JP2008075945A - 局所清浄化装置 - Google Patents

Abstract

【課題】クリーンルーム内で個々の清浄化対象物の清浄に保つべき部分を周囲の汚染から防護するとともに、清浄化対象物自身から発生する汚染を周囲に拡散させない局所清浄化装置を提供する。
【解決手段】クリーンルーム２内に設けられた局所清浄化装置１であって、吹出面を有する吹出ユニット１１と、空気を吸い込み吹出ユニット１１に空気を送り込む送風機１８及び吸込んだ空気を清浄化するフィルタを備えた送風ユニット１０とがキャスタ２４により移動可能な装置本体に搭載された吹出装置５と、吸込面を有する吸込ユニット１６と、吸込ユニット１６から空気を吸込みクリーンルーム２内に空気を排出する吸風機２６及び空気を清浄化するフィルタを備えた吸風ユニット１５とがキャスタ３２により移動可能な装置本体に搭載された吸込装置６とを備え、吹出装置５と吸込装置６とで清浄化対象物３を挟み込むように配置することを特徴とする局所清浄化装置。
【選択図】 図１

Description

本発明は局所清浄化装置に係り、特にクリーンルーム内において、例えば、半導体製造機器のメンテナンス作業などに際して、製造機器の清浄部分を周囲の汚染から防護するとともに製造機器自身から発生する汚染を周囲に拡散させない局所清浄化装置に関する。

図８は、一般的なクリーンルームにおける局所清浄化の例を示す断面図である。クリーンルーム１００内には、各種の製造機器２００が多数設置され、例えば半導体ウェーハに対して種々の処理、加工を行うようになっている。その際に、ウェーハに空気中に浮遊する塵埃やガス分子のケミカル汚染物が付着すると製品の不良の原因となる。このため、クリーンルーム１００内の環境を常に高清浄に維持することが有効ではあるが、この方式では、建設費や運転費が莫大となり、ウェーハの製造コストが増大するという問題があった。

そこで、近年、クリーンルーム１００の天井に設置する清浄空気吹出し装置であるＦＦＵ（ファンフィルタユニット）３００の台数を削減しクリーンルーム全体の清浄度を緩和するとともに、ウェーハを容器４００に収納して搬送し、製造機器２００へ接続された移載室６００のみを高清浄にするミニエンバイロメント方式が採用されるようになってきた。しかし、この方式では、通常時はウェーハの環境は高清浄に保たれるが、メンテナンス作業のために製造機器２００の内部を開放した場合には清浄度の低いクリーンルーム環境によって製造機器内部が汚染され、ひいてはメンテナンス作業の後に処理されるウェーハが汚染されるという問題があった。また、製造機器２００の内部にも反応性生成物の塵埃粒子や残留ガスなどが存在するために、製造機器２００をクリーンルーム１００内で開放すると、それらが清浄度の低いクリーンルーム１００内に拡散して滞留するために、他の製造機器やウェーハを汚染してしまうという問題があった。

そこで、上記の製造機器のメンテナンス時における局所清浄化方法として可動式のファンフィルタユニットから構成され吹出部が不織布からなる局所清浄化装置がある（高砂熱学：商品名フワクリーン）。また、一般に工場換気などにおいては、プッシュプル型換気装置により汚染空気の拡散防止を行っている（特許文献１参照）。
特開２００３−４２８７号公報

しかしながら、前記局所清浄化装置では、任意の場所に清浄空間を作り出すことには適しているが、発生源の汚染空気をクリーンルームの環境に拡散させることになるので、根本的に汚染空気がクリーンルーム内に残ってしまうという問題があった。また、特許文献１のプッシュプル型換気装置は、一様吹出しを行うための吹出装置の構造を、工場換気に使用するように構成したものであり、クリーンルーム内で使うにはクリーン化対策が十分になされていないという問題があった。

本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、上記従来技術の問題点を改善し、クリーンルーム内で個々の製造機器の清浄に保つべき部分を周囲の汚染から防護するとともに、製造機器自身から発生する汚染を周囲に拡散させない局所清浄化装置を提供することを目的とするものである。

上記目的を達成するためになされた請求項１記載の発明は、クリーンルーム内に設けられた清浄化対象物の近傍を局所的に清浄化する局所清浄化装置であって、空気を吹き出す吹出面を有する吹出ユニットと、クリーンルーム内の空気を吸い込み吹出ユニットに空気を送り込む送風機及び吸込んだ空気を清浄化するフィルタを備えた送風ユニットと、がキャスタにより移動可能な装置本体に搭載された吹出装置と、空気を吸い込む吸込面を有する吸込ユニットと、吸込ユニットから空気を吸込みクリーンルーム内に空気を排出する吸風機及び空気を清浄化するフィルタを備えた吸風ユニットと、がキャスタにより移動可能な装置本体に搭載された吸込装置とを備え、吹出装置と吸込装置とで清浄化対象物を挟み込むように配置することを特徴とする局所清浄化装置である。

請求項１記載の発明に係る局所清浄化装置は、クリーンルーム内に設けられた清浄化対象物に対して、吹出装置から清浄された空気を吹き込み、清浄化対象物の周囲に存在する塵埃を包み込むとともに、この空気を吸込装置により吸い込み浄化した後に、塵埃を取り除き清浄化された空気を周囲に排出するようにしている。このため、クリーンルーム内に発生した塵埃はクリーンルーム内に飛散することがなく、また、回収した塵埃がクリーンルーム内に散逸することもない。この結果、請求項１記載の発明よれば、清浄性の低いクリーンルームであっても、清浄化対象物に対する汚染の侵入を防止することができるとともに、清浄化対象物から発生した汚染原因をクリーンルーム内に拡散させることがなく、クリーンルーム内において独立した局所浄化領域を形成することができる。また、請求項１記載の発明によれば、吹出装置を構成する送風ユニット及び吸込装置を構成する吸風ユニットの装置本体にはキャスタが搭載されていて任意の位置に移動させることができるので、クリーンルーム内の任意の位置において局所清浄環境を提供することができ、これにより、クリーンルーム全体の清浄性を常に高く保つ必要がなくなり、クリーンルームの運転コストを削減することができる。

請求項２記載の発明は、請求項１において、清浄化対象物が半導体製造装置の場合であって、クリーンルームを運転中に半導体製造装置のメンテナンスを行う際の局所清浄化に使用するものである。

請求項２記載の発明によれば、クリーンルーム内において運転中の半導体製造装置のメンテナンスの際に発生する塵埃等の汚染物を含む汚染空気を吹出装置から吹出される吹出空気により包み込むとともに、この空気を吸込装置により吸い込み浄化した後に、汚染物を取り除き清浄化された空気をクリーンルーム内に排出するようにすることができる。この結果、クリーンルームに設置された半導体製造装置は、そのメンテナンス時及びメンテナンス終了後において、塵埃等の汚染物質による汚染を受けることがない。

請求項３記載の発明は、請求項１又は２のいずれかにおいて、フィルタとして、塵埃を除去する塵埃除去フィルタ及び有害ガスを除去するケミカルフィルタを備えるものである。

請求項３記載の発明によれば、清浄化対象物から発生する塵埃及び有害ガスといった汚染物が、清浄化対象物の周辺やクリーンルーム内に拡散するのを防止することができる。

請求項４記載の発明は、請求項３において、吸込装置に吸込まれる空気中の塵埃濃度を測定する塵埃濃度測定計と、塵埃濃度測定計の測定結果に基づいて吹出装置の送風機の回転数を制御する塵埃制御手段とを備え、塵埃制御手段は、塵埃濃度測定計により測定される所定容積当たりの塵埃濃度が所定値を超えたときに、所定値以下となるように、吹出装置の送風機の回転数を制御するものである。

請求項４記載の発明によれば、吸込装置から吸込まれる汚染空気中の塵埃の濃度に応じて、吹出装置の送風機の回転数を制御し吹出空気の風量を調節することから、吹出装置と吸込装置との間に、塵埃を確実に汚染空気として吸込装置で取り除くことができるプッシュプル気流を発生させることができる。

ここで、本発明においては、特に限定されることはないが、清浄化対象物の周囲の清浄度を高く維持する観点から、吸込空気中の塵埃濃度が、２８．６Ｌ当り１００００個を超えたら１００００個以下になるように送風機の回転数を制御することが好ましい。

請求項５記載の発明は、請求項３又は４のいずれかにおいて、吸込装置に吸込まれる空気中の有害ガス濃度を測定する有害ガス濃度測定計と、有害ガス濃度測定計の測定結果に基づいて吹出装置の送風機の回転数を制御する有害ガス制御手段とを備え、有害ガス濃度測定計により測定される所定容積当たりの有害ガス濃度が所定値を超えたときに、所定値以下となるように、吹出装置の送風機の回転数を制御するものである。

請求項５記載の発明によれば、吸込装置から吸込まれる汚染空気中の有害ガスの濃度に応じて、吹出装置の送風機の回転数を制御し吹出空気の風量を調節することから、吹出装置と吸込装置との間に、有害ガスを確実に汚染空気として吸込装置で取り除くことができるプッシュプル気流を発生させることができる。

ここで、本発明においては、特に限定されることはないが、清浄化対象物の周囲の清浄度を高く維持する観点から、吸込空気中の有害ガス濃度、例えばＮＨ_３濃度が１０^４〜１０^５ｎｇ／ｍ^３となったら、それ以下になるように送風機の回転数を制御することが好ましい。

請求項６記載の発明は、請求項４又は５のいずれかにおいて、吹出装置及び吸込装置のそれぞれのキャスタを駆動する駆動手段を設け、塵埃制御手段及び／又は有害ガス制御手段は、塵埃濃度又は有害ガス濃度のいずれか一方又は両方の値が所定値を超えたときに、吹出装置と吸込装置との間の間隔を狭めるように駆動手段を駆動するものである。

請求項６記載の発明によれば、吸込装置から吸い込まれる吸込空気中の塵埃濃度及び有害ガス濃度に応じて、吹出装置と吸込装置の間隔を制御するようにしていることから、吹出装置と吸込装置との間に、塵埃や有害ガスを確実に汚染空気として吸込装置で取り除くことができるプッシュプル気流を発生させることができる。

以上説明したように、本発明によれば、清浄性の低いクリーンルーム内に配置された清浄化対象物に対する汚染の侵入を効果的に防止することができるとともに、メンテナンス時に清浄化対象物自身が発生する汚染を周囲に拡散すること無く、清浄化対象物の周囲に独立した局所清浄化環境を形成することができる。

また、本発明によれば、清浄化対象物のメンテナンス作業時に、清浄化対象物の周囲を高清浄な環境とすることができるとともに、清浄化対象物相互間の汚染の防止、作業者の安全の確保を図ることができる。

さらに、本発明によれば、必要な時にのみ稼動させるか又は必要な所に移動して使用することができるので、クリーンルーム全体の清浄度を常時高く保つ必要が無くなり、クリーンルームの運転コストを削減することができる。

以下、本発明に係る局所清浄化装置の好ましい実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。

図１は、本発明に係る局所清浄化装置の実施の形態を示す概略図である。尚、清浄化対象物として、半導体製造機器の例で説明する。

図１に示すように、本発明の局所清浄化装置１は、例えば、クリーンルーム２内に配置された半導体製造機器３のメンテナンス時に発生する汚染空気４を除去するために用いられるもので、半導体製造機器３を挟み込むようにして、吹出装置５及び吸込装置６が配置されている。

半導体製造機器３は、半導体ウェーハを製造するための機器であり、本発明の場合、従来公知の種々の機器を配置することができる。

クリーンルーム２の天井部には、複数のファンフィルタユニット７が設置されるとともに、クリーンルーム２の床面には、グレーチング（図示しない）が敷設される。ファンフィルタユニット７は、除塵された空気をダウンフローさせ、そのダウンフローされた空気はクリーンルーム２内に浮遊する塵埃とともにグレーチング（図示しない）を介してクリーンルーム２の床面から排出する。

