JP2008028120A - 面発光型半導体素子 - Google Patents

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Abstract

【課題】出射される光の偏光方向を特定の方向に制御可能な面発光型半導体素子を提供する。
【解決手段】面発光レーザ１０は、複数の誘電体層２４ａを含むＤＢＲ部２４と、ＤＢＲ部１４と、ＤＢＲ部２４とＤＢＲ部１４との間に設けられ半導体材料からなる活性層１８とを備える。面発光レーザ１０から出射される光Ｌの光軸Ａｘに直交する面におけるＤＢＲ部２４の形状は、光軸Ａｘを基準として異方性を有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、面発光型半導体素子に関する。
垂直共振器型の面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：VerticalCavity Surface Emitting Laser）では、上部ＤＢＲと下部ＤＢＲとの間に活性層が配置されている。特許文献１には、上部ＤＢＲがポスト構造を有する面発光レーザが記載されている。この上部ＤＢＲの形状は、面発光レーザから出射される光の出射方向から見て長方形である。
特許第２８９１１３３号公報
しかしながら、上部ＤＢＲの形状を変えただけでは、面発光レーザから出射される光の偏光方向を特定の方向に制御することができない。
本発明は、上記事情に鑑みて為されたものであり、出射される光の偏光方向を特定の方向に制御可能な面発光型半導体素子を提供することを目的とする。
上述の課題を解決するため、本発明の面発光型半導体素子は、複数の誘電体層を含む第１のＤＢＲ部と、第２のＤＢＲ部と、前記第１のＤＢＲ部と前記第２のＤＢＲ部との間に設けられ半導体材料からなる活性層とを備え、当該面発光型半導体素子から出射される光の光軸を基準として、前記光軸に直交する面における前記第１のＤＢＲ部の形状が異方性を有する。
本発明の面発光型半導体素子では、第１のＤＢＲ部が誘電体層を含む一方で活性層が半導体材料からなる。よって、誘電体層の熱膨張係数と活性層の熱膨張係数との差に起因する応力が活性層に付与される。ここで、本発明の面発光型半導体素子から出射される光の光軸を基準として、光軸に直交する面における第１のＤＢＲ部の形状は異方性を有するので、異方性を示す方向に沿って、活性層内に引張応力又は圧縮応力が生じる。引張応力及び圧縮応力のいずれが生じるのかは、例えば、活性層の構成材料と誘電体層の構成材料との組み合わせ等に依存する。この活性層に付与された応力によって、出射光の大部分の偏光方向が異方性を示す方向となる。よって、本発明によれば出射光の偏光方向を特定の方向に制御できる。
また、前記光軸に直交する面における前記第１のＤＢＲ部の形状が、長方形又は楕円であることが好ましい。この場合、長方形又は楕円の長軸方向又は短軸方向に沿って、活性層内に引張応力又は圧縮応力が生じる。引張応力及び圧縮応力のいずれが生じるのかは、例えば、活性層の構成材料と誘電体層の構成材料との組み合わせ等に依存する。この活性層に付与された応力によって、出射光の大部分の偏光方向が長軸方向又は短軸方向となる。
また、前記活性層は量子井戸構造を有することが好ましい。この場合、活性層に付与される応力値が大きくなる。
本発明によれば、出射される光の偏光方向を特定の方向に制御可能な面発光型半導体素子が提供される。
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において、同一又は同等の要素には同一符号を用い、重複する説明を省略する。
