TW201414874A - 時效處理方法、電漿處理裝置及製造方法 - Google Patents

時效處理方法、電漿處理裝置及製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201414874A
TW201414874A TW102121980A TW102121980A TW201414874A TW 201414874 A TW201414874 A TW 201414874A TW 102121980 A TW102121980 A TW 102121980A TW 102121980 A TW102121980 A TW 102121980A TW 201414874 A TW201414874 A TW 201414874A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
gas
plasma
plasma processing
aging treatment
upper electrode
Prior art date
Application number
TW102121980A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI491764B (zh
Inventor
Fumiya Kawashima
Keiji Kawabata
Takashi Kondo
Koji Mitsuhashi
Tsuguo Kitajima
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of TW201414874A publication Critical patent/TW201414874A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI491764B publication Critical patent/TWI491764B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
    • H01J37/32155—Frequency modulation
    • H01J37/32165—Plural frequencies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H01J37/32183—Matching circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816—Pressure
    • H01J37/32834—Exhausting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127—Etching organic layers
    • H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
    • H01L21/31138—Etching organic layers by chemical means by dry-etching

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

本實施形態之時效處理方法，在具有使Y2O3等3A族元素之氧化物噴鍍膜與電漿處理空間對向而設置的上部電極之電漿處理裝置中進行。時效處理方法，首先，實行對電漿處理空間供給CF系氣體而使CF系氣體電漿化之第1沉積步驟。藉此，使氟沉積於上部電極的表面。其次，時效處理方法，於第1沉積步驟之後，實行對電漿處理空間供給含氫氣體而使含氫氣體電漿化之還原步驟。藉此，以H將上部電極中的Y-O結合還原而切斷Y-O結合，使Y與F再結合，藉以促進上部電極的表面中之氟化反應，圖求時效處理時間的縮短化。

Description

時效處理方法、電漿處理裝置及製造方法
本發明之各種面向及實施形態，係關於一種時效處理方法、電漿處理裝置及製造方法。
半導體之製程中，廣泛使用實行以堆積或蝕刻薄膜等為目的之電漿處理的電漿處理裝置。電漿處理裝置，列舉有例如施行薄膜之堆積處理的電漿CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沉積)裝置、施行蝕刻處理的電漿蝕刻裝置。
電漿處理裝置，具備：區畫電漿處理空間之處理容器、於處理容器內設置被處理基板之試樣台(下部電極)、及用於將電漿反應所必須之處理氣體導入處理室內的氣體供給系統等。此外，電漿處理裝置，更具備如下等機構：電漿產生機構，為了將處理室內之處理氣體電漿化，供給微波、高頻(RF；radio frequency)等電磁波之能量；及偏電壓施加機構，用於對試樣台施加偏電壓，使電漿中的離子朝向設置於試樣台上之被處理基板加速。
而電漿處理裝置中，與電漿空間對向之構件，在各種電漿處理時曝露於被電漿化的處理氣體，故要求耐電漿性。此點，例如於專利文獻1揭露：藉由在電漿處理容器內之構件的表面形成3A族元素之化合物(例如Y2O3) 的噴鍍膜，而製造耐電漿性高的構件。
【習知技術文獻】
【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開2002-356761號公報
然而，習知技術，將形成有Y2O3之噴鍍膜的構件(以下適當稱為「Y2O3構件」)設置在處理容器內之情況，對於在時效處理上耗費長時間此點未加考慮。
吾人考慮例如為了蝕刻處理等而以CF系氣體施行電漿處理之情況。此一情況，若於處理容器內設置Y2O3構件，則因電漿處理使Y2O3構件的表面氟化而形成Y-O-F膜。Y-O-F膜，若將CF系氣體產生之電漿處理長時間地施行則越施行越加深氟化反應而在某一程度成為飽和之狀態。
此處，例如於定期的維修將Y2O3構件洗淨，或更換為新件，則CF系氣體於Y2O3構件消耗至Y2O3構件表面之氟化反應飽和為止，故有被處理基板之蝕刻率降低等問題。
此點，考慮於洗淨Y2O3構件後，或將Y2O3構件更換為新構件後，施行在將虛設晶圓設置於試樣台的狀態供給CF系氣體將其電漿化藉而使Y2O3構件的表面氟化之處理(時效處理)。然而，在施行時效處理至Y2O3構件表面之氟化反應飽和為止需時頗長，故此一結果，有對電漿處理裝置之運行率帶來不良影響的疑慮。
本發明的一面向之時效處理方法，在具備將形成有3A族元素之氧化物 噴鍍膜且該氧化物噴鍍膜與電漿處理空間對向而設置的構件之電漿處理裝置的時效處理方法。時效處理方法，包含對該電漿處理空間供給CF系氣體而使該CF系氣體電漿化之第1步驟。此外，時效處理方法，包含在該第1步驟之後，對該電漿處理空間供給含氫氣體而使該含氫氣體電漿化之第2步驟。
依本發明之各種面向及實施形態，則可實現能夠圖求時效處理時間的縮短化之時效處理方法。
1‧‧‧電漿處理裝置
10‧‧‧晶圓吸盤
11‧‧‧處理容器
12‧‧‧接地線
13‧‧‧基座
14‧‧‧絕緣板
15‧‧‧支持台
15a‧‧‧冷媒路
20‧‧‧修正環
21‧‧‧圓筒構件
22‧‧‧傳熱氣體管
30‧‧‧第1高頻電源
31‧‧‧第1匹配器
40‧‧‧第2高頻電源
41‧‧‧第2匹配器
42‧‧‧上部電極
50‧‧‧支持構件
51‧‧‧電極板
52‧‧‧電極支持體
53‧‧‧氣體供給口
54‧‧‧氣體擴散室
55‧‧‧氣體孔
71‧‧‧氣體供給管
72‧‧‧處理氣體供給源
72a‧‧‧第1氣體供給部
72b‧‧‧第2氣體供給部
72c‧‧‧第3氣體供給部
73a~73c‧‧‧閥
74a~74c‧‧‧流量調整機構
80‧‧‧排氣流路
90‧‧‧排氣口
91‧‧‧排氣室
92‧‧‧排氣管
93‧‧‧排氣裝置
100‧‧‧磁石
150‧‧‧控制部
410、450、510、520、530、540、550‧‧‧分子模式群
560‧‧‧分子模式
S101、S201‧‧‧第1沉積步驟
S102、S202‧‧‧第1還原步驟
S203‧‧‧第1氟化加速步驟
S105、S204、S208‧‧‧DC步驟
S103、S205‧‧‧第2沉積步驟
S104、S206‧‧‧第2還原步驟
S207‧‧‧第2氟化加速步驟
S‧‧‧電漿處理空間
W‧‧‧晶圓
圖1 顯示一實施形態之電漿處理裝置的構成之概略的縱剖面圖。
圖2A 顯示上部電極之各個種類的晶圓之蝕刻率的圖。
圖2B 顯示上部電極之各個種類的晶圓之蝕刻率的圖。
圖2C 顯示上部電極之各個種類的晶圓之蝕刻率的圖。
圖3 顯示上部電極之更換前與更換後的線尺寸之變動的圖。
圖4A 顯示蝕刻率之變動產生的模式之圖。
圖4B 顯示蝕刻率之變動產生的模式之圖。
圖4C 顯示蝕刻率之變動產生的模式之圖。
圖5A 顯示本實施形態之時效處理的模式之圖。
圖5B 顯示本實施形態之時效處理的模式之圖。
圖6 顯示第1實施例之時效處理的流程圖之圖。
圖7 顯示第2實施例之時效處理的流程圖之圖。
圖8A 顯示本實施形態之時效處理前的晶圓之蝕刻率的圖。
圖8B 顯示本實施形態之時效處理後的晶圓之蝕刻率的圖。
圖9 顯示本實施形態之時效處理後的線尺寸之圖。
【實施本發明之最佳形態】
以下，參考附圖對各種實施形態詳細地加以說明。另，各附圖中對相同或相當的部分附加同一符號。
圖1為，顯示一實施形態之電漿處理裝置的構成之概略的縱剖面圖。如圖1所示，電漿處理裝置1，具有區畫電漿處理空間S之略圓筒狀的處理容器11。處理容器11，以接地線12電性連接而接地。此外，於處理容器11之內壁及處理容器內之構件表面，在表面形成係耐電漿性之材料的3A族元素之氧化物(例如Y2O3)噴鍍膜。亦即，處理容器11內之構件，使3A族元素之氧化物噴鍍膜與電漿處理空間對向而設置。
於處理容器11內，設置保持係矽基板之晶圓W的晶圓吸盤10(靜電吸盤)。晶圓吸盤10，其底面藉由作為下部電極之基座13(載置台)所支持。基座13，例如以鋁等金屬形成為略圓盤狀。於處理容器11之底部，隔著絕緣板14設置支持台15，基座13為此一支持台15之頂面所支持。於晶圓吸盤10之內部未設置電極(未圖示)，以可藉由對該電極施加直流電壓而產生之靜電力將晶圓W吸附保持的方式構成。
基座13之頂面的晶圓吸盤10之外周部，設置有用於提高電漿處理的均一性之，例如由矽構成的導電性之修正環20。基座13、支持台15及修正環20，例如藉由以石英構成的圓筒構件21覆蓋其等之外側面。
於支持台15之內部，將冷媒流通之冷媒路15a例如設置為圓環狀，藉由控制該冷媒路15a供給之冷媒的溫度，而可控制以晶圓吸盤10保持之晶圓W的溫度。此外，於晶圓吸盤10與晶圓W之間，將供給例如氦氣作為傳熱氣體之傳熱氣體管22，例如貫通基座13、支持台15及絕緣板14而設置，提高晶圓吸盤10與晶圓W之間的熱傳遞之回應。
於基座13，將用於對該基座13供給高頻電力以產生電漿之第1高頻電源30，介由第1匹配器31電性連接。第1高頻電源30，例如以輸出27~ 100MHz之頻率，本實施形態為例如以輸出100MHz之高頻電力的方式構成。第1匹配器31，將第1高頻電源30之內部阻抗與負載阻抗匹配，以在處理容器11內產生電漿時，第1高頻電源30之內部阻抗與負載阻抗在外觀上一致的方式作用。
此外，於基座13，將用於對該基座13供給高頻電力而於晶圓W施加偏壓藉以將離子導入晶圓W之第2高頻電源40，介由第2匹配器41電性連接。第2高頻電源40，例如以輸出400kHz~13.56MHz之頻率，本實施形態為例如以輸出13.56MHz之高頻電力的方式構成。第2匹配器41，與第1匹配器31同樣地，將第2高頻電源40之內部阻抗與負載阻抗匹配。
此等第1高頻電源30、第1匹配器31、第2高頻電源40、第2匹配器41，與後述之控制部150相連接，藉由控制部150控制其等之動作。
於係下部電極之基座13的上方，將上部電極42與基座13對向而平行地設置。上部電極42，介由導電性的支持構件50支持於處理容器11之上部。因此，上部電極42與處理容器11同樣地成為接地電位。
上部電極42係以如下構件構成：電極板51，形成與晶圓吸盤10所保持之晶圓W對向的面；以及電極支持體52，自上方支持該電極板51。於電極板51，將對處理容器11內部供給處理氣體之複數個氣體供給口53貫通電極板51而形成。電極板51，例如由焦耳熱少之低電阻的導電體或半導體構成，本實施形態中例如使用鋁、矽等。此外，與電極板51之晶圓W對向的面，形成係耐電漿性之材料的3A族元素之氧化物(例如Y2O3)之噴鍍膜。亦即，上部電極42，使3A族元素之氧化物噴鍍膜與電漿處理空間對向而設置。此外，電極支持體52係以導電體構成，本實施形態中例如使用鋁。
於電極支持體52內部的中央部，設置形成為略圓盤狀之氣體擴散室54。此外，於電極支持體52的下部，形成複數個自氣體擴散室54往下方 延伸之氣體孔55，氣體供給口53介由該氣體孔55與氣體擴散室54相連接。