吹出装置５は、クリーンルーム２内の空気を吸込み清浄化した後に、清浄空気８を半導体製造機器３から発生する汚染空気４に向けて吹き付けるためのものである。

一方、吸込装置６は、吹出装置５から吹き出され汚染空気４を包み込んだ吸込空気９を吸い込み清浄化した後にクリーンルーム２内に排出するためのものである。

図２は、本発明に係る局所清浄化装置の実施の形態を示す鳥瞰模式図である。

図２に示すように、本実施の形態における吹出装置５は、送風ユニット１０、吹出ユニット１１、フレキシブルダクト１２、支持棒１３およびアーム１４から構成されている。

吹出ユニット１１は、フレキシブルダクト１２を介して送風ユニット１０と接続されており、また、支持棒１３から伸びるアーム１４に取り付けられ、高さや角度を変更して所定の位置に固定できるようになっている。

一方、図２に示すように、本実施の形態における吸込装置６は、吸風ユニット１５、吸込ユニット１６、フレキシブルダクト１２、支持棒１３およびアーム１４から構成されている。

吸込ユニット１６は、フレキシブルダクト１２を介して吸風ユニット１５と接続されており、また、支持棒１３から伸びるアーム１４に取り付けられ、高さや角度を変更して所定の位置に固定できるようになっている。

図３は、本発明における送風ユニット及び吸風ユニットの実施の形態を示す概略図である。

なお、本発明における送風ユニット及び吸風ユニットは同一の構成を有しており、送風ユニットを吸風ユニットとして使用することもできる。

本実施の形態における送風ユニット１０（吸風ユニット１５）は、図３に示すように、吹出装置５（吸込装置６）の装置本体としてのケーシング１７（２５）の内部に送風機１８（吸風機２６）と高性能フィルタ１９（２７）とケミカルフィルタ２０（２８）を有している。

ケーシング１７（２５）の上面部の一部には、吹出ユニット接続口２１（２９）が設けられており、フレキシブルダクト１２を介して吹出ユニット１１を接続することができるようになっている。

また、ケーシング１７（２５）の上面部の一部には、吸込ユニット接続口２２（３０）が設けられており、フレキシブルダクト１２を介して吸込ユニット１６を接続することができるようになっている。

本実施の形態に係る送風ユニット１０（吸風ユニット１５）を構成するケーシング１７（２５）の内部は、二つ領域に分割されており、吹出ユニット接続口２１（２９）と吸込ユニット接続口２２（３０）とはそれぞれ異なる領域と繋がるように構成されている。

吹出ユニット接続口２１（２９）と繋がる領域の内部には、送風機１８（吸風機２６）が設けられており、この送風機１８（吸風機２６）を介して、吸込ユニット接続口２２（３０）と繋がる領域と空気のやり取りをすることができるようになっている。

吹出ユニット接続口２１（２９）と繋がる領域の内部で送風機１８（吸風機２６）の上方には、高性能フィルタ１９（２７）が設けられている。ここで、高性能フィルタ１９（２７）は、塵埃を除去する塵埃除去フィルタとして機能する。

本発明においては、高性能フィルタ１９（２７）として、特に限定されることはないが、塵埃の除去の観点から、ＨＥＰＡフィルタ、ＵＬＰＡフィルタ等を用いることができる。

また、吸込ユニット接続口２２（３０）繋がる領域の内部には、ケミカルフィルタ２０（２８）が設けられている。ここで、ケミカルフィルタ２０（２８）は、有害ガスを除去するケミカルフィルタとして機能する。

本発明においては、ケミカルフィルタ２０（２８）として、特に限定されることはないが、例えばアンモニア（ＮＨ_３）除去の観点から、酸性物質を担持した活性炭フィルタ等を用いることができる。

