JP2008016440A5 - - Google Patents
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Claims (21)
- 基板上に電極を形成する工程と、
前記電極上にバッファ層を形成する工程と、
前記バッファ層上に点在させた触媒層を形成する工程と、
前記触媒層から露出している前記バッファ層をエッチングする工程と、
前記エッチングされたバッファ層上に設けられた前記触媒層から炭素ナノチューブを成長させる工程と、を含むことを特徴とする炭素ナノチューブ構造体の形成方法。 - 前記バッファ層は、前記触媒層とエッチング選択性のある物質からなることを特徴とする請求項１に記載の炭素ナノチューブ構造体の形成方法。
- 前記バッファ層は、Ａｌ、Ｂ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｔｉ、Ｍｏ、及びＣｒからなる群から選択された少なくとも一つからなることを特徴とする請求項１または２に記載の炭素ナノチューブ構造体の形成方法。
- 前記バッファ層は、１０Åないし３０００Åの厚さに形成されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の炭素ナノチューブ構造体の形成方法。
- 前記触媒層は、Ｆｅ、Ｃｏ、及びＮｉからなる群から選択された少なくとも一つからなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の炭素ナノチューブ構造体の形成方法。
- 前記触媒層は、２Åないし１００Åの厚さに形成されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の炭素ナノチューブ構造体の形成方法。
- 前記バッファ層のエッチングは、前記電極が露出されるまで行われることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載の炭素ナノチューブ構造体の形成方法。
- 前記電極は、Ｍｏ及びＣｒのうち少なくとも一つからなることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載の炭素ナノチューブ構造体の形成方法。
- 前記炭素ナノチューブは、化学気相蒸着法によって成長されることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一つに記載の炭素ナノチューブ構造体の形成方法。
- 基板上にカソード電極、絶縁層及び、ゲート電極となる層を順次に形成する工程と、
前記ゲート電極となる層をパターニングして、ゲート電極を形成し、当該ゲート電極をマスクとして露出している前記絶縁層をエッチングして、前記カソード電極を露出させるエミッタホールを形成する工程と、
前記エミッタホールの内部の前記カソード電極上にバッファ層を形成し、前記バッファ層上に点在させた触媒層を形成する工程と、
前記触媒層から露出している前記バッファ層をエッチングする工程と、
前記エッチングされた前記バッファ層上に設けられた前記触媒層から炭素ナノチューブを成長させる工程と、を含むことを特徴とする電界放出素子の製造方法。 - 前記エミッタホールを形成する工程は、
前記パターニングされた前記ゲート電極上にフォトレジストを形成する工程と、
前記フォトレジスト及び前記ゲート電極をマスクとして露出している前記絶縁層を、前記カソード電極が露出されるまでエッチングする工程と、を含むことを特徴とする請求項１０に記載の電界放出素子の製造方法。 - 前記バッファ層及び前記触媒層を形成する工程は、
前記フォトレジスト及び前記エミッタホールの内部の前記カソード電極上にバッファ層を形成する工程と、
前記バッファ層上に点在させた前記触媒層を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項１１に記載の電界放出素子の製造方法。 - 前記触媒層から露出している前記バッファ層をエッチングした後、前記フォトレジスト及び前記フォトレジスト上に形成された前記バッファ層及び前記触媒層を除去する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載の電界放出素子の製造方法。
- 前記バッファ層のエッチングは、前記カソード電極が露出されるまで行われることを特徴とする請求項１０〜１３のいずれか一つに記載の電界放出素子の製造方法。
- 前記バッファ層は、前記触媒層とエッチング選択性のある物質からなることを特徴とする請求項１０〜１４のいずれか一つに記載の電界放出素子の製造方法。
- 前記バッファ層は、Ａｌ、Ｂ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｔｉ、Ｍｏ、及びＣｒからなる群から選択された少なくとも一つからなることを特徴とする請求項１０〜１５のいずれか一つに記載の電界放出素子の製造方法。
- 前記バッファ層は、１０Åないし３０００Åの厚さに形成されることを特徴とする請求項１０〜１６のいずれか一つに記載の電界放出素子の製造方法。
- 前記触媒層は、Ｆｅ、Ｃｏ、及びＮｉからなる群から選択された少なくとも一つからなることを特徴とする請求項１０〜１７のいずれか一つに記載の電界放出素子の製造方法。
- 前記触媒層は、２Åないし１００Åの厚さに形成されることを特徴とする請求項１０〜１８のいずれか一つに記載の電界放出素子の製造方法。
- 前記カソード電極は、Ｍｏ及びＣｒのうち少なくとも一つからなることを特徴とする請求項１０〜１９のいずれか一つに記載の電界放出素子の製造方法。
- 前記炭素ナノチューブは、化学気相蒸着法によって成長されることを特徴とする請求項１０〜２０のいずれか一つに記載の電界放出素子の製造方法。
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