接続されている。また、外部接続端子側基板２５には貫通電極と、半田ボール３０を形成するための下面電極が設けられている。

図６（ｂ）は、図６（ａ）で電気的に接続された半導体素子１０を、半導体素子１０回路面に備えられた機能部を除いてモールド樹脂１１で封止する工程を示す。半導体素子１０と、半導体素子側基板２４を電気的に接続するワイヤ１２を十分に包含できるようにモールド樹脂１１は設けられる。

図６（ｃ）は、図６（ｂ）で示されたリジットＦＰＣを、ガラスエポキシ基材から切り離したものである。予め切り欠き部を設けたガラスエポキシ基材から、半導体素子側基板２４と、外部接続端子側基板２５を切り離すことで、図６（ｃ）に示す部材が得られる。

図６（ｄ）は、図６（ｃ）で得られた部材のフレキシブル基板２０を折り畳む工程を表したものである。フレキシブル基板２０には、予め熱硬化性エポキシ系接着剤２１が設けられており、後の半田ボール形成のためのリフロー工程で加熱され、折り畳まれたフレキシブル基板２０同士を強固に接着することが出来る。

図６（ｅ）は、図６（ｄ）で得られた装置に、リフロー工程を施して、半田ボール３０を形成した半導体装置４を示したものである。それぞれ、外部接続端子側基板２５の方向へ垂直に見下ろしたもの、半導体素子側基板２４の方向へ垂直に見下ろしたもの、側面から垂直に見たものを表している。

本発明は、上述した実施例に限定されることはない、半導体装置１乃至４に用いられる技術は、それぞれ独立したものではなく、複合的に使用されるものである。例えば、半導体装置４に補強板２１及び切り欠き部２３を設けても良いし、また、筐体４０に搭載されて電子装置となる半導体装置は、半導体装置１に限らない。

図７に、本発明の第四の観点による半導体装置４において、半導体装置４が実際に２ｍｍの高さを得る場合の実施例を挙げる。

モールド樹脂の厚さが０．６ｍｍ、半導体素子側配線基板２３の厚さが０．３ｍｍであり、０．１ｍｍ厚のフレキシブル基板２０と、折り畳まれたフレキシブル基板２０の間に接着剤２１を０．０２ｍｍの厚さで設け、外部接続端子側基板２５の厚さが０．３ｍｍであり、半田ボールの厚さが０．３ｍｍであるような半導体装置４において、フレキシブル基板に５つの屈曲部を設けて５層に折り畳むことで、半導体装置４の全高が２ｍｍとなる。

本発明第一の観点による半導体装置１を表した図 本発明第二の観点による半導体装置２を表した図 本発明第三の観点による半導体装置３を表した図 本発明第四の観点による半導体装置４を表した図 本発明第一の観点による半導体装置１を搭載した電子装置５を表した図 本発明第四の観点による半導体装置４の製造方法を表した図 本発明第四の観点による半導体装置４を実際に製造した実施例を表す図 従来例による半導体装置６とそれを搭載した電子装置７を表した図

符号の説明

１・・・半導体装置１
２・・・半導体装置２
３・・・半導体装置３
４・・・半導体装置４
５・・・電子装置５
６・・・従来技術における半導体装置６
７・・・従来技術における電子装置７
１０・・・半導体素子
１１・・・封止樹脂
１２・・・ワイヤ
２０・・・フレキシブル基板
２１・・・接着剤
２２・・・補強板
２３・・・切り欠き部
２４・・・半導体素子側基板
２５・・・外部接続端子側基板
３０・・・半田ボール
４０・・・筐体
４１・・・マザーボード
４２・・・インターポーザ
４３・・・実装基板
４４・・・インターポーザに備えられた半田ボール

Claims (7)

1. 外部環境に由来する物理量又は化学量を電気信号に変換する回路面又は電気信号を外部環境に作用する物理量に変換する回路面を備えた半導体素子と、前記半導体素子と電気的に接続されたフレキシブル基板と、を備えた半導体装置であって、前記半導体素子の回路面と反対側の面が前記フレキシブル基板と固定され、前記フレキシブル基板は少なくとも１つの屈曲部が設けられて折り畳まれてなり、前記折り畳まれたフレキシブル基板の互いに対向する面の間に接着層が設けられていることを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１記載の半導体装置であって、前記半導体素子は指紋センサであることを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１乃至２記載の半導体装置であって、前記フレキシブル基板の前記屈曲部を形成する領域に切り欠きが設けられていることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至３記載の半導体装置であって、前記フレキシブル基板の互いに対向する面の間に補強板を設けたことを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至４記載の半導体装置であって、前記フレキシブル基板にリジットFPCを用いたことを特徴とする半導体装置。
6. 外部環境に由来する物理量又は化学量を電気信号に変換する回路面又は電気信号を外部環境に作用する物理量に変換する回路面を備えた半導体素子と、前記半導体素子と電気的に接続されたフレキシブル基板と、からなる半導体装置と、前記半導体装置を搭載するマザーボードを備えた筐体と、を備えた電子装置であって、前記半導体素子の回路面が前記筐体に設けられた開口部から露出してなり、前記フレキシブル基板は少なくとも１つの屈曲部が設けられて折り畳まれ、前記折り畳まれたフレキシブル基板の互いに対向する面の間に接着層が設けられていることを特徴とする電子装置。
7. 請求項６記載の電子装置であって、前記半導体素子は指紋センサであることを特徴とする電子装置。
   
   

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