図１は、実施形態に係る面発光型半導体素子を模式的に示す平面図である。図２は、図１に示されるII−II線に沿った断面図である。図１及び図２に示される面発光レーザ１０（面発光型半導体素子）は、例えばＶＣＳＥＬである。図１及び図２には、ｘｙｚ空間座標系が示されている。本実施形態では、面発光レーザ１０から出射される光Ｌの出射方向は、ｚ軸方向である。光Ｌは、例えばｚ軸方向に延びる光Ｌの光軸Ａｘ上を通過する。
面発光レーザ１０は、第１のＤＢＲ部２４と、第２のＤＢＲ部１４と、ＤＢＲ部２４とＤＢＲ部１４との間に設けられた活性層１８とを備える。ＤＢＲ部２４及びＤＢＲ部１４は、光共振器を構成する。ＤＢＲ部２４、活性層１８及びＤＢＲ部１４は、ｚ軸方向に沿って配列されている。
ＤＢＲ部２４は、ｚ軸方向に沿って交互に配列された複数の誘電体層２４ａ及び複数の層２４ｂを含む多層反射膜からなる。誘電体層２４ａは、例えばシリコン酸化物（ＳｉＯ２）、チタン酸化物（ＴｉＯ２）、アルミニウム酸化物（Ａｌ２Ｏ３）等からなる。層２４ｂは、例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）やＺｎＳ等の半導体材料、又は例えばシリコン酸化物、チタン酸化物、アルミニウム酸化物等の誘電体材料からなることが好ましい。誘電体層２４ａ及び層２４ｂの構成材料の好適な組み合わせとしては、（誘電体層２４ａの構成材料／層２４ｂの構成材料）と表記すると、（アモルファスシリコン／シリコン酸化物）、（チタン酸化物／アルミニウム酸化物）、（ＺｎＳ／アルミニウム酸化物）、（アモルファスシリコン／アルミニウム酸化物）、（チタン酸化物／シリコン酸化物）が挙げられる。
ＳｉＯ２の熱膨張係数は４．０×１０−７［／Ｋ］であり、ＴｉＯ２の熱膨張係数は４．０×１０−７［／Ｋ］であり、Ａｌ２Ｏ３の熱膨張係数は８．０×１０−６［／Ｋ］であり、ａ−Ｓｉの熱膨張係数は３．５×１０−６［／Ｋ］であり、ＺｎＳの熱膨張係数は６．８×１０−６［／Ｋ］である。なお、ＧａＡｓの熱膨張係数は６．８×１０−６［／Ｋ］である。
ＤＢＲ部２４は、ポスト構造を有する。光Ｌの光軸Ａｘに直交する面（ｘ軸及びｙ軸を含む平面）におけるＤＢＲ部２４の形状は、例えば長方形である。本実施形態では、ｘ軸方向が長方形の長軸方向であり、ｙ軸方向が長方形の短軸方向である。長方形の短辺Ａと長方形の長辺Ｂとの比（Ａ：Ｂ）は、１：１．２〜１：５であることが好ましい。長方形の重心は、光Ｌの光軸Ａｘに一致することが好ましい。なお、光Ｌの光軸Ａｘに直交する面におけるＤＢＲ部２４の形状は、楕円であってもよい。この場合、楕円の短軸が長方形の短辺Ａに相当し、楕円の長軸が長方形の長辺Ｂに相当する。楕円の重心は、光Ｌの光軸Ａｘに一致することが好ましい。さらに、光Ｌの光軸Ａｘに直交する面におけるＤＢＲ部２４の形状は、長方形や楕円ではなく、光Ｌの光軸Ａｘを基準として異方性を有する形状であってもよい。
ＤＢＲ部１４は、ｚ軸方向に沿って交互に配列された複数の半導体層１４ａ及び複数の半導体層１４ｂを含む多層反射膜からなる。半導体層１４ａは、例えばｎ型のＡｌＧａＡｓからなる。半導体層１４ｂは、例えばｎ型のＧａＡｓからなる。
活性層１８は、例えばＩｎＧａＡｓ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＡｓＳｂ、ＡｌＧａＩｎＡｓ、ＧａＩｎＡｓＰ等の半導体材料からなる。活性層１８は、バルク結晶からなってもよいし、図３に示されるように量子井戸構造（ＱＷ）を有してもよい。図３は、活性層１８の一例を模式的に示す断面図である。図３に示される活性層１８は、ｚ軸方向に沿って交互に配列された複数の井戸層１８ａ及び複数の障壁層１８ｂを含む。この場合、活性層１８は多重量子井戸構造（ＭＱＷ）を有する。井戸層１８ａは、例えばＩｎＧａＡｓ等からなる。障壁層１８ｂは、例えばＧａＡｓからなる。
