JP2007531024A - 投影対物レンズ、マイクロリソグラフィのための投影露光装置及び反射レチクル - Google Patents
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- 238000001393 microlithography Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 76
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 51
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 132
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 7
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 6
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 4
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 14
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 13
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 12
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 10
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 206010010071 Coma Diseases 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000000386 microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000011017 operating method Methods 0.000 description 1
- 238000012634 optical imaging Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Images
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
- G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/52—Reflectors
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70225—Optical aspects of catadioptric systems, i.e. comprising reflective and refractive elements
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
【解決手段】 マイクロリソグラフィのための投影対物レンズが、その物表面に配置されたマスクのパターンをその像表面に配置された像視野に縮小結像系で結像するのに役立つ。それが投影対物レンズの光学軸心に沿って配置された多数の光学素子を有し、投影対物レンズが像側開口数NA>0.85及び縮小結像スケール|b|<0.05となるように、複数の光学素子が構成されて配置されていて、平面状の像視野が、1mmより大きいマイクロリソグラフィに適した最小像視野直径を有する。
【選択図】 図1
Description
Claims (48)
- 投影対物レンズの物表面に配置されたパターンを、投影対物レンズの像表面に配置された像視野に、縮小結像スケールで結像するための投影対物レンズであって、
投影対物レンズの光学軸心に沿って配置された多数の光学素子を有し、
投影対物レンズが像側開口数NA>0.85及び縮小結像スケール|β|<0.05となるように、複数の光学素子が構成されて配置されていて、像視野が1mmより大きい最小像視野直径を有する、投影対物レンズ。 - 像表面が平面状であり、投影対物レンズの物表面が曲率を有していて投影対物レンズに関して凹形である、請求項1に記載の投影対物レンズ。
- 物表面が、曲率を有していて投影対物レンズに関して凹形であり、投影対物レンズの構造長Lよりも小さい曲率半径ROを有する、請求項1に記載の投影対物レンズ。
- 最大物視野直径がDmaxであり、構造長がLであり、物表面が曲率を有していて投影対物レンズに関して凹形であり、このために以下の複数の条件:
(1) 0.525・Dmax<RO<100・Dmax
(2) 0.525・Dmax<RO<10・L
の少なくとも1つが当てはまる曲率半径ROを有する、請求項1に記載の投影対物レンズ。 - 投影対物レンズが、投影対物レンズの少なくとも1つの光学素子を備えた物側素子群と、投影対物レンズの少なくとも1つの光学素子を備えた像側素子群を有し、結像ビームパスの投影放射に対して透過性であって照明放射を投影対物レンズにカップリングさせるのに役立つカップリングイン機器が、物側素子群と像側素子群の間に配置されている、請求項1に記載の投影対物レンズ。
- カップリングイン機器が、ビームスプリッタとして構成されていて、投影対物レンズの光学軸心に関して傾斜して配向されたビームスプリッタ表面を有する、請求項5に記載の投影対物レンズ。
- カップリングイン機器が、偏光ビームスプリッタとして構成されていて、投影対物レンズの光学軸心に関して傾斜して配向された偏光選択的ビームスプリッタ表面を有する、請求項5に記載の投影対物レンズ。
- 結像ビームパスのくびれが物表面と像表面の間に設けられていて、結像ビームパスの投影放射に対して透過性であって照明放射を投影対物レンズにカップリングさせるのに役立つカップリングイン機器が、くびれの領域に配置されている、請求項1に記載の投影対物レンズ。
- 投影対物レンズが屈折投影対物レンズとして構成されていて、この場合に、結像ビームパスの単一のくびれが、物表面と像表面の間に設けられている、請求項1に記載の投影対物レンズ。
- 投影対物レンズが、投影対物レンズの少なくとも1つの光学素子を備えた物側素子群と、投影対物レンズの少なくとも1つの光学素子を備えた像側素子群を含んでいて、物側及び像側素子群の間で照明放射を傾斜してカップリングインするためのカップリングイン機器が、投影対物レンズに割り当てられている、請求項1に記載の投影対物レンズ。
- 像表面に直接続いていて正の屈折力を有する第1レンズ群と、
第1レンズ群に直接続いていて負の屈折力を有する第2レンズ群と、
第2レンズ群に直接続いていて正の屈折力を有する第3レンズ群と、
第3レンズ群に直接続いていて正の屈折力を有する第4レンズ群と、
第3レンズ群から第4レンズ群への移行領域に配置された系絞りと、
負の屈折力を有する第2レンズ群の領域に形成されていて最小ビーム束直径を有するくびれ領域と、
を有する、請求項1に記載の投影対物レンズ。 - 投影対物レンズが、物空間で本質的にテレセントリックのビームパスを有する、請求項11に記載の投影対物レンズ。
- テレセントリックエラーが、50mrad未満、好ましくは10mrad未満、とくに1mrad未満である、請求項12に記載の投影対物レンズ。
- 像表面に直接続いていて負の屈折力を有する第1レンズ群と、
第1レンズ群に直接続いていて正の屈折力を有する第2レンズ群と、
第2レンズ群に直接続いていて正の屈折力を有する第3レンズ群と、
第2レンズ群から第3レンズ群への移行領域に配置された系絞りと、
負の屈折力を有する第1レンズ群の領域に形成されていて最小ビーム束直径を有するくびれ領域と、
を有する、請求項1に記載の投影対物レンズ。 - 投影対物レンズが、物空間で非テレセントリックのビームパスを有する、請求項14に記載の投影対物レンズ。
- 物空間のテレセントリックエラーが、50mradよりも大きい、請求項15に記載の投影対物レンズ。
- 照明光のためのカップリングイン機器が、各々負の屈折力を有する2つのレンズの間のくびれ領域に配置されている、請求項14に記載の投影対物レンズ。
- 照明光のための傾斜したカップリングインが、各々負の屈折力を有する2つのレンズの間のくびれ領域で提供されている、請求項1に記載の投影対物レンズ。
- 像表面に直接続いていて負の屈折力を有する第1レンズ群が、物視野の縮小された中間虚像を生成し、
第1レンズ群に直接続いていて正の屈折力を有する第2レンズ群が、像表面に中間虚像を縮小結像する、請求項1に記載の投影対物レンズ。 - 正の屈折力を有する追加のレンズ群が、負の屈折力を有する第1レンズ群の上流に挿入されている、請求項19に記載の投影対物レンズ。
- 投影対物レンズが、純粋に屈折性である、請求項19に記載の投影対物レンズ。
- 投影対物レンズがカタディオプトリック投影対物レンズであり、正の屈折力を有する第2レンズ群が、凹面鏡を有し、これが像面に関して凹形であり、中央開口及び後方反射鏡を有し、これが凹面鏡の反対に存在し、凹面鏡に向けて開口を通過する放射の後方反射のための物側鏡表面を有する、請求項19に記載の投影対物レンズ。
- 後方反射鏡が凸形に湾曲している、請求項22に記載の投影対物レンズ。
- 後方反射鏡が、平面鏡として具体化されている、請求項22に記載の投影対物レンズ。
- 主放射源からの放射で投影対物レンズの物表面に配置されたパターンを照明するための照明系を有するマイクロリソグラフィ用の投影露光装置であって、請求項1に記載の投影対物レンズを有する、投影露光装置。
- 照明系が、放射源に続いていて照明系の少なくとも1つの光学素子を有する入力側素子群と、照明系の少なくとも1つの光学素子を有する出力側素子群を含み、出力側素子群が投影対物レンズの一部として構成されている、請求項25に記載の投影露光装置。
- 照明系が、カップリングイン機器と投影対物レンズの物表面の間で、投影対物レンズの光学軸心と一致する光学軸心を有する、請求項25に記載の投影露光装置。
- 照明系が、カップリングイン機器と投影対物レンズの物表面の間で、投影対物レンズの光学軸心と有限角度を形成する光学軸心を有し、照明系の出力側素子群の複数の光学素子が、照明系の光学軸心に関して偏心して配置されている、請求項25に記載の投影露光装置。
- 照明系の出射面が、照明系の光学軸心に関して傾斜されている、請求項28に記載の投影露光装置。
- 少なくとも1つの非球面を有する少なくとも1つの光学素子が、照明系の入力側素子群に配置されている、請求項26に記載の投影露光装置。
- 照明放射が、投影対物レンズの物表面に対して本質的に垂直に、本質的に全照明領域にわたって当たるように、照明系の出力側素子群が構成されていて、これが同時に照明系の出射面である、請求項26に記載の投影露光装置。
- 投影対物レンズが平面状の物表面を有し、照明系がその出射面でテレセントリックのビームパスのために構成されている、請求項25に記載の投影露光装置。
- 投影対物レンズが、曲率を有する湾曲した物表面を有していて投影対物レンズに関して凹形であり、照明系がその出射面で非テレセントリックのビームパスのために構成されている、請求項25に記載の投影露光装置。
- 照明系の開口絞りが、照明系の入力側素子群に配置されている、請求項26に記載の投影露光装置。
- 照明系の像側開口数が、投影対物レンズの物側開口数よりも大きいか又はこれと等しいように、照明系が構成されている、請求項25に記載の投影露光装置。
- マイクロリソグラフィのためのマスクであって、曲率を有していて鏡側で凹形の凹形反射マスクとして構成されている、マスク。
- 反射マスクの最大使用可能鏡直径がDmaxであり、鏡表面が曲率を有していて次の条件:0.525・Dmax<RO<100・Dmaxに当てはまる曲率半径ROを有する、請求項36に記載のマスク。
- 反射マスクが、個別に駆動可能な複数の個別鏡のアレイを有する鏡設備として構成されている、請求項36に記載のマスク。
- 複数の個別鏡が、複数の傾斜可能な個別鏡として構成されていて、複数の個別鏡を傾斜させることにより、個別鏡に入射する放射が選択的に投影対物レンズの結像ビームパスへ反射され得るか又は結像ビームパスを過ぎて方向付けられ得るようになっている、請求項38に記載のマスク。
- 反射マスクが、曲率を有していて反射マスクの対称軸心に関して回転対称であり、鏡設備の複数の個別鏡が、対称軸心に関する複数の放射方向に対して垂直に配向された複数の傾斜軸心の周りで、鏡設備の他の複数の個別鏡に対して傾斜され得る、請求項39に記載のマスク。
- 反射マスクの複数の個別鏡が、投影対物レンズの物表面の領域での最大開口角度よりも大きな傾斜角度だけ、反射マスクの対称軸心に関して傾斜され得る、請求項40に記載のマスク。
- 複数の個別鏡が、その領域を本質的に充填するように配置されている、請求項38に記載のマスク。
- 複数の個別鏡が正六角形状である、請求項38に記載のマスク。
- マイクロリソグラフィ投影露光装置により感光性基質を露光する方法であって、
個別に駆動可能な複数の個別鏡のアレイを備えた鏡設備を有する反射マスクを、照明系により照明するステップと、
鏡設備の複数の個別鏡で照明放射の複数のビーム束を反射するステップと、
複数のビーム束の一部のみが投影対物レンズを通過して感光性基質上に到達するように、鏡設備の複数の個別鏡を予め決められたパターンに合わせて駆動するステップを含み、予め決められたパターンに合わせて投影対物レンズを透過した複数のビーム束により感光性基質が露光されるようになっている、方法。 - 鏡設備が、曲率を有していて投影対物レンズに関して凹形である、請求項44に記載の方法。
- 反射マスクが、投影対物レンズの物側部分を通って照明される、請求項44に記載の方法。
- 投影対物レンズの物表面に配置されたパターンを、投影対物レンズの像表面に配置された像視野に、縮小結像スケールで結像するための投影対物レンズであって、
投影対物レンズの光学軸心に沿って配置された多数の光学素子を有し、
投影対物レンズが像側開口数NA>0.85となるように、複数の光学素子が構成されて配置されていて、像表面が平面状であり、かつ、投影対物レンズの物表面が曲率を有していて投影対物レンズに関して凹形である、投影対物レンズ。 - 最大物視野直径がDmaxであり、構造長がLであり、物表面が曲率を有していて投影対物レンズに関して凹形であり、このために以下の複数の条件:
(1) 0.525・Dmax<RO<100・Dmax
(2) 0.525・Dmax<RO<10・L
の少なくとも1つが当てはまる曲率半径ROを有する、請求項47に記載の投影対物レンズ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US55738404P | 2004-03-30 | 2004-03-30 | |
US60/557,384 | 2004-03-30 | ||
PCT/EP2005/002898 WO2005096098A2 (en) | 2004-03-30 | 2005-03-18 | Projection objective, projection exposure apparatus and reflective reticle for microlithography |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007531024A true JP2007531024A (ja) | 2007-11-01 |
JP2007531024A5 JP2007531024A5 (ja) | 2008-05-01 |
JP5106099B2 JP5106099B2 (ja) | 2012-12-26 |
Family
ID=34961349
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007505428A Expired - Fee Related JP5106099B2 (ja) | 2004-03-30 | 2005-03-18 | 投影対物レンズ、マイクロリソグラフィのための投影露光装置及び反射レチクル |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8064040B2 (ja) |
EP (1) | EP1730596B1 (ja) |
JP (1) | JP5106099B2 (ja) |
KR (1) | KR101101493B1 (ja) |
DE (1) | DE602005026375D1 (ja) |
WO (1) | WO2005096098A2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2005-03-18 EP EP05716194A patent/EP1730596B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-03-18 DE DE602005026375T patent/DE602005026375D1/de active Active
- 2005-03-18 WO PCT/EP2005/002898 patent/WO2005096098A2/en active Application Filing
- 2005-03-18 JP JP2007505428A patent/JP5106099B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-03-18 US US11/547,085 patent/US8064040B2/en not_active Expired - Fee Related
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KR101101493B1 (ko) | 2012-01-03 |
WO2005096098A3 (en) | 2006-07-06 |
DE602005026375D1 (de) | 2011-03-31 |
WO2005096098A2 (en) | 2005-10-13 |
US8064040B2 (en) | 2011-11-22 |
EP1730596B1 (en) | 2011-02-16 |
EP1730596A2 (en) | 2006-12-13 |
US20080198353A1 (en) | 2008-08-21 |
KR20060130233A (ko) | 2006-12-18 |
JP5106099B2 (ja) | 2012-12-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110323 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110330 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151012 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |