CN103247754B - 无晶片自动调整 - Google Patents
无晶片自动调整 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103247754B CN103247754B CN201310036929.5A CN201310036929A CN103247754B CN 103247754 B CN103247754 B CN 103247754B CN 201310036929 A CN201310036929 A CN 201310036929A CN 103247754 B CN103247754 B CN 103247754B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- metal
- etching chamber
- residual
- containing layer
- reduction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 134
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 132
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 69
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 claims abstract description 6
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 claims abstract description 6
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 20
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 18
- 229910052987 metal hydride Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 150000004681 metal hydrides Chemical class 0.000 claims description 16
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 9
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 9
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 9
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 19
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 18
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 15
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 13
- 229910003321 CoFe Inorganic materials 0.000 description 12
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 10
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 2
- 229910018936 CoPd Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005438 FeTi Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000002045 lasting effect Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000011664 signaling Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
本发明涉及无晶片自动调整，具体提供了一种用于减少蚀刻室中的污染物的方法。具有含金属层的衬底被置于所述蚀刻室中。所述含金属层被蚀刻，在所述蚀刻室的表面上产生不挥发的金属残留沉积物，其中所述金属残留沉积物中的一些金属残留处于第一状态。所述衬底从所述蚀刻室被移除。通过将处于所述第一状态的金属残留转变到处于第二状态的金属残留，所述室被调整，其中处于所述第二状态的金属残留相较处于所述第一状态的金属残留对所述蚀刻室的表面具有更强的粘着性。
Description
技术领域
本发明涉及在半导体晶片上制造半导体器件的方法。更具体地，本发明涉及维护用于蚀刻含金属层的蚀刻室，所述含金属层的蚀刻用于磁性随机访问存储器（MRAM）的生产。
背景技术
在制造半导体器件的过程中，含金属层被蚀刻。这种蚀刻在蚀刻室内产生含金属污染物。
发明内容
为了实现前述内容，并根据本发明的目的，提供了一种用于减少蚀刻室中的污染物的方法。具有含金属层的衬底被置于所述蚀刻室中。所述含金属层被蚀刻，在所述蚀刻室的表面上产生不挥发的金属残留沉积物，其中所述金属残留沉积物中的一些金属残留处于第一状态。所述衬底从所述蚀刻室被移除。通过将处于所述第一状态的金属残留转变到处于第二状态的金属残留，所述室被调整，其中处于所述第二状态的金属残留相较处于所述第一状态的金属残留对所述蚀刻室的表面具有更强的粘着性。
在本发明的另一实施方式中，提供了一种用于减少具有电动窗（power window）和邻近所述电动窗的法拉第屏蔽的蚀刻室中的污染物的方法。具有含金属层的衬底被置于所述蚀刻室中。所述含金属层被蚀刻，在包括所述法拉第屏蔽的所述蚀刻室的表面上产生不挥发的金属残留沉积物，其中所述金属残留包括金属氢化物或金属氮化物，其中所述蚀刻包括提供所述含金属层中的金属的化学反应，以及溅射所述含金属层中的化学反应后的金属。所述衬底从所述蚀刻室被移除。通过将包括所述金属氢化物或金属氮化物的金属残留转变为原态金属，所述室被调整，其中原态金属相较所述金属氢化物或金属氮化物对所述蚀刻室的表面具有更强的粘着性，包括提供氧化作用以将所述金属氮化物或金属氢化物转变为金属氧化物，以及提供还原作用以将所述金属氧化物转变为原态金属。
下面，在本发明的详细描述部分，结合附图，将更加详细地描述本发明的这些特征以及其它特征。
附图说明
在附图中通过实施例的方式而非通过限定的方式来说明本发明，在这些附图中，同样的参考数字符号指代同样的元件，其中：
图1是本发明的实施方式的流程图。
图2是可被用来制造MRAM的堆栈（stack）的横截面示意图。
图3是可被用在本发明的实施方式中的等离子体处理室的示意图。
图4是可被用于实施本发明的计算机***的示意图。
图5是调整室的步骤的更为详细的流程图。
具体实施方式
此处参照如附图中所示的本发明的若干实施方式对本发明进行详细描述。在下面的描述中，为了提供对本发明的透彻理解，会阐明大量具体细节。但是，显然地，对本领域技术人员来说，本发明可在没有这些具体细节中的一些甚或全部的情况下被实施。在其他情况下，为了不令本发明产生不必要的含糊，公知的工艺步骤和/或结构不会被详细描述。
近年来，磁性随机存储器（MRAM）作为通用存储器名声大噪，并宣称要取代DRAM、闪存和SRAM存储器。MRAM堆栈由诸如Co/Fe/Pd/Pt/Ru/Ta/Ti/Ni/Mg/Mn及其合金之类的材料组成。蚀刻这些材料时的障碍是当等离子体物质（species）与这些金属的表面发生反应时产生的蚀刻副产品的不挥发性质。不挥发的蚀刻副产品意味着这些蚀刻副产品物质（species）的蒸气压强（vapor pressure）很低以致它们不能在操作晶片的温度（10-250℃）和压强（1-50毫托）下变成气态。
由于蚀刻副产品的不挥发性质，一旦这些产品溅射到晶片表面之外，它们便粘在包括变压器耦合等离子体（TCP）窗、尖顶和衬垫的室壁上的瞄准线区域。在半导体器件的制造过程中，金属层可在蚀刻室内被蚀刻。已发现金属的蚀刻副产品的大部分沉积在介电TCP窗上，这干扰到通过介电窗从TCP线圈耦合到等离子体的射频（RF）功率，并且阻止/减弱MRAM晶片的蚀刻。还发现当MRAM材料晶片通过TCP反应器循环时，与等离子体密度成比例且是通过TCP介电窗耦合用于受控的偏压操作模式的RF的尺度的偏置功率下降。
蚀刻室可以沉积模式运转，这意味着室壁上的蚀刻副产品在每个晶片蚀刻之后不会被清洁且被允许积聚在室壁上。基于NH3的工艺已被开发来蚀刻MRAM材料。在将基于NH3的工艺用于CoFe的持久循环中，发现在使用13.56兆赫RF的CoFe覆盖层晶片（blanketwafer）金属循环10小时之后，当该室打开，便会看到黑色粉末形式的松散残留物。这样的残留物在处理时间段内影响该室的正常功能并可导致工艺失败和提早的湿法清洁（硬件替换）。可以证实这样的残留物的形成对静电卡盘、衬垫、室壁以及通常暴露于等离子体的任何硬件等部件的使用寿命是有害的，且还能证实，对从事室维护工作的人员的个人安全而言是危险的。本发明的实施方式减少了这些残留物的剥落（flaking）却不会影响工艺的功能，所述剥落会导致硬件和工艺操作规程（regime）的偏差（drift）。
图1是本发明的实施方式的高级流程图。在该实施方式中，具有含金属蚀刻层的衬底被置于蚀刻室中（步骤104）。该含金属蚀刻层被蚀刻（步骤108）。该衬底从该蚀刻室被移除（步骤112）。如果有另一衬底待处理（步骤116），那么通过将处于第一状态的金属残留转变到处于第二状态的金属残留来调整该蚀刻室，其中处于第二状态的金属残留相较处于第一状态的金属残留对表面具有更强的粘着性（步骤120）。该工艺被持续至多个衬底被处理。当衬底均完工时，周期性的该工艺被停止。接着，诸如室清洁之类的其他工艺可被实施。
实施例
在本发明的优选实施方式中，具有CoFe层的衬底被置于TCP等离子体蚀刻室中（步骤104）。图2是具有衬底204、具有沉积在掩模212下面的CoFe蚀刻层208的堆栈200的横截面示意图。在该实施例中，一或多个层216、220可被沉积在衬底204和CoFe蚀刻层208或者CoFe蚀刻层208和掩模212之间。虽然在MRAM的制造过程中，掩模被置于CoFe蚀刻层208之上，但是在本发明工艺的测试中，覆盖层（blanket）CoFe蚀刻层被置于衬底之上而没有掩模。
图3示意性地示出了可被用在本发明的一实施方式中的等离子体处理***300的实施例。等离子体处理***300包括等离子体反应器302，等离子体反应器302中具有由室壁350限定的等离子体处理室304。由匹配网络308调谐的等离子体电源306供应电力给位于电动窗312（power window）附近的TCP线圈310，TCP线圈310成为给等离子体处理室304供电的电极以在等离子体处理室304中产生等离子体314。所述TCP线圈（上电源）310可被配置来在处理室304内产生均匀的扩散的分布（profile）。例如，TCP线圈310可被配置来在等离子体314中产生环形配电。电动窗312被提供来分离TCP线圈310和等离子体室304，同时允许能量从TCP线圈310传递到等离子体室304。法拉第屏蔽360被置于电动窗312和等离子体314之间。法拉第屏蔽在基于全部目的通过参考并入本文的美国专利7,223,321中进行了描述。由匹配网络318调谐的晶片偏压电源316提供电力给电极320以设置由电极320支撑的硅衬底204上的偏压，使得该实施方式中的电极320亦是衬底支撑件。脉冲控制器352导致偏压被施加脉冲。脉冲控制器352可在匹配网络318和衬底支撑件之间或者在偏压电源316和匹配网络318之间或者在控制器324和偏压电源316之间或者在一些其它的配置中，以使该偏压被施以脉冲。控制器324设置等离子体电源306和晶片偏压电源316的点。
等离子体电源306和晶片偏压电源316可被配置为操作在具体的射频，比如13.56MHz、27MHz、2MHz、400kHz或者它们的组合。等离子体电源306和晶片偏压电源316可适当调整大小以提供功率范围从而达到所希望的工艺性能。例如，在本发明的一实施方式中，等离子体电源306可供应300到10000瓦特范围内的功率，而晶片偏压电源316可供应10到2000V范围内的偏置电压。另外，TCP线圈310和/或电极320可以由两或更多子线圈或子电极组成，其可由单一电源供电或者由多个电源供电。
如图3中所示，等离子体处理***300进一步包括气源/气体供应机构330。所述气源包括第一组分气源332、第二组分气源334以及可选的额外组分气源336。下面将讨论各个组分气体。气源332、334和336通过进气口340与处理室304流体连接。所述进气口可位于室304中的任何有利位置，且可以任何形式注入气体。但是，优选地，所述进气口可被配置为产生“可调的”气体注入分布（profile），这允许到处理室304中的多个区域的气体的各自的流的独立调整。经由作为调压器的压强控制阀342和亦用来维持等离子体处理室304内的特定压强且还提供出气口的泵344，工艺气体及副产品从室304被移除。气源/气体供应机构330受控制器324控制。Lam ResearchCorporation（朗姆研究公司）的Kiyo***可被用来实施本发明的实施方式。
图4是示出适于实现在本发明的实施方式中使用的控制器324的计算机***400的高级框图。所述计算机***可具有许多物理形态，从集成电路、印刷电路板、以及小型手持设备直至巨型超级计算机。计算机***400包括一或多个处理器402、并可进一步包括电子显示设备404（用于显示图形、文本和其它数据）、主存储器406（例如，随机访问存储器（RAM））、存储设备408（例如，硬盘驱动器）、可移动存储设备410（例如，光盘驱动器）、用户接口设备412（例如，键盘、触摸屏、小键盘、鼠标或其它定点设备，等等）、以及通信接口414（例如，无线网络接口）。通信接口414使得软件和数据经由链路在计算机***400和外部设备之间进行传递。所述***还可包括通信基础设施416（例如，通信总线、交叉杆、或者网络），前述设备/模块可被连接到通信基础设施416。
经由通信接口414传递的信息可以是信号形式，比如能够经由运载信号且可利用电线或电缆、光纤、电话线、蜂窝电话链路、射频链路、和/或其它通信通道而实现的通信链路被通信接口414接收的电子信号、电磁信号、光学信号、或者其它信号。利用这样的通信接口，能够在执行上述方法的步骤期间预期一或多个处理器402可从网络接收信息，或者可将信息输出给所述网络。此外，本发明的方法的实施方式可仅仅在处理器上执行或者可在诸如互联网等网络上结合分担部分处理任务的远程处理器来执行
所使用的术语“非瞬态计算机可读介质”通常是指诸如主存储器、辅助存储器、移动存储和存储设备等介质，所述存储设备比如硬盘、闪存、磁盘、CD-ROM以及其它形式的持久存储器，且该术语不应该被解释为覆盖诸如载波或信号之类的瞬态事物。计算机代码的实施例包括比如由编译器生成的机器代码、包含由计算机利用解译器执行的更高级代码的文件。计算机可读介质也可以是由具体表现为载波的计算机数据信号传输且代表可由处理器执行的一系列指令的计算机代码。
CoFe层被蚀刻（步骤108）。优选地，CoFe层蚀刻首先使金属起化学反应，比如形成金属氢化物或金属氮化物，接着溅射化学反应后的金属。结果，化学反应后的金属残留（比如金属氢化物或金属氮化物）围绕该室被沉积在来自衬底的瞄准线范围中。这样的金属氢化物或金属氮化物往往会剥落并污染衬底。
用来蚀刻CoFe层的蚀刻工艺的一个实施例提供2毫托的压强。100标况毫升每分（sccm）NH3的蚀刻气体流入该室，同时120℃的温度被提供。1500瓦特的RF功率被提供来使蚀刻气体变成等离子体。1000伏特的偏压被提供来提供溅射。
衬底从蚀刻室被移除（步骤112）。如果有另一衬底待处理（步骤116），则通过将处于第一状态的金属残留转变到第二状态来调整该室（步骤120），其中处于第二状态的金属残留相较处于第一状态的金属对蚀刻室的表面具有更强的粘着性。图5是本发明的用于调整该室（步骤120）的实施方式的更为详细的流程图。在该实施方式中，为了将处于第一状态的金属残留转变到第二状态，首先，氧化作用被提供（步骤504）。在该步骤过程中，金属氮化物和金属氢化物被转变为金属氧化物。接着，还原作用被提供（步骤508）以将金属氧化物转变为原态金属（native state metal）（步骤508）。
在用于提供氧化作用（步骤504）的配方的一个具体实施例中，蚀刻室中的压强被设置为大于5毫托，且70标况毫升每分（sccm）O2和大于30标况毫升每分（sccm）Cl2的流流入蚀刻室。TCP功率被设置在13.56MHz、功率大于500瓦特。配方的另一实施例将20标况毫升每分（sccm）CO和80标况毫升每分（sccm）NF3注入蚀刻室。
在其它实施方式中，氧化步骤可注入包含诸如O2或CO之类气体的氧。包含气体的氧必须具有足够的氧来氧化含金属的残留物。
本发明的其它实施方式中，第一状态是金属氧化物。在这样的实施方式中，仅一个步骤被用来将金属氧化物还原为元素金属（elemental metal）。在其它实施方式中，第二状态不是元素金属。在一实施方式中，金属处于原态（native state）。原态金属是元素金属或者是不同元素金属的合金，使得所述金属不是没有反应性的离子。处于原态的金属的实施例可以是在壁上的Co、Fe、Ru、Pd的金属合金或混合层使得它们形成具有良好粘附强度的良好金属膜。例如，原态金属可以是CoFe合金。在这样的实施方式中，金属会处于元素状态（如纯独立（stand alone）金属）或者处于混合物状态（如CoPd膜或FeTi膜等）。
在其它实施方式中，可以使用其它蚀刻室，比如电容耦合蚀刻室。
在本发明的另一实施方式中，金属残留是铁的氮化物。氧化处理将铁的氮化物转变为铁的氧化物。氢还原将铁的氧化物转变为元素铁。在不同的实施方式中，可以使用不同的方法来提供还原。例如，金属氧化物可被加热以驱出氧从而提供原态金属。在另一实施方式中，辐照被提供来将金属氧化物转变为原态金属。
在另一实施方式中，氧化和氢还原在单一工艺过程中被执行。在另一实施方式中，另一衬底被置于该室中且在该衬底在蚀刻室中时执行调整。
已发现元素金属相较金属氢化物和金属氮化物可更好地粘附于室壁。此外，还发现相较粘附于金属氢化物和金属氮化物，后续沉积物更好地粘附于元素金属。
另外，已在本发明的实施方式中发现，金属残留物的改变为更稳定的蚀刻工艺留出了余地。在本发明的实施方式中，这样的稳定的蚀刻工艺没有工艺漂移，也没有松散颗粒的形成。
湿法清洁用新的或干净的部件来替换部件。然后，脏部件被送去化学处理或用酸清洁。元素金属并不减少窗的传输量，因为法拉第屏蔽360被置于室中窗312的正下方。屏蔽360接地并且其中有缝隙。该屏蔽具有两个目的：第一，该屏蔽阻止不挥发的副产品到达TCP窗，第二，该屏蔽允许电磁场穿过并生成等离子体。由于该屏蔽接地，所以所有的金属残留物沉积在它上面。本发明的实施方式防止金属残留沉积物剥落或者形成会落到晶片上的松散颗粒。
虽然本发明以若干优选实施方式的形式进行描述，但其有变化方式、置换方式和各种替代等同方式也落在本发明的保护范围内。还应当注意的是，实施本发明的方法和装置有许多替代方式。所以，意思是下面所附的权利要求可被理解为包括落在本发明的真实精神和范围之内的所有这样的变化方式、置换方式和各种替代等同方式。
Claims (18)
1.一种用于减少蚀刻室中的污染物的方法，其包括：
将具有含金属层的衬底置于所述蚀刻室内；
蚀刻所述含金属层，在所述蚀刻室的表面上产生不挥发的金属残留沉积物，其中所述金属残留沉积物中的一些金属残留处于第一状态；
将所述衬底从所述蚀刻室移除；以及
通过将处于所述第一状态的金属残留转变到处于第二状态的金属残留来调整所述蚀刻室，其中处于所述第二状态的金属残留相较处于所述第一状态的金属残留对所述蚀刻室的表面具有更强的粘着性,
其中处于所述第一状态的所述金属残留是金属氮化物或金属氢化物中的至少一者，且其中处于所述第二状态的金属残留是原态金属。
2.如权利要求1中所述的方法，其中所述调整所述蚀刻室，包括：
提供氧化作用以将所述金属氮化物或金属氢化物中的至少一者转变为金属氧化物；以及
提供还原作用以将所述金属氧化物转变为原态金属。
3.如权利要求2中所述的方法，其中所述提供还原作用是提供氢还原、加热还原、或者辐照还原中的至少一者。
4.如权利要求3中所述的方法，其中所述蚀刻所述含金属层，包括：
提供所述含金属层中的金属的化学反应；以及
溅射所述含金属层中的化学反应后的所述金属。
5.如权利要求4中所述的方法，其中所述调整所述蚀刻室在无晶片的情况下被执行。
6.如权利要求5中所述的方法，其中所述原态金属是元素金属或者至少两种元素金属的合金。
7.如权利要求6中所述的方法，其中所述蚀刻室具有电动窗和法拉第屏蔽，所述法拉第屏蔽减少沉积在所述电动窗上的残留物。
8.如权利要求7中所述的方法，其中所述法拉第屏蔽接地使得较多的残留物被沉积到所述法拉第屏蔽上而不是被沉积到所述电动窗上，且其中所述调整所述蚀刻室将沉积在所述法拉第屏蔽上的金属残留转变为原态金属。
9.如权利要求1中所述的方法，其中所述蚀刻所述含金属层，包括：
提供所述含金属层中的金属的化学反应；以及
溅射所述含金属层中的化学反应后的所述金属。
10.如权利要求1中所述的方法，其中所述调整所述蚀刻室在无晶片的情况下被执行。
11.如权利要求1中所述的方法，其中所述蚀刻室具有电动窗和法拉第屏蔽，所述法拉第屏蔽减少沉积在所述电动窗上的残留物。
12.如权利要求11中所述的方法，其中所述法拉第屏蔽接地使得较多的残留物被沉积到所述法拉第屏蔽上而不是被沉积到所述电动窗上，且其中所述调整所述蚀刻室将沉积在所述法拉第屏蔽上的金属残留转变为原态金属。
13.如权利要求1中所述的方法，其中所述调整所述蚀刻室，包括：
提供氧化作用以将所述金属残留转变为金属氧化物；以及
提供还原作用以将所述金属氧化物转变为原态金属。
14.如权利要求13中所述的方法，其中所述原态金属是元素金属或者至少两种元素金属的合金。
15.如权利要求14中所述的方法，其中所述提供还原作用是提供氢还原、加热还原、或者辐照还原中的至少一者。
16.一种用于减少具有电动窗和邻近所述电动窗的法拉第屏蔽的蚀刻室中的污染物的方法，其包括：
将具有含金属层的衬底置于所述蚀刻室内；
蚀刻所述含金属层，在包括所述法拉第屏蔽的所述蚀刻室的表面上产生不挥发的金属残留沉积物，其中所述金属残留包括金属氢化物或金属氮化物，其中所述蚀刻包括：
提供所述含金属层中的金属的化学反应；以及
溅射所述含金属层中的化学反应后的所述金属；
将所述衬底从所述蚀刻室移除；以及
通过将包括所述金属氢化物或金属氮化物的金属残留转变为原态金属来调整所述蚀刻室，其中原态金属相较所述金属氢化物或金属氮化物对所述蚀刻室的表面具有更强的粘着性，包括：
提供氧化作用以将所述金属氮化物或金属氢化物转变为金属氧化物；以及
提供还原作用以将所述金属氧化物转变为原态金属。
17.如权利要求16中所述的方法，其中所述提供还原作用是提供氢还原、加热还原、或者辐照还原中的至少一者。
18.如权利要求17中所述的方法，其中所述调整所述蚀刻室在无晶片的情况下被执行。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US13/365,955 | 2012-02-03 | ||
| US13/365,955 US8784676B2 (en) | 2012-02-03 | 2012-02-03 | Waferless auto conditioning |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103247754A CN103247754A (zh) | 2013-08-14 |
| CN103247754B true CN103247754B (zh) | 2015-08-19 |
Family
ID=48903257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310036929.5A Active CN103247754B (zh) | 2012-02-03 | 2013-01-31 | 无晶片自动调整 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8784676B2 (zh) |
| KR (1) | KR20130090378A (zh) |
| CN (1) | CN103247754B (zh) |
| SG (1) | SG192374A1 (zh) |
| TW (1) | TWI576912B (zh) |
Families Citing this family (182)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
| JP6285213B2 (ja) * | 2014-03-03 | 2018-02-28 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置のクリーニング方法 |
| US9257638B2 (en) * | 2014-03-27 | 2016-02-09 | Lam Research Corporation | Method to etch non-volatile metal materials |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
| US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| KR102633318B1 (ko) | 2017-11-27 | 2024-02-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 청정 소형 구역을 포함한 장치 |
| WO2019103613A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
| TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| WO2019158960A1 (en) | 2018-02-14 | 2019-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
| US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
| TW202409324A (zh) | 2018-06-27 | 2024-03-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料之循環沉積製程 |
| TW202405221A (zh) | 2018-06-27 | 2024-02-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法 |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的***及其使用方法 |
| KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
| KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
| TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
| JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
| US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
| JP7509548B2 (ja) | 2019-02-20 | 2024-07-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
| JP2020133004A (ja) | 2019-02-22 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材を処理するための基材処理装置および方法 |
| KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
| KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
| KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
| KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
| KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
| KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
| KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
| JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
| KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
| KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
| JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
| CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
| KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
| KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
| CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
| KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
| KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
| CN112635282A (zh) | 2019-10-08 | 2021-04-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法 |
| KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
| US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
| TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
| KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
| CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
| CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 基板処理装置、基板処理方法 |
| KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210078405A (ko) | 2019-12-17 | 2021-06-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
| US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
| KR20210089079A (ko) | 2020-01-06 | 2021-07-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 채널형 리프트 핀 |
| US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
| KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
| TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
| KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
| TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
| US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
| KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
| CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
| KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
| TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
| TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
| US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
| KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
| CN113555279A (zh) | 2020-04-24 | 2021-10-26 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构 |
| KR20210132605A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
| KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
| KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
| KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
| KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
| KR20210145080A (ko) | 2020-05-22 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치 |
| TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
| TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| TW202202649A (zh) | 2020-07-08 | 2022-01-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
| TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
| US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
| KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| CN111883411B (zh) * | 2020-08-28 | 2023-02-03 | 上海华力微电子有限公司 | 改善通孔刻蚀残留的方法 |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
| TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
| KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
| TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
| TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
| KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
| CN114639631A (zh) | 2020-12-16 | 2022-06-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 跳动和摆动测量固定装置 |
| TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1866477A (zh) * | 2005-05-18 | 2006-11-22 | 联华电子股份有限公司 | 一种去除晶片表面上蚀刻残留物的方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4669605B2 (ja) * | 2000-11-20 | 2011-04-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体製造装置のクリーニング方法 |
| TW541358B (en) * | 2001-04-23 | 2003-07-11 | United Microelectronics Corp | Method for dry cleaning metal etching chamber |
| US20030013314A1 (en) | 2001-07-06 | 2003-01-16 | Chentsau Ying | Method of reducing particulates in a plasma etch chamber during a metal etch process |
| KR100825130B1 (ko) | 2001-07-06 | 2008-04-24 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 금속 에칭 공정 동안 플라즈마 에칭 챔버내에서 파티클을감소시키는 방법 |
| US6776851B1 (en) | 2001-07-11 | 2004-08-17 | Lam Research Corporation | In-situ cleaning of a polymer coated plasma processing chamber |
| US7223321B1 (en) | 2002-08-30 | 2007-05-29 | Lam Research Corporation | Faraday shield disposed within an inductively coupled plasma etching apparatus |
| US20060019493A1 (en) * | 2004-07-15 | 2006-01-26 | Li Wei M | Methods of metallization for microelectronic devices utilizing metal oxide |
| US20060032516A1 (en) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Infineon Technologies Ag | Method for the recovery of ash rate following metal etching |
| JP4836112B2 (ja) * | 2004-12-24 | 2011-12-14 | 国立大学法人京都大学 | 半導体処理装置のクリーニング方法およびシリコン基板のエッチング方法 |
| JP4764028B2 (ja) * | 2005-02-28 | 2011-08-31 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理方法 |
| CN102414801A (zh) * | 2009-08-27 | 2012-04-11 | 应用材料公司 | 在原位腔室清洁后的处理腔室去污方法 |
-
2012
- 2012-02-03 US US13/365,955 patent/US8784676B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-01-18 SG SG2013005061A patent/SG192374A1/en unknown
- 2013-01-31 CN CN201310036929.5A patent/CN103247754B/zh active Active
- 2013-02-01 KR KR1020130012009A patent/KR20130090378A/ko not_active Application Discontinuation
- 2013-02-01 TW TW102104021A patent/TWI576912B/zh active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1866477A (zh) * | 2005-05-18 | 2006-11-22 | 联华电子股份有限公司 | 一种去除晶片表面上蚀刻残留物的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20130203255A1 (en) | 2013-08-08 |
| TWI576912B (zh) | 2017-04-01 |
| CN103247754A (zh) | 2013-08-14 |
| SG192374A1 (en) | 2013-08-30 |
| KR20130090378A (ko) | 2013-08-13 |
| US8784676B2 (en) | 2014-07-22 |
| TW201344785A (zh) | 2013-11-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103247754B (zh) | 无晶片自动调整 | |
| US10704149B2 (en) | Defect control and stability of DC bias in RF plasma-based substrate processing systems using molecular reactive purge gas | |
| CN110998790B (zh) | 在水平表面上的选择性沉积SiN | |
| KR102311575B1 (ko) | 피처리체를 처리하는 방법 | |
| CN107293470B (zh) | 用于在晶片上对层进行蚀刻的装置和方法 | |
| CN102194686B (zh) | 等离子体蚀刻方法 | |
| CN104882360A (zh) | 等离子体处理装置的清洁方法 | |
| TW201334063A (zh) | 具有增加的遮罩選擇性之蝕刻 | |
| KR20140022738A (ko) | 플라즈마 프로세싱에서의 결함 감소 | |
| KR20150006805A (ko) | 플루오로카본 기반 종횡비 무관 에칭 | |
| TW201411720A (zh) | 具有混合模式脈動之蝕刻 | |
| CN105632863A (zh) | 等离子刻蚀装置 | |
| TW201442108A (zh) | 在原處之金屬殘餘物清潔 | |
| CN109952636B (zh) | 等离子体点燃抑制 | |
| TWI584358B (zh) | 無電鍍銅沉積 | |
| CN115298798A (zh) | 调节等离子体处理室的方法 | |
| JP6821292B2 (ja) | タングステン含有層をエッチングする方法 | |
| CN102903609A (zh) | 通过Ar溅射进行硬质掩膜CD控制的方法 | |
| TWI837677B (zh) | 用於高溫清潔的處理 | |
| TW201527587A (zh) | 半導體系統組合件及操作方法 | |
| US20190378725A1 (en) | Method for transferring a pattern from an organic mask | |
| JPH09172004A (ja) | エッチング方法 | |
| US20230230819A1 (en) | Method for cleaning a chamber | |
| CN116266525A (zh) | 利用等离子体的基板处理装置和方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |