JPS614234A - 半導体素子の樹脂モ−ルド成形方法及び半導体リ−ドフレ−ム - Google Patents
半導体素子の樹脂モ−ルド成形方法及び半導体リ−ドフレ−ムInfo
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- JPS614234A JPS614234A JP12583284A JP12583284A JPS614234A JP S614234 A JPS614234 A JP S614234A JP 12583284 A JP12583284 A JP 12583284A JP 12583284 A JP12583284 A JP 12583284A JP S614234 A JPS614234 A JP S614234A
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- gate opening
- resin
- lead frame
- gate
- cavity
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、リードフレーム上に取イ］けた半導体素子を
樹脂モールド成形する方法とこれに用いられる半導体リ
ードフレームの改良に関するものであシ、この種の樹脂
モールド成形技術産業の分野において利用されるもので
ある。
樹脂モールド成形する方法とこれに用いられる半導体リ
ードフレームの改良に関するものであシ、この種の樹脂
モールド成形技術産業の分野において利用されるもので
ある。
（従来技術とその問題点）
半導体素子の樹脂モールド成形用金型は、通常、第１図
乃至第４図に示すよ、うに、固定上型に対設した可動下
型２とから構成されている。 また、該両型のパーティ
ングライン（Ｐ−Ｌ）面における上型１側には成形樹脂
体の上半体を成形する上キャビティ３が設けられると共
に、下型２側にはその下半体を成形する下キャビティ４
が対向配置下 され、また、化キャビティ４側には溶融樹脂の移送用ラ
ンチ５側と連通するゲート６のゲート口６□が連通開設
されておシ、更に、下キャビティ４の上面部には半導体
リードフレームＡのセット用凹所７が設けられると共に
、該凹所と連通ずるパーティングライン面には所要のエ
アベント８が形成されておシ、９−・・９は上記キャビ
ティ３・４とランプ５及びゲート６の各部にて成形され
る樹脂体の押出用エジェクタービンである。
乃至第４図に示すよ、うに、固定上型に対設した可動下
型２とから構成されている。 また、該両型のパーティ
ングライン（Ｐ−Ｌ）面における上型１側には成形樹脂
体の上半体を成形する上キャビティ３が設けられると共
に、下型２側にはその下半体を成形する下キャビティ４
が対向配置下 され、また、化キャビティ４側には溶融樹脂の移送用ラ
ンチ５側と連通するゲート６のゲート口６□が連通開設
されておシ、更に、下キャビティ４の上面部には半導体
リードフレームＡのセット用凹所７が設けられると共に
、該凹所と連通ずるパーティングライン面には所要のエ
アベント８が形成されておシ、９−・・９は上記キャビ
ティ３・４とランプ５及びゲート６の各部にて成形され
る樹脂体の押出用エジェクタービンである。
また、上記樹脂モールド成形に用いられる半導体リード
フレームＡは、通常、所要間隔を保って平行に配置させ
た両縁枠１０・１０．と、該両縁枠の中間部にタブリー
ド１１を介して配置さゼた半導体素子１２の取付用タブ
１３と、一端側を上記タブ１８側に他端側を上記両縁枠
１０・１０゜に沿って夫々平行に配置させ°た所要複数
本の外部用リード１４−・・１４と、該各外部用り−１
１１４間と両縁枠１０・１０□間との夫々を一体に連結
させたタイバー１５とから構成されておシ、上記半導体
素子１２と列部用リード１４−１４とけリードワイヤ１
６−・・１６を介して接続されている。
フレームＡは、通常、所要間隔を保って平行に配置させ
た両縁枠１０・１０．と、該両縁枠の中間部にタブリー
ド１１を介して配置さゼた半導体素子１２の取付用タブ
１３と、一端側を上記タブ１８側に他端側を上記両縁枠
１０・１０゜に沿って夫々平行に配置させ°た所要複数
本の外部用リード１４−・・１４と、該各外部用り−１
１１４間と両縁枠１０・１０□間との夫々を一体に連結
させたタイバー１５とから構成されておシ、上記半導体
素子１２と列部用リード１４−１４とけリードワイヤ１
６−・・１６を介して接続されている。
上記した従来の半導体リードフレームＡを用いてそのも
゛パ脂モールド成形を行なう場合は、該リードフレーム
の両Ｍ、枠１０・１０１を金型側の凹所７に保合セット
して第１図に示すように型締めを行ない、次に、第４図
に示すように、溶融樹脂１７をランナ５とゲート６及び
そのゲート口６□を通して上下キャビティ３・４内に加
圧注入することにｋるのであるが、この場合に、キャビ
ティ３・４にて成形される樹脂体、特に、上記したゲー
１−「１６１附近にボイド（気泡）による欠損部が生じ
易いといった成形」二の重大な欠点がみられると共に、
この欠損部は成形樹脂体の外観を損うことになシ、また
、該欠損部から水分が浸入して内部の半導体素子の機能
を損う等、この種製品の耐水（湿）性若しくは耐久性を
低下させる要因となっている。
゛パ脂モールド成形を行なう場合は、該リードフレーム
の両Ｍ、枠１０・１０１を金型側の凹所７に保合セット
して第１図に示すように型締めを行ない、次に、第４図
に示すように、溶融樹脂１７をランナ５とゲート６及び
そのゲート口６□を通して上下キャビティ３・４内に加
圧注入することにｋるのであるが、この場合に、キャビ
ティ３・４にて成形される樹脂体、特に、上記したゲー
１−「１６１附近にボイド（気泡）による欠損部が生じ
易いといった成形」二の重大な欠点がみられると共に、
この欠損部は成形樹脂体の外観を損うことになシ、また
、該欠損部から水分が浸入して内部の半導体素子の機能
を損う等、この種製品の耐水（湿）性若しくは耐久性を
低下させる要因となっている。
」二連したような従来の弊害は、次のような原因に基づ
いて発生するものと考えられる。
いて発生するものと考えられる。
即ち、上記ゲート口６１を通してキャビティ３・４空間
内に注入された最初の樹脂は、該空間内への注入と同時
にその注入加圧力から一時的に開放されること、また、
第３図に示すように、上記ゲートロ６３部に保合セット
されるリードフレームの縁辺１０１ と該ゲート口の前
方に配置される外部用リード１４１との間、及び、ゲー
１０６１と該外部用リード１４１との間には所要の間隙
Ｌ１・Ｌ２が構成されることから、第４図に示すよ゛う
に、ゲート口６□を通してキャビティ３・４空間内に最
初に注入される断面長方形状の樹脂先端部１７１は、ま
ず、上記間隙Ｌ□ ・し１．を通して上キャビティ３側
に向い、その後自重等によって下キャビティ４側に向う
といった流入作用を受けることになる。 従って、この
とき、ゲート口６１附近の空気１８が該樹脂先端部１７
□によシ巻き込まれることになシ、この空気１８が樹脂
充用後において効率良く外部に排出されないととから、
ゲートロ６１位置に対応する樹脂成形体の内部或は外表
面にボイドを形成するとととなるのである。
内に注入された最初の樹脂は、該空間内への注入と同時
にその注入加圧力から一時的に開放されること、また、
第３図に示すように、上記ゲートロ６３部に保合セット
されるリードフレームの縁辺１０１ と該ゲート口の前
方に配置される外部用リード１４１との間、及び、ゲー
１０６１と該外部用リード１４１との間には所要の間隙
Ｌ１・Ｌ２が構成されることから、第４図に示すよ゛う
に、ゲート口６□を通してキャビティ３・４空間内に最
初に注入される断面長方形状の樹脂先端部１７１は、ま
ず、上記間隙Ｌ□ ・し１．を通して上キャビティ３側
に向い、その後自重等によって下キャビティ４側に向う
といった流入作用を受けることになる。 従って、この
とき、ゲート口６１附近の空気１８が該樹脂先端部１７
□によシ巻き込まれることになシ、この空気１８が樹脂
充用後において効率良く外部に排出されないととから、
ゲートロ６１位置に対応する樹脂成形体の内部或は外表
面にボイドを形成するとととなるのである。
なお、上述した間に８点は、ランナ５−ゲート６及びゲ
ート口６３等が上型１側に設けられている逆の配置態様
（第１図に示す金型の上型１と下型２とを反対に配設し
た構成）の金型においても同様に発生する。１ 即ち、
その上型ゲート口を通してキャピテイ空商内に最初に注
入される断面長方形状の樹脂先端部は、まず、間隙（し
い ・Ｌりを通して下キャビティ側に所要の加圧力を受
けて斜下方へ注入された後に、自重等によって下方の下
キャビティ面に流下することになるため、このとき、上
記ゲートロ附近の空気を巻き込むことになるのである。
ート口６３等が上型１側に設けられている逆の配置態様
（第１図に示す金型の上型１と下型２とを反対に配設し
た構成）の金型においても同様に発生する。１ 即ち、
その上型ゲート口を通してキャピテイ空商内に最初に注
入される断面長方形状の樹脂先端部は、まず、間隙（し
い ・Ｌりを通して下キャビティ側に所要の加圧力を受
けて斜下方へ注入された後に、自重等によって下方の下
キャビティ面に流下することになるため、このとき、上
記ゲートロ附近の空気を巻き込むことになるのである。