ここで、送風ユニット１０の場合には、吹出ユニット接続口２１にフレキシブルダクト１２を介して吹出ユニット１１を接続する。

一方、吸風ユニット１５の場合には、吸込ユニット接続口３０にフレキシブルダクト１２を介して吸込ユニット１６を接続する。

また、送風ユニット１０の場合には、吹出装置５における空気の流れは、送風機１８が運転を開始すると、吸込ユニット接続口２２からクリーンルーム２内の空気が吸込まれ、ケミカルフィルタ２０を通じて送風機１８に入り、高性能フィルタ１９でろ過された後、フレキシブルダクト１２を通って吹出ユニット１１から清浄空気８として吹き出される。

一方、吸風ユニット１５の場合には、吸込装置６における空気の流れは、吸風機２６が運転を開始すると、吸込空気９が吸込ユニット１６から吸込まれフレキシブルダクト１２を通って吸風ユニット１５内に入り、ケミカルフィルタ２８で処理された後、吸風機２６に入り、高性能フィルタ２７でろ過された後、吸込ユニット接続口３０よりクリーンルーム２内に排出される。

吸込ユニット接続口２２（３０）と繋がる領域を取り囲むケーシング１７（２５）の側面部の一部には、開閉可能な開口部２３（３１）が設けられている。送風ユニット１０の場合において、クリーンルーム２より吸込まれる空気をケミカルフィルタ２０で処理する必要がないときには、吸込ユニット接続口２２を塞いで開口部２３から空気を吸込むようにすることもできる。

また、送風ユニット１０（吸風ユニット１５）のケーシング１７（２５）の下部には、キャスタ２４（３２）が取付けられており、送風ユニット１０（吸風ユニット１５）を任意の位置に移動することができるようになっている。

ここで、図１に示すように、吸込ユニット１６の近傍には、吸込空気９中の塵埃濃度を測定するための塵埃濃度測定計３３が設けられている。

塵埃濃度測定計３３には、送風機１８（吸風機２６）の回転数を制御する塵埃制御手段３４（３５）が電気的に接続されている。

塵埃制御手段３４（３５）は、送風ユニット１０（吸風ユニット１５）内の送風機１８（吸風機２６）と電気的に接続されており、塵埃濃度測定計３３を用いて測定した吸込空気９中の塵埃濃度の測定結果に基づいて、送風機１８（吸風機２６）の回転数を制御できるようになっている。具体的には、塵埃制御手段３４（３５）は、塵埃濃度測定計３３により測定される所定容積当たりの塵埃濃度が所定値を超えたときに、所定値以下となるように、吹出装置５（吸込装置６）の送風機１８（吸風機２６）の回転数を制御するようになっている。

本発明においては、特に限定されることはないが、半導体製造機器３の周囲の清浄度を高く維持する観点から、吸込空気９中の塵埃濃度が、２８．６Ｌ当り１００００個を超えたら１００００個以下になるように送風機１８の回転数を制御することが好ましい。

また、図１に示すように、吸込ユニット１６の近傍には、吸込空気９中のＮＨ_３、Ｃｌ_２等の有害ガス濃度を測定するための有害ガス濃度測定計３６が設けられている。

有害ガス濃度測定計３６には、有害ガス制御手段３７（３８）が電気的に接続されており、この有害ガス濃度測定計３６を用いて測定した吸込空気９中の有害ガス濃度の測定結果に基づいて、送風機１８（吸風機２６）の回転数を制御できるようになっている。具体的には、有害ガス制御手段３７（３８）は、有害ガス濃度測定計３６により測定される所定容積当たりの有害ガス濃度が所定値を超えたときに、所定値以下となるように、吹出装置５（吸込装置６）の送風機１８（吸風機２６）の回転数を制御するようになっている。

本発明においては、特に限定されることはないが、半導体製造機器３の周囲の清浄度を高く維持する観点から、吸込空気９中の有害ガス濃度が、例えばＮＨ_３濃度が１０^４〜１０^５ｎｇ／ｍ^３となったら、それ以下になるように送風機１８の回転数を制御することが好ましい。

塵埃制御手段３４、３５及び有害ガス制御手段３７、３８には、それぞれキャスタ２４（３２）の駆動を制御する駆動手段４０（４１）が電気的に接続されており、塵埃濃度測定計３３及び有害ガス濃度測定計３６を用いて測定した吸込空気９中の塵埃濃度及び有害ガス濃度の測定結果に基づいて、キャスタ２４（３２）を回転させ、吹出装置５と吸込装置６との間の距離を制御できるようになっている。

