JPH02160237A - マスク基板及びマスク製造方法、並びに該マスク基板を用いた露光方法 - Google Patents
マスク基板及びマスク製造方法、並びに該マスク基板を用いた露光方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体リソグラフィに使われるマスク(レチク
ル)基板、及びその製造方法、並びにリソグラフィ工程
における露光方法に関するものである。 [従来の技術] 従来より、半導体リソグラフィ工程では投影露光法が多
用され、そのための縮小投影型露光装置(ステッパー)
がVLS Iの製造ラインに投入され、多大な効果をあ
げている。 現在、製造ラインで最も多く稼動しているステッパーは
、レチクル(原版)に形成された回路パターンの像を1
15に縮小投影してレジスト付ウェハにステップアンド
リピート方式で露光している。この際、115の縮小投
影は、高開口数(N。 A、)、高解像力の投影レンズで行なわれ、フィールド
サイズ21.2mφ(15X15mm角)程度のものが
一般的である。 この投影レンズの性能は、製造ラインからの要求もあっ
て年々高くなっており、現在、露光波長436nmでN
、A、=0.45、解像最小線幅0.75μm程度のも
のが実用化されるに至った。 そして、さらに高解像力化の要求は、集積回路の高密度
化、微細化の進行とともに留まることがない。 このような現状にあって、露光用の照明光の波長を10
On+m以下の紫外域にする試みがなされ、i線(36
5r++a)用の投影レンズ、エキシマレーザ(248
ntm)用の投影レンズも実用化された。 ところで、この種の投影レンズでは高解像力を得るため
に、焦点深度が極めて小さく、感光基板(ウェハ)側、
すなわち像側では±1μm程度になっている。この焦点
深度は投影レンズの開口数が大きくなる程小さくなり、
g線(436n+a)用のN、A、 =0.45以上の
投影レンズでは実用上±0.7μm程度になってしまう
。 これに伴って問題となってくるのが、投影レンズの像面
湾曲である。 〔発明が解決しようとする問題点] 第12図(A)、(B)は像面湾曲と焦点深度との関係
を模式的に誇張して示す図である。第12図(A)、(
B)において投影レンズの最もウェハW側のレンズエレ
メントをGLとし、投影レンズの光軸AXがウェハW上
の1つのショット領域SC5の中心を通るように設定さ
れているものとする。尚、sc、、sc、は隣接するシ
ョット領域であり、ll、1.wはショット領域SC1
の両端の点に達する結像光束の主光線を表わし、ウェハ
W(像)側でテレセントリック系となっている。第12
図(A)の投影レンズは開口数が小さく焦点深度ΔF1
も比較的大きくとれる。このため同図中破線で示すよう
な像面湾曲があったとしても、ショッDI域SC5の中
心と両端は深度ΔF1の範囲内に納めることができ、シ
ョット領域SC1内の全面でそれなりの解像力を保つこ
とができる。 一方、第12図(B)は投影レンズの開口数が大きく、
焦点深度ΔF2がΔF1よりもかなり小さくなった場合
を表わし、像面湾曲の量は第12図(A)のときと同程
度としである。この第12図(B)からも明らかなよう
に、破線で示した深度ΔF2内にショット領域SC5の
中心が入っても、ショット領域SC5の周辺部は深度Δ
F2外にはずれることになる。またウェハWの高さを調
整してショット領域SChの周辺部を深度ΔF2内に入
れたとしても、今度はショット中心が深度ΔF、外には
ずれることになる。 この第12図(B)は極端な場合であるが、いずれにし
ろ像面湾曲の影響で実用上の焦点深度はさらに狭くなり
、実用上像面湾曲が無視できる程小さい投影レンズの開
発が望まれている。そのため、投影レンズ系での像面湾
曲は、所謂ベンツ・バール和か零になるような光学設計
、及びレンズ製造の努力によって極力小さ(している。 しかしながら、レンズ設計値の残留誤差、及び製造誤差
等により残留像面湾曲収差が発生し、露光視野内におい
て光軸方向に対して必ずしも平面の焦点面ではなく、一
般には光軸AXを中心とした同軸対称の曲面となってい
た。この像面湾曲量の数値例として、例えば21.2M
φΦ像面内で中心と像周辺とで光軸AX方向に0.5μ
m程度の差があった。 このため、総合焦点深度の低下という大きな問題になっ
ていた。 この問題を解決するために、本質的ではないが、いつく
かの手法が考えられている。その1つは本来光学平面に
仕上げられたレチクルを、投影レンズの光軸AXと垂直
な面から微小量傾ける手法である。この手法は主に像面
(レチクルと共役な面)を傾斜させることを目的とする
ものであって、像面湾曲の根本的な解決策にはなってい
ない、さらにもう1つは、レチクルを温度制御し、レチ
クルの膨張、伸縮によってパターン投影像に微小倍率補
正を加える手法である。この手法は専ら投影レンズのも
つデイスト−ジョン(像面内の2次元的な歪曲収差)に
対応しようとするものであって、これも像面湾曲の解決
にはなっていない。そして、もう1つの解決策は、レチ
クルを意図的にたわませる手法である。この手法は公知
ではないが、レチクルを周辺で保持するレチクルホルダ
一部に、レチクル内に強制的に応力を発生させる機械系
を組み込み、レチクルを機械的に変形させるものである
。この手法によれば、レチクルの中心を原点にしてX、
Y方向にガラス面をそれぞれ湾曲させれば、原理的には
投影像がもつ像面湾曲の補正が可能である。しかしなが
らレチクルに機械的な変形を与えるための構造、変形の
形状、自由な変形量等を考えると、この手法が極めて非
現実的であることは明らかである。またレチクルは、通
常光学平面に加工されたガラス(又は石英)板に、クロ
ム等の遮光物質を0.1〜0.3μmの厚さで蒸着し、
EB(電子ビーム)描画装置により回路パターンを食刻
して作られている。この場合、回路パターン内の線幅、
線間スパン、サイズ等の設計値は、全て光学平面を前提
にして管理されているため、レチクルをたわませてしま
うと、投影露光したときにはこれらの設計値が全て狂う
ことになり、リソグラフィ工程で最も重視されている重
ね合わせ精度を顕著に低下させることになる。 いずれにしろ、投影レンズに固有の誤差、すなわち像面
湾曲は、その程度にもよるがレンズを再設計したり、製
造し直したりすることで理想値に追い込むことしか対応
策がなく、ましてや半導体素子の製造ラインで使われて
いるステッパーの投影レンズについては、そのまま使用
せざるを得なかった。 そこで本発明は、特に製造ラインで稼動中の露光装置で
発生している投影光学系の像面湾曲を、実用的な手法で
補正し、高い解像力と高精度な重ね合わせを両立させる
ことを目的とするものである。 〔問題点を解決する為の手段〕 本発明においては、投影光学系固有の像面湾曲に対応す
るために、一方の面を所定の曲面に加工した透明基板(
光学ガラス等)を用意し、その曲面側に回路パターン等
を形成したマスク基板(ワーキングレチクル)を用いる
ようにした。また、透明基板の曲面を様々な形状、曲率
にしたものを複数用意し、それぞれに同一の回路パター
ンを形成した複数のマスク基板を作成し、実際の露光時
には投影光学系の像面湾曲の変化に対応して最適な1枚
のマスク基板を選んで露光に使うようにした。 〔作 用〕 本発明では、投影光学系の固有の像面湾曲に対してマス
ク基板のパターン面を曲面にすることで対応したのであ
る。 このことを第1図を参照して説明する。 第1図において、マスク基板としてのレチクル(ワーキ
ングレチクル)Rは本発明に基づいて作成されたもので
あり、パターン面f0には所望の回路パターンをクロム
層で形成したパターン領域PAが描画されている。レチ
クルRのガラス面f1は、ここでは光学平面に形成され
ているものとするが、かならずしも光学平面である必要
はなく、曲面であってもよい、パターン面f、はある曲
面で加工されており、パターン領域PAの中心点P。と
周辺の点P、との光軸AX方向の差はΔ2゜である、レ
チクルRは中心点P、が光軸AXと一致するように水平
(光軸AXと垂直)に配置され、ガラス面f1側から所
定の露光用照明光ILによって均一に照射される。パタ
ーン領域PA内の透明部を通過した光は、フィールドレ
ンズ群3、主結像レンズ群4で構成された両側テレセン
トリックな投影レンズPLを介してウェハWに達する。 ここで!、はパターン領域PAの外周の点P0、投影レ
ンズPLの瞳EPの中心、及びウェハW上の対応する点
を通る結像光束の主光線を表わす。 仮りにウェハW上のシッット領域の全面が理想的な平面
であったとすると、通常の平面なパターン面を有するレ
チクルを投影したときの像面(i&良粘結像面IMは、
第1図に示すようにウェハ面に対して湾曲したものにな
っている。これが像面湾曲であり、ショット中心(光軸
AXが通る点)と、パターン領域PAの投影像の周辺の
点とでは、光軸AX方向にΔ2.の湾曲誤差量が存在す
る。従って、パターン領域PA周辺の点P、と中心点P
。との差ΔZ8を零にした従来のレチクルの場合、中心
点P、の最良フォーカス点がウェハ表面に合致している
とき、周辺の点P、の最良フォーカス点は湾曲した像面
1M内の点P、になってしまう。 点P、での誤差量、すなわち湾曲量はΔz1であり、こ
れをレチクルR側で補正して零にするためには、投影レ
ンズPLの縦倍率誤差を利用する。 すなわち、像面内の点P、での誤差量ΔZ、を計測し、
次の(1)式に基づいてレチクルR側での点P、とP、
の差ΔZ:を決定する。 ΔZt−−n8・Δz1 ・・・・・・・・・・・・(
1)ここでnは投影レンズPLの倍率を表わし、115
縮小投影の場合、n=5である。尚、像面湾曲による光
軸AX方向の誤差ΔZ1及び対応するレチクルR側での
差Δz2は、以下光軸AX上の点を零(基準)とした変
位量として扱う。 このように式(1)を満足するように、投影視野の各像
高点でレチクルRのパターン面f、の曲面を決定してお
くと、中心点P0、周辺の点P。 の結像点はウェハWの表面と正確に合致することになり
、パターン領域PAの投影像は湾曲のない水平な平面に
沿ったものとなる。 ここで−例をあげると、点P、での誤差ΔZ1が0.1
am、n=5 (115″m小)とすると、ΔZz
=2.5μmとなる。 n −10(1/ 10縮小)
の場合はΔZt=10μmとなる0本発明では、レチク
ル側のパターン面を曲面にするので、ウェハW側での極
めて微小な像面湾曲量に対しても、n8倍に拡大した量
で極めて高精度な補正が可能となる。 〔実施例〕 次に本発明の実施例によるレチクルRの製造方法の一例
を第2図を参照して説明する。まず第2図(A)のよう
に、石英板、光学ガラス(LE30)板等の透明基板C
Pの一方の面f0を、像面湾曲を補正するのに必要な曲
率の球面に加工する。 この場合、他方の面f1は光学的に平面に加工しておく
0面f、の曲率半径は通常の光学レンズの球面とくらべ
ると格段に大きな値になるが、非球面研摩装置を用いれ
ば容易に加工できる。 ところで面f、の曲率半径を決定するには、予め対象と
している投影レンズPL(ステッパー)の像面湾曲を正
確に計測する必要がある。この計測にはいくつかの手法
が考えられるが、そのうち代表的な手法は、中心点を含
む複数ケ所にテストパターンを有するテストレチクル(
パターン面は超平面)を対象としているステッパーに装
着し、平面性のよいウェハW上にステ・iブアンドリピ
ート方式で複数のショット領域を露光(ためし焼き)し
、そのウェハWを現像した後、各ショット領域内のテス
トパターンのレジスト像の解像状態を検査する方式であ
る。この場合、ためし焼きのときに各シッット毎にウェ
ハWを光軸AX方向に、例えば0.25μmずつずらし
ていき(フォーカス・オフセットをかけていく)、検査
のときにはショッ)?iJ[域内で最も解像状態がよい
点の像高値を求めれば、その像高値とフォーカス・オフ
セット値との関係から像面湾曲の傾向と量を定量的に求
めることができる。またその他の手法もあるが、それに
ついては後で詳しく説明する。 こうして像面湾曲量が求められたら、第3図に示した関
係から面f0の曲率半径rを求める。第1図で示した湾
曲像面IMが球面の一部に近似できるものとし、像側で