（本発明の目的）
本発明は、ゲート口を通してキャビティ空間内に最初に
注入される樹脂の流入作用を改善することによってゲー
ト口ボイドの発生を防止できる樹脂モールド成形方法と
、この成形方法に用いることができる半導体リードフレ
ームを提供することによシ５、上述した従来の弊害を確
実に解消することを目的とするものである。
注入される樹脂の流入作用を改善することによってゲー
ト口ボイドの発生を防止できる樹脂モールド成形方法と
、この成形方法に用いることができる半導体リードフレ
ームを提供することによシ５、上述した従来の弊害を確
実に解消することを目的とするものである。
（本発明の方法及び構成）
本発明方法は、半導体素子をリードフレームを介して上
下両型間のキャビティ部にセットすると共に、溶融樹脂
をゲート口を通して上記ギャビテイ部に加圧注入するこ
とによシ上記１′導体素子を樹脂モールド成形する方法
において、上記リード・ フレームの外部用リード部に
延設した突片を上記ゲート口の前方位置に対向配置させ
て該ゲート口と上記外部用リード部との間の間隙が狭少
となるように設定することにより、上記ゲート口からキ
ャビ−ティ部に最初に加圧注入される溶融樹脂を下キャ
ビティ面に沼って流下させるようにしたことを特徴とす
るものである。
下両型間のキャビティ部にセットすると共に、溶融樹脂
をゲート口を通して上記ギャビテイ部に加圧注入するこ
とによシ上記１′導体素子を樹脂モールド成形する方法
において、上記リード・ フレームの外部用リード部に
延設した突片を上記ゲート口の前方位置に対向配置させ
て該ゲート口と上記外部用リード部との間の間隙が狭少
となるように設定することにより、上記ゲート口からキ
ャビ−ティ部に最初に加圧注入される溶融樹脂を下キャ
ビティ面に沼って流下させるようにしたことを特徴とす
るものである。
また、本発明方法に用いられる半５１１体リードフレー
ムは、縁枠にタブリードを介して配置させた半導体素子
の取付用タグと、一端側を上記タブ側に向って配置させ
た所要複数本の外部用リードと１、 ＊４！
ｒｌ’ｐ＠ｌ＝Ｍｖ−ｒｒ１５．Ｔｈ１Ｅｉ！？Ｉ’Ｊ
Ｉ＆Ｃ’１ｌ−Ｋに連結させたタイバーとから成る半導
体リードフレームにおいて、上記縁枠に対向配置される
外部膜しで形成した溶融樹脂の流入抑制用突片が設けら
れていることをｒ÷徴とするものである。
ムは、縁枠にタブリードを介して配置させた半導体素子
の取付用タグと、一端側を上記タブ側に向って配置させ
た所要複数本の外部用リードと１、 ＊４！
ｒｌ’ｐ＠ｌ＝Ｍｖ−ｒｒ１５．Ｔｈ１Ｅｉ！？Ｉ’Ｊ
Ｉ＆Ｃ’１ｌ−Ｋに連結させたタイバーとから成る半導
体リードフレームにおいて、上記縁枠に対向配置される
外部膜しで形成した溶融樹脂の流入抑制用突片が設けら
れていることをｒ÷徴とするものである。
（実施例）
以下、本発明を第５図乃至第９図に示す実施例図に基づ
いて説明する。
いて説明する。
第５図は、本発明方法に用いられる半導体リードフレー
ムを示しておシ、該リードフレームは所要の間隔を保っ
て平行に配置させた両縁枠２ｏ・２０□と、該両縁枠の
中間部にタグリード２１を介して配置させた半導体素子
２２の取付用タブ′２３と、一端側を上記タブ２３側に
他端側を上記両縁枠２０・２０□に沿って夫々平行に配
置させた所要複数本の外部用リード２４・・・２４と、
該番外部用リード２４間と両縁枠２０・２０１間との夫
々を一体に連結さゼたタイバー２５と、上記半導体素子
２２と外部用リード２４・・・２４とを接続させたリー
ドワイヤ２６・・・２６とから構成されておシ、また、
第８図及び第９図に示す樹脂モールド成型用金−型の下
キャビティ４側に連通開設するゲート口６１の前方位置
、即ち、上記縁枠２０□に対向配置される外部用リード
２４□に、該リードを上記ゲート口６１側となる縁枠２
０１（ｌｌｌに向って延設し、て形成した溶融樹脂の上
キャビティ３側への流入抑制用突片２７が設けられてい
る。 寸だ、上記縁枠２０１と外部用リード２４１との
間隙は、前述した従来のものめ間隙り、と略同−に形成
されるが、該縁枠２０□ と上記突片２７とのＩ７ｉ’
ｉには上記間隙Ｌ１よシも狭少となる間隙Ｊ、１が構成
されると共に、金型の上記ゲート口６□と上記突ハ２７
との間には、前述した従来のものの間隙１．、／２よυ
も狭少となる間＠ Ｊ−２が構成されることになる。
なお、第８図及び第９図に示す金型の具体的構成は前述
した従来金型の構成と実質的に同一であるため、これと
対応する構成部材には同一の符−号を付している。
ムを示しておシ、該リードフレームは所要の間隔を保っ
て平行に配置させた両縁枠２ｏ・２０□と、該両縁枠の