本実施形態では、ＤＢＲ部１４、活性層１８及びＤＢＲ部２４は、半導体基板１２の主面１２ａ上にこの順に設けられている。半導体基板１２は、例えばｎ型のＧａＡｓからなる。半導体基板１２の形状は、光Ｌの光軸Ａｘに対して対称であることが好ましい。より好ましくは、光Ｌの光軸Ａｘに直交する面における半導体基板１２の形状は、円形又は正方形である。
ＤＢＲ部１４と活性層１８との間には、例えば、クラッドとして機能するスペーサ層１６が設けられている。スペーサ層１６は、例えばｎ型のＧａＡｓからなる。活性層１８とＤＢＲ部２４との間には、例えば、クラッドとして機能するスペーサ層２０が設けられている。スペーサ層２０は、例えばｐ型のＧａＡｓからなる。
スペーサ層２０とＤＢＲ部２４との間には、例えば、活性層１８に注入される電流を狭窄するための電流狭窄層２２が設けられている。電流狭窄層２２は、開口２２ａが形成された電流ブロック層２２ｂと、開口２２ａを埋め込む半導体層２２ｃとを有する。開口２２ａの形状は、光Ｌの光軸Ａｘに対して対称であることが好ましい。より好ましくは、光Ｌの光軸Ａｘに直交する面における開口２２ａの形状は、円形又は正方形である。特に好ましくは、光Ｌの光軸Ａｘに直交する面における開口２２ａの形状は、光Ｌのビーム形状を真円に近づける観点から円形である。光Ｌのビーム形状が真円であると、面発光レーザ１０に光ファイバを光学的に結合する際に結合効率の劣化を抑制できる。電流ブロック層２２ｂは、アルミニウムを含む半導体層を酸化してなることが好ましく、例えばアルミニウム酸化物からなる。この場合、半導体層２２ｃは、未酸化のアルミニウムを含む半導体層であることが好ましく、例えばｐ型のＡｌＡｓからなる。なお、電流狭窄層２２は、トンネル接合により電流を狭窄する構造を有してもよい。
電流狭窄層２２とＤＢＲ部２４との間には、例えばスペーサ層２５が設けられている。スペーサ層２５は、例えばｐ型のＧａＡｓからなる。
スペーサ層２５上には、例えばコンタクト層２６及び電極２８がこの順に設けられている。コンタクト層２６及び電極２８には、それぞれ光Ｌを通過させるための開口２６ａ及び開口２８ａが形成されている。開口２６ａを形成することにより、コンタクト層２６によって光Ｌが吸収されることを防止できる。光Ｌの光軸Ａｘに直交する面において、開口２６ａの径と開口２８ａの径とは例えば同一である。光Ｌの光軸Ａｘに直交する面において、開口２６ａの径及び開口２８ａの径は、いずれも電流狭窄層２２の開口２２ａの径よりも大きい。開口２６ａ及び開口２８ａ内には、ＤＢＲ部２４が埋め込まれている。半導体基板１２の主面１２ａとは反対側の面すなわち裏面１２ｂ上には、例えば電極３０が設けられている。
電極２８及び電極３０間に電流を印加すると、活性層１８から光ＬがＤＢＲ部２４を通って面発光レーザ１０の外部に出射される。
本実施形態の面発光レーザ１０では、ＤＢＲ部２４が誘電体層２４ａを含む一方で、活性層１８が半導体材料からなる。通常、誘電体層２４ａ及び活性層１８は室温よりも高温で形成されるので、室温においては、誘電体層２４ａの熱膨張係数と活性層１８の熱膨張係数との差に応じて応力が生じる。よって、ＤＢＲ部２４によって活性層１８に応力が付与される。活性層１８とＤＢＲ部２４との間に電流狭窄層２２等の半導体層が設けられている場合には、ＤＢＲ部２４は、当該半導体層を介して活性層１８に応力を付与する。ここで、光Ｌの光軸Ａｘに直交する面におけるＤＢＲ部２４の形状は、長方形又は楕円であるので、長方形又は楕円の長軸方向（ｘ軸方向）又は短軸方向（ｙ軸方向）に沿って、活性層１８内に引張応力又は圧縮応力が生じる。引張応力及び圧縮応力のいずれが生じるのかは、例えば、活性層１８の構成材料とＤＢＲ部２４の構成材料との組み合わせ等に依存する。
活性層１８がＧａ及びＡｓを含む場合、誘電体層２４ａはシリコン酸化物又はチタン酸化物を含むことが好ましい。この場合、ｘ軸方向に沿って活性層１８内に引張応力が生じる。また、活性層１８の熱膨張係数と誘電体層２４ａの熱膨張係数との差が大きくなる。よって、活性層１８内に生じる応力が大きくなる。
また、活性層１８がＧａ及びＡｓを含む場合、誘電体層２４ａはアルミニウム酸化物を含むことが好ましい。この場合、ｘ軸方向に沿って活性層１８内に圧縮応力が生じる。また、活性層１８の熱膨張係数と誘電体層２４ａの熱膨張係数との差が小さくなる。よって、面発光レーザ１０の光Ｌの発振特性が経時変化し難くなるので、面発光レーザ１０の信頼性が向上する。さらに、活性層１８がＧａ及びＡｓを含み、誘電体層２４ａがアルミニウム酸化物を含み、層２４ｂがアモルファスシリコン又はＺｎＳを含むことが好ましい。層２４ｂがアモルファスシリコンを含む場合、ｘ軸方向に沿って活性層１８内に圧縮応力が生じる。層２４ｂがＺｎＳを含む場合、ｘ軸方向に沿って活性層１８内に引張応力が生じる。また、面発光レーザ１０の信頼性は更に向上する。
図４は、面発光レーザ１０に印加される電流と面発光レーザ１０から出射される光Ｌの出力との関係の一例を示すグラフである。横軸は電流の値を示し、縦軸は光出力の値を示す。矢印の先端に向かうに連れて電流値及び光出力値ともに大きくなることを示している。グラフ中の実線Ｐ１は、偏光方向がｙ軸方向となる光Ｌの出力を示す。破線Ｐ２は、偏光方向がｘ軸方向となる光Ｌの出力を示す。この例では、グラフから分かるように、光Ｌの大部分の偏光方向がｙ軸方向となる。これは、活性層１８に付与された応力に起因する。活性層１８に応力が付与されると、ＤＢＲ部１４とＤＢＲ部２４との間で共振する光Ｌの利得に差が生じる。また、複屈折の影響によりｘ軸方向及びｙ軸方向の偏光の群速度に異方性が生じ、さらに利得差が発生するため、偏光方向がｙ軸方向である光Ｌの出力値Ｉｙは、偏光方向がｘ軸方向である光Ｌの出力値Ｉｘに比べて顕著に大きくなる。また、活性層１８に付与される応力の絶対値が大きくなるに連れて、光の出力値Ｉｙと光の出力値Ｉｘとの差が大きくなる。
活性層１８が量子井戸構造を有すると、ＤＢＲ部２４によって活性層１８に付与される応力値が大きくなる。よって、偏光方向がｙ軸方向である光の出力値と偏光方向がｘ軸方向である光の出力値との差が大きくなる。
以上説明したように、面発光レーザ１０では、光Ｌの偏光方向を特定の方向に制御することができる。
上述の面発光レーザ１０は、例えば以下のようにして製造される。まず、半導体基板１２の主面１２ａ上に、ＭＯＶＰＥ法を用いて、複数の半導体層を形成する。次に、この複数の半導体層をドライエッチングすることにより、半導体基板１２上にメサ部を形成する。このメサ部は、半導体基板１２上に、ＤＢＲ部１４、スペーサ層１６、活性層１８、スペーサ層２０、電流狭窄層２２のためのアルミニウムを含む半導体層、スペーサ層２５、及びコンタクト層２６のための半導体層がこの順に設けられたものである。
続いて、電流狭窄層２２のためのアルミニウムを含む半導体層の側面を、例えば水蒸気雰囲気に晒すことによって選択的に酸化する。これにより、電流狭窄層２２が形成される。次に、例えばポリイミド等の樹脂によりメサ部を埋め込むことによって、樹脂の表面とメサ部の頂面とを略一致させ、平坦化する。さらに、コンタクト層２６のための半導体層上に、開口２８ａが形成された電極２８を形成する。また、半導体基板１２の裏面１２ｂ上に電極３０を形成する。
その後、コンタクト層２６のための半導体層をウェットエッチングすることによって、開口２８ａと同じ形状の開口２６ａが形成されたコンタクト層２６を形成する。続いて、例えばリフトオフ法を用いて、開口２６ａ及び開口２８ａを埋め込むＤＢＲ部２４を形成する。具体的には、ＤＢＲ部２４は以下のように形成される。まず、電極２８上に、ＤＢＲ部２４を埋め込むための開口パターンが形成されたレジスト膜を形成する。半導体基板１２の法線方向に直交する面における開口パターンの形状は、長方形又は楕円である。この開口パターンは、例えば長方形又は楕円のパターンを有するフォトマスクを用いて、フォトリソグラフィー法により形成される。次に、レジスト膜上にＤＢＲ部２４のための積層体を形成する。積層体の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ法、スパッタリング法、ＥＢ蒸着法、イオンアシスト蒸着法等が挙げられる。その後、レジスト膜を剥離することによって、ＤＢＲ部２４を形成する。
上述の製造方法によれば、低コストで面発光レーザ１０を製造することができる。
以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されない。
以下、実施例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
ｎ型のＧａＡｓ基板上に、ＭＯＶＰＥ法を用いて、３０ペアのｎ型Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層及びｎ型ＧａＡｓ層からなる下部ＤＢＲ、ｎ型ＧａＡｓからなるスペーサ層、Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ａｓからなる３つの井戸層及びＧａＡｓからなる２つの障壁層が交互に積層された活性層、ｐ型ＧａＡｓからなるスペーサ層、ｐ型ＡｌＡｓ層、ｐ型ＧａＡｓからなるスペーサ層、ｐ型ＧａＡｓからなるコンタクト層をこの順に成長させた。
続いて、ドライエッチングにより直径３０μｍ、高さ５μｍの円柱状のメサ部をｎ型のＧａＡｓ基板上に形成した。さらに、水蒸気雰囲気中でｐ型ＡｌＡｓ層を側面から選択的に酸化することによって、メサ部の高さ方向に直交する面における形状が直径５μｍの円形の電流注入領域（非酸化領域）を形成した。さらに、電極の形成を容易にするために、ポリイミドによりメサ部の周囲を埋め込み平坦化した。次に、メサ部上に電極を蒸着すると共に、ＧａＡｓ基板の裏面上に電極を蒸着させた。メサ部上の電極には直径１０μｍの円形の開口が形成されており、その開口にはコンタクト層が露出している。さらに、コンタクト層をウェットエッチングすることにより直径１０μｍの円形の開口をコンタクト層に形成した。
続いて、リフトオフ法を用いてメサ部上に上部ＤＢＲを形成した。まず、メサ部上にレジスト溶液を塗布し、レジスト膜を形成した。このレジスト膜に、縦１０μｍ、横２０μｍの長方形のパターンを有するフォトマスクを介して露光を行い、現像を行った。フォトマスクのパターンは、短辺Ａと長辺Ｂとの比（Ａ：Ｂ）が１：２の長方形である。これにより、メサ部の高さ方向に直交する面において、メサ部の頂面の中心を重心とする縦１０μｍ、横２０μｍの長方形の開口パターンをレジスト膜に形成した。
次に、イオンアシスト蒸着法により、成膜温度２３０℃において、５ペアのアモルファスシリコン層及びＡｌ２Ｏ３層をレジスト膜上に成長させた。アモルファスシリコン層の厚さは８４．１ｎｍであり、Ａｌ２Ｏ３層の厚さは１６３．６ｎｍであった。続いて、レジスト膜を除去することにより、メサ部上に上部ＤＢＲを形成した。このようにして、面発光レーザを製造した。
上部ＤＢＲの中心波長は１０６０ｎｍであった。ＧａＡｓ基板に上部ＤＢＲのみを形成して反射率を測定したとき、光を空気から上部ＤＢＲに照射する際の反射率は９９．８５％であった。この面発光レーザでは、レーザ光の光軸に直交する面における上部ＤＢＲの形状は、短辺Ａと長辺Ｂとの比（Ａ：Ｂ）が１：２の長方形であった。この面発光レーザから出射される大部分のレーザ光の偏光方向は、長方形の短軸方向であった。また、レーザ光のビーム形状は真円であったので、光ファイバへの結合効率の劣化を抑制することができた。
フォトマスクのパターンを、短辺Ａと長辺Ｂとの比（Ａ：Ｂ）が１：１．２又は１：５の長方形とした場合にも、面発光レーザから出射される大部分のレーザ光の偏光方向は、長方形の短軸方向であった。
また、フォトマスクのパターンを、短軸の長さＡと長軸の長さＢとの比（Ａ：Ｂ）が１：２、１：１．２又は１：５の楕円とした場合にも、面発光レーザから出射される大部分のレーザ光の偏光方向は、楕円の短軸方向であった。
また、イオンアシスト蒸着法に代えて、ＥＣＲプラズマ成膜装置を用いたスパッタリング法により、成膜温度１５０℃において、５ペアのアモルファスシリコン層及びＡｌ２Ｏ３層をレジスト膜上に成長させた。この場合、面発光レーザから出射される大部分のレーザ光の偏光方向は、長方形又は楕円の短軸方向であった。
さらに、５ペアのアモルファスシリコン層及びＡｌ２Ｏ３層に代えて、４ペアのアモルファスシリコン層及びＳｉＯ２層を用いた場合、面発光レーザから出射される大部分のレーザ光の偏光方向は、長方形又は楕円の短軸方向であった。アモルファスシリコン層の厚さは８４．１ｎｍであり、ＳｉＯ２層の厚さは１７９．１ｎｍであった。この場合、ＳｉＯ２の熱膨張係数（４．０×１０−７［／Ｋ］）とＧａＡｓの熱膨張係数（６．８×１０−６［／Ｋ］）との差が大きいので、温度変化によって活性層に応力が更に印加される。よって、短軸方向を偏光方向とするレーザ光の出力がより大きくなる。
また、５ペアのアモルファスシリコン層及びＡｌ２Ｏ３層に代えて、７ペアのＴｉＯ２層及びＡｌ２Ｏ３層を用いた場合、面発光レーザから出射される大部分のレーザ光の偏光方向は、長方形又は楕円の短軸方向であった。ＴｉＯ２層の厚さは１０５．２ｎｍであり、Ａｌ２Ｏ３層の厚さは１６３．６ｎｍであった。この場合、ＴｉＯ２の熱膨張係数（４．０×１０−７［／Ｋ］）とＧａＡｓの熱膨張係数（６．８×１０−６［／Ｋ］）との差が大きいので、温度変化によって活性層に応力が更に印加される。よって、短軸方向を偏光方向とするレーザ光の出力がより大きくなる。
また、５ペアのアモルファスシリコン層及びＡｌ２Ｏ３層に代えて、６ペアのＺｎＳ層及びＡｌ２Ｏ３層を用いた場合、面発光レーザから出射される大部分のレーザ光の偏光方向は、長方形又は楕円の長軸方向であった。ＺｎＳ層の厚さは１１５．６２ｎｍであり、Ａｌ２Ｏ３層の厚さは１６３．６ｎｍであった。この場合、ＺｎＳの熱膨張係数（６．８×１０−６［／Ｋ］）とＧａＡｓの熱膨張係数（６．８×１０−６［／Ｋ］）との差が殆どないので、面発光レーザの発振特性が経時変化し難い。
実施形態に係る面発光型半導体素子を模式的に示す平面図である。 図１に示されるII−II線に沿った断面図である。 活性層の一例を模式的に示す断面図である。 面発光レーザに印加される電流と面発光レーザから出射される光の出力との関係の一例を示すグラフである。
符号の説明
１０…面発光レーザ（面発光型半導体素子）、１４…第２のＤＢＲ部、１８…活性層、２４…第１のＤＢＲ部、２４ａ…誘電体層、Ａｘ…光軸、Ｌ…光。

Claims (3)

  1. 複数の誘電体層を含む第１のＤＢＲ部と、
    第２のＤＢＲ部と、
    前記第１のＤＢＲ部と前記第２のＤＢＲ部との間に設けられ半導体材料からなる活性層と、
    を備え、
    当該面発光型半導体素子から出射される光の光軸を基準として、前記光軸に直交する面における前記第１のＤＢＲ部の形状が異方性を有する、面発光型半導体素子。
  2. 前記光軸に直交する面における前記第１のＤＢＲ部の形状が、長方形又は楕円である、請求項１に記載の面発光型半導体素子。
  3. 前記活性層は量子井戸構造を有する、請求項１又は２に記載の面発光型半導体素子。
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