の点P3の像高値(光軸AXから点P1までの距離)を
H,とすると、レチクル側での対応する点P、の像高値
はH,=n・H8となる。ここで第3図の幾何学的な関
係、すなわち光軸AX上の点01を中心とした半径rの
球面f、であることから次の式(2)が成り立つ。 r” =H,” + (r−ΔZ8ν・・・・・・(2
)この式(2)を変形して式(3)が得られる。 この式(3)に式(1)の関係を代入して整理すると、
式(4)が得られる。 2 ・ΔZl また、式(4)においてH8〉〉ΔZIであるため、次
式のように近似できる。 rζH,ff /2・ΔZ、 ・・・・・・・・・
(5)以上のようにして、曲率半径rが求まったら、そ
の値に基づいた加工データを非球面研摩装置に入力し、
面f、が半径rの球面として加工されるようにセットす
る。その研摩装置の一例としては、例えば0PTrCA
L ENGINEERING、 Vol、 27 、
Nil 11(1988年10月)の第1008頁から
1012頁にかけて記載された非球面ミラー等のダイヤ
モンド加工装置が利用できる0以上の作業によって面f
番を所定の曲面にした透明基板GPが完成する。 次に基板CPの面f、の全面にクロム層CPを蒸着し、
さらにその上に均一にレジスト層C2を塗布した後、こ
れを第2図(B)に示すようにEB露光装置EBXのス
テージST上に固定する。 ステージSTはレーザ干渉式測長器による精密(例えば
分解能0.011Im)な座標位置検出のもとて2次元
移動する。EB露光装置EBXは平面レチクル作成時と
全く同じ設計データに基づいて、微小スポット(0,1
〜0.2μm径)に集束された電子ビームesでレジス
ト層C,に回路パターンの描画を行なう、この際、レジ
スト層C2は基板GPの面r、にならって曲面になって
おり、電子ビームesのフォーカス方向の高さは、面「
。内の位置に応じて数μm〜数十μm程度の差がある。 そこでEBft光装置EBXではそのフォーカス方向の
ずれを補正するように、自動焦点検出系を働かせ、ビー
ムesのスポットサイズをほぼ一定に保つようにする。 描画の終った透明基板GPは所定の現像工程を通し、第
2図(C)のようにクロム層C1の表面に回路パターン
領域に対応したレジスト像1.を形成する0次にレジス
ト像1.をマスクとして下地のクロム層をエツチングに
より除去することで、第2図(D)に示すようなレチク
ルRが完成する。 この製造過程で重要なことは、対象としている投影レン
ズPLが両側テレセントリックの場合を想定して、面f
0に形成されたパターン間隔d。 、d*sd3・・・・・・を、平面レチクル作成のとき
と全く等しくすることである。すなわち、レチクルRの
平面f1側にパターン領域を写影したとき、それが設計
データ通りに作られていることを意味する。このように
すると、両側テレセントリックの投影レンズを使う限り
、曲面レチクルRを用いても、そのことによるデイスト
−シランの変化は生じない(ただし、投影レンズ自体の
デイスト−ジョンは残存する)。 ところで、投影レンズ固をの像面湾曲の傾向は、°光軸
中心の対称的な球面であるとは限らず、第4図(A)、
(B)に例示するように様々な傾向を示す。第4図(A
)は光軸中心に関して非対称な像面湾曲IM、を示し、
光軸に対して点対称な像高点±P、での湾曲量が異なっ
ている。 第4図(B)は像面湾曲IM、が2つの傾向の重ね合わ
せとして現われた場合を示し、対称性はよいものの、像
高毎の湾曲量は複雑な分布になっている。 この第4図(A)のような非対称性の場合は、レチクル
Rの面!、を像面湾曲IM、に対応した平均的な球面に
加工しておき、そのレチクルRによる露光時にレチクル
Rを微小量傾斜させて対応することも可能である。しか
しながら、大幅なレチクル傾斜は投影像にデイスト−ジ
ョンを加えることになるため、高精度な重ね合わせ露光
を狙う際には不利になる。従って、第4図(A)の場合
は、非対称性の程度によっては、球面ではなく非球面に
近似して基板CPの面f、を加工することが望ましい。 この場合、先に掲げた文献に開示されたダイヤモンド加
工(研磨)装置を用いて、正確な加工データを与えるだ
けで、極めて高精度に面r、を加工できる。 また、第4図(B)のような像面湾曲IM、の場合は、
非球面加工を行なうこと以外に対応策はなく、第5図に
示すようなレチクルRを用意する必要がある。 第5図において、レチクルRの面ro (パターン面
)に形成されたパターン領域PAは、その断面でみると
3次曲線状に微小量だけ厚み変化しており、それによっ
て像面湾曲IM、を丁度打ち消して投影像面をフラット
なものにする。 尚、先の文献に示された非球面の加工装置によれば、面
の加工精度は0.1μmが期待できると報告されており
、仮りに実用精度として±0.2μm(ΔZ宜)が得ら
れるとし、投影レンズPLO倍率nを6として式(1)
を逆算してみると、ΔZ±±0.008μm!=;±0
.01μmとなる。すなわち、レチクルR側のパターン
面を像面湾曲量に応じて曲面にすることで、投影像の最
良結像面は原理的には±0.01μm(幅で0.02μ
m)以内の凹凸しかない、極めてフラットな面に補正さ
れることを意味する。 このような顕著な効果が得られることから、本実施例に
よる露光方法の採用を前提とすれば、投影レンズPLの
製造が極めて楽になるといった効果が期待できる0通常
の投影レンズ(ステッパー)製造においては、組み立て
後の調整、手直しに多大の時間をかけて像面湾曲が最も
小さ(なるようにしているが、本実施例による方法を採
用する場合はことさら調整に時間をかける必要がなく、
そのステッパーを納入するユーザに対して像面湾曲の正
確なデータを作成すればよい。ただし、複数台のステッ
パーでラインを組む場合は、像面湾曲の傾向とその量が
類似しているもの同志を選択するとよい、その場合でも
、各ステッパーの像面湾曲の絶対量を、手間をかけて小
さくする必要性がなく、ステンパー製造は極めて楽にな
る。 ところで、−船釣なステッパーは第5図に示すようなレ
チクルステージRS上にレチクルRを真空吸着する。レ
チクルステージR3は投影レンズPLの上方で2次元に
微動できる構造になっており、中央には大きな開口部9
0が形成されている。 そして開口部90の周囲の4ケ所には支持部92a、9
2b、92c、92dが設けられ、各支持部92a〜9
2dの上端面はレチクルRのパターン面(面f、側)の
周辺4ケ所を水平に支えていルトトもに、真空吸着溝9
4a、94b、94c。 94dによってレチクルRを固定する。開口部90はレ
チクルRのパターン領域PAよりも大きくなるように定
められ、4ケ所の支持部92a〜92dは第7図(A)
のようにレチクルRの周辺を保持する。第7図(A)に
おいて、レチクルRのパターン領域PAの周囲に設けら
れたRM、、RM、は、ウェハWとの7ライメントに使
われるアライメントマーク領域(窓)である。 ところが、支持部92a〜92dの上端面は、高い平面
性を備えており、パターン面が全て曲面になったレチク
ルでは、吸着時に様々の不都合が生じる。そこで第7図
(B)に示すように、パターン領域PAの周辺の部分で
、支持部92a〜92dと当接する部分は、面r0と異
なった平面f2になるように透明基板CPの状態のとき
に追加研摩する。ここでは、平面f!は面f+ と平行
になっているものとする。このような研摩は非球面研摩
装置によって極めて容易に実施できる。支持部92a〜
92dの上端面が通常は極めて平面性がよいため、この
ように平坦な面f!を作っておけば、真空吸着時には従
来と同様の安定性で確実に吸着固定されるとともに、レ
チクルRの内部に機械的な応力を発生させることがなく
、曲面f。 の狂いも皆無となる。 次に本発明の第2の実施例によるレチクル、及び露光方
法について、第8図を参照して説明する。 本実施例では投影レンズPLとして像側(ウェハW側)
のみがテレセントリックであり、物体(レチクルR)側
では非テレセントリックなものを使うことを前提とする
。第8図において、投影レンズPLの光軸AXと垂直な
面P1は従来の平面レチクルのパターン面を表わす。レ
チクルRの湾曲した面f0を、投影レンズPLの湾曲し
た像面■Mを補正するような曲率、又は形状にすること
で、パターン面f、の投影像面は平坦なウェハWの面と
一致し、像面湾曲は見がけ上零になる。また本実施例の
場合でも第1図の場合と同様に、露光用照明光ILO主
光線は投影レンズPLの瞳(入射瞳)BPの中心を通る
ように定められ、瞳EPには光源像が結像している。 さて、第8図に示すように、従来の平坦なパターンqP
t の中心をパターン面r0の中心と一致させて考えて
みると、従来のパターン面P、上の点D0からの光は瞳
EPの中心を通る主光線!。 に沿って進み、投影レンズPLによって湾曲した像面1
M上の点り、に結像する。一方、本実施例のレチクルR
では、パターン面f0上の点D0と設計上同一の位置に
点E0が形成される。点D0とEoの光軸AX方向の差
が像面湾曲量に対応していることは言うまでもない。そ
して点°E0からの光は瞳EPの中心を通る主光線Il
、に沿って進み、投影レンズPLによってウェハW(こ
こでは理想平面とする)上の点E1に結像する。第8図
に示すように点E、は点D1に対して横方向、すなわち
光軸AXを中心とした放射方向に横ずれを起して結像す
る。これはパターン面r0のパターン領域のウェハW上
での投影像の大きさが像高値に応じて微小量位置変化す
ることを意味し、倍率誤差もしくは、歪曲収差(デイス
ト−ジョン)とも呼ばれ、重ね合わせ露光の際には重大
な欠点となる。 先の式(1)で表わしたように、点D0とEoの差ΔZ
2は、点D1とE、の差ΔZIのn2倍の関係にあるが
、点D1とElの横方向のずれ量ΔXもΔZ、、nの関
数となっている。そこで本実施例では、以下に掲げる代
表的な4つの方法(イ)、(ロ)、(ハ)、(ニ)のう
ち、少なくとも1つを同時に実行することにより、実用
上問題とならない程度に、像面湾曲とともに、デイスト
−ジョン(倍率誤差も含む)変化も小さ(押えるように
した。 (イ)重ね合わせ露光に使用する多数枚のレチクル(曲
面補正レチクル)を、全て同一のステッパー(同一投影
レンズ)に装着して露光処理する方法(ただしその投影
レンズの像面湾曲量が安定していること)。 (ロ)異なるステッパー同志でも、各投影レンズの像面
湾曲の傾向と量が揃っていて、湾曲量が一定で安定した
ものの複数台を用意し、これら複数台のステッパーを使
って重ね合わせ露光する方法。 (ハ)像面湾曲量ΔZIに対応した補正量ΔZ2により
生じるデイスト−ジョン変化量(ΔX)を予め計算し、
レチクルRを作成するときのパタ−ン描画時
ル)基板、及びその製造方法、並びにリソグラフィ工程
における露光方法に関するものである。 [従来の技術] 従来より、半導体リソグラフィ工程では投影露光法が多
用され、そのための縮小投影型露光装置(ステッパー)
がVLS Iの製造ラインに投入され、多大な効果をあ
げている。 現在、製造ラインで最も多く稼動しているステッパーは
、レチクル(原版)に形成された回路パターンの像を1
15に縮小投影してレジスト付ウェハにステップアンド
リピート方式で露光している。この際、115の縮小投
影は、高開口数(N。 A、)、高解像力の投影レンズで行なわれ、フィールド
サイズ21.2mφ(15X15mm角)程度のものが
一般的である。 この投影レンズの性能は、製造ラインからの要求もあっ
て年々高くなっており、現在、露光波長436nmでN
、A、=0.45、解像最小線幅0.75μm程度のも
のが実用化されるに至った。 そして、さらに高解像力化の要求は、集積回路の高密度
化、微細化の進行とともに留まることがない。 このような現状にあって、露光用の照明光の波長を10
On+m以下の紫外域にする試みがなされ、i線(36
5r++a)用の投影レンズ、エキシマレーザ(248
ntm)用の投影レンズも実用化された。 ところで、この種の投影レンズでは高解像力を得るため
に、焦点深度が極めて小さく、感光基板(ウェハ)側、
すなわち像側では±1μm程度になっている。この焦点
深度は投影レンズの開口数が大きくなる程小さくなり、
g線(436n+a)用のN、A、 =0.45以上の
投影レンズでは実用上±0.7μm程度になってしまう
。 これに伴って問題となってくるのが、投影レンズの像面
湾曲である。 〔発明が解決しようとする問題点] 第12図(A)、(B)は像面湾曲と焦点深度との関係
を模式的に誇張して示す図である。第12図(A)、(
B)において投影レンズの最もウェハW側のレンズエレ
メントをGLとし、投影レンズの光軸AXがウェハW上
の1つのショット領域SC5の中心を通るように設定さ
れているものとする。尚、sc、、sc、は隣接するシ
ョット領域であり、ll、1.wはショット領域SC1
の両端の点に達する結像光束の主光線を表わし、ウェハ
W(像)側でテレセントリック系となっている。第12
図(A)の投影レンズは開口数が小さく焦点深度ΔF1
も比較的大きくとれる。このため同図中破線で示すよう
な像面湾曲があったとしても、ショッDI域SC5の中
心と両端は深度ΔF1の範囲内に納めることができ、シ
ョット領域SC1内の全面でそれなりの解像力を保つこ
とができる。 一方、第12図(B)は投影レンズの開口数が大きく、
焦点深度ΔF2がΔF1よりもかなり小さくなった場合
を表わし、像面湾曲の量は第12図(A)のときと同程
度としである。この第12図(B)からも明らかなよう
に、破線で示した深度ΔF2内にショット領域SC5の
中心が入っても、ショット領域SC5の周辺部は深度Δ
F2外にはずれることになる。またウェハWの高さを調
整してショット領域SChの周辺部を深度ΔF2内に入
れたとしても、今度はショット中心が深度ΔF、外には
ずれることになる。 この第12図(B)は極端な場合であるが、いずれにし
ろ像面湾曲の影響で実用上の焦点深度はさらに狭くなり
、実用上像面湾曲が無視できる程小さい投影レンズの開
発が望まれている。そのため、投影レンズ系での像面湾
曲は、所謂ベンツ・バール和か零になるような光学設計
、及びレンズ製造の努力によって極力小さ(している。 しかしながら、レンズ設計値の残留誤差、及び製造誤差
等により残留像面湾曲収差が発生し、露光視野内におい
て光軸方向に対して必ずしも平面の焦点面ではなく、一
般には光軸AXを中心とした同軸対称の曲面となってい
た。この像面湾曲量の数値例として、例えば21.2M
φΦ像面内で中心と像周辺とで光軸AX方向に0.5μ
m程度の差があった。 このため、総合焦点深度の低下という大きな問題になっ
ていた。 この問題を解決するために、本質的ではないが、いつく
かの手法が考えられている。その1つは本来光学平面に
仕上げられたレチクルを、投影レンズの光軸AXと垂直
な面から微小量傾ける手法である。この手法は主に像面
(レチクルと共役な面)を傾斜させることを目的とする
ものであって、像面湾曲の根本的な解決策にはなってい
ない、さらにもう1つは、レチクルを温度制御し、レチ
クルの膨張、伸縮によってパターン投影像に微小倍率補
正を加える手法である。この手法は専ら投影レンズのも
つデイスト−ジョン(像面内の2次元的な歪曲収差)に
対応しようとするものであって、これも像面湾曲の解決
にはなっていない。そして、もう1つの解決策は、レチ
クルを意図的にたわませる手法である。この手法は公知
ではないが、レチクルを周辺で保持するレチクルホルダ
一部に、レチクル内に強制的に応力を発生させる機械系
を組み込み、レチクルを機械的に変形させるものである
。この手法によれば、レチクルの中心を原点にしてX、
Y方向にガラス面をそれぞれ湾曲させれば、原理的には
投影像がもつ像面湾曲の補正が可能である。しかしなが
らレチクルに機械的な変形を与えるための構造、変形の
形状、自由な変形量等を考えると、この手法が極めて非
現実的であることは明らかである。またレチクルは、通
常光学平面に加工されたガラス(又は石英)板に、クロ
ム等の遮光物質を0.1〜0.3μmの厚さで蒸着し、
EB(電子ビーム)描画装置により回路パターンを食刻
して作られている。この場合、回路パターン内の線幅、
線間スパン、サイズ等の設計値は、全て光学平面を前提
にして管理されているため、レチクルをたわませてしま
うと、投影露光したときにはこれらの設計値が全て狂う
ことになり、リソグラフィ工程で最も重視されている重
ね合わせ精度を顕著に低下させることになる。 いずれにしろ、投影レンズに固有の誤差、すなわち像面
湾曲は、その程度にもよるがレンズを再設計したり、製
造し直したりすることで理想値に追い込むことしか対応
策がなく、ましてや半導体素子の製造ラインで使われて
いるステッパーの投影レンズについては、そのまま使用
せざるを得なかった。 そこで本発明は、特に製造ラインで稼動中の露光装置で
発生している投影光学系の像面湾曲を、実用的な手法で
補正し、高い解像力と高精度な重ね合わせを両立させる
ことを目的とするものである。 〔問題点を解決する為の手段〕 本発明においては、投影光学系固有の像面湾曲に対応す
るために、一方の面を所定の曲面に加工した透明基板(
光学ガラス等)を用意し、その曲面側に回路パターン等
を形成したマスク基板(ワーキングレチクル)を用いる
ようにした。また、透明基板の曲面を様々な形状、曲率
にしたものを複数用意し、それぞれに同一の回路パター
ンを形成した複数のマスク基板を作成し、実際の露光時
には投影光学系の像面湾曲の変化に対応して最適な1枚
のマスク基板を選んで露光に使うようにした。 〔作 用〕 本発明では、投影光学系の固有の像面湾曲に対してマス
ク基板のパターン面を曲面にすることで対応したのであ
る。 このことを第1図を参照して説明する。 第1図において、マスク基板としてのレチクル(ワーキ
ングレチクル)Rは本発明に基づいて作成されたもので
あり、パターン面f0には所望の回路パターンをクロム
層で形成したパターン領域PAが描画されている。レチ
クルRのガラス面f1は、ここでは光学平面に形成され
ているものとするが、かならずしも光学平面である必要
はなく、曲面であってもよい、パターン面f、はある曲
面で加工されており、パターン領域PAの中心点P。と
周辺の点P、との光軸AX方向の差はΔ2゜である、レ
チクルRは中心点P、が光軸AXと一致するように水平
(光軸AXと垂直)に配置され、ガラス面f1側から所
定の露光用照明光ILによって均一に照射される。パタ
ーン領域PA内の透明部を通過した光は、フィールドレ
ンズ群3、主結像レンズ群4で構成された両側テレセン
トリックな投影レンズPLを介してウェハWに達する。 ここで!、はパターン領域PAの外周の点P0、投影レ
ンズPLの瞳EPの中心、及びウェハW上の対応する点
を通る結像光束の主光線を表わす。 仮りにウェハW上のシッット領域の全面が理想的な平面
であったとすると、通常の平面なパターン面を有するレ
チクルを投影したときの像面(i&良粘結像面IMは、
第1図に示すようにウェハ面に対して湾曲したものにな
っている。これが像面湾曲であり、ショット中心(光軸
AXが通る点)と、パターン領域PAの投影像の周辺の
点とでは、光軸AX方向にΔ2.の湾曲誤差量が存在す
る。従って、パターン領域PA周辺の点P、と中心点P
。との差ΔZ8を零にした従来のレチクルの場合、中心
点P、の最良フォーカス点がウェハ表面に合致している
とき、周辺の点P、の最良フォーカス点は湾曲した像面
1M内の点P、になってしまう。 点P、での誤差量、すなわち湾曲量はΔz1であり、こ
れをレチクルR側で補正して零にするためには、投影レ
ンズPLの縦倍率誤差を利用する。 すなわち、像面内の点P、での誤差量ΔZ、を計測し、
次の(1)式に基づいてレチクルR側での点P、とP、
の差ΔZ:を決定する。 ΔZt−−n8・Δz1 ・・・・・・・・・・・・(
1)ここでnは投影レンズPLの倍率を表わし、115
縮小投影の場合、n=5である。尚、像面湾曲による光
軸AX方向の誤差ΔZ1及び対応するレチクルR側での
差Δz2は、以下光軸AX上の点を零(基準)とした変
位量として扱う。 このように式(1)を満足するように、投影視野の各像
高点でレチクルRのパターン面f、の曲面を決定してお
くと、中心点P0、周辺の点P。 の結像点はウェハWの表面と正確に合致することになり
、パターン領域PAの投影像は湾曲のない水平な平面に
沿ったものとなる。 ここで−例をあげると、点P、での誤差ΔZ1が0.1
am、n=5 (115″m小)とすると、ΔZz
=2.5μmとなる。 n −10(1/ 10縮小)
の場合はΔZt=10μmとなる0本発明では、レチク
ル側のパターン面を曲面にするので、ウェハW側での極
めて微小な像面湾曲量に対しても、n8倍に拡大した量
で極めて高精度な補正が可能となる。 〔実施例〕 次に本発明の実施例によるレチクルRの製造方法の一例
を第2図を参照して説明する。まず第2図(A)のよう
に、石英板、光学ガラス(LE30)板等の透明基板C
Pの一方の面f0を、像面湾曲を補正するのに必要な曲
率の球面に加工する。 この場合、他方の面f1は光学的に平面に加工しておく
0面f、の曲率半径は通常の光学レンズの球面とくらべ
ると格段に大きな値になるが、非球面研摩装置を用いれ
ば容易に加工できる。 ところで面f、の曲率半径を決定するには、予め対象と
している投影レンズPL(ステッパー)の像面湾曲を正
確に計測する必要がある。この計測にはいくつかの手法
が考えられるが、そのうち代表的な手法は、中心点を含
む複数ケ所にテストパターンを有するテストレチクル(
パターン面は超平面)を対象としているステッパーに装
着し、平面性のよいウェハW上にステ・iブアンドリピ
ート方式で複数のショット領域を露光(ためし焼き)し
、そのウェハWを現像した後、各ショット領域内のテス
トパターンのレジスト像の解像状態を検査する方式であ
る。この場合、ためし焼きのときに各シッット毎にウェ
ハWを光軸AX方向に、例えば0.25μmずつずらし
ていき(フォーカス・オフセットをかけていく)、検査
のときにはショッ)?iJ[域内で最も解像状態がよい
点の像高値を求めれば、その像高値とフォーカス・オフ
セット値との関係から像面湾曲の傾向と量を定量的に求
めることができる。またその他の手法もあるが、それに
ついては後で詳しく説明する。 こうして像面湾曲量が求められたら、第3図に示した関
係から面f0の曲率半径rを求める。第1図で示した湾
曲像面IMが球面の一部に近似できるものとし、像側で
の点P3の像高値(光軸AXから点P1までの距離)を
H,とすると、レチクル側での対応する点P、の像高値
はH,=n・H8となる。ここで第3図の幾何学的な関
係、すなわち光軸AX上の点01を中心とした半径rの
球面f、であることから次の式(2)が成り立つ。 r” =H,” + (r−ΔZ8ν・・・・・・(2
)この式(2)を変形して式(3)が得られる。 この式(3)に式(1)の関係を代入して整理すると、
式(4)が得られる。 2 ・ΔZl また、式(4)においてH8〉〉ΔZIであるため、次
式のように近似できる。 rζH,ff /2・ΔZ、 ・・・・・・・・・
(5)以上のようにして、曲率半径rが求まったら、そ
の値に基づいた加工データを非球面研摩装置に入力し、
面f、が半径rの球面として加工されるようにセットす
る。その研摩装置の一例としては、例えば0PTrCA
L ENGINEERING、 Vol、 27 、
Nil 11(1988年10月)の第1008頁から
1012頁にかけて記載された非球面ミラー等のダイヤ
モンド加工装置が利用できる0以上の作業によって面f
番を所定の曲面にした透明基板GPが完成する。 次に基板CPの面f、の全面にクロム層CPを蒸着し、
さらにその上に均一にレジスト層C2を塗布した後、こ
れを第2図(B)に示すようにEB露光装置EBXのス
テージST上に固定する。 ステージSTはレーザ干渉式測長器による精密(例えば
分解能0.011Im)な座標位置検出のもとて2次元
移動する。EB露光装置EBXは平面レチクル作成時と
全く同じ設計データに基づいて、微小スポット(0,1
〜0.2μm径)に集束された電子ビームesでレジス
ト層C,に回路パターンの描画を行なう、この際、レジ
スト層C2は基板GPの面r、にならって曲面になって
おり、電子ビームesのフォーカス方向の高さは、面「
。内の位置に応じて数μm〜数十μm程度の差がある。 そこでEBft光装置EBXではそのフォーカス方向の
ずれを補正するように、自動焦点検出系を働かせ、ビー
ムesのスポットサイズをほぼ一定に保つようにする。 描画の終った透明基板GPは所定の現像工程を通し、第
2図(C)のようにクロム層C1の表面に回路パターン
領域に対応したレジスト像1.を形成する0次にレジス
ト像1.をマスクとして下地のクロム層をエツチングに
より除去することで、第2図(D)に示すようなレチク
ルRが完成する。 この製造過程で重要なことは、対象としている投影レン
ズPLが両側テレセントリックの場合を想定して、面f
0に形成されたパターン間隔d。 、d*sd3・・・・・・を、平面レチクル作成のとき
と全く等しくすることである。すなわち、レチクルRの
平面f1側にパターン領域を写影したとき、それが設計
データ通りに作られていることを意味する。このように
すると、両側テレセントリックの投影レンズを使う限り
、曲面レチクルRを用いても、そのことによるデイスト
−シランの変化は生じない(ただし、投影レンズ自体の
デイスト−ジョンは残存する)。 ところで、投影レンズ固をの像面湾曲の傾向は、°光軸
中心の対称的な球面であるとは限らず、第4図(A)、
(B)に例示するように様々な傾向を示す。第4図(A
)は光軸中心に関して非対称な像面湾曲IM、を示し、
光軸に対して点対称な像高点±P、での湾曲量が異なっ
ている。 第4図(B)は像面湾曲IM、が2つの傾向の重ね合わ
せとして現われた場合を示し、対称性はよいものの、像
高毎の湾曲量は複雑な分布になっている。 この第4図(A)のような非対称性の場合は、レチクル
Rの面!、を像面湾曲IM、に対応した平均的な球面に
加工しておき、そのレチクルRによる露光時にレチクル
Rを微小量傾斜させて対応することも可能である。しか
しながら、大幅なレチクル傾斜は投影像にデイスト−ジ
ョンを加えることになるため、高精度な重ね合わせ露光
を狙う際には不利になる。従って、第4図(A)の場合
は、非対称性の程度によっては、球面ではなく非球面に
近似して基板CPの面f、を加工することが望ましい。 この場合、先に掲げた文献に開示されたダイヤモンド加
工(研磨)装置を用いて、正確な加工データを与えるだ
けで、極めて高精度に面r、を加工できる。 また、第4図(B)のような像面湾曲IM、の場合は、
非球面加工を行なうこと以外に対応策はなく、第5図に
示すようなレチクルRを用意する必要がある。 第5図において、レチクルRの面ro (パターン面
)に形成されたパターン領域PAは、その断面でみると
3次曲線状に微小量だけ厚み変化しており、それによっ
て像面湾曲IM、を丁度打ち消して投影像面をフラット
なものにする。 尚、先の文献に示された非球面の加工装置によれば、面
の加工精度は0.1μmが期待できると報告されており
、仮りに実用精度として±0.2μm(ΔZ宜)が得ら
れるとし、投影レンズPLO倍率nを6として式(1)
を逆算してみると、ΔZ±±0.008μm!=;±0
.01μmとなる。すなわち、レチクルR側のパターン
面を像面湾曲量に応じて曲面にすることで、投影像の最
良結像面は原理的には±0.01μm(幅で0.02μ
m)以内の凹凸しかない、極めてフラットな面に補正さ
れることを意味する。 このような顕著な効果が得られることから、本実施例に
よる露光方法の採用を前提とすれば、投影レンズPLの
製造が極めて楽になるといった効果が期待できる0通常
の投影レンズ(ステッパー)製造においては、組み立て
後の調整、手直しに多大の時間をかけて像面湾曲が最も
小さ(なるようにしているが、本実施例による方法を採
用する場合はことさら調整に時間をかける必要がなく、
そのステッパーを納入するユーザに対して像面湾曲の正
確なデータを作成すればよい。ただし、複数台のステッ
パーでラインを組む場合は、像面湾曲の傾向とその量が
類似しているもの同志を選択するとよい、その場合でも
、各ステッパーの像面湾曲の絶対量を、手間をかけて小
さくする必要性がなく、ステンパー製造は極めて楽にな
る。 ところで、−船釣なステッパーは第5図に示すようなレ
チクルステージRS上にレチクルRを真空吸着する。レ
チクルステージR3は投影レンズPLの上方で2次元に
微動できる構造になっており、中央には大きな開口部9
0が形成されている。 そして開口部90の周囲の4ケ所には支持部92a、9
2b、92c、92dが設けられ、各支持部92a〜9
2dの上端面はレチクルRのパターン面(面f、側)の
周辺4ケ所を水平に支えていルトトもに、真空吸着溝9
4a、94b、94c。 94dによってレチクルRを固定する。開口部90はレ
チクルRのパターン領域PAよりも大きくなるように定
められ、4ケ所の支持部92a〜92dは第7図(A)
のようにレチクルRの周辺を保持する。第7図(A)に
おいて、レチクルRのパターン領域PAの周囲に設けら
れたRM、、RM、は、ウェハWとの7ライメントに使
われるアライメントマーク領域(窓)である。 ところが、支持部92a〜92dの上端面は、高い平面
性を備えており、パターン面が全て曲面になったレチク
ルでは、吸着時に様々の不都合が生じる。そこで第7図
(B)に示すように、パターン領域PAの周辺の部分で
、支持部92a〜92dと当接する部分は、面r0と異
なった平面f2になるように透明基板CPの状態のとき
に追加研摩する。ここでは、平面f!は面f+ と平行
になっているものとする。このような研摩は非球面研摩
装置によって極めて容易に実施できる。支持部92a〜
92dの上端面が通常は極めて平面性がよいため、この
ように平坦な面f!を作っておけば、真空吸着時には従
来と同様の安定性で確実に吸着固定されるとともに、レ
チクルRの内部に機械的な応力を発生させることがなく
、曲面f。 の狂いも皆無となる。 次に本発明の第2の実施例によるレチクル、及び露光方
法について、第8図を参照して説明する。 本実施例では投影レンズPLとして像側(ウェハW側)
のみがテレセントリックであり、物体(レチクルR)側
では非テレセントリックなものを使うことを前提とする
。第8図において、投影レンズPLの光軸AXと垂直な
面P1は従来の平面レチクルのパターン面を表わす。レ
チクルRの湾曲した面f0を、投影レンズPLの湾曲し
た像面■Mを補正するような曲率、又は形状にすること
で、パターン面f、の投影像面は平坦なウェハWの面と
一致し、像面湾曲は見がけ上零になる。また本実施例の
場合でも第1図の場合と同様に、露光用照明光ILO主
光線は投影レンズPLの瞳(入射瞳)BPの中心を通る
ように定められ、瞳EPには光源像が結像している。 さて、第8図に示すように、従来の平坦なパターンqP
t の中心をパターン面r0の中心と一致させて考えて
みると、従来のパターン面P、上の点D0からの光は瞳
EPの中心を通る主光線!。 に沿って進み、投影レンズPLによって湾曲した像面1
M上の点り、に結像する。一方、本実施例のレチクルR
では、パターン面f0上の点D0と設計上同一の位置に
点E0が形成される。点D0とEoの光軸AX方向の差
が像面湾曲量に対応していることは言うまでもない。そ
して点°E0からの光は瞳EPの中心を通る主光線Il
、に沿って進み、投影レンズPLによってウェハW(こ
こでは理想平面とする)上の点E1に結像する。第8図
に示すように点E、は点D1に対して横方向、すなわち
光軸AXを中心とした放射方向に横ずれを起して結像す
る。これはパターン面r0のパターン領域のウェハW上
での投影像の大きさが像高値に応じて微小量位置変化す
ることを意味し、倍率誤差もしくは、歪曲収差(デイス
ト−ジョン)とも呼ばれ、重ね合わせ露光の際には重大
な欠点となる。 先の式(1)で表わしたように、点D0とEoの差ΔZ
2は、点D1とE、の差ΔZIのn2倍の関係にあるが
、点D1とElの横方向のずれ量ΔXもΔZ、、nの関
数となっている。そこで本実施例では、以下に掲げる代
表的な4つの方法(イ)、(ロ)、(ハ)、(ニ)のう
ち、少なくとも1つを同時に実行することにより、実用
上問題とならない程度に、像面湾曲とともに、デイスト
−ジョン(倍率誤差も含む)変化も小さ(押えるように
した。 (イ)重ね合わせ露光に使用する多数枚のレチクル(曲
面補正レチクル)を、全て同一のステッパー(同一投影
レンズ)に装着して露光処理する方法(ただしその投影
レンズの像面湾曲量が安定していること)。 (ロ)異なるステッパー同志でも、各投影レンズの像面
湾曲の傾向と量が揃っていて、湾曲量が一定で安定した
ものの複数台を用意し、これら複数台のステッパーを使
って重ね合わせ露光する方法。 (ハ)像面湾曲量ΔZIに対応した補正量ΔZ2により
生じるデイスト−ジョン変化量(ΔX)を予め計算し、
レチクルRを作成するときのパタ−ン描画時
【第2図(
B)】に、パターンのxy座標値を像高値に応じて補正
して描画したレチクルを用いて露光する方法。 (ニ)倍率誤差を主とするデイスト−ジョンの場合、投
影レンズPL自体の縮小倍率1 / nを補正量ΔZ8
に応じて微小量だけ調整する方法(但し、倍率が像面湾
曲補正後にリニアに変化する場合)。 上記4つの方法のうち、(イ)と(ロ)は各レチクルR
を用いて露光したときの投影像のデイストーシジンを全
て同一に変化させて揃えてしまうことで重ね合わせに影
響を与えないようにした方法である。 また方法(ニ)は、例えば特開昭60−78454号公
報に開示されているような構造の投影レンズ、を用いれ
ば、極めて容易に制御できる。この投影レンズは内部に
気密空間を有し、その空間内のガス(空気等)の圧力を
調整することで、任意の量だけ倍率を微小変化させるこ
とができるので、使用するレチクルRの面f、の曲面補
正量(ΔZt)をレチクルパラメータとしてステッパー
に登録しておき、そのレチクルRがレチクルステージR
3に装着された隙に、曲面補正量(ΔZ2)に応じて調
整圧力にオフセットを与えればよい0以上の通り、曲面
補正したレチクルRを用いた像面湾曲補正は、片側テレ
セントリックな投影レンズを有するステッパーに対して
も極めて有効であり、同様の効果が得られる。 次に本発明の第3の実施例について第9図を参照して説
明する。第9図(A)は本実施例に好適なステッパーの
構成を模式的に示したものである。 露光照明系20には、照明光!Lを入射するオプチカル
インデグレータとしてのフライアイレンズ10、透過率
が高(、反射率の低いビームスプリッタ12、及びコン
デンサーレンズ14等が含まれている。フライアイレン
ズlOの射出側に形成される2次光源像は投影レンズP
Lの瞳EPと共役に配置される。コンデンサーレンズ1
4からの均一な照度分布の照明光ILはレチクルR,を
照明し、パターン領域(PA)を透過した光は投影レン
ズPLを通ってウェハWへ達する。ウェハWは、X1y
方向に2次元移動するステージWST上に保持され、ス
テージWSTはモータ32より駆動され、ステージWS
Tの座標位置はレーザ干渉計33で、例えば0.01μ
mの分解能で逐次計測される。またステージWST上に
はウェハWを固定して微小量上下(光軸AX)方向に移
動するZステージ30が設けられ、Zステージ30上の
周辺には透明な微小幅のスリットマークを存する基準マ
ーク板FMが固定されている。基準マーク板FMはオプ
チカル・ファイバー34、集光レンズ36によってステ
ージWSTの内側から照明光IL(g先光と同一波長)
で照明される。 このステッパーには、レチクルの上からウェハW、又は
基準マーク板FMを観察する公知のTTR(スルーザレ
チクル)方式のアライメント光学系22と、レチクルと
投影レンズPLを介して像面上のマークパターンを光電
検出するマーク検出系24とで構成されたTTRアライ
メント系と、投影レンズPLのみを介してウェハW又は
基準マ一り板FMを観察する公知のTTL(スルーザレ
ンズ)方式のアライメント光学系26と、投影レンズP
Lを介して像面上のマークパターンを光電検出するマー
ク検出系2Bとで構成されたTTLアライメント系とを
備えている。さらに、投影レンズPLには公知の圧力調
整装置18が設けられ、投影レンズPLの倍率や焦点位
置を微調整し、常に最適な結像特性が得られるように働
く。 また、レチクルステージR3の側方には、複数枚のレチ
クルを保管するレチクルライブラリーRLが設けられ、
オートハンドAHによってレチクルの自動交換が行なわ
れる。オートハンドAHの駆動は、レチクル交換制御系
42によって制御され、選ばれた1枚のレチクルをレチ
クルステージR3上に搬送するとともに、使用後のレチ
クルをレチクルライブラリーRLへ搬送する。主制御系
40は圧力調整装置18、TTRアライメント系(22
,24)、TTLアライメント系(26,28)、モー
タ32、レーザ干渉計33、及び交換制御系42のシー
ケンス等を統括制御するものである。 さて、本実施例のステッパーには照明系20の内に光電
検出器(フォトマルチプライヤ等)16が設けられ、そ
の光電信号を用いて、投影像面の湾曲を計測するように
した。光電検出器16の受光面は2分割され、独立した
光電信号を出力する受光面16A、16Bを有し、その
受光面は投影レンズPLの瞳BPと共役な位置、もしく
はその近傍に配置されている。この光電検出器16は、
フライアイレンズ10からの照明光ILが遮断されてい
る状態で、基準マーク板FMのスリットマークからの照
明光ILを、投影レンズPL、レチクル、コンデンサー
レンズ14、及びビームスプリッタ12を介して受光す
る。そしてその光電信号は主制御系40へ送られ、像面
湾曲計測のための焦点ずれ検出に使われる。 第9図(B)は、あるレチクル上に形成された2つのマ
ークRM、、RM、と基準マーク板FM上のX方向に伸
びたスリットマークFM、との関係を示す。基準マーク
板FMにはX方向に伸びたスリットマークも形成されて
いるが、ここでは図示を省略しである。 X方向に伸びたスリット状遮光部によるマークRM、は
、スリットマークFM、の投影レンズPLによる逆投影
像とほぼ同じスリット幅に作られており、焦点ずれ検出
の際はスリットマークFM8がX方向にマークRMII
を横切るようにステージWSTを移動させる。 第9図(C)は光電検出器16の2つの受光面16A、
16Bの平面配置を示し、受光面16A。 16Bはx−X方向に対して451で瞳像EP’を中心
で分割するように配置されている。また受光面16A、
16Bの2つによって、瞳像EP’がカバーされるよう
な受光面積をもち、効率のよい光電検出を可能としてい
る。尚、受光面16Aと16Bの分割線は極力幅が狭く
なるようにして、瞳中心部での不感帯幅を少なくする0
以上の構成は、例えば特開昭63−70104号公報に
開示された構成を応用したものである。また、2つの受
光面16A、16Bを45″に傾けて分割したのは、マ
ークRM、とスリットマークFM、を用いて、X方向の
計測を行なう場合と、マークRM8とX方向に伸びた他
のスリットマーク(FM。 )を用いてX方向の計°測を行なう場合とで共用するた
めである。このように瞳共役面を通る光束を瞳中心で2
分割して別々に光電検出する焦点検出法は、所謂瞳分割
方式のAF(オートフォーカス)系として原理的には知
られているが、結像光学系を挟んで配置された2つのマ
ーク(FM、、RMよ)の相対移動にともなう瞳面の光
量変化から焦点検出を行なう方法はステッパー特有のも
のである。 次に、本実施例における像面湾曲の計測手順を第9図(
D)、(E)も参照して説明する。 基準マーク板FMを不図示の斜入射光式AF系を用いで
ある高さ位置にセットした状態で第9図(B)のように
スリットマークFM、をX方向に走査すると、光電検出
器16の受光面16A、16Bからの各光電信号SA、
SBの波形は第9図(D)のように変化する。信号SA
、SBは、スリットマークFM、の走査位置に応じてボ
トム波形となり、その波形の中心位置の差ΔXfを求め
る。レチクルと基準マーク板とが精密に共役関係になっ
ているときは、差ΔXtは零である。そこで、Zステー
ジ30の高さを微小量ずつ変えながら、マークRM、を
スリットマークFMつで走査し、Zステージ30の高さ
位置ΔZと信号SA。 SBのボトム中心のX方向の位置ΔXとの関係を予め計
測しておくと、第9図(E)のような2つの直線的な特
性LASLBが得られる。例えば正の傾きをもつ特性L
Aは信号SAに基づくもので、負の傾きをもつ特性LB
は信号SBに基づくものである。そして特性LA、LB
上でX方向にΔX、の差となるX方向の位置−ΔZ1が
、基準マーク板FMの最良結像面からのずれ量になる。 そこで、第9図(A)に示したレチクルR,をテストレ
チクルとし、そのパターン領域内の中心点とその周囲(
特に放射方向)の複数点の夫々に、第9図(B)のよう
なマークRM、、RM、を形成し、基準マーク板FMの
スリットマークFM。 を同一高さ位置に固定したまま各点のマークRM、、R
M、を走査して、各点での信号SA、SBのボトム中心
の差Δx、o、Δxr+、Δxrt・・・・・・を求め
てい(。ここでテストレチクルR1のパターン面は平面
に作られているものとし、差ΔX、。はテストレチクル
R1の中心点P0で得られたものとする。またテストレ
チクルR3上の各マークRM、、RM、の位置は予めわ
かっているため、各マークの像高値(中心点P、からの
距離)H,、、Hw!・・・・・・として求められる。 そこでこれらデータΔXf0、A X t +、ΔX
t z ・=−と第9図(E) (7)特性LA、LB
とに基づいて、主制御系40は中心点P、を基準とした
各像高個毎の光軸方向の焦点ずれ量ΔZを算出する。例
えば特性LA、LBに基づいて求めた差ΔX、。に対応
したずれ量をΔZ1゜、像高値H81での差ΔXflに
対応したずれ量をΔZwlとすると、像高値Hmlでの
像面湾曲量は、ΔZ w+−67w。(Hw+)となる
。このように、レチクルライブラリーRLにテストレチ
クルR,を保管しておき、ステッパー稼動中の適当なタ
イミングで、そのテストレチクルR,をステッパーのレ
チクルステージR3へ装着し、基準マーク板FMを用い
て複数の異なる像高点での焦点ずれ量を求めれば、平面
レチクルのときの最良結像面の湾曲の形状や量が極めて
短時間のうちに、しかも正確に求められる。 尚、第9図(D)に示した信号SA、SBのレベルはレ
ーザ干渉計33からの計測ノクルス(0,011Im毎
に1パルス)に応答してA/D変換され、その波形がメ
モリに取り込まれるように構成されているため、差ΔX
、の検出分解能は0.01μm以下が得られる。また第
9図(E)の特性LA、LBは瞳EPのうちの丁度半分
だけを通る結像光束の主光線の傾き(ΔZ/ΔX)に対
応しており、投影レンズPLの開口数(N、A、 )が
大きくなればなる程、それにみあって精度も高くできる
といった特徴がある。 さらに本実施例ではマークRM、、RM、スリットマー
クFM8等はx、y方向に伸びたものとしたが、それぞ
れxy力方向対して45″傾しまた直線マークとし、そ
の長手方向を光電検出器16の2つの受光面16A11
6Bの分割帯の方向と合わせておくと、検出感度をさら
に約1.4倍高めることができる。また光電検出器16
の受光面は、第9図(F)に示すように瞳像EP’ の
中心でX、y方向に4分割するような4つの受光面16
C116D、16E、16Fとしてもよい、その場合、
マークRM、をスリットマークFM、で走査して焦点ず
れを検出するときは、受光面16Cの信号SCと受光面
16Fの信号SFとを加算したものと、受光面16Dの
信号SDと受光面16Hの信号SEとを加算したものと
を用いればよい、すなわち、5A=SC+SF、5B=
SD十SEとして先の場合と同様にずれ量ΔZを求めれ
ばよい。 またマークRM、を用いたy方向の計測時には5A=S
C+SD、5B=SE+SFとすればよい。 ところで、実デバイス作成用のレチクルにおいても、マ
ークRM、、RM、と同じものを設けておけば、同様に
像面湾曲の自動計測が可能である。 この場合、そのレチクルが第9図(G)に示すように、
4つのパターン領域PA、、PA、 、PA、、PA、
をストリートライン領域ST、、ST、で区画したよう
なマルチパターンレチクルであると、各ストリートライ
ン領域ST、 、ST、中に適当な間隔でマークRM、
、又はRM、を設けることができ、好都合である。さら
に各パターン領域PA、〜PA、の外側にもそれらマー
クRM、、RM、と同等のマークRMを設けておくとよ
い。 以上のテストレチクルや、第9図(G)のデバイスレチ
クルは、いずれも先に説明したような曲面補正されたも
のであってもよい。 次に本発明の第4の実施例を第10[fflを参照して
説明する。本実施例では投影レンズPLの像面湾曲が稼
動中に変化した場合を想定し、それに対応できるように
した。投影レンズPLは、連続して多数枚のウェハWの
露光処理を行なっていく、多かれ少なかれ像面湾曲量や
傾向が変化することがある。またステッパーの使用環境
(大気圧、温度等)の変化によっても湾曲量が変化する
ことがある。 そこで本実施例では2つの代表的なシーケンスのうち、
少なくとも一方を実行することで、像面湾曲の変動に対
応する。いずれのシーケンスの場合も、予め像面湾曲の
変動を調べ、その変動に対して複数の曲面補正レチクル
を用意しておく。 第1θ図は曲面補正レチクル群の一例を示し、第10図
(A)は平面レチクルRtを表わし、平坦なパターン面
には模式的にパターンA+ 、B+、CIが間隔り、
、L、で形成されている。第10図(B)は第1の曲面
補正レチクルR3を表わし、負の曲面(凹面)foには
パターンA、、B2、C2が間隔り、 、L、で形成さ
れている。第1O図(C)は第2の曲面補正レチクルR
6を表わし、正の曲面(凸面)f、にはパターンA、、
Bz、Ciが間隔L+、Lxで形成されている。 これらパターンA+ 、A! 、Asの組、パターンB
、、B、、B、の組、及びパターンC,、C。 、C1の組はいずれも同一のものである。 この第10図のような3枚のレチクルR,、R1、R4
を1セツトとして、第9図(A)に示すようにステッパ
ーのレチクルライブラリーRLに保管しておく、この場
合、投影レンズPLの像面湾曲の変動は、投影レンズに
向いた凹面状から凸面状までの間で変化し得るものとす
る。 次に代表的な2つのシーケンスのうちの1つを説明する
。ステッパーが稼動している適当なタイミングで、第9
図で説明したように基準マーク板FM、レチクルのマー
クRM、、RM、、及び光電検出器16を使って、像面
湾曲の実際の量を計測する。その像面湾曲量が一定の許
容値を越えるときは、それを補正するのに最も近いレチ
クルを主制御系40の演算によりRt 、Rs 、Ra
のなかから選び、オートハンドAHにより自動搬送する
。このようにすれば、像面湾曲量がどのようなものであ
っても、常に湾曲を補正するのに十分なレチクルが使わ
れるので、露光処理されるウェハの全数で解像不良を起
すショットが未然に防止され、歩留りを向上できる。 また、投影レンズPLの像面湾曲量が露光光の入射によ
るエネルギー蓄積量に対応していることが予め求められ
ている場合は、投影レンズPLのエネルギー蓄積量に関
する情報に基づいて、使用すべきレチクルを選んでもよ
い、これが本実施例のもう1つのシーケンスである。エ
ネルギー蓄積量に関する情報は、好都合なことに第9図
(A)に示した圧力調整装置1日の内部で時々刻々作ら
れている。すなわち露光光の入射により生じる倍率誤差
の予想演算値、あるいは焦点変動量の予想演算値がそれ
である。そこで、主制御性40は、その予想演算値に基
づいて像面湾曲量が許容値を超えるか否かを判断し、超
えるときはレチクルR2、R,、R,のうち別のレチク
ルを選び、オートハンドAHによりレチクル交換を行な
う。このシーケンスによれば、像面湾曲の実測を省略し
ているため、スルーブツト低下の要因はレチクル交換(
レチクルアライメント)時間だけである。 またいずれのシーケンスの場合も、圧力調整装置18は
常時働かせた状態での像面湾曲を前提としている。さら
にレチクル交換によってフォーカス位置がずれるときは
、Zステージ30の高さ位置にオフセットを与えること
も必要である。 ところで、複数の異なる曲面補正レチクル(パターンは
同一)を用意しておくと、ウェハWの表面の凹凸(1つ
のショット領域内では凹面状、又は凸面状)に応して、
像面湾曲量も考慮して最適な曲面をもつレチクルを選ぶ
ようにすれば、ウェハW上でのショット領域毎にウェハ
のフラットネスの影響で解像不良となる可能性が低減さ
れる。 この場合、レチクル交換によって意図的に像面湾曲を発
生させたことになる。 次に、本発明の第5の実施例を第11図を参照して説明
する。ここでは環レチクル(マスターレチクル)を第2
図で述べたようなEB露光装置EBXで作成し、このマ
スターレチクルから複数のワーキングレチクルを密着又
は近接露光により作成する方法を述べる。そのために、
マスターレチクルReのパターン面f、は、露光時の曲
面とは逆の形状、例えば正の曲率半径rで凸面にしてお
き、その上に所定のパターン領域を形成しておく。 ワーキングレチクルとなる透明基板(CP、)の一方の
面は、マスターレチクルR0の面f、と相補的な面にな
るように、負の曲率半径rで凹面に加工されている。そ
して基板GP、の曲面f、側の全体にクロム層CP、フ
ォトレジスト層C9を積層形成した後、マスターレチク
ルR0の面f。 とフォトレジスト層C,とを密着、又は微小間隙だけ離
して対向させ、マスターレチクルR0側から露光光IL
を照射する。後の工程は第2図(C)、(D)と同様で
ある。この場合、マスターレチクルR,の周辺と基板C
P、の周辺とはともに平坦面r!に加工されているため
、近接露光(プロキシミティ)の際のギャップ管理が容
易にできるといった利点もある。 〔発明の効果〕 以上のように本発明によれば、投影光学系の像面湾曲を
マスク基板側で補正する構成なので、その補正量はその
投影光学系の縦倍率(横倍率nの2乗)係数で決まり、
縮小倍率の高い(nの大きい)投影光学系では極めて高
精度な平面焦点が得られ、焦点深度の浅い投影光学系に
は掻めて有効な方法である。 しかも本発明によるマスク基板を用いると、マスク基板
から感光基板までの間の光路中に像面湾曲補正用の別の
光学部材を設ける必要がないため、投影露光時の像質(
デイスト−ジョン等)を劣化させる心配もない。 例えば1/10縮小投影の場合、像面内の各点で焦点深
度が0.5μmあり、像面湾曲量(ΔZ1)が0.25
μmだけあるとすると、従来の装置では総合焦点深度は
0.25pmと定められ、IC製造ラインのオペレータ
は、その総合焦点深度に制約されてウヱハの7ラツトネ
ス、オートフォーカス等を厳しく管理していた。 しかしながら、本発明によれば、マスク基板側での湾曲
量(ΔZi)を25μmとすることで、像面湾曲量はほ
ぼ零にすることができ、総合焦点深度はほぼ0.5μm
までかせぐことができる。さらに従来の技術によれば、
投影光学系の像画湾曲は、ベンツ・バールの定理により
硝材の光屈折率を変化させたり、レンズの曲率半径を変
化させるかして、極力零に追い込むように調整せざるを
得す、調整の複雑化、長時間化等の困難な問題が多かっ
た。これに対して本発明によれば、1枚のマスク基板(
レチクル)のパターン面を曲面に加工するといった容易
な手法によるだけで、残留像面湾曲をほとんど補正でき
るので、投影光学系の像面湾曲以外の他の特性をより高
精度にすべく製造努力を払うことができる。このように
製造時に1つのファクターをほとんど考慮しなくてもよ
くなることから、投影光学系の製造はかなり容易になる
。その上、本発明によるマスク基板を、曲面を異ならせ
て複数容易することができれば、感光基板上の露光領域
内の凹面状、又は凸面状をも考慮して像面補正ができる
ので、光りソグラフィの限界をさらに更新することが期
待できる。
B)】に、パターンのxy座標値を像高値に応じて補正
して描画したレチクルを用いて露光する方法。 (ニ)倍率誤差を主とするデイスト−ジョンの場合、投
影レンズPL自体の縮小倍率1 / nを補正量ΔZ8
に応じて微小量だけ調整する方法(但し、倍率が像面湾
曲補正後にリニアに変化する場合)。 上記4つの方法のうち、(イ)と(ロ)は各レチクルR
を用いて露光したときの投影像のデイストーシジンを全
て同一に変化させて揃えてしまうことで重ね合わせに影
響を与えないようにした方法である。 また方法(ニ)は、例えば特開昭60−78454号公
報に開示されているような構造の投影レンズ、を用いれ
ば、極めて容易に制御できる。この投影レンズは内部に
気密空間を有し、その空間内のガス(空気等)の圧力を
調整することで、任意の量だけ倍率を微小変化させるこ
とができるので、使用するレチクルRの面f、の曲面補
正量(ΔZt)をレチクルパラメータとしてステッパー
に登録しておき、そのレチクルRがレチクルステージR
3に装着された隙に、曲面補正量(ΔZ2)に応じて調
整圧力にオフセットを与えればよい0以上の通り、曲面
補正したレチクルRを用いた像面湾曲補正は、片側テレ
セントリックな投影レンズを有するステッパーに対して
も極めて有効であり、同様の効果が得られる。 次に本発明の第3の実施例について第9図を参照して説
明する。第9図(A)は本実施例に好適なステッパーの
構成を模式的に示したものである。 露光照明系20には、照明光!Lを入射するオプチカル
インデグレータとしてのフライアイレンズ10、透過率
が高(、反射率の低いビームスプリッタ12、及びコン
デンサーレンズ14等が含まれている。フライアイレン
ズlOの射出側に形成される2次光源像は投影レンズP
Lの瞳EPと共役に配置される。コンデンサーレンズ1
4からの均一な照度分布の照明光ILはレチクルR,を
照明し、パターン領域(PA)を透過した光は投影レン
ズPLを通ってウェハWへ達する。ウェハWは、X1y
方向に2次元移動するステージWST上に保持され、ス
テージWSTはモータ32より駆動され、ステージWS
Tの座標位置はレーザ干渉計33で、例えば0.01μ
mの分解能で逐次計測される。またステージWST上に
はウェハWを固定して微小量上下(光軸AX)方向に移
動するZステージ30が設けられ、Zステージ30上の
周辺には透明な微小幅のスリットマークを存する基準マ
ーク板FMが固定されている。基準マーク板FMはオプ
チカル・ファイバー34、集光レンズ36によってステ
ージWSTの内側から照明光IL(g先光と同一波長)
で照明される。 このステッパーには、レチクルの上からウェハW、又は
基準マーク板FMを観察する公知のTTR(スルーザレ
チクル)方式のアライメント光学系22と、レチクルと
投影レンズPLを介して像面上のマークパターンを光電
検出するマーク検出系24とで構成されたTTRアライ
メント系と、投影レンズPLのみを介してウェハW又は
基準マ一り板FMを観察する公知のTTL(スルーザレ
ンズ)方式のアライメント光学系26と、投影レンズP
Lを介して像面上のマークパターンを光電検出するマー
ク検出系2Bとで構成されたTTLアライメント系とを
備えている。さらに、投影レンズPLには公知の圧力調
整装置18が設けられ、投影レンズPLの倍率や焦点位
置を微調整し、常に最適な結像特性が得られるように働
く。 また、レチクルステージR3の側方には、複数枚のレチ
クルを保管するレチクルライブラリーRLが設けられ、
オートハンドAHによってレチクルの自動交換が行なわ
れる。オートハンドAHの駆動は、レチクル交換制御系
42によって制御され、選ばれた1枚のレチクルをレチ
クルステージR3上に搬送するとともに、使用後のレチ
クルをレチクルライブラリーRLへ搬送する。主制御系
40は圧力調整装置18、TTRアライメント系(22
,24)、TTLアライメント系(26,28)、モー
タ32、レーザ干渉計33、及び交換制御系42のシー
ケンス等を統括制御するものである。 さて、本実施例のステッパーには照明系20の内に光電
検出器(フォトマルチプライヤ等)16が設けられ、そ
の光電信号を用いて、投影像面の湾曲を計測するように
した。光電検出器16の受光面は2分割され、独立した
光電信号を出力する受光面16A、16Bを有し、その
受光面は投影レンズPLの瞳BPと共役な位置、もしく
はその近傍に配置されている。この光電検出器16は、
フライアイレンズ10からの照明光ILが遮断されてい
る状態で、基準マーク板FMのスリットマークからの照
明光ILを、投影レンズPL、レチクル、コンデンサー
レンズ14、及びビームスプリッタ12を介して受光す
る。そしてその光電信号は主制御系40へ送られ、像面
湾曲計測のための焦点ずれ検出に使われる。 第9図(B)は、あるレチクル上に形成された2つのマ
ークRM、、RM、と基準マーク板FM上のX方向に伸
びたスリットマークFM、との関係を示す。基準マーク
板FMにはX方向に伸びたスリットマークも形成されて
いるが、ここでは図示を省略しである。 X方向に伸びたスリット状遮光部によるマークRM、は
、スリットマークFM、の投影レンズPLによる逆投影
像とほぼ同じスリット幅に作られており、焦点ずれ検出
の際はスリットマークFM8がX方向にマークRMII
を横切るようにステージWSTを移動させる。 第9図(C)は光電検出器16の2つの受光面16A、
16Bの平面配置を示し、受光面16A。 16Bはx−X方向に対して451で瞳像EP’を中心
で分割するように配置されている。また受光面16A、
16Bの2つによって、瞳像EP’がカバーされるよう
な受光面積をもち、効率のよい光電検出を可能としてい
る。尚、受光面16Aと16Bの分割線は極力幅が狭く
なるようにして、瞳中心部での不感帯幅を少なくする0
以上の構成は、例えば特開昭63−70104号公報に
開示された構成を応用したものである。また、2つの受
光面16A、16Bを45″に傾けて分割したのは、マ
ークRM、とスリットマークFM、を用いて、X方向の
計測を行なう場合と、マークRM8とX方向に伸びた他
のスリットマーク(FM。 )を用いてX方向の計°測を行なう場合とで共用するた
めである。このように瞳共役面を通る光束を瞳中心で2
分割して別々に光電検出する焦点検出法は、所謂瞳分割
方式のAF(オートフォーカス)系として原理的には知
られているが、結像光学系を挟んで配置された2つのマ
ーク(FM、、RMよ)の相対移動にともなう瞳面の光
量変化から焦点検出を行なう方法はステッパー特有のも
のである。 次に、本実施例における像面湾曲の計測手順を第9図(
D)、(E)も参照して説明する。 基準マーク板FMを不図示の斜入射光式AF系を用いで
ある高さ位置にセットした状態で第9図(B)のように
スリットマークFM、をX方向に走査すると、光電検出
器16の受光面16A、16Bからの各光電信号SA、
SBの波形は第9図(D)のように変化する。信号SA
、SBは、スリットマークFM、の走査位置に応じてボ
トム波形となり、その波形の中心位置の差ΔXfを求め
る。レチクルと基準マーク板とが精密に共役関係になっ
ているときは、差ΔXtは零である。そこで、Zステー
ジ30の高さを微小量ずつ変えながら、マークRM、を
スリットマークFMつで走査し、Zステージ30の高さ
位置ΔZと信号SA。 SBのボトム中心のX方向の位置ΔXとの関係を予め計
測しておくと、第9図(E)のような2つの直線的な特
性LASLBが得られる。例えば正の傾きをもつ特性L
Aは信号SAに基づくもので、負の傾きをもつ特性LB
は信号SBに基づくものである。そして特性LA、LB
上でX方向にΔX、の差となるX方向の位置−ΔZ1が
、基準マーク板FMの最良結像面からのずれ量になる。 そこで、第9図(A)に示したレチクルR,をテストレ
チクルとし、そのパターン領域内の中心点とその周囲(
特に放射方向)の複数点の夫々に、第9図(B)のよう
なマークRM、、RM、を形成し、基準マーク板FMの
スリットマークFM。 を同一高さ位置に固定したまま各点のマークRM、、R
M、を走査して、各点での信号SA、SBのボトム中心
の差Δx、o、Δxr+、Δxrt・・・・・・を求め
てい(。ここでテストレチクルR1のパターン面は平面
に作られているものとし、差ΔX、。はテストレチクル
R1の中心点P0で得られたものとする。またテストレ
チクルR3上の各マークRM、、RM、の位置は予めわ
かっているため、各マークの像高値(中心点P、からの
距離)H,、、Hw!・・・・・・として求められる。 そこでこれらデータΔXf0、A X t +、ΔX
t z ・=−と第9図(E) (7)特性LA、LB
とに基づいて、主制御系40は中心点P、を基準とした
各像高個毎の光軸方向の焦点ずれ量ΔZを算出する。例
えば特性LA、LBに基づいて求めた差ΔX、。に対応
したずれ量をΔZ1゜、像高値H81での差ΔXflに
対応したずれ量をΔZwlとすると、像高値Hmlでの
像面湾曲量は、ΔZ w+−67w。(Hw+)となる
。このように、レチクルライブラリーRLにテストレチ
クルR,を保管しておき、ステッパー稼動中の適当なタ
イミングで、そのテストレチクルR,をステッパーのレ
チクルステージR3へ装着し、基準マーク板FMを用い
て複数の異なる像高点での焦点ずれ量を求めれば、平面
レチクルのときの最良結像面の湾曲の形状や量が極めて
短時間のうちに、しかも正確に求められる。 尚、第9図(D)に示した信号SA、SBのレベルはレ
ーザ干渉計33からの計測ノクルス(0,011Im毎
に1パルス)に応答してA/D変換され、その波形がメ
モリに取り込まれるように構成されているため、差ΔX
、の検出分解能は0.01μm以下が得られる。また第
9図(E)の特性LA、LBは瞳EPのうちの丁度半分
だけを通る結像光束の主光線の傾き(ΔZ/ΔX)に対
応しており、投影レンズPLの開口数(N、A、 )が
大きくなればなる程、それにみあって精度も高くできる
といった特徴がある。 さらに本実施例ではマークRM、、RM、スリットマー
クFM8等はx、y方向に伸びたものとしたが、それぞ
れxy力方向対して45″傾しまた直線マークとし、そ
の長手方向を光電検出器16の2つの受光面16A11
6Bの分割帯の方向と合わせておくと、検出感度をさら
に約1.4倍高めることができる。また光電検出器16
の受光面は、第9図(F)に示すように瞳像EP’ の
中心でX、y方向に4分割するような4つの受光面16
C116D、16E、16Fとしてもよい、その場合、
マークRM、をスリットマークFM、で走査して焦点ず
れを検出するときは、受光面16Cの信号SCと受光面
16Fの信号SFとを加算したものと、受光面16Dの
信号SDと受光面16Hの信号SEとを加算したものと
を用いればよい、すなわち、5A=SC+SF、5B=
SD十SEとして先の場合と同様にずれ量ΔZを求めれ
ばよい。 またマークRM、を用いたy方向の計測時には5A=S
C+SD、5B=SE+SFとすればよい。 ところで、実デバイス作成用のレチクルにおいても、マ
ークRM、、RM、と同じものを設けておけば、同様に
像面湾曲の自動計測が可能である。 この場合、そのレチクルが第9図(G)に示すように、
4つのパターン領域PA、、PA、 、PA、、PA、
をストリートライン領域ST、、ST、で区画したよう
なマルチパターンレチクルであると、各ストリートライ
ン領域ST、 、ST、中に適当な間隔でマークRM、
、又はRM、を設けることができ、好都合である。さら
に各パターン領域PA、〜PA、の外側にもそれらマー
クRM、、RM、と同等のマークRMを設けておくとよ
い。 以上のテストレチクルや、第9図(G)のデバイスレチ
クルは、いずれも先に説明したような曲面補正されたも
のであってもよい。 次に本発明の第4の実施例を第10[fflを参照して
説明する。本実施例では投影レンズPLの像面湾曲が稼
動中に変化した場合を想定し、それに対応できるように
した。投影レンズPLは、連続して多数枚のウェハWの
露光処理を行なっていく、多かれ少なかれ像面湾曲量や
傾向が変化することがある。またステッパーの使用環境
(大気圧、温度等)の変化によっても湾曲量が変化する
ことがある。 そこで本実施例では2つの代表的なシーケンスのうち、
少なくとも一方を実行することで、像面湾曲の変動に対
応する。いずれのシーケンスの場合も、予め像面湾曲の
変動を調べ、その変動に対して複数の曲面補正レチクル
を用意しておく。 第1θ図は曲面補正レチクル群の一例を示し、第10図
(A)は平面レチクルRtを表わし、平坦なパターン面
には模式的にパターンA+ 、B+、CIが間隔り、
、L、で形成されている。第10図(B)は第1の曲面
補正レチクルR3を表わし、負の曲面(凹面)foには
パターンA、、B2、C2が間隔り、 、L、で形成さ
れている。第1O図(C)は第2の曲面補正レチクルR
6を表わし、正の曲面(凸面)f、にはパターンA、、
Bz、Ciが間隔L+、Lxで形成されている。 これらパターンA+ 、A! 、Asの組、パターンB
、、B、、B、の組、及びパターンC,、C。 、C1の組はいずれも同一のものである。 この第10図のような3枚のレチクルR,、R1、R4
を1セツトとして、第9図(A)に示すようにステッパ
ーのレチクルライブラリーRLに保管しておく、この場
合、投影レンズPLの像面湾曲の変動は、投影レンズに
向いた凹面状から凸面状までの間で変化し得るものとす
る。 次に代表的な2つのシーケンスのうちの1つを説明する
。ステッパーが稼動している適当なタイミングで、第9
図で説明したように基準マーク板FM、レチクルのマー
クRM、、RM、、及び光電検出器16を使って、像面
湾曲の実際の量を計測する。その像面湾曲量が一定の許
容値を越えるときは、それを補正するのに最も近いレチ
クルを主制御系40の演算によりRt 、Rs 、Ra
のなかから選び、オートハンドAHにより自動搬送する
。このようにすれば、像面湾曲量がどのようなものであ
っても、常に湾曲を補正するのに十分なレチクルが使わ
れるので、露光処理されるウェハの全数で解像不良を起
すショットが未然に防止され、歩留りを向上できる。 また、投影レンズPLの像面湾曲量が露光光の入射によ
るエネルギー蓄積量に対応していることが予め求められ
ている場合は、投影レンズPLのエネルギー蓄積量に関
する情報に基づいて、使用すべきレチクルを選んでもよ
い、これが本実施例のもう1つのシーケンスである。エ
ネルギー蓄積量に関する情報は、好都合なことに第9図
(A)に示した圧力調整装置1日の内部で時々刻々作ら
れている。すなわち露光光の入射により生じる倍率誤差
の予想演算値、あるいは焦点変動量の予想演算値がそれ
である。そこで、主制御性40は、その予想演算値に基
づいて像面湾曲量が許容値を超えるか否かを判断し、超
えるときはレチクルR2、R,、R,のうち別のレチク
ルを選び、オートハンドAHによりレチクル交換を行な
う。このシーケンスによれば、像面湾曲の実測を省略し
ているため、スルーブツト低下の要因はレチクル交換(
レチクルアライメント)時間だけである。 またいずれのシーケンスの場合も、圧力調整装置18は
常時働かせた状態での像面湾曲を前提としている。さら
にレチクル交換によってフォーカス位置がずれるときは
、Zステージ30の高さ位置にオフセットを与えること
も必要である。 ところで、複数の異なる曲面補正レチクル(パターンは
同一)を用意しておくと、ウェハWの表面の凹凸(1つ
のショット領域内では凹面状、又は凸面状)に応して、
像面湾曲量も考慮して最適な曲面をもつレチクルを選ぶ
ようにすれば、ウェハW上でのショット領域毎にウェハ
のフラットネスの影響で解像不良となる可能性が低減さ
れる。 この場合、レチクル交換によって意図的に像面湾曲を発
生させたことになる。 次に、本発明の第5の実施例を第11図を参照して説明
する。ここでは環レチクル(マスターレチクル)を第2
図で述べたようなEB露光装置EBXで作成し、このマ
スターレチクルから複数のワーキングレチクルを密着又
は近接露光により作成する方法を述べる。そのために、
マスターレチクルReのパターン面f、は、露光時の曲
面とは逆の形状、例えば正の曲率半径rで凸面にしてお
き、その上に所定のパターン領域を形成しておく。 ワーキングレチクルとなる透明基板(CP、)の一方の
面は、マスターレチクルR0の面f、と相補的な面にな
るように、負の曲率半径rで凹面に加工されている。そ
して基板GP、の曲面f、側の全体にクロム層CP、フ
ォトレジスト層C9を積層形成した後、マスターレチク
ルR0の面f。 とフォトレジスト層C,とを密着、又は微小間隙だけ離
して対向させ、マスターレチクルR0側から露光光IL
を照射する。後の工程は第2図(C)、(D)と同様で
ある。この場合、マスターレチクルR,の周辺と基板C
P、の周辺とはともに平坦面r!に加工されているため
、近接露光(プロキシミティ)の際のギャップ管理が容
易にできるといった利点もある。 〔発明の効果〕 以上のように本発明によれば、投影光学系の像面湾曲を
マスク基板側で補正する構成なので、その補正量はその
投影光学系の縦倍率(横倍率nの2乗)係数で決まり、
縮小倍率の高い(nの大きい)投影光学系では極めて高
精度な平面焦点が得られ、焦点深度の浅い投影光学系に
は掻めて有効な方法である。 しかも本発明によるマスク基板を用いると、マスク基板
から感光基板までの間の光路中に像面湾曲補正用の別の
光学部材を設ける必要がないため、投影露光時の像質(
デイスト−ジョン等)を劣化させる心配もない。 例えば1/10縮小投影の場合、像面内の各点で焦点深
度が0.5μmあり、像面湾曲量(ΔZ1)が0.25
μmだけあるとすると、従来の装置では総合焦点深度は
0.25pmと定められ、IC製造ラインのオペレータ
は、その総合焦点深度に制約されてウヱハの7ラツトネ
ス、オートフォーカス等を厳しく管理していた。 しかしながら、本発明によれば、マスク基板側での湾曲
量(ΔZi)を25μmとすることで、像面湾曲量はほ
ぼ零にすることができ、総合焦点深度はほぼ0.5μm
までかせぐことができる。さらに従来の技術によれば、
投影光学系の像画湾曲は、ベンツ・バールの定理により
硝材の光屈折率を変化させたり、レンズの曲率半径を変
化させるかして、極力零に追い込むように調整せざるを
得す、調整の複雑化、長時間化等の困難な問題が多かっ
た。これに対して本発明によれば、1枚のマスク基板(
レチクル)のパターン面を曲面に加工するといった容易
な手法によるだけで、残留像面湾曲をほとんど補正でき
るので、投影光学系の像面湾曲以外の他の特性をより高
精度にすべく製造努力を払うことができる。このように
製造時に1つのファクターをほとんど考慮しなくてもよ
くなることから、投影光学系の製造はかなり容易になる
。その上、本発明によるマスク基板を、曲面を異ならせ
て複数容易することができれば、感光基板上の露光領域
内の凹面状、又は凸面状をも考慮して像面補正ができる
ので、光りソグラフィの限界をさらに更新することが期
待できる。
第1図は本発明の詳細な説明する図、第2図は本発明の
各実施例におけるレチクルの製造方法を説明する図、第
3図は曲面補正レチクルのパターン面の曲率の求め方を
説明する図、第4図は像面湾曲の他の傾向を説明する図
、第5図は他の傾向の像面湾曲に対応するレチクルの構
造を示す断面図、第6図はステッパーの代表的なレチク
ルステージの構造を示す斜視図、第7図は曲面補正レチ
クルの他の構造を説明する図、第8図は本発明の第2の
実施例による投影露光の原理を説明する図、第9図(A
)は本発明の第3、第4の実施例に好適なステッパーの
構成を示す図、第9図(B)、(C)、(F)は第9図
(A)のステッパーの部分的な構成を示す平面図、第9
図(D)、(E)は像面湾曲計測時の信号処理の様子を
示す波形図、第9図(G)は実デバイスレチクルの一例
を示す平面図、第10図は本発明の第4の実施例として
使われるレチクルの構造を示す断面図、第11図は本発
明の第5の実施例によるレチクル製造方法を説明する図
、第12図(A)、(B)は像面湾曲の様子を説明する
図である。 【主要部分の符号の説明〕 R,R3、R4、R,・・・曲面補正されたレチクル、
Rよ・・・平面レチクル%RI ・・・テストレチクル
、GPSGP、・・・透明基板、 r、・・・曲面加工されたパターン面、f2・・・平坦
面、PA、、PA、 、PA□、PA3 、PA。 ・・・パターン領域、 PL・・・投影レンズ、W・・・ウェハ。
各実施例におけるレチクルの製造方法を説明する図、第
3図は曲面補正レチクルのパターン面の曲率の求め方を
説明する図、第4図は像面湾曲の他の傾向を説明する図
、第5図は他の傾向の像面湾曲に対応するレチクルの構
造を示す断面図、第6図はステッパーの代表的なレチク
ルステージの構造を示す斜視図、第7図は曲面補正レチ
クルの他の構造を説明する図、第8図は本発明の第2の
実施例による投影露光の原理を説明する図、第9図(A
)は本発明の第3、第4の実施例に好適なステッパーの
構成を示す図、第9図(B)、(C)、(F)は第9図
(A)のステッパーの部分的な構成を示す平面図、第9
図(D)、(E)は像面湾曲計測時の信号処理の様子を
示す波形図、第9図(G)は実デバイスレチクルの一例
を示す平面図、第10図は本発明の第4の実施例として
使われるレチクルの構造を示す断面図、第11図は本発
明の第5の実施例によるレチクル製造方法を説明する図
、第12図(A)、(B)は像面湾曲の様子を説明する
図である。 【主要部分の符号の説明〕 R,R3、R4、R,・・・曲面補正されたレチクル、
Rよ・・・平面レチクル%RI ・・・テストレチクル
、GPSGP、・・・透明基板、 r、・・・曲面加工されたパターン面、f2・・・平坦
面、PA、、PA、 、PA□、PA3 、PA。 ・・・パターン領域、 PL・・・投影レンズ、W・・・ウェハ。
Claims (7)
- (1)所定のエネルギー線に対してほぼ透明で一様な厚
みの透明基板に、前記エネルギー線に対する遮へい物質
で所定のパターン層が形成され、該パターンを感応基板
へ転写するために使われるマスク基板において、前記透
明基板の一方の面を所定の曲面に加工するとともに、該
曲面側に前記パターン層を形成したことを特徴とするマ
スク基板。 - (2)前記マスク基板のパターンを前記感応基板へ転写
する際に投影光学系を使用する場合は、前記透明基板の
曲面の量を前記投影光学系の像面湾曲が見かけ上補正さ
れるように定めたことを特徴とする請求項第1項に記載
のマスク基板。 - (3)前記透明基板の一方の面は、光学球面研摩もしく
は光学非球面研摩によって曲面に加工されていることを
特徴とする請求項第1項、又は第2項記載のマスク基板
。 - (4)前記曲面は、前記パターンの形成領域を含んで形
成され、前記透明基板の一方の面の外周部は平面に加工
されていることを特徴とする請求項第1項、第2項、又
は第3項に記載のマスク基板。 - (5)前記マスク基板をマスターマスク基板との密着、
もしくは近接露光により製造する方法において、前記マ
スク基板となる透明基板の一方の面を前記像面湾曲が見
かけ上補正されるような曲面で加工した後、該曲面側に
遮へい物質の層とレジスト層を積層する工程と;前記透
明基板の曲面と相補的な曲面を有し、該相補的な曲面側
に前記パターン領域が形成されたマスターマスク基板を
用意し、該マスターマスク基板の曲面側と前記透明基板
の曲面側とを密着、もしくは近接して対向させ、前記マ
スターマスク基板のパターン領域を前記レジスト層へ転
写する工程とを含むことを特徴とするマスク製造方法。 - (6)マスク基板を所定の照明光で照射し、該マスク基
板に形成されたパターン領域の像を投影光学系を通して
感応基板上に結像投影する露光方法において、 前記照明光に対してほぼ透明で一様な厚みの透明基板の
一方の面を、前記投影光学系の像面湾曲量に対応させた
曲面に加工し、該加工後の曲面に前記パターン領域を形
成して前記マスク基板を作成する工程と; 該マスク基板の曲面側を前記投影光学系に向けた状態で
前記パターン領域の像を前記感応基板へ投影露光する工
程とを含むことを特徴とする露光方法。 - (7)前記マスク基板の作成時に、前記像面湾曲に対応
して前記一方の面を互いに異なる量、又は形状の曲面で
加工した複数の透明基板と平面のままの透明基板とを用
意し、その夫々に前記パターン領域を形成して複数のマ
スク基板を作成し;前記露光工程では、前記投影光学系
の像面湾曲の変化、もしくは前記感応基板の平面性に応
じて前記複数のマスク基板のうち最適な1つを選んで露
光することを特徴とする請求項第6項に記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63313912A JPH02160237A (ja) | 1988-12-14 | 1988-12-14 | マスク基板及びマスク製造方法、並びに該マスク基板を用いた露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63313912A JPH02160237A (ja) | 1988-12-14 | 1988-12-14 | マスク基板及びマスク製造方法、並びに該マスク基板を用いた露光方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02160237A true JPH02160237A (ja) | 1990-06-20 |
Family
ID=18047017
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63313912A Pending JPH02160237A (ja) | 1988-12-14 | 1988-12-14 | マスク基板及びマスク製造方法、並びに該マスク基板を用いた露光方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02160237A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100508360B1 (ko) * | 2001-05-31 | 2005-08-17 | 가부시끼가이샤 도시바 | 노광 마스크의 제조 방법, 마스크 기판 정보 생성 방법,반도체 장치의 제조 방법, 마스크 기판, 노광 마스크 및서버 |
US7060519B2 (en) | 2001-05-31 | 2006-06-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Manufacturing method for exposure mask, generating method for mask substrate information, mask substrate, exposure mask, manufacturing method for semiconductor device and server |
WO2005096098A3 (en) * | 2004-03-30 | 2006-07-06 | Zeiss Carl Smt Ag | Projection objective, projection exposure apparatus and reflective reticle for microlithography |
WO2013133321A1 (ja) * | 2012-03-07 | 2013-09-12 | 株式会社ニコン | マスク、マスクユニット、露光装置、基板処理装置、及びデバイス製造方法 |
JP2014524053A (ja) * | 2011-07-21 | 2014-09-18 | エルジー・ケム・リミテッド | マスク及びこれを含む光学フィルタの製造装置 |
JP2014200920A (ja) * | 2013-04-01 | 2014-10-27 | キヤノン株式会社 | ノズルチップの製造方法 |
-
1988
- 1988-12-14 JP JP63313912A patent/JPH02160237A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100508360B1 (ko) * | 2001-05-31 | 2005-08-17 | 가부시끼가이샤 도시바 | 노광 마스크의 제조 방법, 마스크 기판 정보 생성 방법,반도체 장치의 제조 방법, 마스크 기판, 노광 마스크 및서버 |
US7060519B2 (en) | 2001-05-31 | 2006-06-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Manufacturing method for exposure mask, generating method for mask substrate information, mask substrate, exposure mask, manufacturing method for semiconductor device and server |
US7435609B2 (en) | 2001-05-31 | 2008-10-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Manufacturing method for exposure mask, generating method for mask substrate information, mask substrate, exposure mask, manufacturing method for semiconductor device and server |
US7998759B2 (en) | 2001-05-31 | 2011-08-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Maunfacturing method for exposure mask, generating method for mask substrate information, mask substrate, exposure mask, manufacturing method for semiconductor device and server |
US8222051B2 (en) | 2001-05-31 | 2012-07-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Manufacturing method for exposure mask, generating method for mask substrate information, mask substrate, exposure mask, manufacturing method for semiconductor device and server |
WO2005096098A3 (en) * | 2004-03-30 | 2006-07-06 | Zeiss Carl Smt Ag | Projection objective, projection exposure apparatus and reflective reticle for microlithography |
JP2007531024A (ja) * | 2004-03-30 | 2007-11-01 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 投影対物レンズ、マイクロリソグラフィのための投影露光装置及び反射レチクル |
US8064040B2 (en) | 2004-03-30 | 2011-11-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection objective, projection exposure apparatus and reflective reticle for microlithography |
JP2014524053A (ja) * | 2011-07-21 | 2014-09-18 | エルジー・ケム・リミテッド | マスク及びこれを含む光学フィルタの製造装置 |
WO2013133321A1 (ja) * | 2012-03-07 | 2013-09-12 | 株式会社ニコン | マスク、マスクユニット、露光装置、基板処理装置、及びデバイス製造方法 |
JP2014200920A (ja) * | 2013-04-01 | 2014-10-27 | キヤノン株式会社 | ノズルチップの製造方法 |
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