於氣體擴散室54，連接氣體供給管71。於氣體供給管71，如圖1所示地連接處理氣體供給源72，將自處理氣體供給源72供給的處理氣體，介由氣體供給管71供給至氣體擴散室54。對氣體擴散室54供給之處理氣體，係通過氣體孔55與氣體供給口53而導入處理容器11內。亦即，上部電極42，作為對處理容器11內供給處理氣體之沖淋頭而作用。
本實施形態之處理氣體供給源72，具有第1氣體供給部72a、第2氣體供給部72b、及第3氣體供給部72c。第1氣體供給部72a，供給含氫氣體，作為時效處理用之時效處理氣體。含氫氣體，例如為CH4、CH3F、CH2F2、CHF3或H2。此外，第2氣體供給部72b，供給CF系氣體，作為時效處理用、或時效處理後的蝕刻處理用之氣體。CF系氣體，例如為C4F6、CF4、C4F8或C5F8。此外，第3氣體供給部72c，供給含氧氣體，作為乾式清洗處理用、或蝕刻處理用之氣體。另，處理氣體供給源72，雖未圖示，但亦可構成為供給其他電漿處理裝置1之各種處理所使用的氣體(例如N2氣體等)。
此外，處理氣體供給源72，具備：分別設置於各氣體供給部72a、72b、72c與氣體擴散室54之間的閥73a、73b、73c以及流量調整機構74a、74b、74c。對氣體擴散室54供給之氣體的流量，藉由流量調整機構74a、74b、74c控制。
於處理容器11之底部，藉由處理容器11之內壁與圓筒構件21之外側面，形成作為供將處理容器11內之氣體環境往該處理容器11外部排出所用的流路作用之排氣流路80。於處理容器11之底面設置排氣口90。於排氣口90之下方，形成排氣室91，該排氣室91介由排氣管92與排氣裝置93連接。因此，藉由驅動排氣裝置93，可通過排氣流路80及排氣口90將處理容器11內的氣體環境排氣，將處理容器11內減壓至既定的真空度為止。
此外，於處理容器11之周圍，配置複數個磁石連結而形成之同心圓狀的環狀磁石100。藉由環狀的磁石100，可對晶圓吸盤10與上部電極42之間的空間施加磁場。此一環狀的磁石100，以可藉由未圖示之旋轉機構任意旋轉的方式構成。此外，電漿處理裝置，亦可為未配置環狀的磁石100之構成。
此外，於電漿處理裝置1，設置控制部150。控制部150，例如為電腦，具有程式收納部(未圖示)。於程式收納部亦收納有程式，用於控制各電源30、40、各匹配器31、41及流量調整機構74等，使電漿處理裝置1運作。控制部150，例如，藉由第2氣體供給部72b對電漿處理空間供給CF系氣體而使CF系氣體電漿化，並在使CF系氣體電漿化後，藉由第1氣體供給部72a施行對電漿處理空間供給含氫氣體而使含氫氣體電漿化之控制。
另，上述之程式，例如儲存於電腦可讀取之硬碟(HD)、軟性磁碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等電腦可讀取之記憶媒體，亦可自該記憶媒體安裝於控制部150。
而如同上述地於電漿處理裝置1內，配置使3A族元素之氧化物噴鍍膜與電漿處理空間S對向而設置的零件(例如上部電極42、處理容器11等)。此等零件，例如，有使用新零件之情況、使用中古零件之情況、及將中古零件洗淨處理後直接使用之情況。然則，此等情況的晶圓W之蝕刻率有不同的情形。以下，對此點加以說明。
圖2A、圖2B、圖2C為，顯示上部電極之各個種類的晶圓之蝕刻率的圖。圖2A中，縱軸表示，將晶圓W的碳系之光阻膜例如以含O2氣體蝕刻的情況之蝕刻率(nm/min)。此外，圖2B中，縱軸表示，將晶圓W之SiO2膜例如以CF系氣體蝕刻的情況之蝕刻率(nm/min)。此外，圖2C中，縱軸表示，將晶圓W之SiN膜例如以CF系氣體蝕刻的情況之蝕刻率(nm/min)。此外，圖2A、圖2B、圖2C中，橫軸表示晶圓W之徑方向的位置。 亦即，圖2A、圖2B、圖2C，顯示使晶圓W的中心位置為「0」，自晶圓W之「-150(mm)」的位置起至「+150(mm)」的位置為止之蝕刻率。
圖2A中，圖形202表示使用新的上部電極42之情況的晶圓W之碳系光阻膜的蝕刻率，圖形204表示使用中古的上部電極42之情況的晶圓W之碳系光阻膜的蝕刻率，圖形206表示將中古的上部電極42洗淨處理後直接使用之情況的晶圓W之碳系光阻膜的蝕刻率。如圖形202、204、206所示，依上部電極42的種類，而晶圓W之碳系光阻膜的蝕刻率有所不同。
具體而言，在使用新的上部電極42之情況，與使用中古的上部電極42之情況、及將中古的上部電極42洗淨處理後直接使用之情況相比，蝕刻率變高。吾人認為，此係因新的上部電極42未施行Y2O3噴鍍膜之氟化處理，故蝕刻處理時自Y2O3噴鍍膜散出O2氣體，對碳系之光阻膜的蝕刻處理有所助益之故。
另一方面，圖2B中，圖形212表示使用新的上部電極42之情況的晶圓W之SiO2膜的蝕刻率，圖形214表示使用中古的上部電極42之情況的晶圓W之SiO2膜的蝕刻率，圖形216表示將中古的上部電極42洗淨處理後直接使用之情況的晶圓W之SiO2膜的蝕刻率。此一情況亦同樣地，依上部電極42的種類，而晶圓W之SiO2膜的蝕刻率有所不同。
具體而言，在使用中古的上部電極42之情況蝕刻率最高，在使用剛洗淨處理後之中古的上部電極42之情況蝕刻率次高。而在使用新的上部電極42之情況，蝕刻率最低。
吾人認為此係因中古的上部電極42，藉由迄今施行的蝕刻處理使表面之Y2O3噴鍍膜氟化而形成Y-O-F膜，此一氟化反應成為飽和的狀態之故。因此，吾人認為使用中古的上部電極42之情況，蝕刻氣體中的氟難以在氟化反應消耗，而於晶圓W之蝕刻消耗較多。
此外，考慮剛洗淨處理後之中古的上部電極42，雖Y2O3噴鍍膜之氟化反應曾飽和，但藉由洗淨而將氟自Y-O-F膜去除，蝕刻氣體中的氟被Y2O3噴鍍膜之再氟化消耗。因此，吾人認為在使用剛洗淨處理後之中古的上部電極42之情況，與中古的上部電極42相比而晶圓W之蝕刻率降低。
此外，吾人認為新的上部電極42，因尚未施行Y2O3噴鍍膜之氟化，故蝕刻氣體中的氟被Y2O3噴鍍膜之氟化大量消耗，此一結果，使晶圓W之蝕刻率變得最低。
另一方面，圖2C中，圖形222表示使用新的上部電極42之情況的晶圓W之SiN膜的蝕刻率，圖形224表示使用中古的上部電極42之情況的晶圓W之SiN膜的蝕刻率，圖形226表示將中古的上部電極42洗淨處理後直接使用之情況的晶圓W之SiN膜的蝕刻率。此一情況亦同樣地，依上部電極42的種類，而晶圓W之SiN膜的蝕刻率有所不同。
具體而言，與圖2B之情況同樣地，在使用中古的上部電極42之情況蝕刻率最高，在使用剛洗淨處理後之中古的上部電極42之情況蝕刻率次高。而在使用新的上部電極42之情況蝕刻率最低。吾人認為成為此等結果之理由，亦與圖2B之情況相同。亦即，了解中古之情況，亦藉由時效處理而提高蝕刻率，宜進行時效處理。
其次，對於在上部電極42之更換前與更換後形成的線之尺寸加以說明。圖3為，顯示上部電極之更換前與更換後的線尺寸之變動的圖。圖3中，縱軸表示，以蝕刻處理形成的線之尺寸(nm)。此外，圖3中，橫軸表示，量測線尺寸之日期。
此外，圖3中，以白圈表示之量測點群300，表示在更換上部電極42前，亦即使用中古的上部電極42之情況所形成的線尺寸。此外，圖3中，以黑圈表示之量測點群350，表示更換上部電極42後，亦即使用新的上部電極42之情況所形成的線尺寸。
比較量測點群300與量測點群350，則得知將上部電極42自中古電極更換為新電極後，整體上線尺寸變大。吾人認為，此係因在使用中古的上部電極42之情況晶圓W的蝕刻率較大，故未蝕刻而殘留的線之尺寸變得較小之故。相反地，吾人認為因在使用新的上部電極42之情況晶圓W的蝕刻率較小，故未蝕刻而殘留的線之尺寸變得較大。因此，了解宜使其為中古的上部電極狀態。亦即，可藉由對新的上部電極進行本發明之時效處理而成為中古的狀態，故成為蝕刻率高、穩定的蝕刻處理。
其次，對於因上部電極42的種類而產生蝕刻率之變動的模式加以說明。圖4A、圖4B、圖4C為，顯示蝕刻率之變動產生的模式之圖。圖4A，將新的上部電極42表面之Y2O3噴鍍膜的氟化反應模式化。圖4B，將中古的上部電極42表面之Y2O3噴鍍膜的氟化反應模式化。圖4C，將剛表面洗淨處理後之中古的上部電極42之Y2O3噴鍍膜的氟化反應模式化。
圖4A、圖4B、圖4C中，分子模式群410顯示，蝕刻處理用之CF系氣體所含有的氟之模式。此外，圖4B、圖4C中，分子模式群450顯示，將上部電極42的表面之Y2O3噴鍍膜氟化而形成的Y-O-F膜所含有的氟之模式。
首先，如圖4A所示，新的上部電極42表面之Y2O3噴鍍膜尚未被氟化。因此，分子模式群410所示之蝕刻處理氣體所含有的氟，被上部電極42的表面之Y2O3噴鍍膜的氟化消耗較多。亦即，自上部電極42的表面之Y2O3噴鍍膜往Y-O-F膜的反應多。此一結果，對晶圓W供給之氟的量變少，蝕刻率變得較小。
另一方面，如圖4B所示，中古的上部電極42表面之Y2O3噴鍍膜，在迄今之蝕刻處理時施行氟化反應而氟化反應某程度地飽和。亦即，中古的上部電極42表面之Y2O3噴鍍膜，成為Y-O-F膜，於表面如分子模式群450所示地附著較多的含氟物。因此，分子模式群410所示之蝕刻處理氣體 所含有的氟，於上部電極42的表面之Y2O3噴鍍膜的氟化所消耗之量變少，朝向晶圓W的量變多。此一結果，對晶圓W的蝕刻有所助益之氟的量變多，蝕刻率變得較大。
另一方面，如圖4C所示，剛洗淨處理後之中古的上部電極42表面之Y2O3噴鍍膜，雖在迄今之蝕刻處理時施行氟化反應而成為Y-O-F膜，但藉由洗淨處理而成為自Y-O-F膜去除某程度的氟之狀態。亦即，如分子模式群450所示，藉由洗淨處理，與圖4B之情況(中古的上部電極42)相比，附著於上部電極42表面之含氟物的量變少。因此，與圖4B之情況相比，則分子模式群410所示之蝕刻處理氣體所含有的氟，在上部電極42的表面之Y2O3噴鍍膜的氟化所消耗之量變多，朝向晶圓W之氟的量變少。此一結果，與圖4B之情況相比，則對晶圓W的蝕刻有所助益之氟的量變少，蝕刻率變得較小。然則，與圖4A之情況相比，朝向晶圓W之氟的量變多，蝕刻率變得較大。
接著，對本實施形態之時效處理的模式加以說明。圖5A、圖5B為，顯示本實施形態之時效處理的模式之圖。圖5A、圖5B中，分子模式群510顯示，蝕刻處理用之CF系氣體所含有的氟之模式。此外，圖5A、圖5B中，分子模式群520顯示，將上部電極42的表面之Y2O3噴鍍膜氟化而形成的Y-O-F膜所含有的Y之模式。此外，圖5A、圖5B中，分子模式群530顯示，將上部電極42的表面之Y2O3噴鍍膜氟化而形成的Y-O-F膜所含有的氟之模式。
本實施形態之時效處理，首先，實行對電漿處理空間供給CF系氣體(例如C4F6、CF4、C4F8或C5F8)而使CF系氣體電漿化之第1步驟。藉此，如圖5A所示，於上部電極42的表面，將氟(分子模式群530)堆積作為含CF堆積物之沉積物。因此，第1步驟，亦可稱為「沉積步驟」。
此外，圖5B中，分子模式群540，顯示氧之模式。此外，圖5B中，分子模式群550，顯示氫之模式。此外，圖5B中，分子模式560，顯示碳 之模式。
本實施形態之時效處理，在實行上述之第1步驟後，實行對電漿處理空間供給含氫氣體(例如CH4或CHF3)而使含氫氣體電漿化之第2步驟。藉此，如圖5B所示，以H將上部電極42表面的Y-O之結合還原，成為H2O或CO2，自上部電極42表面去除。而後，上部電極42的表面，在Y-O結合中去除O而切斷結合後，與F再結合而YF化。因此，第2步驟，亦可稱為「還原步驟」。
如同以上，本實施形態之時效處理及電漿處理裝置1，藉由在第1步驟供給CF系氣體而使其電漿化，於上部電極42的表面使含氟物沉積。而後，本實施形態之時效處理及電漿處理裝置1，藉由於第1步驟之後，在第2步驟供給含氫氣體而使其電漿化，將Y-O結合以H還原而切斷Y-O結合，使Y與F再結合，藉而可促進上部電極42的表面之氟化反應。此一結果，例如可將僅以CF系氣體施行時效處理之情況需要100小時程度的時效處理時間，縮短為3小時程度，更甚者，縮短為40分鐘程度，故可提高電漿處理裝置1之運行率。
此外，本實施形態之時效處理，更包含將形成有3A族元素之氧化物噴鍍膜的構件中的3A族元素之氧化物研磨的步驟，於研磨3A族元素之氧化物的步驟之後，實施沉積步驟與還原步驟。例如，施行研磨新的上部電極42之Y2O3噴鍍膜的步驟，使用施行此一步驟後之上部電極42，施行時效處理。
例如，研磨步驟，對形成有3A族元素之氧化物噴鍍膜的構件，使用研磨材加以研磨。研磨材，例如，使用#320~4000之粒度，宜自低尺碼至高尺碼的順序使用。另，成為研磨對象之構件的形狀，可如上部電極等地為平坦狀，可為如防沈積遮蔽構件地彎曲，亦可如排氣環地為圓孔或狹縫狀。此外，宜於處理容器內配置之構件施行。
此外，研磨步驟，於其後，亦可包含將研磨過之構件的表面清洗之步驟。例如，藉由研磨降低表面凹凸後，施行噴砂洗淨或藥液洗淨藉以將殘留於表面的粒子去除。此外，例如藉由高壓水洗淨、超純水超音波洗淨及超純水清洗而提高洗淨度，並藉由乾燥將水分去除。
另，噴砂洗淨，可以濕式施行亦可以乾式施行。噴砂材，例如，宜使用#240~8000(粒徑約60~1.0μm)之材料，更宜為次微米粒子(1μm以下)。此外，作為噴砂材，例如可使用陶瓷、玻璃、樹脂、金屬等。此外，各種洗淨，例如係使用酸、鹼、有機溶劑等施行。
此外，上述之時效處理方法，亦可在製造於表面形成有3A族元素之氧化物噴鍍膜的構件時施行。亦即，於表面形成有3A族元素之氧化物噴鍍膜的構件之製造方法中，可實行：於構件的表面形成3A族元素之氧化物噴鍍膜的步驟、對該電漿處理空間供給CF系氣體而使該CF系氣體電漿化之第1步驟、以及在第1步驟之後，對該電漿處理空間供給含氫氣體而使含氫氣體電漿化之第2步驟。另，作為於構件的表面形成3A族元素之氧化物噴鍍膜的手法，可使用任意手法。
此外，上述之時效處理方法，可進一步實行用於使時效處理加速之加速步驟。具體而言，還原步驟可更包含：對電漿處理空間供給CF系氣體而使CF系氣體電漿化之步驟、及對電漿處理空間供給含氫氣體而使含氫氣體電漿化之步驟。此外，此時，在對電漿處理空間供給含氫氣體而使含氫氣體電漿化之步驟後，可更包含施行使用含氧氣體的電漿清洗之步驟。
此處，對電漿處理空間供給CF系氣體而使CF系氣體電漿化之步驟，宜使CF系氣體，較沉積步驟中的CF系氣體含F量更高。
亦即，還原步驟中，在施行還原步驟後，為了使氟化反應可施行氟化加速步驟，例如依序施行氟化加速之沉積步驟、氟化加速之還原步驟。另，加速步驟，可作為還原步驟之一部分實行，亦可作為與還原步驟不同的步驟實行。
此處，加速步驟中的氟化加速之沉積步驟，例如，使用較沉積步驟中所用的處理氣體含有更多F之處理氣體。氟化加速之沉積步驟，宜使用C4F8氣體/CF4氣體。氟化加速之沉積步驟，以使氟化加速為目的，宜以與沉積步驟比較而較短的時間結束處理。此外，氟化加速之還原步驟，例如，使用較還原步驟中所用的處理氣體含有更多H之處理氣體。氟化加速之還原步驟，宜使用O2氣體/N2氣體/CH4氣體。氟化加速之還原步驟，以使氟化加速為目的，宜以與還原步驟比較而較短的時間結束處理。此外，可於加速步驟的最後，加入清洗步驟。藉由加入清洗步驟，可適宜地實行接著施行之步驟。
此外，還原步驟結束後，宜更包含施行使用含氧氣體的電漿清洗之步驟。
此處，對時效處理之實施例加以說明。圖6為，顯示第1實施例之時效處理的流程圖之圖。
首先，第1實施例之時效處理，將第1枚晶圓設置於晶圓吸盤10，實行第1沉積步驟(S101)。具體而言，控制部150，控制流量調整機構74b，將含有CF系氣體之氣體對電漿處理空間供給。而後，控制部150，控制第1高頻電源30及第2高頻電源40，例如將含有CF系氣體之氣體電漿化2分鐘而施行沉積步驟。
其次，第1實施例之時效處理，實行第1還原步驟(S102)。具體而言，控制部150，控制流量調整機構74a，將含有含氫氣體之氣體對電漿處理空間供給。而後，控制部150，控制第1高頻電源30及第2高頻電源40，例如將含有含氫氣體之氣體電漿化3分20秒而施行還原步驟。
接著，第1實施例之時效處理，更換晶圓，實行第2沉積步驟(S103)。具體而言，控制部150，控制流量調整機構74b，將含有CF系氣體之氣體 對電漿處理空間供給。而後，控制部150，控制第1高頻電源30及第2高頻電源40，例如將含有CF系氣體之氣體電漿化2分鐘而施行沉積步驟。
其後，第1實施例之時效處理，實行第2還原步驟(S104)。具體而言，控制部150，控制流量調整機構74a，將含有含氫氣體之氣體對電漿處理空間供給。而後，控制部150，控制第1高頻電源30及第2高頻電源40，例如將含有含氫氣體之氣體電漿化3分20秒而施行還原步驟。
之後，第1實施例之時效處理，更換晶圓並重複5次DC(Dry Cleaning，乾式清洗)步驟(S105)。具體而言，控制部150，控制流量調整機構74c，將含有含氧氣體之氣體對電漿處理空間供給。而後，控制部150，控制第1高頻電源30及第2高頻電源40，例如將含有含氧氣體之氣體電漿化30分鐘程度以將多餘的沉積物清洗而去除。
依第1實施例之時效處理，藉由施行沉積步驟而使含氟物沉積於上部電極42的表面，之後藉由施行還原步驟，可將Y-O結合以H還原而切斷Y-O結合，使Y與F再結合。此一結果，可促進上部電極42之表面中的氟化反應。此外，依第1實施例之時效處理，則重複2次一套的沉積步驟與還原步驟，故可更進一步地促進上部電極42之表面中的氟化反應。此一結果，例如可將僅以CF系氣體施行時效處理之情況需要100小時程度的時效處理時間，大幅地縮短為3小時程度，故可提高電漿處理裝置之運行率。此外，依第1實施例之時效處理，則於沉積步驟及還原步驟結束後，實行DC步驟，故可去除電漿處理裝置內之多餘的沉積物。
其次，對第2實施例之時效處理加以說明。圖7為，顯示第2實施例之時效處理的流程圖。第2實施例為，在第1沉積步驟之前，施行研磨及各種洗淨處理。具體而言，依序施行研磨、噴砂洗淨、藥液洗淨、高壓水洗淨、超純水超音波洗淨及超純水清洗、以及乾燥。此外，以下，雖另以使還原步驟與加速步驟為不同步驟之情況為例加以說明，但並不限於此，關於以下記載之第1氟化加速步驟及第2氟化加速步驟，亦可各自作為第1 還原步驟及第2還原步驟所包含之1個處理加以實行。亦即，作為還原步驟所包含之步驟中的1個加以實行。
首先，第2實施例之時效處理，將第1枚晶圓設置於晶圓吸盤10，實行第1沉積步驟(S201)。控制部150，控制流量調整機構74b、74c，將含有CF系氣體之氣體對電漿處理空間供給。而後，控制部150，控制第1高頻電源30及第2高頻電源40，例如將含有CF系氣體之氣體電漿化2分鐘而施行沉積步驟。
其次，第2實施例之時效處理，實行第1還原步驟(S202)。控制部150，首先，控制流量調整機構74a、74c，將含有含氫氣體之氣體對電漿處理空間供給。而後，控制部150，控制第1高頻電源30及第2高頻電源40，例如將含有含氫氣體之氣體電漿化2分鐘而施行還原步驟。
接著，為了使氟化反應加速而施行第1氟化加速步驟(S203)。首先，控制部150，控制流量調整機構74b，將含有CF系氣體之氣體對電漿處理空間供給。而後，控制部150，控制第1高頻電源30及第2高頻電源40，例如將含有CF系氣體之氣體電漿化10秒而施行第1氟化加速之沉積步驟。
之後，控制部150，控制流量調整機構74a，將含有含氫氣體之氣體對電漿處理空間供給。而後，控制部150，控制第1高頻電源30及第2高頻電源40，例如將含有含氫氣體之氣體電漿化50秒而施行第1氟化加速之還原步驟。
其後，第2實施例之時效處理，實行DC步驟(S204)。例如，控制部150，控制流量調整機構74a、74c，將含有含氧氣體之氣體對電漿處理空間供給。而後，控制部150，控制第1高頻電源30及第2高頻電源40，例如將含有含氧氣體之氣體電漿化50秒以將多餘的沉積物清洗而去除。
接著，第2實施例之時效處理，不施行晶圓更換地，實行第2沉積步 驟(S205)。具體而言，控制部150，控制流量調整機構74b、74c，將含有CF系氣體之氣體對電漿處理空間供給。而後，控制部150，控制第1高頻電源30及第2高頻電源40，例如將含有CF系氣體之氣體電漿化2分鐘而施行沉積步驟。
之後，第2實施例之時效處理，實行第2還原步驟(S206)。控制部150，首先，控制流量調整機構74a、74c，將含有含氫氣體之氣體對電漿處理空間供給。而後，控制部150，控制第1高頻電源30及第2高頻電源40，例如將含有含氫氣體之氣體電漿化2分鐘而施行還原步驟。
其後，為了使氟化反應加速而施行第2氟化加速步驟(S207)。首先，控制部150，控制流量調整機構74b，將含有CF系氣體之氣體對電漿處理空間供給。而後，控制部150，控制第1高頻電源30及第2高頻電源40，例如將含有CF系氣體之氣體電漿化10秒而施行第2氟化加速之沉積步驟。
之後，控制部150，控制流量調整機構74a、74c等，將含有含氫氣體之氣體對電漿處理空間供給。而後，控制部150，控制第1高頻電源30及第2高頻電源40，例如將含有含氫氣體之氣體電漿化50秒而施行第2氟化加速之還原步驟。
其後，第2實施例之時效處理，實行DC步驟(S208)。具體而言，控制部150，控制流量調整機構74a、74c，將含有含氧氣體之氣體對電漿處理空間供給。而後，控制部150，控制第1高頻電源30及第2高頻電源40，例如將含有含氧氣體之氣體電漿化15分鐘以將多餘的沉積物清洗而去除。
進一步，控制部150，控制流量調整機構74a、74c，將含有含氧氣體之氣體對電漿處理空間供給。而後，控制部150，控制第1高頻電源30及第2高頻電源40，例如將含有含氧氣體之氣體電漿化15分20秒以將多餘的沉積物清洗而去除。
此外，雖以2步驟施行上述多餘的沉積物之清洗，但亦可藉由1步驟施行30分鐘程度。
依第2實施例之時效處理，則與第1實施例同樣地，藉由施行沉積步驟而使氟沉積於上部電極42的表面，而後施行還原步驟，還原步驟，藉由進一步施行氟化加速步驟，將Y-O結合以H還原而切斷Y-O結合，使Y與F的再結合加速。此一結果，可促進上部電極42之表面中的氟化反應。此外，依第2實施例之時效處理，則至少重複2次一套的包含沉積步驟與氟化加速步驟之還原步驟，故可更進一步地促進上部電極42之表面中的氟化反應。此一結果，例如可將僅以CF系氣體施行時效處理之情況需要100小時程度的時效處理時間，大幅地縮短為40分鐘程度，可提高電漿處理裝置之運行率。此外，依第2實施例之時效處理，則於沉積步驟及還原步驟結束後，實行DC步驟，故可去除電漿處理裝置內之多餘的沉積物。此外，依第2實施例之時效處理，則將各處理步驟之條件最佳化，故可不更換晶圓地，以1枚晶圓施行時效處理。
其次，對本實施形態之時效處理方法及電漿處理裝置產生的效果(蝕刻率)加以說明。圖8A為，顯示本實施形態之時效處理前的晶圓之蝕刻率的圖。圖8B為，顯示本實施形態之時效處理後的晶圓之蝕刻率的圖。另，圖8B顯示，第2實施例中，未施行研磨步驟之情況的結果。
圖8A、圖8B中，縱軸表示，將晶圓W之SiO2膜例如以CF系氣體蝕刻的情況之蝕刻率(nm/min)。此外，圖8A、圖8B中，橫軸表示晶圓W之徑方向的位置。亦即，圖8A、圖8B，顯示使晶圓W的中心位置為「0」，自晶圓W之「-150(mm)」的位置起至「+150(mm)」的位置為止之蝕刻率。
圖8A為，在使用新的上部電極42之情況，施行本實施形態之時效處理前的晶圓W之蝕刻率。圖8A中，圖形232表示，通過晶圓W中心沿著徑方向之Y軸上的，晶圓W之蝕刻率。此外，圖8A中，圖形234表示， 通過晶圓W中心與Y軸垂直而沿著徑方向之X軸上的，晶圓W之蝕刻率。
如圖8A所示，施行本實施形態之時效處理前，沿著X軸的複數蝕刻率，及沿著Y軸的複數蝕刻率的平均，為124.9nm/min，對於平均蝕刻率之差異，為±6.5%。此一平均蝕刻率及差異，皆未滿足預先設定之容許規格。
另一方面，圖8B為，在使用新的上部電極42之情況，施行本實施形態之時效處理後的晶圓W之蝕刻率。圖8B中，圖形236表示，通過晶圓W中心沿著徑方向之Y軸上的，晶圓W之蝕刻率。此外，圖8B中，圖形238表示，通過晶圓W中心與Y軸垂直而沿著徑方向之X軸上的，晶圓W之蝕刻率。
如圖8B所示，施行本實施形態之時效處理後，沿著X軸的複數蝕刻率，及沿著Y軸的複數蝕刻率的平均，為128.8nm/min，對於平均蝕刻率之差異，為±9.6%。藉由施行本實施形態之時效處理，平均蝕刻率及差異，皆滿足預先設定之容許規格。
接著，對本實施形態之時效處理方法及電漿處理裝置產生的效果(線尺寸)加以說明。圖9為，顯示本實施形態之時效處理後的線尺寸之圖。圖9中，縱軸表示，時效處理後的蝕刻率(nm/min)，橫軸表示，測定線尺寸的晶圓W之徑方向的位置。
圖9中，圖形242表示，使用新的上部電極42，依序施行噴砂洗淨、藥液洗淨、高壓水洗淨、超純水超音波洗淨及超純水清洗、以及乾燥後，不施行本實施形態之時效處理，而施行一般的時效處理後進行蝕刻處理之情況的蝕刻率。圖形244表示，使用新的上部電極42，施行本實施形態之時效處理後，進行蝕刻處理之情況的蝕刻率。圖形246表示，使用新的上部電極42，依序施行研磨、藥液洗淨、高壓水洗淨、超純水超音波洗淨及超純水清洗、以及乾燥，再施行本實施形態之時效處理後，進行蝕刻處理之情況的蝕刻率。圖形248表示，使用新的上部電極42，依序施行研磨 噴砂洗淨、藥液洗淨、高壓水洗淨、超純水超音波洗淨及超純水清洗、以及乾燥，再施行本實施形態之時效處理後，進行蝕刻處理之情況的蝕刻率。
亦即，圖形248，相當於第2實施例，而未施行第2實施例中研磨與噴砂洗淨者成為圖形244，未施行第2實施例中之噴砂洗淨者成為圖形246。
首先，如圖形242所示，未施行本實施形態之時效處理的情況，整體上，因蝕刻處理而形成之蝕刻率與其他蝕刻率相比變得較低。吾人認為此係起因於在使用新的上部電極42之情況，氟化未充分地施行之故。