中間部にタグリード２１を介して配置させた半導体素子
２２の取付用タブ′２３と、一端側を上記タブ２３側に
他端側を上記両縁枠２０・２０□に沿って夫々平行に配
置させた所要複数本の外部用リード２４・・・２４と、
該番外部用リード２４間と両縁枠２０・２０１間との夫
々を一体に連結さゼたタイバー２５と、上記半導体素子
２２と外部用リード２４・・・２４とを接続させたリー
ドワイヤ２６・・・２６とから構成されておシ、また、
第８図及び第９図に示す樹脂モールド成型用金−型の下
キャビティ４側に連通開設するゲート口６１の前方位置
、即ち、上記縁枠２０□に対向配置される外部用リード
２４□に、該リードを上記ゲート口６１側となる縁枠２
０１（ｌｌｌに向って延設し、て形成した溶融樹脂の上
キャビティ３側への流入抑制用突片２７が設けられてい
る。 寸だ、上記縁枠２０１と外部用リード２４１との
間隙は、前述した従来のものめ間隙り、と略同−に形成
されるが、該縁枠２０□ と上記突片２７とのＩ７ｉ’
ｉには上記間隙Ｌ１よシも狭少となる間隙Ｊ、１が構成
されると共に、金型の上記ゲート口６□と上記突ハ２７
との間には、前述した従来のものの間隙１．、／２よυ
も狭少となる間＠ Ｊ−２が構成されることになる。
なお、第８図及び第９図に示す金型の具体的構成は前述
した従来金型の構成と実質的に同一であるため、これと
対応する構成部材には同一の符−号を付している。
また、上記突片２７は、溶副１樹脂１７の上キャビティ
３側へ、の流入を完全にｌ！１１止させるものではシ・
いから、第７図に示すように、該突片２７に所要の切欠
部２７エ・・・２７１を形成して、ゲート１０口６１か
ら流入する溶融樹脂の一部を、該切欠部を通して上キー
ｒビテイ８（Ｉｌｉへ同時に流入させるように１．′Ｊ
成してもよい。
３側へ、の流入を完全にｌ！１１止させるものではシ・
いから、第７図に示すように、該突片２７に所要の切欠
部２７エ・・・２７１を形成して、ゲート１０口６１か
ら流入する溶融樹脂の一部を、該切欠部を通して上キー
ｒビテイ８（Ｉｌｉへ同時に流入させるように１．′Ｊ
成してもよい。
また、第５図に／ｉ−′１．たり一ドフレームは、両縁
枠２０・２０１と、該両縁枠間にクジジード２１番介し
てタブ２３を配ｆＷ描成したものを図示しているが、同
図に示した一方の縁枠２０を省略した構成を有するもの
、或は、同じく、一方何の縁枠２０８、省略すると共に
、タイバー２５を介して他方の縁枠２０１に連結したタ
ブリード（図示なし）の先端部にタブ（２３）を一体に
形成する構成を採用しても差支えない。
枠２０・２０１と、該両縁枠間にクジジード２１番介し
てタブ２３を配ｆＷ描成したものを図示しているが、同
図に示した一方の縁枠２０を省略した構成を有するもの
、或は、同じく、一方何の縁枠２０８、省略すると共に
、タイバー２５を介して他方の縁枠２０１に連結したタ
ブリード（図示なし）の先端部にタブ（２３）を一体に
形成する構成を採用しても差支えない。
次に、本発明の詳細な説明する。
本発明の半導体リードフレームは、前述した従来のもの
と同様に、金型側の凹所７に係合セットした後に型間ｆ
めを行ない、次に、第９図に示すように、溶融υｄ脂１
７をランナ５とゲート６及びゲート口６１を通して上下
キャビティ３・４内に加圧注入することになる。 しか
しながら、本発明においては、ゲート口６工とリードフ
レームの突片２７との間ＶＩｉ、、Ｌ、が狭少に構成さ
れることになるから、ゲート口６１を通してキ４ビテイ
３・４空間内に最初に注入される断面長方形状の樹脂先
端部１７□け、上記突片２７によって」ニキャビテイ３
側への流入作用を抑制されて該ゲート口から下キャビテ
ィ面に沿って流下することになるのである。 捷た、こ
のような溶融樹脂（１７□）の最初の注入作用に連続し
て行なわれる溶θ、！１１樹脂１７のキャビティ３・４
内への加圧注入作用は、該溶融樹脂がゲート口６１から
エアベント（８）側へ順次流入して該キャビティ３・４
内を充填した後に終了することになるが、上述し７たよ
うにゲート１１６１附近の空気（１８）の樹脂先端部、
１７．による巻込作用は発生せず、また、キャビティ３
・４空間内の他の空気は上記した溶融樹脂の充填時にエ
アベント（８）を通して外部へ押し出されるから、結局
、キャビティ３・４によって成形される樹脂体の内部或
はゲート口部その他の列表面にボイドを形成することが
ないのである。
と同様に、金型側の凹所７に係合セットした後に型間ｆ
めを行ない、次に、第９図に示すように、溶融υｄ脂１
７をランナ５とゲート６及びゲート口６１を通して上下
キャビティ３・４内に加圧注入することになる。 しか
しながら、本発明においては、ゲート口６工とリードフ
レームの突片２７との間ＶＩｉ、、Ｌ、が狭少に構成さ
れることになるから、ゲート口６１を通してキ４ビテイ
３・４空間内に最初に注入される断面長方形状の樹脂先
端部１７□け、上記突片２７によって」ニキャビテイ３
側への流入作用を抑制されて該ゲート口から下キャビテ
ィ面に沿って流下することになるのである。 捷た、こ
のような溶融樹脂（１７□）の最初の注入作用に連続し
て行なわれる溶θ、！１１樹脂１７のキャビティ３・４
内への加圧注入作用は、該溶融樹脂がゲート口６１から
エアベント（８）側へ順次流入して該キャビティ３・４
内を充填した後に終了することになるが、上述し７たよ
うにゲート１１６１附近の空気（１８）の樹脂先端部、
１７．による巻込作用は発生せず、また、キャビティ３
・４空間内の他の空気は上記した溶融樹脂の充填時にエ
アベント（８）を通して外部へ押し出されるから、結局
、キャビティ３・４によって成形される樹脂体の内部或
はゲート口部その他の列表面にボイドを形成することが
ないのである。
なお、前述し、たように、上型１と下型２とが反対に配
置された金型（図示なし、）においては、ゲート口（６
エ）が上型１側に設けられるが、この場合にもゲート口
附近の空気巻込作用は発生しない。
置された金型（図示なし、）においては、ゲート口（６
エ）が上型１側に設けられるが、この場合にもゲート口
附近の空気巻込作用は発生しない。
即チ、ゲート１コ（６ｔ）を通し７てキャビティ（３・
４）空間内に最初に注入される断面長方形状の樹脂先端
部は、リードフレームの突片（２７）によって、下キャ
ビティ（４）側へ向う斜下方への流入作用が抑制される
ことになシ、その結果として、上記樹脂先端部はゲート
口（６□）から下キャビティ、（４）面に沿って流下す
ることとなるのである。 寸だ、その他のキャビティ（
３・４）「内への樹脂性ノｍ作用は、上述した図例のも
のと略同様に行なわれるものである。
４）空間内に最初に注入される断面長方形状の樹脂先端
部は、リードフレームの突片（２７）によって、下キャ
ビティ（４）側へ向う斜下方への流入作用が抑制される
ことになシ、その結果として、上記樹脂先端部はゲート
口（６□）から下キャビティ、（４）面に沿って流下す
ることとなるのである。 寸だ、その他のキャビティ（
３・４）「内への樹脂性ノｍ作用は、上述した図例のも
のと略同様に行なわれるものである。
（′Ａ発明の作用・効果）
本発明方法によるときは、ゲート口を通してキャビティ
空間内に最初に注メされる樹脂がゲート口附近の空気を
巻き込まないので、該巻込空気の残溜に起因したゲート
ロポイドの発生を確実に防止することができる。 従っ
て、成形樹脂体のゲート口附近には欠損部が形成されな
いため、従来の成形樹脂体のように該欠損部から内部に
水分が浸入して樹脂モールド成形品の耐水（湿）性・１
ｎｒＪ久性を低下させることがなく、また、成形樹脂体
の外観を損う等の弊害を確実に解消できるといった優れ
た効果を奏するものである。
空間内に最初に注メされる樹脂がゲート口附近の空気を
巻き込まないので、該巻込空気の残溜に起因したゲート
ロポイドの発生を確実に防止することができる。 従っ
て、成形樹脂体のゲート口附近には欠損部が形成されな
いため、従来の成形樹脂体のように該欠損部から内部に
水分が浸入して樹脂モールド成形品の耐水（湿）性・１
ｎｒＪ久性を低下させることがなく、また、成形樹脂体
の外観を損う等の弊害を確実に解消できるといった優れ
た効果を奏するものである。
また、本発明方法に用いられる゛しｊ″す什す−ドフ溶
融樹脂の流入抑制用突片を′ｌＬ設するものであるから
、例えば、長尺の板材からリードフレームを打抜形成す
る工程において同時に形成することができてその製作が
容易である。 また、このリードフレームを用いて樹脂
モールド成形を行なうときは、上記突片によって、ゲー
１−１１１を通してキャビティ空間内に最初に注入され
る樹脂を、該ゲート口から下キャビティ面に沿って流］
：させるどいつだ流入抑制作用が得られるため、従来の
リードフレームを用いた場合のように上記樹脂による空
気の巻き込みがなく、従って一成形樹脂体の内部或はゲ
ート口部その他の外表面に巻込空気の残溜に起因したボ
イド・欠損部が形成されるのを確実に防止することがで
きるといった優れた効果を奏するものである。
融樹脂の流入抑制用突片を′ｌＬ設するものであるから
、例えば、長尺の板材からリードフレームを打抜形成す
る工程において同時に形成することができてその製作が
容易である。 また、このリードフレームを用いて樹脂
モールド成形を行なうときは、上記突片によって、ゲー
１−１１１を通してキャビティ空間内に最初に注入され
る樹脂を、該ゲート口から下キャビティ面に沿って流］
：させるどいつだ流入抑制作用が得られるため、従来の
リードフレームを用いた場合のように上記樹脂による空
気の巻き込みがなく、従って一成形樹脂体の内部或はゲ
ート口部その他の外表面に巻込空気の残溜に起因したボ
イド・欠損部が形成されるのを確実に防止することがで
きるといった優れた効果を奏するものである。
第１図乃至第４図は、従来の半導体リードフレームを用
いた場合のトランスファー樹脂モールド成形例を示すも
ので、第１図はその金型要部の縦断面図、第２図及び第
３図はその下型の平面図及び拡大３１７面図、第４図は
その成形作用説明図である。 第５図乃至第９図は、本発明の実施例を示すものであシ
、第５図はその半導体リードフレームの一部切欠平面図
、第６図は該リードフレームの要部拡大平面図、第７図
は該リードフレームの他の実施例の要部を示す平面図、
第８図及び第９図はその成形作用説明図である。 １・・・上型、 ２・・・下型、 ３・・・上キャビテ
ィ、４ｖ・下キャビティ、 ６・・・ゲート、 ６□・
・・ゲート口、 １７・・・溶融樹脂、 ２０・２０工
・・・縁枠、 ２１・・・タブリード、 ２２・・・半
導体素子、 ２３・・・クプ、 ２４・２４□・・・外
部用リード、 ２５・・・ クイバー、 ２７・・・
突片、上、・・・間隙。 第５図
いた場合のトランスファー樹脂モールド成形例を示すも
ので、第１図はその金型要部の縦断面図、第２図及び第
３図はその下型の平面図及び拡大３１７面図、第４図は
その成形作用説明図である。 第５図乃至第９図は、本発明の実施例を示すものであシ
、第５図はその半導体リードフレームの一部切欠平面図
、第６図は該リードフレームの要部拡大平面図、第７図
は該リードフレームの他の実施例の要部を示す平面図、
第８図及び第９図はその成形作用説明図である。 １・・・上型、 ２・・・下型、 ３・・・上キャビテ
ィ、４ｖ・下キャビティ、 ６・・・ゲート、 ６□・
・・ゲート口、 １７・・・溶融樹脂、 ２０・２０工
・・・縁枠、 ２１・・・タブリード、 ２２・・・半
導体素子、 ２３・・・クプ、 ２４・２４□・・・外
部用リード、 ２５・・・ クイバー、 ２７・・・
突片、上、・・・間隙。 第５図
Claims (2)
- （１）半導体素子をリードフレームを介して上下両型間
のキャビティ部にセットすると共に、溶融樹脂をゲート
口を通して上記キャビティ部に加圧注入することにより
上記半導体素子を樹脂モールド成形する方法において、
上記リードフレームの外部用リード部に延設した突片を
上記ゲート口の前方位置に対向配置させて該ゲート口と
上記外部用リード部との間の間隙が狭少となるように設
定することにより、上記ゲート口からキャビティ部に最
初に加圧注入される溶融樹脂を下キャビティ面に沿って
流下させるようにしたことを特徴とする半導体素子の樹
脂モールド成形方法。 - （２）縁枠にタブリードを介して配置させた半導体素子
の取付用タブと、一端側を上記タブ側に向って配置させ
た所要複数本の外用部リードと、該各外部用リード間と
上記縁枠間との夫々を一体に連結させたタイバーとから
成る半導体リードフレームにおいて、上記縁枠に対向配
置される外部用リード部に、該リード側から縁枠側に向
って延設して形成した溶融樹脂の流入抑制用突片が設け
られていることを特徴とする半導体リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12583284A JPS614234A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 半導体素子の樹脂モ−ルド成形方法及び半導体リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12583284A JPS614234A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 半導体素子の樹脂モ−ルド成形方法及び半導体リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS614234A true JPS614234A (ja) | 1986-01-10 |
Family
ID=14920038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12583284A Pending JPS614234A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 半導体素子の樹脂モ−ルド成形方法及び半導体リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS614234A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6471270A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-16 | Nec Corp | Level adjusting device |
| US4862586A (en) * | 1985-02-28 | 1989-09-05 | Michio Osada | Lead frame for enclosing semiconductor chips with resin |
| US4946633A (en) * | 1987-04-27 | 1990-08-07 | Hitachi, Ltd. | Method of producing semiconductor devices |
| US4954308A (en) * | 1988-03-04 | 1990-09-04 | Citizen Watch Co., Ltd. | Resin encapsulating method |
| US5071612A (en) * | 1988-12-12 | 1991-12-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for sealingly molding semiconductor electronic components |
| US5094937A (en) * | 1989-07-31 | 1992-03-10 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method for processing silver halide color photographic material |
| US5197183A (en) * | 1991-11-05 | 1993-03-30 | Lsi Logic Corporation | Modified lead frame for reducing wire wash in transfer molding of IC packages |
| US5371044A (en) * | 1991-05-27 | 1994-12-06 | Hitachi, Ltd. | Method of uniformly encapsulating a semiconductor device in resin |
| US5891384A (en) * | 1994-11-21 | 1999-04-06 | Apic Yamada Corporation | Method of operating a molding machine with release film |
| JP2008060193A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | New Japan Radio Co Ltd | リードフレームおよびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-06-19 JP JP12583284A patent/JPS614234A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4862586A (en) * | 1985-02-28 | 1989-09-05 | Michio Osada | Lead frame for enclosing semiconductor chips with resin |
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| JP2008060193A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | New Japan Radio Co Ltd | リードフレームおよびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP4763554B2 (ja) * | 2006-08-30 | 2011-08-31 | 新日本無線株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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