ここで、塵埃制御手段３４、３５及び／又は有害ガス制御手段３７、３８は、吸込空気９内における塵埃濃度又は有害ガス濃度のいずれか一方又は両方の値が所定の値を超えた場合には、塵埃濃度測定計３３及び有害ガス濃度測定計３６の測定結果に基づいて、吹出装置５と吸込装置６を移動して両者の間隔を狭める。このとき、両者の間隔が両者がぶつからない状態でもっとも接近した場合においても、塵埃濃度又は有害ガス濃度のいずれか一方又は両方の値が所定の値を超えている場合には、送風機１８又は吸風機２６のいずれか一方又は両方の回転数を増加させる。そして、塵埃濃度及び有害ガス濃度の値が低下したら、吹出装置５と吸込装置６の間隔が広まる方向へ両者を移動させ、その後、送風機１８又は吸風機２６のいずれか一方又は両方の回転数を減少させる。

図４は、本発明における吹出ユニットの実施の形態を示す概略図である。

本実施の形態における吹出ユニット１１は、図４に示すように、ケーシング４２とハニカム整流格子４３と気流ガイドベーン４４とメッシュフィルタ４５とダクト接続口４６を有している。

ケーシング４２の一部は、送風ユニット１０から流れ込む空気を吹出すための吹出面４７を形成している。

ケーシング４２の下部には、ダクト接続口４６が設けられており、送風ユニット１０に取付けられたフレキシブルダクト１２に接続できるようになっている。

ケーシング４２の内部には、気流ガイドベーン４４が設けられており、ダクト接続口４６から流れ込む空気を吹出面４７に効率よく導くことができるようになっている。

吹出面４７には、ハニカム整流格子４３が取付けられており、吹出面４７より吹出される空気の吹出分布を均一に保持することができるようになっている。

ケーシング４２の内部には、ハニカム整流格子４３と間隔を隔てて平行になるように、メッシュフィルタ４５が設けられており、ハニカム整流格子４３とともに、吹出面４７より吹出される空気の吹出分布を均一に保持することができるようになっている。

図５は、本発明における吸込ユニット１６の実施の形態を示す概略図である。

本実施の形態における吸込ユニット１６は、図５に示すように、ケーシング４８とハニカム整流格子４９と気流ガイドベーン５０とメッシュフィルタ５１とダクト接続口５２を有している。

ケーシング４８の一部は、クリーンルーム２内の空気を吸込むための吸込面５３を形成している。

吸込面５３の周囲には、フランジ５４が設けられており、吸込面５３からの空気の吸込効率を向上させることができるようになっている。フランジ５４は、脱着可能であり、任意の大きさのものであればよい。

ケーシング４８の下部には、ダクト接続口５２が設けられており、吸風ユニット１５に取付けられたフレキシブルダクト１２に接続できるようになっている。

ケーシング４８の内部には、気流ガイドベーン５０が設けられており、吸込面５３から流れ込む空気をダクト接続口５２に効率よく導くことができるようになっている。

吸込面５３には、ハニカム整流格子４９が取付けられており、吸込面５３より吸込まれる空気の吸込分布を均一に保持することができるようになっている。

ケーシング４８の内部には、ハニカム整流格子４９と間隔を隔てて平行になるように、メッシュフィルタ５１が設けられており、ハニカム整流格子４９とともに、吸込面５３より吸込まれる空気の吸込分布を均一に保持することができるようになっている。

本実施の形態の局所清浄化装置１を用いてクリーンルーム２内に配置された半導体製造機器３の周りの雰囲気の清浄化を行うには、まず、図１に示すように、半導体製造機器３を挟み込むように吹出装置５及び吸込装置６を配置する。

そして、吹出装置５の送風ユニット１０を作動させて、半導体製造機器３から発生する汚染空気４に対して清浄空気８を吹き付けるとともに、吸込装置６の吸風ユニット１５を作動させて、汚染空気４を取り込んだ吸込空気９を吸込装置６により吸込む。

その後、吸込装置６の吸風ユニット１５の内部に設けられた高性能フィルタ２７及びケミカルフィルタ２８を用いて吸込空気９を処理した後、清浄化された空気を吹出ユニット接続口３０から排出する。

以上説明した本実施の形態によれば、クリーンルーム２内に配置された半導体製造機器３のメンテナンス時に発生する汚染空気４を、吹出装置５から吹出される清浄空気８により吹出ユニット１１と吸込ユニット１６との間に形成されるプッシュプル気流で包み込み、吸込空気９として吸込装置６に吸込ませるので、汚染空気４が半導体製造機器３の周囲に残存することがなく、これにより、半導体製造機器３の周囲は常に清浄な環境とすることができる。

また、吸込空気９として吸込装置６に吸込まれた汚染空気４は、吸込装置６の内部に設けられたケミカルフィルタ２８および高性能フィルタ２７で処理された清浄化された空気としてクリーンルーム２内に排出されるので、クリーンルーム２内に汚染空気４が拡散することがなく、これにより、クリーンルーム２内の清浄性を常時高く保つ必要が無くなり、クリーンルーム２の運転コストを削減することができる。

さらに、本実施の形態によれば、吹出装置５を構成する送風ユニット１０及び吸込装置６を構成する吸風ユニット１５にはキャスタ２４（３２）が取付けられており任意の位置に移動させることができるので、クリーンルーム２内の任意の位置において局所清浄環境を提供することができ、これにより、クリーンルーム２全体の清浄性を常に高く保つ必要がなくなり、クリーンルーム２の運転コストを削減することができる。

図６は、本発明の局所清浄化装置の他の実施の形態を示す概略図、図７は、本発明の局所清浄化装置のさらに他の実施の形態を示す概略図である。

以下、上記実施の形態と共通する部分については同一の符号を付しその詳細な説明を省略する。

図６に示す局所清浄化装置１Ａは、吹出装置５Ａにおいて吹出ユニット１１Ａと送風ユニット１０Ａとを、および吸込装置６Ａにおいて吸込ユニット１６Ａと吸風ユニット１５Ａとを、それぞれフレキシブルダクト１２を介さずに直接接続したものである。

このような構成を有する本実施の形態によれば、吹出ユニット１１Ａ及び吸込ユニット１６Ａを固定することができるので、吹出ユニット１１Ａと吸込ユニット１６Ａとの間に形成されるプッシュプル気流を安定して形成することが可能になる。

一方、図７に示す局所清浄化装置１Ｂは、吹出装置５Ｂにおいて吹出ユニット１１Ｂと送風ユニット１０Ｂとを、および吸込装置６Ｂにおいて吸込ユニット１６Ｂと吸風ユニット１５Ｂとを、それぞれフレキシブルダクト１２を介さずに直接接続するとともに、吹出ユニット１１Ｂの吹出面４７Ｂおよび吸込ユニット１６Ｂの吸込面５３Ｂに角度を持たせて半導体製造機器３Ｂに対して清浄空気７Ｂを斜めから吹き付けたものである。

このような構成を有する本実施の形態によれば、吹出ユニット１１Ｂから吹出される清浄空気８が高い位置から吹出されるので、吹出装置５Ｂと吸込装置６Ｂとの間に障害物があっても障害物を避けて清浄化を図ることができる。

その他の構成及び作用効果については上述の実施の形態と同一であるのでその詳細な説明を省略する。

なお、本発明は上述の実施の形態に限られることなく、種々の変更を行うことが可能である。

例えば、上記実施の形態においては、吹出ユニット１１及び吸込ユニット１６のケーシング４２、４８の内部に気流ガイドベーン４４、５０を設けるようにしたが、本発明はこれに限られず、均一な吹出風速及び吸込風速が得られるのであれば、気流ガイドベーン４４、５０を設けない構成とすることもできる。

また、本発明においては、吹出装置５と吸込装置６との間に発生するプッシュプル気流の風量のバランスを最適に調整する観点から、特に限定されることはないが、吹出装置５と吸込装置６に風量制御装置（図示せず）を設けることもできる。

本発明に係る局所清浄化装置の実施の形態を示す概略図。 本発明に係る局所清浄化装置の実施の形態を示す鳥瞰模式図。 本発明における送風ユニット及び吸風ユニットの実施の形態を示す概略図。 本発明における吹出ユニットの実施の形態を示す概略図。 本発明における吸込ユニットの実施の形態を示す概略図。 本発明の局所清浄化装置の他の実施の形態を示す概略図。 本発明の局所清浄化装置のさらに他の実施の形態を示す概略図。 一般的なクリーンルームにおける局所清浄化の例を示す断面図。

符号の説明

１…局所清浄化装置 ２…クリーンルーム ３…半導体製造機器 ５…吹出装置 ６…吸込装置 １０…送風ユニット １１…吹出ユニット １２…フレキシブルダクト １５…吸風ユニット １６…吸込ユニット ２４、３２…キャスタ ３３…塵埃濃度測定計 ３４、３５…塵埃制御手段 ３６…有害ガス濃度測定計 ３７、３８…有害ガス制御手段

Claims (6)

1. クリーンルーム内に設けられた清浄化対象物の近傍を局所的に清浄化する局所清浄化装置であって、
   空気を吹き出す吹出面を有する吹出ユニットと、クリーンルーム内の空気を吸い込み前記吹出ユニットに空気を送り込む送風機及び吸込んだ空気を清浄化するフィルタを備えた送風ユニットと、がキャスタにより移動可能な装置本体に搭載された吹出装置と、
   空気を吸い込む吸込面を有する吸込ユニットと、前記吸込ユニットから空気を吸込み前記クリーンルーム内に当該空気を排出する吸風機及び当該空気を清浄化するフィルタを備えた吸風ユニットと、がキャスタにより移動可能な装置本体に搭載された吸込装置と、を備え、
   前記吹出装置と前記吸込装置とで前記清浄化対象物を挟み込むように配置することを特徴とする局所清浄化装置。
2. 前記清浄化対象物は半導体製造装置であって、前記クリーンルームを運転中に前記半導体製造装置のメンテナンスを行う際の局所清浄化に使用することを特徴とする請求項１の局所清浄化装置。
3. 前記フィルタとして、塵埃を除去する塵埃除去フィルタ及び有害ガスを除去するケミカルフィルタを備えたことを特徴とする請求項１又は２の局所清浄化装置。
4. 前記吸込装置に吸込まれる空気中の塵埃濃度を測定する塵埃濃度測定計と、
   前記塵埃濃度測定計の測定結果に基づいて前記吹出装置の送風機の回転数を制御する塵埃制御手段と、を備え、
   前記塵埃制御手段は、前記塵埃濃度測定計により測定される所定容積当たりの塵埃濃度が所定値を超えたときに、当該所定値以下となるように、前記吹出装置の送風機の回転数を制御することを特徴とする請求項３に記載の局所清浄化装置。
5. 前記吸込装置に吸込まれる空気中の有害ガス濃度を測定する有害ガス濃度測定計と、
   前記有害ガス濃度測定計の測定結果に基づいて前記吹出装置の送風機の回転数を制御する有害ガス制御手段と、を備え、
   前記有害ガス濃度測定計により測定される所定容積当たりの有害ガス濃度が所定値を超えたときに、当該所定値以下となるように、前記吹出装置の送風機の回転数を制御することを特徴とする請求項３又は４に記載の局所清浄化装置。
6. 前記吹出装置及び前記吸込装置のそれぞれのキャスタを駆動する駆動手段を設け、
   前記塵埃制御手段及び／又は前記有害ガス制御手段は、前記塵埃濃度又は前記有害ガス濃度のいずれか一方又は両方の値が前記所定値を超えたときに、前記吹出装置と前記吸込装置との間の間隔を狭めるように前記駆動手段を駆動することを特徴とする請求項４又は５に記載の局所清浄化装置。

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