此處，如圖形244所示，在施行本實施形態之時效處理的情況，可獲得與施行一般時效處理之情況同等或其以上的結果。亦即，在縮短時效處理所需之時間上，可獲得同等或其以上的效果。
此外，如圖形246及248所示，藉由施行使用次微米粒子(1μm以下)之噴砂洗淨，或研磨及噴砂洗淨，而可進一步提高蝕刻率。吾人認為藉由使Y2O3噴鍍膜的凹凸平坦化，而使Y2O3噴鍍膜的表面積變小，在時效處理時，Y2O3噴鍍膜中的氟化反應較快飽和。吾人認為此一結果，使晶圓W之蝕刻率更提升。
另，以上的實施形態中，雖將CH4或CHF3氣體作為含氫氣體之電漿使用，但亦可使用CH2F2、CH3F氣體等。
另，以上的實施形態中，雖將C4F6、CF4、C4F8氣體作為CF系氣體之電漿使用，但亦可使用C5F8氣體等。
此外，以上的實施形態中，雖對Y2O3噴鍍膜之氟化反應進行說明，但在混雜Y2O3與YF3的噴鍍膜其Y2O3的部分之氟化反應中亦可適用。
1‧‧‧電漿處理裝置
10‧‧‧晶圓吸盤
11‧‧‧處理容器
12‧‧‧接地線
13‧‧‧基座
14‧‧‧絕緣板
15‧‧‧支持台
15a‧‧‧冷媒路
20‧‧‧修正環
21‧‧‧圓筒構件
22‧‧‧傳熱氣體管
30‧‧‧第1高頻電源
31‧‧‧第1匹配器
40‧‧‧第2高頻電源
41‧‧‧第2匹配器
42‧‧‧上部電極
50‧‧‧支持構件
51‧‧‧電極板
52‧‧‧電極支持體
53‧‧‧氣體供給口
54‧‧‧氣體擴散室
55‧‧‧氣體孔
71‧‧‧氣體供給管
72‧‧‧處理氣體供給源
72a‧‧‧第1氣體供給部
72b‧‧‧第2氣體供給部
72c‧‧‧第3氣體供給部
73a~73c‧‧‧閥
74a~74c‧‧‧流量調整機構
80‧‧‧排氣流路
90‧‧‧排氣口
91‧‧‧排氣室
92‧‧‧排氣管
93‧‧‧排氣裝置
100‧‧‧磁石
150‧‧‧控制部
S‧‧‧電漿處理空間
W‧‧‧晶圓

Claims (14)

  1. 一種時效處理方法，在一電漿處理裝置中進行，該電漿處理裝置具備表面形成有3A族元素之氧化物噴鍍膜且使該氧化物噴鍍膜與電漿處理空間對向設置的構件，其特徵為包含如下步驟：第1步驟，對該電漿處理空間供給CF系氣體而使該CF系氣體電漿化；以及第2步驟，於該第1步驟之後，對該電漿處理空間供給含氫氣體而使該含氫氣體電漿化。
  2. 如申請專利範圍第1項之時效處理方法，其中，該第2步驟，更包含：第3步驟，對該電漿處理空間供給該CF系氣體而使該CF系氣體電漿化；以及第4步驟，對該電漿處理空間供給含氫氣體而使該含氫氣體電漿化。
  3. 如申請專利範圍第2項之時效處理方法，其中，於該第4步驟之後，更包含施行使用含氧氣體的電漿清洗之步驟。
  4. 如申請專利範圍第2項之時效處理方法，其中，該第3步驟之該CF系氣體，含F量較該第1步驟之該CF系氣體更高。
  5. 如申請專利範圍第1項之時效處理方法，其中，至少重複2次該第1步驟及該第2步驟的處理。
  6. 如申請專利範圍第5項之時效處理方法，其中，更包含在該第2步驟之後，施行使用含氧氣體的電漿清洗之步驟。
  7. 如申請專利範圍第1項之時效處理方法，其中，實行該第1步驟及該第2步驟的處理後，實行對該電漿處理空間供給含氧氣體而使該含氧氣體電漿化之第3步驟。
  8. 如申請專利範圍第1項之時效處理方法，其中，該含氫氣體為CH4、CH3F、CH2F2、CHF3或H2。
  9. 如申請專利範圍第1項之時效處理方法，其中，該CF系氣體為C4F6、CF4、C4F8或C5F8。
  10. 如申請專利範圍第1項之時效處理方法，其中，包含該第1步驟及該第2步驟之時效處理方法係在後述情況下實施：在形成有該3A族元素之氧化物噴鍍膜的構件新導入至該電漿處理裝置之 情況，或在形成有該3A族元素之氧化物噴鍍膜的構件剛洗淨後導入至該電漿處理裝置之情況。
  11. 如申請專利範圍第1項之時效處理方法，其中，該3A族元素之氧化物為Y2O3。
  12. 如申請專利範圍第1項之時效處理方法，其中，更包含將形成有該3A族元素之氧化物噴鍍膜的構件中的該3A族元素之氧化物研磨的步驟；該第1步驟及該第2步驟係在研磨該3A族元素之氧化物的步驟之後實施。
  13. 一種電漿處理裝置，其特徵為具備：於表面形成有3A族元素之氧化物噴鍍膜，且使該氧化物噴鍍膜與電漿處理空間對向設置的構件；第1氣體供給部，對該電漿處理空間供給CF系氣體；第2氣體供給部，對該電漿處理空間供給含氫氣體；以及控制部，以該第1氣體供給部對該電漿處理空間供給該CF系氣體而使該CF系氣體電漿化，並在使該CF系氣體電漿化後，以該第2氣體供給部該對該電漿處理空間供給含氫氣體而使該含氫氣體電漿化。
  14. 一種表面形成有3A族元素之氧化物噴鍍膜的構件之製造方法，用以製造於表面形成有3A族元素之氧化物噴鍍膜的構件，其特徵為包含如下步驟：於該構件的表面形成3A族元素之氧化物噴鍍膜的步驟；第1步驟，對該電漿處理空間供給CF系氣體而使該CF系氣體電漿化；以及第2步驟，於該第1步驟之後，對該電漿處理空間供給含氫氣體而使該含氫氣體電漿化。
TW102121980A 2012-06-20 2013-06-20 時效處理方法、電漿處理裝置及製造方法 TWI491764B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012138916 2012-06-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201414874A true TW201414874A (zh) 2014-04-16
TWI491764B TWI491764B (zh) 2015-07-11

Family

ID=49768818

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102121980A TWI491764B (zh) 2012-06-20 2013-06-20 時效處理方法、電漿處理裝置及製造方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6235471B2 (zh)
TW (1) TWI491764B (zh)
