JP2001297980A - マイクロリソグラフィーの投影露光装置 - Google Patents

マイクロリソグラフィーの投影露光装置

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JP2001297980A
JP2001297980A JP2001028090A JP2001028090A JP2001297980A JP 2001297980 A JP2001297980 A JP 2001297980A JP 2001028090 A JP2001028090 A JP 2001028090A JP 2001028090 A JP2001028090 A JP 2001028090A JP 2001297980 A JP2001297980 A JP 2001297980A
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beam splitter
projection exposure
exposure apparatus
lens
illumination
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JP2001028090A
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Gerd Furter
フュルター ゲルト
Uwe Goedecke
ゲデッケ ウーヴェ
Christian Dr Wagner
ヴァーグナー クリスティアン
Henriette Muller
ミュラー ヘンリエッテ
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Carl Zeiss SMT GmbH
Carl Zeiss AG
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Carl Zeiss SMT GmbH
Carl Zeiss AG
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 照明系、反射レチクル及び縮小レンズを有す
るマイクロリソグラフィーの投影露光装置を提供する。 【解決手段】 縮小レンズ(71,72)内に、照明光
路(100)と結像光路(200)を重ね合わせるビー
ムスプリッタキューブ(3)が設けられている。レチク
ルでの殆どテレセントリック入力を達成するために、ビ
ームスプリッタキューブ(3)と反射レチクル(5)の
間に光学素子(71)が存在する。有利には、縮小レン
ズは第4の未利用面を光入力結合のために使用すること
ができるビームスプリッタキューブ(3)を有するカタ
ディオプトリックレンズである。照明光路(100)
は、非平面平行ビームスプリッタプレートで入力結合さ
せることもできる。ビームスプリッタプレートの背面の
特殊な形状により、照明光路は透過における収差補正た
めに屈折的に補正される。有利には、このようなビーム
スプリッタプレートは縮小レンズの内部の偏向鏡の位置
で使用され、その際ビームスプリッタプレートと反射レ
チクルの間に屈折成分のみが設置されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、反射式で作動する
レチクルを有する投影露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】反射レチクルを有する投影露光装置は、
以下の刊行文献に記載されているように、過去において
は特に1:1ダイソンレンズ(Dyson-Objektive)と一
緒に使用された: −Owen, G. et al. ”1/8 μm optical lithography”
J. Vac. Sci. B10 (1992), p.3032-3036, 特にparts
B及びC −Owen, G. et al. ”Lithography for 0.25 μm and
below...” IEEE 1992 Symp. VLSI Technology (02. 0
6. 92) p. 116-117 −Jeong, H. et al. ”Optical projection syste
m...” J. Vac. Sci. B11 (1993)p. 2675-2679 −US4,964,705 Markel。
【0003】この場合、照明の入力結合は、US4,9
64,705図3に示されているように、半透過性鏡を
介して行われる。ビームスプリッタキューブ又はビーム
スプリッタプレートは、この設計では設けられていな
い。
【0004】軟質X線を有するリソグラフィー(EUV
L)の場合には、専ら反射レチクルで作業される。照明
光路と結像光路の光線分割は、照明の傾斜した入射によ
り実現される。ビームスプリッタキューブ又はビームス
プリッタプレートは使用されない。該レンズ系は、非軸
対称の光路を有する純粋な反射レンズである。反射レチ
クルへの照明光の傾斜した入射は、高められたマスクウ
エブが口径食を生じるという欠点を有する。
【0005】さらに、特開平9−017719号公報か
ら、特殊なレチクルとして反射LCDを有するウェーハ
投影露光装置が公知である。その図1によれば、照明光
路と結像光路を分離するために平面ビームスプリッタプ
レートが使用される。照明系及び投影レンズは、光軸に
対して対称のフィールドで作動される。特開平9−01
7719号公報に相応するレチクルの直前でビームスプ
リッタプレートを用いた照明光の入力結合は、一方では
相応の入力頂点焦点距離を必要とし、他面では平面プレ
ートの通過は照明光束の非点収差変形を生じ、これは必
要な鮮鋭な瞳結像を妨害する。
【0006】US5,956,174から、カタディオプ
トリック顕微鏡対物レンズが公知であり、この場合には
顕微鏡対物レンズとチューブレンズの間のビームスプリ
ッタキューブを介して照明光が入力結合される。この種
の照明装置は、反射光顕微鏡においては全く通常であ
る。この際、照明されるフィールド大きさは、0.5m
mの程度にすぎない。
【0007】波長193nm及び157nmのためのカ
タディオプトリック系は公知である。例えば本出願人の
公開公報DE4417489A1(US ser.no.08/
583025)及びDE19616992A1(US s
er.no.08/845384)は中間像を有しないビーム
スプリッタキューブを有するカタディオプトリック投影
レンズを開示している。
【0008】ビームスプリッタキューブ及び中間像を有
するカタディオプトリック投影レンズは、発明の名称
「物理的ビームスプリッタ及び中間像を有するカタディ
オプトリック投影レンズ(Katadioptrisches Objektiv
mit physikalischen Strahlteilern und Zwischenbil
d)」の係属中の出願DE19954727.0に記載
されている。
【0009】マイクロリソグラフィーの照明装置は、公
開公報DE4421053A1(US ser.no.08/4
90752)及びDE19520563A1(US se
r.no.08/658605)に記載されている。レチク
ルマスキング装置(REMA)をレチクルの面内に結像
するためのいわゆるREMAレンズは、、公開公報DE
19548805A1(US ser.no.08/77165
4)及びDE19653983A1(US ser.no.09
/125621)から公知である。このレンズでは、特
に後続の投影レンズの入射瞳が照明される。
【0010】透過レチクル、つまりマイクロリソグラフ
ィーのための透過式で働くマスクの製造は、深UV波
長、特に175nmのためには殊に適当な透過支持体材
料の理由から困難である。材料CaF又はMgF
考えられる。しかしながら、CaF又はMgFから
なるレチクルは加工が困難でありかつそれにより極めて
高価である。さらに、多重露光の際のレチクルの吸収に
よりかつそれに起因する熱膨張により、半導体チップに
被着することができる最少構造大きさの減少を生じる。
可能であれば、MgFのような材料は、さらに複屈折
するが故に使用されない。
【0011】1つの選択性は反射レチクルである。レチ
クルに対する要求を軽減するためには、投影レンズが縮
小レンズとして構成されておりかつレチクルを縮小して
結像する場合が有利である。その際には、レチクルに一
層大きな構造を付与することができる。
【0012】従来の縮小レンズの場合には、反射レチク
ルの使用はそのままでは不可能である。例えば30mm
の典型的な入力頂点焦点距離は、適当な入射角度での照
明を妨害する。
【0013】従って、本発明の課題は、反射レチクルで
申し分のない機能を生じる縮小レンズを有する投影露光
装置を提供することである。
【0014】前記課題は、照明光路と結像光路を重ね合
わせるためにビームスプリッタキューブを利用する請求
項1記載のマイクロリソグラフィーの投影露光装置によ
り解決される。それにより、以下の実施例に示すよう
に、反射レチクルのために多数のレンズ設計構想を適合
させることができる。面平行のビームスプリッタプレー
トの代わりにビームスプリッタキューブを使用すること
により、透過式で作動する、45゜で設置されたビーム
スプリッタプレートの収差導入が回避される。
【0015】請求項2に基づき、ビームスプリッタキュ
ーブとレチクルの間に光学素子を設けるのが有利であ
る。この光学素子で、レチクルへの縮小レンズの主光線
の入射角度を、±15mradの間の値を有するように
縮小することが可能である。
【0016】照明系は、請求項4に基づき、照明光路が
2.5mrad未満の偏差をもって結像光路に移行する
ように設計されるべきである。この偏差は、レチクルで
の反射後のセントロイド光線(centroid ray:Schwerst
rahl:レンズフレームによるかもしくはカットされた光
束のエネルギーによる重心(軸)を形成する、主光線と
類似して、基準光線の形成と称される。ABC der Optik
von Muetz 1961, S415参照)に関してレチクル面に対す
る角度を測定しかつ相応する主光線の角度に対する偏差
を計算することにより測定可能である。セントロイド光
線の角度は、光源の放射特性及び照明系の設計に依存
し、かつ主光線の角度は専ら縮小レンズの設計に依存す
る。
【0017】ビームスプリッタキューブでの透過損失を
減少させかつ散乱光がウェーハに向けて偏向されないよ
うにするために、請求項5に基づき、偏光ビームスプリ
ッタキューブを用いる。最適な機能様式のためには、照
明光は95%より多くが直線されるねばならない。偏光
装置は、照明光路がビームスプリッタ層で反射されるべ
きか又はされないべきかに依存する。反射の場合には、
照明光はビームスプリッタ面に対して平行に偏光されね
ばならず、透過の場合にはビームスプリッタ面に対して
垂直に偏光されねばならない。
【0018】請求項6〜10は、ビームスプリッタキュ
ーブが専ら照明光路の入力結合のために利用される実施
態様に関する。ビームスプリッタキューブを縮小レンズ
の設計内に容易に組み込むことができるようにするに
は、縮小レンズを、結像倍率−1.0±0.25を有す
る第1の中間結像系及び結像倍率−0.25±0.15
を有する第2の結像系を有する2つの部分レンズに分割
するのが有利である。この場合、ビームスプリッタキュ
ーブは、第1の中間結像系に組み込まれる。第2の結像
系は純粋屈折型又はカタディオプトリック型に構成され
ていてもよい。
【0019】ビームスプリッタキューブを有する照明光
路の入力結合は、ビームスプリッタキューブが請求項1
1〜13に基づき既に縮小レンズの構成部分である場合
が有利である。その際には、ビームスプリッタキューブ
の第4の未利用面を照明光路の入力結合のために利用す
ることができる。
【0020】カタディオプトリックレンズの設計が偏向
鏡を有している場合には、該偏向鏡を、照明光の入力結
合を媒介するビームスプリッタキューブと交換すること
ができる。
【0021】この場合、カタディオプトリックレンズの
設計は中間像を有するように、また有しないように構成
されていてもよい。
【0022】同様に、前記課題は、照明光路内では透過
型で、結像光路内では反射式に働く特殊なビームスプリ
ッタプレートが設けられた請求項17から23に記載の
投影露光装置により解決される。この際、反射系は空気
中で、従って真空又は特別のガス混合物又はガス、例え
ば窒素もしくはヘリウムであってよい光学的により希薄
な媒体内で行われる。該ビームスプリッタプレートは、
傾斜して設置されたプレートに基づく非点収差が屈折で
補正されるように構成されている。
【0023】従って、共通した本発明の思想は、結像光
路がビームスプリッタ装置による妨害なしに保たれかつ
より低い要求を有する照明光路が直接ビームスプリッタ
装置により補正されることにある。ビームスプリッタキ
ューブの場合には、回転対称の像収差のみが導入され、
該像収差は、照明系の内部で回転対称の光学素子、例え
ば球面レンズにより補正することができる。本発明によ
るビームスプリッタプレートの場合には、照明光路の補
正は、ビームスプリッタプレートの照明系に面した側の
特殊な形成により行われる。
【0024】この場合、好ましくはビームスプリッタプ
レートは請求項17に基づき非平面の補正面を備えてい
る。ビームスプリッタプレートの傾斜設置により、補正
面は回転対称ではなく、メリジオナル面を基準とした簡
単な対称を有する。
【0025】この場合、最低次数の非点収差を補正する
ために、ビームスプリッタプレートは請求項18に基づ
き楔形に形成されている。
【0026】殊にビームスプリッタプレートが請求項2
0に基づき縮小レンズの構成において設けられた偏向鏡
の位置に存在すれば、1つのビームスプリッタプレート
を使用することができる。
【0027】請求項21〜23は、ビームスプリッタプ
レートを使用するのための有利な実施態様である。
【0028】請求項24は、前記請求項のいずれか1項
記載の投影露光装置を使用することを特徴とするマイク
ロリソグラフィー部品のための製造方法を提供する。
【0029】照明光学系と投影光学系の本発明による重
ね合わせは、特に100〜200nmの範囲内の使用波
長において反射レチクルの使用を可能にする。それによ
り、この波長で透明な材料の加工による透過レチクルの
製造の際に生じる困難が回避される。
【0030】
【実施例】本発明を図面により詳細に説明する。
【0031】図1には、マイクロリソグラフィーの本発
明による投影露光装置の典型的な構造が示されている。
反射レチクル5は、−0,25±0.15の典型的結像
倍率を有する縮小結像系を介してウェーハ6に結像され
る。この場合、ウェーハ6上の照明フィールドは、少な
くとも10mmの直径を有する。典型的であるのは、
1:1〜1:4のx/yアスペクト比を有する方形のフ
ィールドである。像側の開口数は0.5よりも大であ
る。結像は光学素子71及び72を介して行われる。反
射レチクル5を照明するために、反射レチクル5とウェ
ーハ6の間の縮小レンズの結像光路200内にビームス
プリッタキューブ3が組み込まれている。この場合、こ
れは例えば偏光/ビームスプリッタキューブ3であって
もよく、該ビームスプリッタキューブの場合には、プリ
ズム面の間に、ビームスプリッタ面30に対して平行に
偏光された光は殆ど完全に反射されるが、ビームスプリ
ッタ面30に対して垂直に偏光された光に対しては透過
性である層系が存在する。従って、図1に基づく装置の
ための前提は、照明光が45゜で設置されたビームスプ
リッタ面30の入射面に対して平行に偏光されているこ
とである。このように偏光された光はビームスプリッタ
面30で反射されかつ反射レチクル5の方向に偏向され
る。ビームスプリッタキューブ3と反射レチクル5の間
には、λ/4プレート4が設置されており、これは計2
回通過される。最初は照明光路内で通過されるので、直
線偏光された光は円偏光される。レチクル5での反射後
に、円偏光された光は結像光路200内でλ/4プレー
ト4の2回目の通過を行いかつ今や再び直線偏光され
る。しかし今や、偏光方向はビームスプリッタキューブ
3のビームスプリッタ面30に対して垂直に方向付けら
れているので、ビームスプリッタキューブ3は反射せず
に通過される。それに伴い、偏光/ビームスプリッタキ
ューブ3、λ/4プレート4の2回の通過及び反射レチ
クル5の組み合わせで照明光路100と結像光路200
の分離が行われる。面平行のスプリッタプレートは偏光
/ビームスプリッタキューブ3に対して、45゜で設置
された有限の厚さのビームスプリッタプレートにより非
回転対称の結像収差が導入されるという欠点を有すると
見なされる。
【0032】偏光/ビームスプリッタキューブ3は結像
光路200の内部の、ビームスプリッタ面30に当たる
光線が僅かな発散を呈する位置に配置されるべきであ
る。この状況は、偏光/ビームスプリッタキューブ3が
殆どコリメートされた光路を有する位置に存在する場合
に生じる。従って、反射レチクルと偏光/ビームスプリ
ッタキューブ3の間に、レチクルから到来する発散光束
を実質的にコリメートする全体で正の屈折力を有する光
学素子71が設けられるべきである。該光学素子72は
その都度の設計タイプに基づき種々に構成されていても
よいが、可能な中間像面又はウェーハ面6への結像を達
成するために、全体で同様に正の屈折力を有するべきで
ある。
【0033】光学素子71及び72を合わせて−0.2
5±0.15の典型的結像倍率βを有する屈折縮小レン
ズとして構成することもできる。その際、この屈折レン
ズ系の設計においては、光学素子71と光学素子72の
間にλ/4プレート4及びビームスプリッタキューブ3
を設けるべきである。
【0034】照明系2により反射レチクル5を照明する
場合には、ビームスプリッタキューブ3、λ/4プレー
ト4及び光学素子71は照明系2の設計の際に考慮すべ
きである。従って、照明系2と結像光学系の間の交差位
置は、透過レチクル又はレチクルの傾斜照明の場合のよ
うにレチクル5ではなく、ビームスプリッタキューブ3
の、照明系2に面した入力部である。
【0035】照明光学系2の光学的構造を簡単にするた
めに、レチクル面を基準とした主光線角度が±5mra
dよりも小さい、従ってレチクル5が殆どテレセントリ
ックに照明されれば有利である。主光線は縮小レンズ内
で、それが系絞りの位置で光軸と交差するように規定さ
れている。主光線角度がより大きくなれば、照明光学系
の設計は、レチクル5の面内の照明光路100のセント
ロイド光線を結像光路200内の主光線内に移行させね
ばならないことにより困難になる。レチクルでの反射に
基づき、セントロイド光線の入射角度は主光線と逆の符
号を有する必要がある。それにより、照明光路100は
光学素子71内部の結像光路200とは異なる。照明フ
ィールド上の主光線角度の分配は、照明系2によって過
剰補償されるねばならない。レチクル5での主光線角度
分配は主として光学素子71によって決まりかつこの光
学素子71は照明系2の設計のために前もって固定され
ているので、照明系2において、レチクル5でのセント
ロイド光線角度に影響を及ぼす光学成分、例えば収束レ
ンズ及び発散レンズの順序が設けられねばならない。
【0036】照明系2内の光学成分は、照明光路100
のセントロイド光線が反射レチクル5での反射後にその
都度のフィールド高さに基づき縮小レンズの設計によっ
て前もって与えられた主光線と±2.5mradの最大
角度偏差まで一致するように構成さている。さもなけれ
ば、ウェーハ面6における通常要求されるテレセントリ
ーは損なわれるであろう。
【0037】照明系2は、照明光の偏光状態を変化させ
るための装置を有さねばならない。光源1の直線偏光さ
れた光の場合には、場合により偏光方向を例えば複屈折
結晶又は複屈折シートにより回転させねばならない。光
源1の偏光されていない光の場合には、ビームスプリッ
タ面30に対して平行又は垂直に偏光された光を発生さ
せるための偏光子を使用しなければならない。これらの
偏光状態に影響を及ぼす成分は、ビームスプリッタキュ
ーブ3の直前に設置するのが好ましい。偏光方向は、照
明光路100がビームスプリッタ面30で反射されるべ
きか又はされないべきかに依存する。例えば反射の場合
には、照明光はビームスプリッタ面30に対して平行に
偏光されなばならない。
【0038】通常、レチクル5の均等な照明のための照
明系2は、例えばハニカムコンデンサ、ウエーブガイド
又はガラスロッドのようなインテグレータを有する。照
明モードを変更するために、照明系2内にズーム光学
系、アキシコン素子、瞳面内のフィルタプレート、瞳又
は中間フィールド面内のマスキング装置が設けられてい
てもよい。これらの素子の機能方式は、本出願人の公開
公報DE19520563A1に記載されている。照明
光路100のセントロイド光線角度を縮小レンズの主光
線角度に合わせるため、つまり縮小レンズの入射瞳の正
確な照明のための照明系2内のレンズ系は、DE196
53983A1又はDE19548805A1からRE
MAレンズとして公知である。
【0039】光源1としては、DUV又はVUVレー
ザ、例えば193nmのためのArFレーザ、157n
mのためのFレーザ、126nmのためのArレー
ザ及び109nmのためのNeFレーザが使用される。
【0040】図2は、マイクロリソグラフィー用の本発
明による投影露光装置のもう1つの実施例を示す。図1
と同じ部分には、同じ参照数字を付した。図2における
結像系7〜8は、この場合には中間像面103を有す
る。この場合、光学素子101、λ/4プレート4、偏
光ビームスプリッタキューブ3及び光学素子102から
なる中間結像系7は、中間像面103に反射レチクル5
の中間結像が行われる。この中間結像の結像倍率β
は、β=−1.0±0.2であってよい。例えば、
後続の光学系8の設計を簡単にする場合には、結像倍率
β=−0.5±0.2を有する縮小結像も可能であ
る。照明光の入力結合は、この場合には中間結像系7内
においてλ/4プレート4が後続された偏光ビームスプ
リッタキューブ3を介して行われる。この場合、光学素
子101及び102はそれぞれ正の屈折力を有し、しか
も偏光ビームスプリッタキューブ3は殆どコリメートさ
れた光路を有する範囲内に存在する。中間像面103の
後に光学素子104が続き、該光学素子は中間像面10
3をウェーハ面6にβ=−0.25±0.15もしく
はβ =0.5±0.15の結像倍率で結像する。この
実施例においては、縮小レンズは中間結像系7と縮小系
8との分割されている。これは、中間結像系7内に偏光
ビームスプリッタキューブ3のための十分な空間を提供
することができるという利点を有する。この配置におい
ても、光学素子101、λ/4プレート4及びビームス
プリッタキューブ3を照明系2の設計に取り入れねばな
らない。中間結像系7は、反射レチクル5が殆どテレセ
ントリックに照明されるように構成されているのが有利
である。この場合、反射レチクル5への主光線の入射角
度は、15mradよりも小さいべきである。
【0041】図3は、マイクロリソグラフィー用の本発
明による投影露光装置の別の実施例を示す。この場合に
は、反射レチクル5とウェーハ面6の間の結像は、2つ
の中間像面113及び118で行われる。この場合、中
間像面113に対する反射レチクル5の中間結像系9
は、図2の中間結像系7と類似して構成されている。ウ
ェーハ6への中間像面113の結像は、まずカタディオ
プトリック中間結像系10及び後続の屈折縮小系11に
より行われる。カタディオプトリック中間結像系10
は、光学素子114、偏光鏡115、光学素子116及
び凹面鏡117からなる。反射偏向鏡115に基づき、
中間結像系10の物体フィールドは光軸の対して中心に
あるのではなく、光軸の外側にある。この場合にはこの
ことは、部分系10及び11を部分系9に対してずらし
て配置しなければならないことを意味する。この投影レ
ンズにおいては、像側の開口数は0.65〜0.8の範
囲又はそれ以上を有することができる。この場合、20
mm×7mm〜10mmの範囲のウェーハ面6内のフィ
ールド大きさが可能である。このようなレンズ系は、本
出願人の係属出願EP99112539(US ser.n
o.09/364382)に記載されている。
【0042】結像光路200内への照明光路100の入
力結合は、若干のカタディオプトリックレンズタイプに
おけると同じように、結像光路200内に既にビームス
プリッタキューブが設けられていれば特に有利である。
ビームスプリッタキューブを有するカタディオプトリッ
クレンズタイプは種々の実施形で公知である。
【0043】図4は、中間像なしで構成された、ビーム
スプリッタキューブ31を有する可能なカタディオプト
リック投影レンズを示す。このようなレンズ系は、レチ
クル5から出発して第1のレンズ群121、偏向鏡12
2,第2のレンズ群123、ビームスプリッタキューブ
31、第3のレンズ群124、凹面鏡125、第4のレ
ンズ群126、及び素子123と126の間に配置され
た絞りからなる。このレンズ系に関しては、結像倍率β
=−0.25±0.15、像側の開口数>0.5及び像
野直径>10mm、好ましくは>20mmである。この
第1のレンズ群121及び第2のレンズ群123は、偏
光/ビームスプリッタキューブ31のビームスプリッタ
面での発散が最少になるように構成することができる。
光軸上の物点から出発する縁部光線を考慮すれば、第1
及び第2のレンズ群121及び123を通る光軸を基準
としたこの光線の角度の正弦を40%まで減少させるこ
とができる。凹面鏡125と一緒に十分な色補正を達成
するためには、レンズ群124は負の屈折力を有しなけ
ればならない。レンズ群126は、像をウェーハ面6内
に生じる、従って正の屈折力を有する。光学素子12
1,122,123,124,125,126及びビー
ムスプリッタキューブ31からなる図4に示された縮小
レンズ12は、DE196169221A1に記載され
ている。
【0044】今や、この反射レチクル5を有するレンズ
タイプを使用すれば、照明光は偏光/ビームスプリッタ
キューブ31を介して入力結合させることができる。こ
のために有利には、偏光/ビームスプリッタキューブ3
1の第4の未利用面を使用する。ビームスプリッタ面3
10でがウェーハ6の方向に反射されず、ひいてはそれ
によりコントラスト及び解像力が低下されないように、
必然的に、照明光は95%より多くがビームスプリッタ
プ面310に対して垂直に偏光されることが必要であ
る。従って、照明系2と偏光/ビームスプリッタキュー
ブ31の間に、その透過性偏光方向がビームスプリッタ
面310に対して垂直に配向された偏光フィルタを組み
込むのが有利である。
【0045】偏光/ビームスプリッタキューブ31の後
に第1のλ/4プレート41が引き続いており、それに
より照明光路100の光束は円偏光される。反射レチク
ル5からウェーハ6に向かって延びる結像光路200の
光束は、λ/4プレート41により再び、但し今やビー
ムスプリッタ面310に対して平行に偏光され、かつビ
ームスプリッタ面310で凹面鏡125に向かって反射
される。光束125が凹面鏡125に当たる前に、該光
束は第2のλ/4プレート42により円偏光されかつ凹
面鏡125での反射後に第2のλ/4プレート42を通
過する際に再びビームスプリッタ面310に対して平行
に直線偏光されるので、該光束は偏光/ビームスプリッ
タキューブ31をウェーハ6の方向に向かって通過す
る。
【0046】偏光/ビームスプリッタキューブ31とレ
チクル5の間の第1のλ/4プレート41に達するま
で、偏光/ビームスプリッタキューブ31を有する従来
のカタディオプトリック縮小レンズ12を変更せずに反
射レチクル5と一緒に使用することができる。照明系2
の設計においては、照明光が同様に通過する投影レンズ
の光学素子を一緒に考慮することが決定的である。
【0047】光源1の光は照明系2内に、偏光/ビーム
スプリッタキューブ31、第1のλ/4プレート41、
第2のレンズ群123、偏向鏡122及び第1のレンズ
群121の通過後に、反射レチクル5をリソグラフィー
要求に相応して照明するように配置される。照明の均等
性及び照明モード、例えばコヒーレント、インコヒーレ
ント、環状又は四極型照明は、照明系2内の相応する成
分により提供される。縮小レンズ12の入射瞳を正確に
照明するために、偏光/ビームスプリッタキューブ31
及び光学素子121〜123は照明光路100の固定成
分として一緒に見なされかつその作用は照明系2の設計
の際考慮されるべきである。
【0048】図4に基づく縮小レンズ12の配置におい
て、図5及び図6に示されているように、照明光100
を偏向鏡122を介して入力結合することも考えられ
る。
【0049】図5においては、図4に示された偏向鏡1
22が偏光/ビームスプリッタプレート32と交換され
ている。照明光路100の光束は、偏光/ビームスプリ
ッタプレート32を通過するように偏光されているべき
である。偏光/ビームスプリッタプレート32とレチク
ル5の間に設置されたλ/4プレート43は、照明光路
100の光束を円偏光せしめる。レチクル5での反射後
に、結合光路200の光束はλ/4プレート43を通過
する際にビームスプリッタ面321に対して平行に偏光
されるので、該光束は偏光/ビームスプリッターキュー
ブ33の方向に反射される。光路200内に45゜で設
置された公知の平行平面ビームスプリッタプレートの使
用は、照明光路100内で、例えば軸内のコマ及び非点
収差のような非回転対称像収差を生じる。従ってこの場
合には、本発明によるビームスプリッタプレート32を
使用する。該ビームスプリッタプレートは、最適化され
た楔角度により最低の次数の非点収差を完全に排除する
ことができるように楔形プレートとして構成されてい
る。この場合、楔角度は、楔の厚い側が照明系の方向
に、薄い側がレチクル5の方向に向けられるように設計
されている。残留する高次の像収差は、照明系2に向か
う面322の意図的な非球面化により補償することがで
きる。この場合、非球面化は例えばイオンビーム又はロ
ボットポリッシングにより行うことができる。この場
合、非球面形は一般に回転対称ではなく、単純対称を有
する。対称面はメリジオナル面である。照明光路100
の内部で、このような楔形プレート及び非球面化された
背面322による補正は、レチクル5の正確な照明のた
めの必要な仕様(Spezifikation)を達成するために十
分である。それに反して、結像光路200内では、透過
において偏光/ビームスプリッタプレート32を使用す
ることは導入される結像収差に基づき不可能である。図
5における配置の場合には、結像光路200の妨害は生
じない。それというのも、結像光路200内ではビーム
スプリッタ32のうちの平坦な表面321のみが反射に
使用されるので、結像光路200の光線は空気で反射さ
れるからである。空気とは、屈折率ほぼ0.1を有する
媒体であると解されるべきである。それには部分真空化
された空間又は例えば窒素、ヘリウムを有するガス充填
物も考慮されるべきである。
【0050】図4の偏向鏡122又は図5のビームスプ
リッタプレート31は、図6に示されているような偏光
/ビームスプリッターキューブ34と交換することもで
きる。偏光/ビームスプリッターキューブ34はビーム
スプリッタプレート32に比して、より簡単に補正する
ことができる回転対称の像収差のみがが導入されるに過
ぎないという利点を有する。それに反して、ビームスプ
リッタプレート32と比較すると、ビームスプリッタキ
ューブ34は、ガラスプリズムによる付加的なガラス路
が、まさに低波長で有害となる透過損失を生じるという
欠点を有する。
【0051】偏光/ビームスプリッターキューブ36を
介して照明光を入力結合することは、図7に示されてい
るように、レンズ設計の別の分類においても提供され
る。この場合、縮小レンズは、偏光/ビームスプリッタ
ーキューブ36を有するカタディオプトリック部分レン
ズ15、中間像95及び屈折縮小レンズ16からなる。
この場合、カタディオプトリック部分レンズ15は、図
7におけるようにレチクル5に引き続いていてもよく、
またウェーハ6の前方に配置されていてもよい。カタデ
ィオプトリック部分レンズ15内に既に偏光/ビームス
プリッターキューブ36が含まれており、その第4の、
未だ利用されない側を介して照明光路100の光線を入
力結合させることができる。
【0052】この場合、照明系2から到達する光は、極
めて良好に、有利には95%より多くがビームスプリッ
タ面360に対して垂直に偏光されていなけらばならな
い。それにより投影レンズのコントラスト及び解像力が
低下せしめられる、好ましくないウェーハ6方向への反
射が回避される。
【0053】偏光/ビームスプリッターキューブ36と
レチクル5の間には、第1のλ/4プレート47が設置
されねばならない、それに伴い結像光路200の光線は
λ/4プレート47の透過後に、偏光/ビームスプリッ
ターキューブ36で凹面鏡93の方向に反射されるよう
に偏光されている。
【0054】ビームスプリッタ面360が殆どコリメー
トされた光路で通過されるように、レチクル5と偏光/
ビームスプリッターキューブ36の間には、全体で正の
屈折力を有する光学素子91が存在する。
【0055】偏光/ビームスプリッターキューブ36と
凹面鏡93の間には、結像光路200の光線が凹面鏡9
3での反射後に偏光/ビームスプリッターキューブ36
を偏向されずに中間像95の方向に通過するように、第
2のλ/4プレート48が設置されていなければならな
い。
【0056】偏光/ビームスプリッターキューブ36と
凹面鏡93の間には、全体で負の屈折力を有する光学素
子92が存在する。該光学素子は2回の通過で光束によ
り透過されかつ色過剰補正を導入する。
【0057】凹面鏡93は、色収差を導入せず、かつカ
タディオプトリック部分レンズ15が全体で正の屈折力
を有するように十分に正の屈折力を有するという利点を
有する。
【0058】偏光/ビームスプリッターキューブ36が
殆どコリメートされた光路で透過される場合には、中間
像95の前方に、中間像を形成するために、全体で正の
屈折力を有する別の光学素子94が必要である。
【0059】中間像95が既に凹面鏡93及び光学素子
92の作用により形成されかつ偏光/ビームスプリッタ
ーキューブ36内部のコリメートされた光路を放棄すれ
ば、光学素子94を省くことができる。
【0060】通常、物体はβ=−1.0±0.25の
結像倍率で中間像に結像される。
【0061】中間像95の後方に、例えばβ=−0.
25±0.15の結像倍率を有する屈折縮小結像系が続
く。図7においては、中間像95とウェーハ6の間の部
分レンズは光学素子96、98及び偏向鏡97からな
る。
【0062】また、光学素子96の前方に偏向鏡97を
配置することも可能である。
【0063】ウェーハ面6内の照明フィールドの直径
は、この部類のレンズ系においては、0.5より大の像
側の開口数において、10mmよりも大きい。
【0064】図7に略示されたビームスプリッタキュー
ブ及び中間像を有する実施例のために、図8は結像倍率
β=−0.25、直径14.3mmを有する像野及び像
側の開口数0.7に関する具体的な構成を示す。この場
合、図8における参照符号は図7における参照符号と同
じである。光学的データは、第1表にまとめられてい
る。
【0065】図8の実施例は、本出願人の係属出願DE
19954727.0に見られかつそこに詳細に説明さ
れている。
【0066】第1表において、第1のコンタクトにおい
てビームスプリッタ面360には面7が、凹面鏡93に
は面19が、第2のコンタクトにおいてビームスプリッ
タ面360に面31が、偏向鏡97には面36がかつ中
間像95には面38が配属される。SiO2は石英ガラ
スを、CaF2はフッ化カルシウム単結晶を示す。
【0067】
【表1】
【0068】
【表2】
【0069】
【表3】
【0070】光学素子91は、この場合には2つの収束
レンズ131及び132からなる。偏光/ビームスプリ
ッターキューブ36の近くに設置された収束レンズ13
2は、周辺光線の発散を減少させる。それにより、偏光
/ビームスプリッターキューブ36内で十分にコリメー
トされた光路が形成される。レチクル5の近くの収束レ
ンズ131で、レチクル5で殆どテレセントリック主光
線進行が達成される。第2表は、レチクル面5における
物体高さに関して面法線を基準とした主光線角度をmr
adで示す。主光線角度は、主光線がレチクル5での反
射後に光軸に対して収束するように進行すれば、正であ
る。この実施例においては、最大主光線角度0.5mr
adに過ぎない。従って、レチクルでの入力は殆ど完全
にテレセントリックである。
【0071】
【表4】
【0072】この場合、照明系2内の照明光路100の
セントロイド光線角度の投影レンズの主光線への適合は
特に簡単である。それというのも、照明光路100及び
結像光路200はビームスプリッタキューブ3とレチク
ル5の間の共通の成分91の内部で十分に重なり合うか
らである。
【0073】偏光/ビームスプリッター36及び両者の
集束レンズ131及び132は、照明系2の設計に一緒
に考慮されている。この場合、レチクルの前方の照明系
2の最後の成分が、DE19548805A1又はDE
19653983A1に記載されているように、REM
Aレンズである場合には、REMAレンズは大きな困難
なく、偏光/ビームスプリッターキューブ36のための
屈折キューブ、λ/4プレート47のための屈折平面プ
レート及びREMAレンズのフィールドレンズにおいて
は両者の集束レンズ131及び132が組み込まれるよ
うに変更することができる。
【0074】この場合には、偏向鏡97を介する照明光
路100の光線の入力結合は不可能である。偏光/ビー
ムスプリッターキューブ又は偏光/ビームスプリッター
プレートを介する照明光の入力結合は、この第1のビー
ムスプリッタ面を通過した後の光が別のビームスプリッ
タ面に当たることができず、可能な別の光学素子を通過
した後に反射される際にのみ可能である。しかしなが
ら、図8の配置においては、照明光が偏向鏡97により
入力結合されれば、ビームスプリッタキューブ36の反
射面ではなく、別の偏光/ビームスプリッター面360
が続くことになる。この場合には、入力結合は幾何学的
ビームスプリッタプレート又は幾何学的ビームスプリッ
タキューブを介してのみ考えられる。しかしながら、こ
のことは高い透過損失をもたらすと見なされる。
【図面の簡単な説明】
【図1】反射レチクル及び照明光を入力結合させるため
のビームスプリッタキューブを有する縮小レンズを示す
図である。
【図2】中間結像系が前置されており、該結像系に照明
光入力のためのビームスプリッタキューブが組み込まれ
ている縮小レンズを示す図である。
【図3】中間結像系が前置されており、該結像系に照明
光入力のためのビームスプリッタキューブが組み込まれ
ているカタディオプトリック縮小レンズを示す図であ
る。
【図4】中間結像系を有していず、その際照明光路がカ
タディオプトリック縮小レンズのビームスプリッタキュ
ーブを介して入力結合されるカタディオプトリック縮小
レンズを示す図である。
【図5】中間結像系を有していず、その際照明光路がビ
ームスプリッタプレートを介して偏向素子の位置で入力
結合されるカタディオプトリック縮小レンズを示す図で
ある。
【図6】中間結像系を有していず、その際照明光路がビ
ームスプリッタキューブを介して偏向素子の位置で入力
結合されるカタディオプトリック縮小レンズを示す図で
ある。
【図7】中間結像系を有し、その際照明光路がカタディ
オプトリック縮小レンズのビームスプリッタキューブを
介して入力結合されるカタディオプトリック縮小レンズ
を示す図である。
【図8】ビームスプリッタキューブ及び中間結像系を有
するカタディオプトリック縮小レンズの1実施例を示す
図である。
【符号の説明】
1 光源、 2 照明系、 3,31,34,36
(第1の偏光)ビームスプリッタキューブ、 4,43
λ/4プレート、 5 反射レチクル(マスク)、
6 基板、 7,9 第1のレンズ、 8,10,11
第2のレンズ、12,13,14,15,16 反射
屈折レンズ、 32 ビームスプリッタプレート、 7
1,72 縮小レンズ(光学素子)、 31,35 第
2のビームスプリッタキューブ、 100 照明光路、
103 中間像、 121 屈折素子、 125 凹
面鏡、 200 結像光路、 30,310,340,
360 ビームスプリッタ面、 122 偏向鏡、 3
21 ビームスプリッタプレートの第1の面、 322
補正面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 クリスティアン ヴァーグナー ドイツ連邦共和国 アーレン メーレンシ ュトラーセ 9 (72)発明者 ヘンリエッテ ミュラー ドイツ連邦共和国 アーレン ガルテンシ ュトラーセ 55

Claims (24)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 −光源(1)、 −照明光路(100)を有する照明系(2)、 −反射レチクル(5)、 −結像光路(200)を有する縮小レンズ(71,7
    2)を有するマイクロリソグラフィーの投影露光装置に
    おいて、縮小レンズ(71,72)内に −照明光路(100)と結像光路(200)を重ね合わ
    せるビームスプリッタキューブ(3)が設けられている
    ことを特徴とするマイクロリソグラフィーの投影露光装
    置。
  2. 【請求項2】 第1のビームスプリッタキューブ(3)
    と反射レチクル(5)の間に光学素子(71)が設けら
    れていることを特徴とする請求項1記載の投影露光装
    置。
  3. 【請求項3】 反射レチクル(5)での主光線の入射角
    度が±15mradまで、有利には±5mradまで、
    特に好ましくは±1mradまでの値を有することを特
    徴とする請求項1から2までの少なくとも1項記載の記
    載の投影露光装置。
  4. 【請求項4】 レチクルからの反射後の照明光路(10
    0)のセントロイド光線の、縮小レンズ(71,72)
    の相応する主光線からの角度偏差が最大±2.5mra
    dであることを特徴とする請求項3記載の投影露光装
    置。
  5. 【請求項5】 第1のビームスプリッタキューブ(3,
    31,34,36)が偏光/ビームスプリッタキューブ
    であり、かつ照明光(100)は偏光/ビームスプリッ
    タキューブ(3,31,34,36)に入射する前に、
    照明光路(100)がビームスプリッタ面(310,3
    40,360)で反射されるべきでない場合には、95
    %より多くがビームスプリッタ面(310,340,3
    60)に対して垂直に直線偏光され、かつ照明光路(1
    00)がビームスプリッタ面(30)で反射されるべき
    場合には、95%より多くがビームスプリッタ面(3
    0)に対して平行に直線偏光されることを特徴とする請
    求項1から4までの少なくとも1項記載の投影露光装
    置。
  6. 【請求項6】 縮小レンズが屈折レンズ(71,72)
    であり、該屈折レンズ内に第1のビームスプリッタキュ
    ーブ(3)が設けられていることを特徴とする請求項1
    から5まで少なくとも1項記載の投影露光装置。
  7. 【請求項7】 縮小レンズがビームスプリッタキューブ
    (3)の組み込まれた第1のレンズ系(7)、中間像
    (103)及び第2のレンズ系(8)からなることを特
    徴とする請求項1から5まで少なくとも1項記載の投影
    露光装置。
  8. 【請求項8】 第1のレンズ系(7)が−1.0±0.
    25の結像倍率を有しかつ第2のレンズ系(8)が−
    0.25±0.15の結像倍率を有することを特徴とす
    る請求項7記載の投影露光装置。
  9. 【請求項9】 第1のレンズ系(7)及び第2のレンズ
    系(8)が純粋に屈折型に構成されていることを特徴と
    する請求項7から8までの少なくとも1項記載の投影露
    光装置。
  10. 【請求項10】 第1のレンズ系(9)が純粋に屈折型
    にかつ第2のレンズ系(10,11)がカタディオプト
    リック型に構成されていることを特徴とする請求項7か
    ら8までの少なくとも1項基記載の投影露光装置。
  11. 【請求項11】 縮小レンズがカタディオプトリックレ
    ンズ系(12,13,14,15,16)であることを
    特徴とする請求項1から5までの少なくとも1項記載の
    投影露光装置。
  12. 【請求項12】 縮小レンズ(14)が凹面鏡(12
    5)、及び凹面鏡(125)に向かう光路と凹面鏡(1
    25)からの光路に分割する第2のビームスプリッタキ
    ューブ(35)を有することを特徴とする請求項11記
    載の投影露光装置。
  13. 【請求項13】 縮小レンズ(12)において、第1と
    第2のビームスプリッタキューブ(31)が1つにまと
    められ、唯一のスプリッタ面(310)を有することを
    特徴とする請求項12記載の投影露光装置。
  14. 【請求項14】 縮小レンズ(14)において、第1の
    ビームスプリッタキューブ(34)が偏向鏡(122)
    の代わりをすることを特徴とする請求項12記載の投影
    露光装置。
  15. 【請求項15】 縮小レンズ(12,13,14)が中
    間像なしに構成されていることを特徴とする請求項11
    から14までの少なくとも1項記載の投影露光装置。
  16. 【請求項16】 縮小レンズ(15,16)が中間像
    (95)を有することを特徴とする請求項11から14
    までの少なくとも1項記載の投影露光装置。
  17. 【請求項17】 −光源(1)、 −照明光路(100)を有する照明系(2)、 −反射レチクル(5)、 −結像光路(200)を有する縮小レンズ(13)、 −照明光路(100)と結像光路(200)を重ね合わ
    せ、かつ結像光路(200)をスプリッタプレート(3
    2)の第1の面(321)で空気中に反射するビームス
    プリッタプレート(32)を有するマイクロリソグラフ
    ィーの投影露光装置において、ビームスプリッタプレー
    ト(32)の第1の面(321)が平面でありかつ第2
    の面が平面と異なる補正面(322)であることを特徴
    とするマイクロリソグラフィーの投影露光装置。
  18. 【請求項18】 ビームスプリッタプレート(32)が
    楔形であることを特徴とする請求項17記載の投影露光
    装置。
  19. 【請求項19】 照明光路(100)が透過において屈
    折的に補正されることを特徴とする請求項17から18
    までの少なくと1項記載の投影露光装置。
  20. 【請求項20】 縮小レンズ(13)において、ビーム
    スプリッタプレート(32)が偏向鏡(122)の代わ
    りをする請求項17から19までの少なくとも1項記載
    の投影露光装置。
  21. 【請求項21】 縮小レンズ(13)において、ビーム
    スプリッタプレート(32)とレチクル(5)の間に屈
    折素子(121)及びλ/4プレート(43)のみが設
    置されていることを特徴とする請求項17から20まで
    のいずれか1項記載の投影露光装置。
  22. 【請求項22】 ビームスプリッタプレート(32)が
    カタディオプトリック縮小レンズ(13)内に設置され
    ていることを特徴とする請求項17から21までのいず
    れか1項記載の投影露光装置。
  23. 【請求項23】 カタディオプトリック縮小レンズ(1
    3)が中間像なしに構成されていることを特徴とする請
    求項17から22までのいずれか1項記載の投影露光装
    置。
  24. 【請求項24】 感光層を備えた基板(6)をマスク
    (5)及び請求項1から23までの少なくとも1項記載
    の投影露光装置を用いて露光しかつマスク(5)に含ま
    れたパターンの結像により構造化することを特徴とす
    る、マイクロ構造化された部品の製造方法。
JP2001028090A 2000-02-05 2001-02-05 マイクロリソグラフィーの投影露光装置 Pending JP2001297980A (ja)

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DE10005189A DE10005189A1 (de) 2000-02-05 2000-02-05 Projektionsbelichtungsanlage mit reflektivem Retikel

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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006173305A (ja) * 2004-12-15 2006-06-29 Canon Inc 露光装置及び方法、並びに、デバイス製造方法
JP2007531024A (ja) * 2004-03-30 2007-11-01 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー 投影対物レンズ、マイクロリソグラフィのための投影露光装置及び反射レチクル
JP2008529094A (ja) * 2005-02-03 2008-07-31 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー 中間像を有する反射屈折投影対物レンズ
JP2013513957A (ja) * 2009-12-14 2013-04-22 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 結像光学系
JP2013195530A (ja) * 2012-03-16 2013-09-30 Nikon Corp 基板処理装置、デバイス製造システム及びデバイス製造方法
JP2014035449A (ja) * 2012-08-08 2014-02-24 Nikon Corp 投影露光装置及びデバイス製造方法
JP2014044445A (ja) * 2004-05-17 2014-03-13 Carl Zeiss Smt Gmbh 中間像を有するカタジオプトリック投影対物レンズ
WO2014073535A1 (ja) * 2012-11-06 2014-05-15 株式会社ニコン 偏光ビームスプリッタ、基板処理装置、デバイス製造システム及びデバイス製造方法
US9772478B2 (en) 2004-01-14 2017-09-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Catadioptric projection objective with parallel, offset optical axes
JP2018159958A (ja) * 2012-03-07 2018-10-11 株式会社ニコン 露光装置

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1102100A3 (de) * 1999-11-12 2003-12-10 Carl Zeiss Katadioptrisches Objektiv mit physikalischem Strahlteiler
DE10117481A1 (de) * 2001-04-07 2002-10-10 Zeiss Carl Katadioptrisches Projektionsobjektiv
DE10127227A1 (de) * 2001-05-22 2002-12-05 Zeiss Carl Katadioptrisches Reduktionsobjektiv
US20050134825A1 (en) * 2002-02-08 2005-06-23 Carl Zeiss Smt Ag Polarization-optimized illumination system
DE10225265A1 (de) * 2002-06-07 2003-12-18 Zeiss Carl Smt Ag Objektiv, insbesondere Projektionsobjektiv für die Mikrolithographie
US20050190446A1 (en) * 2002-06-25 2005-09-01 Carl Zeiss Amt Ag Catadioptric reduction objective
US6731374B1 (en) * 2002-12-02 2004-05-04 Asml Holding N.V. Beam-splitter optics design that maintains an unflipped (unmirrored) image for a catadioptric lithographic system
WO2005024516A2 (de) 2003-08-14 2005-03-17 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungseinrichtung für eine mikrolithographische projektionsbelichtungsanlage
US8208198B2 (en) 2004-01-14 2012-06-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Catadioptric projection objective
US20050185269A1 (en) * 2003-12-19 2005-08-25 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
US7301707B2 (en) * 2004-09-03 2007-11-27 Carl Zeiss Smt Ag Projection optical system and method
US20060198018A1 (en) * 2005-02-04 2006-09-07 Carl Zeiss Smt Ag Imaging system
US7379247B2 (en) * 2005-05-23 2008-05-27 Olympus Imaging Corp. Image pickup apparatus
US7332733B2 (en) * 2005-10-05 2008-02-19 Asml Netherlands B.V. System and method to correct for field curvature of multi lens array
US7920338B2 (en) * 2006-03-28 2011-04-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Reduction projection objective and projection exposure apparatus including the same
KR20080106505A (ko) * 2006-04-03 2008-12-08 가부시키가이샤 니콘 투영 광학계, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
EP2095172A4 (en) * 2006-12-19 2012-08-22 Ellex Medical Pty Ltd BEAM BLOCKING AND COMBINATION OPTICS
DE102008005006A1 (de) 2007-01-17 2008-07-24 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsoptik für die Mikrolithographie, Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Projektionsoptik, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage sowie durch das Herstellungsverfahren gefertigtes mikrostrukturiertes Bauelement
US7929114B2 (en) * 2007-01-17 2011-04-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection optics for microlithography
US20090073392A1 (en) * 2007-09-14 2009-03-19 Carl Zeiss Smt Ag Illumination System Including Grazing Incidence Mirror For Microlithography Exposure System
TWI408331B (zh) * 2009-12-17 2013-09-11 Ind Tech Res Inst 雙面光學膜片量測裝置與方法
DE102011083888A1 (de) * 2011-09-30 2013-04-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende katoptrische EUV-Projektionsoptik
US10310275B2 (en) * 2015-09-07 2019-06-04 Everready Precision Ind. Corp. Optical apparatus
DE102016109099B4 (de) 2016-05-18 2023-01-19 Infineon Technologies Ag Belichtungsmaske, Belichtungsvorrichtung und Verfahren zum Kalibrieren einer Belichtungsvorrichtung
CN113271405B (zh) * 2021-07-14 2021-11-02 杭州长川科技股份有限公司 晶圆校准相机及具有其的探针台

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4701035A (en) * 1984-08-14 1987-10-20 Canon Kabushiki Kaisha Reflection optical system
JPH0652704B2 (ja) * 1984-08-24 1994-07-06 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置
US4666292A (en) 1984-08-24 1987-05-19 Nippon Kogaku K.K. Projection optical apparatus and a photographic mask therefor
US4964705A (en) 1988-11-07 1990-10-23 General Signal Corporation Unit magnification optical system
US5486851A (en) 1991-10-30 1996-01-23 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. Illumination device using a pulsed laser source a Schlieren optical system and a matrix addressable surface light modulator for producing images with undifracted light
JPH06110213A (ja) * 1992-09-25 1994-04-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 画像記録装置
JPH06215997A (ja) * 1993-01-14 1994-08-05 Nikon Corp 投影露光装置
JP3635684B2 (ja) 1994-08-23 2005-04-06 株式会社ニコン 反射屈折縮小投影光学系、反射屈折光学系、並びに投影露光方法及び装置
DE4417489A1 (de) 1994-05-19 1995-11-23 Zeiss Carl Fa Höchstaperturiges katadioptrisches Reduktionsobjektiv für die Miktrolithographie
US6512631B2 (en) 1996-07-22 2003-01-28 Kla-Tencor Corporation Broad-band deep ultraviolet/vacuum ultraviolet catadioptric imaging system
JPH0917719A (ja) 1995-07-03 1997-01-17 Canon Inc 露光装置及びこれを用いたデバイス生産方法
JP3437352B2 (ja) 1995-10-02 2003-08-18 キヤノン株式会社 照明光学系及び光源装置
DE19548805A1 (de) 1995-12-27 1997-07-03 Zeiss Carl Fa REMA-Objektiv für Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlagen
WO1997034171A2 (en) 1996-02-28 1997-09-18 Johnson Kenneth C Microlens scanner for microlithography and wide-field confocal microscopy
DE19616922A1 (de) 1996-04-27 1997-10-30 Zeiss Carl Fa Hochauflösendes lichtstarkes Objektiv
US5717518A (en) 1996-07-22 1998-02-10 Kla Instruments Corporation Broad spectrum ultraviolet catadioptric imaging system
US6122037A (en) * 1998-07-21 2000-09-19 International Business Machines Corporation Reflective phaseshift lithography system
US6222198B1 (en) * 1998-11-20 2001-04-24 Mems Optical Inc. System and method for aligning pattern areas on opposing substrate surfaces
US6600608B1 (en) 1999-11-05 2003-07-29 Carl-Zeiss-Stiftung Catadioptric objective comprising two intermediate images
US7301605B2 (en) 2000-03-03 2007-11-27 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method, catadioptric optical system and manufacturing method of devices
TW559885B (en) 2001-10-19 2003-11-01 Nikon Corp Projection optical system and exposure device having the projection optical system
JP2003309059A (ja) 2002-04-17 2003-10-31 Nikon Corp 投影光学系、その製造方法、露光装置および露光方法

Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9772478B2 (en) 2004-01-14 2017-09-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Catadioptric projection objective with parallel, offset optical axes
US8064040B2 (en) 2004-03-30 2011-11-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection objective, projection exposure apparatus and reflective reticle for microlithography
JP2007531024A (ja) * 2004-03-30 2007-11-01 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー 投影対物レンズ、マイクロリソグラフィのための投影露光装置及び反射レチクル
JP2018010311A (ja) * 2004-05-17 2018-01-18 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 中間像を有するカタジオプトリック投影対物レンズ
JP2014044445A (ja) * 2004-05-17 2014-03-13 Carl Zeiss Smt Gmbh 中間像を有するカタジオプトリック投影対物レンズ
JP2016014900A (ja) * 2004-05-17 2016-01-28 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 中間像を有するカタジオプトリック投影対物レンズ
JP2016027416A (ja) * 2004-05-17 2016-02-18 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 中間像を有するカタジオプトリック投影対物レンズ
JP2017102481A (ja) * 2004-05-17 2017-06-08 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 中間像を有するカタジオプトリック投影対物レンズ
US9726979B2 (en) 2004-05-17 2017-08-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Catadioptric projection objective with intermediate images
JP2006173305A (ja) * 2004-12-15 2006-06-29 Canon Inc 露光装置及び方法、並びに、デバイス製造方法
JP2008529094A (ja) * 2005-02-03 2008-07-31 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー 中間像を有する反射屈折投影対物レンズ
JP2013513957A (ja) * 2009-12-14 2013-04-22 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 結像光学系
JP2018159958A (ja) * 2012-03-07 2018-10-11 株式会社ニコン 露光装置
JP2013195530A (ja) * 2012-03-16 2013-09-30 Nikon Corp 基板処理装置、デバイス製造システム及びデバイス製造方法
JP2014035449A (ja) * 2012-08-08 2014-02-24 Nikon Corp 投影露光装置及びデバイス製造方法
JPWO2014073535A1 (ja) * 2012-11-06 2016-09-08 株式会社ニコン 偏光ビームスプリッタ、基板処理装置、デバイス製造システム及びデバイス製造方法
TWI596652B (zh) * 2012-11-06 2017-08-21 尼康股份有限公司 Polarizing beam splitter, substrate processing apparatus, component manufacturing system, and device manufacturing method
KR20150083852A (ko) * 2012-11-06 2015-07-20 가부시키가이샤 니콘 편광 빔 스플리터, 기판 처리 장치, 디바이스 제조 시스템 및 디바이스 제조 방법
JP2018025810A (ja) * 2012-11-06 2018-02-15 株式会社ニコン 偏光ビームスプリッタ、基板処理装置、デバイス製造システム及びデバイス製造方法
KR20180071428A (ko) * 2012-11-06 2018-06-27 가부시키가이샤 니콘 편광 빔 스플리터, 기판 처리 장치, 디바이스 제조 시스템 및 디바이스 제조 방법
WO2014073535A1 (ja) * 2012-11-06 2014-05-15 株式会社ニコン 偏光ビームスプリッタ、基板処理装置、デバイス製造システム及びデバイス製造方法
KR20190044126A (ko) * 2012-11-06 2019-04-29 가부시키가이샤 니콘 편광 빔 스플리터, 기판 처리 장치, 디바이스 제조 시스템 및 디바이스 제조 방법
KR101979979B1 (ko) * 2012-11-06 2019-05-17 가부시키가이샤 니콘 편광 빔 스플리터, 기판 처리 장치, 디바이스 제조 시스템 및 디바이스 제조 방법
KR101984451B1 (ko) * 2012-11-06 2019-05-30 가부시키가이샤 니콘 편광 빔 스플리터, 기판 처리 장치, 디바이스 제조 시스템 및 디바이스 제조 방법
JP2019117409A (ja) * 2012-11-06 2019-07-18 株式会社ニコン 投影露光装置
KR102045713B1 (ko) * 2012-11-06 2019-11-15 가부시키가이샤 니콘 편광 빔 스플리터, 기판 처리 장치, 디바이스 제조 시스템 및 디바이스 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US6590718B2 (en) 2003-07-08
EP1122608A2 (de) 2001-08-08
US20010022691A1 (en) 2001-09-20
EP1122608B1 (de) 2007-08-29
DE10005189A1 (de) 2001-08-09
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TWI287177B (en) 2007-09-21
USRE40743E1 (en) 2009-06-16
DE50112921D1 (de) 2007-10-11

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