WO (1) WO2013191224A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6568457B2 (ja) * 2015-11-11 2019-08-28 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理方法
KR20190091542A (ko) * 2017-01-16 2019-08-06 엔테그리스, 아이엔씨. 플루오로-어닐링된 필름으로 코팅된 물품
JP7382761B2 (ja) * 2019-08-21 2023-11-17 東京エレクトロン株式会社 処理装置および成膜方法
CN111048395A (zh) * 2019-12-26 2020-04-21 苏州珮凯科技有限公司 8寸晶圆制造蚀刻机台Unity-85核心零部件上部电极表面制程物的去除方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4666576B2 (ja) * 2004-11-08 2011-04-06 東京エレクトロン株式会社 セラミック溶射部材の洗浄方法、該方法を実行するためのプログラム、記憶媒体、及びセラミック溶射部材
JP2007294905A (ja) * 2006-03-30 2007-11-08 Hitachi High-Technologies Corp 半導体製造方法およびエッチングシステム
TWI439494B (zh) * 2007-02-27 2014-06-01 Braggone Oy 產生有機矽氧烷聚合物的方法
JP2009188257A (ja) * 2008-02-07 2009-08-20 Tokyo Electron Ltd プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置並びに記憶媒体
US20090214825A1 (en) * 2008-02-26 2009-08-27 Applied Materials, Inc. Ceramic coating comprising yttrium which is resistant to a reducing plasma
JP2010003807A (ja) * 2008-06-19 2010-01-07 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
KR101284474B1 (ko) * 2008-09-05 2013-07-15 도시바 마테리알 가부시키가이샤 반도체 제조 장치용 부품 및 반도체 제조 장치

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013191224A1 (ja) 2013-12-27
TWI491764B (zh) 2015-07-11
JP6235471B2 (ja) 2017-11-22
JPWO2013191224A1 (ja) 2016-05-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101046335B1 (ko) 할로우 캐소드 플라즈마 발생방법 및 할로우 캐소드플라즈마를 이용한 대면적 기판 처리방법
TWI547992B (zh) 金屬膜之乾式蝕刻方法
TWI440124B (zh) A placing device, a plasma processing device, and a plasma processing method
JP5608384B2 (ja) 半導体装置の製造方法及びプラズマエッチング装置
TWI661461B (zh) Plasma processing method and plasma processing device
KR102441116B1 (ko) 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치
US20080230008A1 (en) Plasma species and uniformity control through pulsed vhf operation
JP2009188257A (ja) プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置並びに記憶媒体
TW201137966A (en) Plasma treatment device and plasma treatment method
TWI541894B (zh) A plasma processing chamber, a gas sprinkler head and a method of manufacturing the same
TWI491764B (zh) 時效處理方法、電漿處理裝置及製造方法
CN104508803B (zh) 等离子体处理方法
TW201724163A (zh) 電漿處理裝置及其清洗方法
TW201413788A (zh) 電漿處理中之缺陷減少
JP2011192718A (ja) プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体
JP5548028B2 (ja) 堆積チャンバのリモートクリーニング方法
JP2010199475A (ja) プラズマ処理装置のクリーニング方法及び記憶媒体
JP5704192B2 (ja) プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置並びに記憶媒体
TWI593012B (zh) Plasma processing method and plasma processing device
TW201909272A (zh) 電漿處理裝置之洗淨方法
JP2009200182A (ja) 付着物除去方法及び基板処理方法
TWI837677B (zh) 用於高溫清潔的處理
JP2000031121A (ja) プラズマ放出装置及びプラズマ処理装置
TWI667555B (zh) 光刻膠去除裝置及其清洗方法
JP2004259819A (ja) 試料の表面処理装置及び表面処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees