JP2007526645A - 採取薄膜の品質改善処理方法 - Google Patents
採取薄膜の品質改善処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007526645A JP2007526645A JP2007501319A JP2007501319A JP2007526645A JP 2007526645 A JP2007526645 A JP 2007526645A JP 2007501319 A JP2007501319 A JP 2007501319A JP 2007501319 A JP2007501319 A JP 2007501319A JP 2007526645 A JP2007526645 A JP 2007526645A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- donor substrate
- heat treatment
- roughness
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 74
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 99
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 56
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 56
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 232
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 50
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 45
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 44
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 44
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 claims description 41
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 40
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 35
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 28
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims description 26
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 21
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 18
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 18
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 18
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 13
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 13
- 238000000678 plasma activation Methods 0.000 claims description 13
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 12
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 12
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 12
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 8
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 8
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 2
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 claims 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 abstract 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 49
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 12
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000004439 roughness measurement Methods 0.000 description 8
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 7
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 description 4
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910017214 AsGa Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical group [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 230000010070 molecular adhesion Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000011002 quantification Methods 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical group [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000002301 combined effect Effects 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000007730 finishing process Methods 0.000 description 1
- 239000001963 growth medium Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
- H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
- H01L21/76254—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Element Separation (AREA)
Abstract
Description
(a)所定の深さでドナー基板において脆化ゾーンを形成するために、核種を注入するステップと、
(b)受容基板にドナー基板を接着するステップと、
(c)脆化ゾーンでドナー基板から採取層を分離するために、エネルギーを供給するステップと、
(d)採取層を処理するステップとを含むものである。
のような、絶縁体の上に半導体がある構造を形成することができる。
(a)第二層の下に脆化ゾーンを形成するために、核種を注入するステップと、
(b)受容基板にドナー基板を接着するステップと、
(c)脆化ゾーンでドナー基板から採取層を分離するために、エネルギーを供給するステップと、
(d)第二層に対して第一層の残部を選択エッチングするステップとを含み、
ステップ(a)で実施する注入のパラメータが、ステップ(c)の実施直後に出現する粗さが最小になるように調整され、約800℃未満の温度で実施される接着を強化するのに適したステップをさらに含むことを特徴とする。
‐注入時(図3b参照)および結束解除時(図3d参照)の損傷部分の結晶品質の改善;
‐特に、高い頻度の粗さ(HF粗さ)について滑らかな面;
‐約0.8J/m2超の接着エネルギー(プラズマ活性化なし)。
‐特に、ヘリウムのピークが水素拡散ゾーンより深く、また、ヘリウムのピークが脆化ゾーンより深くなるように、ヘリウムと水素の濃度ピークをずらすために適合される注入パラメータによる、SiGe層への典型的にはヘリウムと水素の共注入の実施、および、
‐30分〜4時間(例えば、約1時間)保持できる約600℃(+/−25℃)の温度での後分離修復熱処理の実施。
H:30kev−1×1016/cm2
He:52または60keV−1.0×1016/cm2
H:30keV−1×1016/cm2
He:48,52,56または60keV−1×1016/cm2
2 第二層
3 第三層
4 脆化ゾーン
5 SiO2層
6 接着界面
10 ドナー基板
20 受容基板
30 構造
Claims (26)
- ドナー基板(10)は採取前に、半導体材料から選択される第一の材料でできた第一層(1)と半導体材料から選択される第二の材料でできた第一層(1)の上にある第二層(2)とを含む、ドナー基板(10)から採取する層(2)を含む構造(30)の形成方法であり、該方法は以下の:
(a)第二層(2)の下にドナー基板において脆化ゾーン(4)を形成するために、核種を注入するステップと、
(b)受容基板(20)にドナー基板(10)を接着するステップと、
(c)脆化ゾーン(4)でドナー基板(10)から採取層(1’と2)を分離するために、エネルギーを供給するステップと、
(d)第二層(2)に対して第一層の残部(1’)を選択エッチングするステップとを含み、
ステップ(a)で実施する注入のパラメータが、ステップ(c)の実施直後に出現する粗さが最小となるように調整され、約800℃未満の温度で実施される接着強化に適したステップをさらに含むことを特徴とするものである。 - 接着強化に適したステップはステップ(b)の前に実施され、プラズマ活性化を含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 接着強化に適したステップはステップ(b)の後に実施され、熱処理を含むことを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。
- 熱処理は約350℃〜約800℃の間に含まれる温度で30分〜約4時間行われることを特徴とする、請求項3に記載の方法。
- 熱処理は約550℃〜約800℃の間に含まれる温度で30分〜約4時間行われることを特徴とする、請求項4に記載の方法。
- 熱処理はステップ(c)の後に同じ炉内でステップ(c)に引き続いて実施されることを特徴とする、請求項3〜5のいずれか一つに記載の方法。
- 熱処理にはステップ(c)の分離温度から熱処理のために選択される温度までの単純温度変化が含まれることを特徴とする、請求項6に記載の方法。
- ステップ(c)は約30分〜2時間に及ぶ期間の間、約500℃で実施されることを特徴とする、請求項7に記載の方法。
- 接着強化に適したステップは、ステップ(d)の前に接着エネルギーが約0.8J/m2以上になるように実施されることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか一つに記載の方法。
- ステップ(c)の実施直後に出現する前記粗さは、表面10×10μm2で測定される約40ÅRMS未満であることを特徴とする、請求項1〜9のいずれか一つに記載の方法。
- ステップ(a)で注入する前記核種は二つの異なる原子を含み、すなわちステップ(a)は共注入であることを特徴とする、請求項1〜10のいずれか一つに記載の方法。
- ステップ(a)の共注入は、ヘリウムと水素の共注入であることを特徴とする、請求項11に記載の方法。
- ドナー基板はSiGe層を具備し、前記ステップ(a)の共注入は、前記SiGe層に脆化ゾーンを形成し、ヘリウムの濃度のピークがドナー基板の厚さうちに、水素拡散ゾーンより深く、また脆化ゾーンより深い位置にくるように適合された注入パラメータによって実施されることを特徴とする、請求項12に記載の方法。
- 熱処理は575℃〜625℃の間に含まれる温度で実施されることを特徴とする、請求項3〜7のいずれか一つと組み合わせられる、請求項13に記載の方法
- ヘリウムと水素の用量はそれぞれ約0.9×1016/cm2、約1.0×1016/cm2になるように選択されることを特徴とする、請求項13または14に記載の方法。
- ステップ(c)の後、機械研磨手段を実施しないことを特徴とする、請求項1〜15のいずれか一つに記載の方法。
- ステップ(d)の後、第二層を厚くするために、第二層(2)上の第二の材料の結晶を成長させることをさらに含むことを特徴とする、請求項1〜16のいずれか一つに記載の方法。
- 第一層(1)は0<x≦1のSi1-xGexでできており、第二層(2)は弾性的に歪みSiでできていることを特徴とする、請求項1〜17のいずれか一つに記載の方法。
- ドナー基板(10)はバルクSi支持基板、SiGeでできた緩衝構造、Si1-xGex(x≠0)を含む第一層(1)および歪みSiでできた第二層(2)を具備することを特徴とする、請求項1〜17のいずれか一つに記載の方法。
- 第一層(1)は弾性的に歪みSiでできており、第二層(2)は0<x≦1のSi1-xGexでできており、ドナー基板(10)はさらに第一層(1)の下にSi1-xGexでできた第三層(3)を具備することを特徴とする、請求項1〜17のいずれか一つに記載の方法。
- ステップ(a)の注入は第一層(1)の下でも実施されるものであり、方法はさらに、ステップ(c)とステップ(d)との間に、第一層(1)に対して第三層(3)の残部を選択エッチングすることを含むことを特徴とする、請求項20に記載の方法。
- ドナー基板(10)はバルクSi支持基板、SiGeでできた緩衝構造および同じドナー基板(10)から複数の採取ができるように、交互にSi1-xGex(x≠0)でできた第一層(1A、1B、1C、1D、1E)と、歪みSiでできた第二層(2A、2B、2C、2D、2E)とを含む多層構造とを具備することを特徴とする、請求項1〜17のいずれか一つに記載の方法。
- ステップ(a)の前に、約450℃〜約650℃の間に含まれる溶着温度で歪んだ層を形成することをさらに含み、この溶着とステップ(c)で得られる取り外しとの間で行われる処理は、溶着温度以下で実施されることを特徴とする、請求項18〜22のいずれか一つに記載の方法。
- ステップ(b)の前に、ドナー基板(10)および/または受容基板(20)へ接着層を形成するステップであって、接着層は例えば、SiO2、Si3N4またはSixOyNzのような電気的絶縁材を含む、形成ステップをさらに含むことを特徴とする、請求項1〜23のいずれか一つに記載の方法。
- 請求項24に記載の構造形成方法の、絶縁体の上に半導体がある構造の形成方法への応用。
- 請求項1に記載の方法の全ステップ(a)、(b)および(c)の実施後、また採取層(1’および2)のドナー基板の残部(10’)との接触解除後に得られる、絶縁体の上に半導体がある構造(30)であり、この構造には表面10×10μm2で測定する40ÅRMS未満の粗さと、約0.8J/m2以上の接着エネルギーを呈するものである。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0402340 | 2004-03-05 | ||
FR0402340A FR2867307B1 (fr) | 2004-03-05 | 2004-03-05 | Traitement thermique apres detachement smart-cut |
FR0409980A FR2867310B1 (fr) | 2004-03-05 | 2004-09-21 | Technique d'amelioration de la qualite d'une couche mince prelevee |
FR0409980 | 2004-09-21 | ||
PCT/FR2005/000542 WO2005086227A1 (fr) | 2004-03-05 | 2005-03-07 | Technique d’amelioration de la qualite d’une couche mince prelevee |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007526645A true JP2007526645A (ja) | 2007-09-13 |
JP4876067B2 JP4876067B2 (ja) | 2012-02-15 |
Family
ID=34863204
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007501318A Pending JP2007526644A (ja) | 2004-03-05 | 2005-03-07 | 採取薄膜の品質改善熱処理方法 |
JP2007501319A Active JP4876067B2 (ja) | 2004-03-05 | 2005-03-07 | 採取薄膜の品質改善処理方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007501318A Pending JP2007526644A (ja) | 2004-03-05 | 2005-03-07 | 採取薄膜の品質改善熱処理方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7276428B2 (ja) |
EP (2) | EP1721333A1 (ja) |
JP (2) | JP2007526644A (ja) |
KR (1) | KR100860271B1 (ja) |
FR (1) | FR2867310B1 (ja) |
WO (2) | WO2005086227A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010050444A (ja) * | 2008-07-22 | 2010-03-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Soi基板の作製方法 |
JP2011523784A (ja) * | 2008-05-26 | 2011-08-18 | コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブ | 直接接合方法における窒素プラズマ表面処理 |
KR20210019463A (ko) * | 2018-06-08 | 2021-02-22 | 글로벌웨이퍼스 씨오., 엘티디. | 얇은 실리콘 층의 전사 방법 |
Families Citing this family (53)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6717213B2 (en) * | 2001-06-29 | 2004-04-06 | Intel Corporation | Creation of high mobility channels in thin-body SOI devices |
FR2837981B1 (fr) * | 2002-03-28 | 2005-01-07 | Commissariat Energie Atomique | Procede de manipulation de couches semiconductrices pour leur amincissement |
FR2892228B1 (fr) * | 2005-10-18 | 2008-01-25 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de recyclage d'une plaquette donneuse epitaxiee |
US20090325362A1 (en) * | 2003-01-07 | 2009-12-31 | Nabil Chhaimi | Method of recycling an epitaxied donor wafer |
US7538010B2 (en) * | 2003-07-24 | 2009-05-26 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Method of fabricating an epitaxially grown layer |
FR2857983B1 (fr) * | 2003-07-24 | 2005-09-02 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'une couche epitaxiee |
FR2858461B1 (fr) * | 2003-07-30 | 2005-11-04 | Soitec Silicon On Insulator | Realisation d'une structure comprenant une couche protegeant contre des traitements chimiques |
FR2880988B1 (fr) * | 2005-01-19 | 2007-03-30 | Soitec Silicon On Insulator | TRAITEMENT D'UNE COUCHE EN SI1-yGEy PRELEVEE |
JP4654710B2 (ja) * | 2005-02-24 | 2011-03-23 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウェーハの製造方法 |
CN101248519B (zh) | 2005-02-28 | 2011-08-24 | 硅源公司 | 衬底硬化方法及所得器件 |
US7674687B2 (en) * | 2005-07-27 | 2010-03-09 | Silicon Genesis Corporation | Method and structure for fabricating multiple tiled regions onto a plate using a controlled cleaving process |
US7166520B1 (en) * | 2005-08-08 | 2007-01-23 | Silicon Genesis Corporation | Thin handle substrate method and structure for fabricating devices using one or more films provided by a layer transfer process |
US20070029043A1 (en) * | 2005-08-08 | 2007-02-08 | Silicon Genesis Corporation | Pre-made cleavable substrate method and structure of fabricating devices using one or more films provided by a layer transfer process |
US7427554B2 (en) * | 2005-08-12 | 2008-09-23 | Silicon Genesis Corporation | Manufacturing strained silicon substrates using a backing material |
EP1777735A3 (fr) * | 2005-10-18 | 2009-08-19 | S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies | Procédé de recyclage d'une plaquette donneuse épitaxiée |
FR2892230B1 (fr) * | 2005-10-19 | 2008-07-04 | Soitec Silicon On Insulator | Traitement d'une couche de germamium |
FR2893446B1 (fr) * | 2005-11-16 | 2008-02-15 | Soitec Silicon Insulator Techn | TRAITEMENT DE COUCHE DE SiGe POUR GRAVURE SELECTIVE |
FR2896618B1 (fr) * | 2006-01-23 | 2008-05-23 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'un substrat composite |
FR2896619B1 (fr) * | 2006-01-23 | 2008-05-23 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'un substrat composite a proprietes electriques ameliorees |
FR2898431B1 (fr) * | 2006-03-13 | 2008-07-25 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication de film mince |
EP1835533B1 (en) | 2006-03-14 | 2020-06-03 | Soitec | Method for manufacturing compound material wafers and method for recycling a used donor substrate |
US7598153B2 (en) * | 2006-03-31 | 2009-10-06 | Silicon Genesis Corporation | Method and structure for fabricating bonded substrate structures using thermal processing to remove oxygen species |
TW200802544A (en) * | 2006-04-25 | 2008-01-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Composite substrate and method for making the same |
US20070277874A1 (en) * | 2006-05-31 | 2007-12-06 | David Francis Dawson-Elli | Thin film photovoltaic structure |
US20070298586A1 (en) * | 2006-06-21 | 2007-12-27 | Nissan Motor Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
US20080070340A1 (en) * | 2006-09-14 | 2008-03-20 | Nicholas Francis Borrelli | Image sensor using thin-film SOI |
US20080173895A1 (en) * | 2007-01-24 | 2008-07-24 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Gallium nitride on silicon with a thermal expansion transition buffer layer |
JP2008198656A (ja) * | 2007-02-08 | 2008-08-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体基板の製造方法 |
US7888223B2 (en) * | 2007-03-28 | 2011-02-15 | United Microelectronics Corp. | Method for fabricating P-channel field-effect transistor (FET) |
US8664073B2 (en) | 2007-03-28 | 2014-03-04 | United Microelectronics Corp. | Method for fabricating field-effect transistor |
FR2923079B1 (fr) * | 2007-10-26 | 2017-10-27 | S O I Tec Silicon On Insulator Tech | Substrats soi avec couche fine isolante enterree |
US7998835B2 (en) * | 2008-01-15 | 2011-08-16 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Strain-direct-on-insulator (SDOI) substrate and method of forming |
JP5466410B2 (ja) * | 2008-02-14 | 2014-04-09 | 信越化学工業株式会社 | Soi基板の表面処理方法 |
FR2929758B1 (fr) * | 2008-04-07 | 2011-02-11 | Commissariat Energie Atomique | Procede de transfert a l'aide d'un substrat ferroelectrique |
US20100044827A1 (en) * | 2008-08-22 | 2010-02-25 | Kinik Company | Method for making a substrate structure comprising a film and substrate structure made by same method |
TWI479552B (zh) * | 2008-09-05 | 2015-04-01 | Kinik Co | 表面平滑處理方法 |
US7927975B2 (en) | 2009-02-04 | 2011-04-19 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor material manufacture |
GB2467935B (en) | 2009-02-19 | 2013-10-30 | Iqe Silicon Compounds Ltd | Formation of thin layers of GaAs and germanium materials |
TWI451474B (zh) * | 2009-12-14 | 2014-09-01 | Tien Hsi Lee | 一種製作可轉移性晶體薄膜的方法 |
US20110207306A1 (en) * | 2010-02-22 | 2011-08-25 | Sarko Cherekdjian | Semiconductor structure made using improved ion implantation process |
FR2961948B1 (fr) * | 2010-06-23 | 2012-08-03 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de traitement d'une piece en materiau compose |
US8196546B1 (en) | 2010-11-19 | 2012-06-12 | Corning Incorporated | Semiconductor structure made using improved multiple ion implantation process |
US8558195B2 (en) | 2010-11-19 | 2013-10-15 | Corning Incorporated | Semiconductor structure made using improved pseudo-simultaneous multiple ion implantation process |
US8008175B1 (en) | 2010-11-19 | 2011-08-30 | Coring Incorporated | Semiconductor structure made using improved simultaneous multiple ion implantation process |
FR2968121B1 (fr) | 2010-11-30 | 2012-12-21 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de transfert d'une couche a haute temperature |
RU2469433C1 (ru) * | 2011-07-13 | 2012-12-10 | Юрий Георгиевич Шретер | Способ лазерного отделения эпитаксиальной пленки или слоя эпитаксиальной пленки от ростовой подложки эпитаксиальной полупроводниковой структуры (варианты) |
FR2980916B1 (fr) | 2011-10-03 | 2014-03-28 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'une structure de type silicium sur isolant |
FR2982071B1 (fr) * | 2011-10-27 | 2014-05-16 | Commissariat Energie Atomique | Procede de lissage d'une surface par traitement thermique |
US9147803B2 (en) | 2013-01-02 | 2015-09-29 | Micron Technology, Inc. | Engineered substrates having epitaxial formation structures with enhanced shear strength and associated systems and methods |
US10049916B2 (en) * | 2014-05-23 | 2018-08-14 | Massachusetts Institute Of Technology | Method of manufacturing a germanium-on-insulator substrate |
FR3045934B1 (fr) * | 2015-12-22 | 2018-02-16 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Procede de fabrication d’un empilement de dispositifs electroniques |
US20180019169A1 (en) * | 2016-07-12 | 2018-01-18 | QMAT, Inc. | Backing substrate stabilizing donor substrate for implant or reclamation |
FR3134229B1 (fr) * | 2022-04-01 | 2024-03-08 | Commissariat Energie Atomique | Procede de transfert d’une couche mince sur un substrat support |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1187668A (ja) * | 1997-09-04 | 1999-03-30 | Mitsubishi Materials Shilicon Corp | Soi基板の製造方法 |
JPH11186187A (ja) * | 1997-12-22 | 1999-07-09 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | Soi基板の製造方法 |
JP2000036583A (ja) * | 1998-05-15 | 2000-02-02 | Canon Inc | 半導体基板、半導体薄膜の作製方法および多層構造体 |
JP2002502122A (ja) * | 1998-02-02 | 2002-01-22 | エス オー イ テク シリコン オン インシュレータ テクノロジース | 原子注入による半導体基板のキャビティ形成法 |
JP2003037253A (ja) * | 2001-07-26 | 2003-02-07 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Soi基板の製造方法及びsoi基板 |
JP2003078116A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Canon Inc | 半導体部材の製造方法及び半導体装置の製造方法 |
WO2003062507A2 (en) * | 2002-01-22 | 2003-07-31 | S.O.I.Tec Silicon Insulator Technologies | Method for manufacturing a free-standing substrate made of monocrystalline semi-conductor material |
JP2003324199A (ja) * | 2002-05-01 | 2003-11-14 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
WO2004006326A1 (en) * | 2002-07-09 | 2004-01-15 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Method of transferring of a layer of strained semiconductor material |
Family Cites Families (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4462847A (en) * | 1982-06-21 | 1984-07-31 | Texas Instruments Incorporated | Fabrication of dielectrically isolated microelectronic semiconductor circuits utilizing selective growth by low pressure vapor deposition |
US4604304A (en) * | 1985-07-03 | 1986-08-05 | Rca Corporation | Process of producing thick layers of silicon dioxide |
US4722912A (en) * | 1986-04-28 | 1988-02-02 | Rca Corporation | Method of forming a semiconductor structure |
JPS63185588A (ja) | 1987-01-27 | 1988-08-01 | 松下電工株式会社 | 電動ドリルドライバ− |
FR2681472B1 (fr) * | 1991-09-18 | 1993-10-29 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication de films minces de materiau semiconducteur. |
JPH06318588A (ja) | 1993-03-11 | 1994-11-15 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
US6162705A (en) * | 1997-05-12 | 2000-12-19 | Silicon Genesis Corporation | Controlled cleavage process and resulting device using beta annealing |
US6150239A (en) * | 1997-05-31 | 2000-11-21 | Max Planck Society | Method for the transfer of thin layers monocrystalline material onto a desirable substrate |
US5882987A (en) * | 1997-08-26 | 1999-03-16 | International Business Machines Corporation | Smart-cut process for the production of thin semiconductor material films |
JPH11150287A (ja) * | 1997-09-10 | 1999-06-02 | Canon Inc | 太陽電池モジュール、太陽電池付き外囲体、太陽電池付き外囲体の設置方法、及び太陽光発電システム |
FR2773261B1 (fr) * | 1997-12-30 | 2000-01-28 | Commissariat Energie Atomique | Procede pour le transfert d'un film mince comportant une etape de creation d'inclusions |
FR2777115B1 (fr) * | 1998-04-07 | 2001-07-13 | Commissariat Energie Atomique | Procede de traitement de substrats semi-conducteurs et structures obtenues par ce procede |
JP3456521B2 (ja) * | 1998-05-12 | 2003-10-14 | 三菱住友シリコン株式会社 | Soi基板の製造方法 |
US6989294B1 (en) * | 1998-06-10 | 2006-01-24 | Asat, Ltd. | Leadless plastic chip carrier with etch back pad singulation |
JP3358550B2 (ja) | 1998-07-07 | 2002-12-24 | 信越半導体株式会社 | Soiウエーハの製造方法ならびにこの方法で製造されるsoiウエーハ |
DE60045126D1 (de) * | 1999-06-25 | 2010-12-02 | Massachusetts Inst Technology | Oxidation einer auf einer germaniumschicht aufgebrachten siliziumschicht |
JP2003506883A (ja) * | 1999-08-10 | 2003-02-18 | シリコン ジェネシス コーポレイション | 低打ち込みドーズ量を用いて多層基板を製造するための劈開プロセス |
DE10031388A1 (de) * | 2000-07-03 | 2002-01-17 | Bundesdruckerei Gmbh | Handsensor für die Echtheitserkennung von Signets auf Dokumenten |
JP2004507084A (ja) * | 2000-08-16 | 2004-03-04 | マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー | グレーデッドエピタキシャル成長を用いた半導体品の製造プロセス |
US6448152B1 (en) * | 2001-02-20 | 2002-09-10 | Silicon Genesis Corporation | Method and system for generating a plurality of donor wafers and handle wafers prior to an order being placed by a customer |
US6603156B2 (en) * | 2001-03-31 | 2003-08-05 | International Business Machines Corporation | Strained silicon on insulator structures |
US7238622B2 (en) * | 2001-04-17 | 2007-07-03 | California Institute Of Technology | Wafer bonded virtual substrate and method for forming the same |
US6593625B2 (en) * | 2001-06-12 | 2003-07-15 | International Business Machines Corporation | Relaxed SiGe layers on Si or silicon-on-insulator substrates by ion implantation and thermal annealing |
US6717213B2 (en) * | 2001-06-29 | 2004-04-06 | Intel Corporation | Creation of high mobility channels in thin-body SOI devices |
US6649492B2 (en) * | 2002-02-11 | 2003-11-18 | International Business Machines Corporation | Strained Si based layer made by UHV-CVD, and devices therein |
US6562703B1 (en) * | 2002-03-13 | 2003-05-13 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Molecular hydrogen implantation method for forming a relaxed silicon germanium layer with high germanium content |
FR2839385B1 (fr) | 2002-05-02 | 2004-07-23 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de decollement de couches de materiau |
US20030227057A1 (en) * | 2002-06-07 | 2003-12-11 | Lochtefeld Anthony J. | Strained-semiconductor-on-insulator device structures |
US7335545B2 (en) * | 2002-06-07 | 2008-02-26 | Amberwave Systems Corporation | Control of strain in device layers by prevention of relaxation |
AU2003237473A1 (en) | 2002-06-07 | 2003-12-22 | Amberwave Systems Corporation | Strained-semiconductor-on-insulator device structures |
US6995430B2 (en) * | 2002-06-07 | 2006-02-07 | Amberwave Systems Corporation | Strained-semiconductor-on-insulator device structures |
US7307273B2 (en) * | 2002-06-07 | 2007-12-11 | Amberwave Systems Corporation | Control of strain in device layers by selective relaxation |
US7074623B2 (en) * | 2002-06-07 | 2006-07-11 | Amberwave Systems Corporation | Methods of forming strained-semiconductor-on-insulator finFET device structures |
FR2842349B1 (fr) | 2002-07-09 | 2005-02-18 | Transfert d'une couche mince a partir d'une plaquette comprenant une couche tampon | |
US6953736B2 (en) * | 2002-07-09 | 2005-10-11 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies S.A. | Process for transferring a layer of strained semiconductor material |
US7018910B2 (en) * | 2002-07-09 | 2006-03-28 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies S.A. | Transfer of a thin layer from a wafer comprising a buffer layer |
JP5005170B2 (ja) | 2002-07-19 | 2012-08-22 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | 超高品質シリコン含有化合物層の形成方法 |
US20040137698A1 (en) * | 2002-08-29 | 2004-07-15 | Gianni Taraschi | Fabrication system and method for monocrystaline semiconductor on a substrate |
FR2844634B1 (fr) | 2002-09-18 | 2005-05-27 | Soitec Silicon On Insulator | Formation d'une couche utile relaxee a partir d'une plaquette sans couche tampon |
US6911379B2 (en) * | 2003-03-05 | 2005-06-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of forming strained silicon on insulator substrate |
US7772087B2 (en) * | 2003-12-19 | 2010-08-10 | Commissariat A L'energie Atomique | Method of catastrophic transfer of a thin film after co-implantation |
US20060014363A1 (en) * | 2004-03-05 | 2006-01-19 | Nicolas Daval | Thermal treatment of a semiconductor layer |
-
2004
- 2004-09-21 FR FR0409980A patent/FR2867310B1/fr active Active
-
2005
- 2005-02-16 US US11/059,122 patent/US7276428B2/en active Active
- 2005-03-07 JP JP2007501318A patent/JP2007526644A/ja active Pending
- 2005-03-07 EP EP05737045A patent/EP1721333A1/fr not_active Withdrawn
- 2005-03-07 JP JP2007501319A patent/JP4876067B2/ja active Active
- 2005-03-07 KR KR1020067020815A patent/KR100860271B1/ko active IP Right Grant
- 2005-03-07 WO PCT/FR2005/000542 patent/WO2005086227A1/fr active Application Filing
- 2005-03-07 EP EP05737043A patent/EP1733423A1/fr not_active Withdrawn
- 2005-03-07 WO PCT/FR2005/000541 patent/WO2005086226A1/fr active Application Filing
- 2005-07-11 US US11/179,713 patent/US7449394B2/en active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1187668A (ja) * | 1997-09-04 | 1999-03-30 | Mitsubishi Materials Shilicon Corp | Soi基板の製造方法 |
JPH11186187A (ja) * | 1997-12-22 | 1999-07-09 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | Soi基板の製造方法 |
JP2002502122A (ja) * | 1998-02-02 | 2002-01-22 | エス オー イ テク シリコン オン インシュレータ テクノロジース | 原子注入による半導体基板のキャビティ形成法 |
JP2000036583A (ja) * | 1998-05-15 | 2000-02-02 | Canon Inc | 半導体基板、半導体薄膜の作製方法および多層構造体 |
JP2003037253A (ja) * | 2001-07-26 | 2003-02-07 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Soi基板の製造方法及びsoi基板 |
JP2003078116A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Canon Inc | 半導体部材の製造方法及び半導体装置の製造方法 |
WO2003062507A2 (en) * | 2002-01-22 | 2003-07-31 | S.O.I.Tec Silicon Insulator Technologies | Method for manufacturing a free-standing substrate made of monocrystalline semi-conductor material |
JP2003324199A (ja) * | 2002-05-01 | 2003-11-14 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
WO2004006326A1 (en) * | 2002-07-09 | 2004-01-15 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Method of transferring of a layer of strained semiconductor material |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011523784A (ja) * | 2008-05-26 | 2011-08-18 | コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブ | 直接接合方法における窒素プラズマ表面処理 |
JP2010050444A (ja) * | 2008-07-22 | 2010-03-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Soi基板の作製方法 |
KR20210019463A (ko) * | 2018-06-08 | 2021-02-22 | 글로벌웨이퍼스 씨오., 엘티디. | 얇은 실리콘 층의 전사 방법 |
KR102463727B1 (ko) | 2018-06-08 | 2022-11-07 | 글로벌웨이퍼스 씨오., 엘티디. | 얇은 실리콘 층의 전사 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007526644A (ja) | 2007-09-13 |
WO2005086227A1 (fr) | 2005-09-15 |
JP4876067B2 (ja) | 2012-02-15 |
US20050245049A1 (en) | 2005-11-03 |
KR20070085086A (ko) | 2007-08-27 |
FR2867310A1 (fr) | 2005-09-09 |
US7449394B2 (en) | 2008-11-11 |
KR100860271B1 (ko) | 2008-09-25 |
WO2005086227A8 (fr) | 2006-10-19 |
US7276428B2 (en) | 2007-10-02 |
US20050196937A1 (en) | 2005-09-08 |
EP1733423A1 (fr) | 2006-12-20 |
WO2005086226A1 (fr) | 2005-09-15 |
FR2867310B1 (fr) | 2006-05-26 |
WO2005086226A8 (fr) | 2006-10-26 |
EP1721333A1 (fr) | 2006-11-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4876067B2 (ja) | 採取薄膜の品質改善処理方法 | |
JP4876068B2 (ja) | スマートカット(登録商標)剥離後の熱処理方法 | |
TWI307935B (en) | Treatment of a removed layer of si1-ygey | |
US20060014363A1 (en) | Thermal treatment of a semiconductor layer | |
FR2823599A1 (fr) | Substrat demomtable a tenue mecanique controlee et procede de realisation | |
JP2012084897A (ja) | 共注入後に中温で薄膜を分離する方法 | |
KR100787261B1 (ko) | 버퍼층이 없는 웨이퍼로부터 완화된 유용층을 형성하는방법 | |
TW201041015A (en) | Formation of thin layers of semiconductor materials | |
JP2006505928A5 (ja) | ||
US8367519B2 (en) | Method for the preparation of a multi-layered crystalline structure | |
JP2011515838A (ja) | セミコンダクタオンインシュレータ型基板を製作する方法 | |
US20120280367A1 (en) | Method for manufacturing a semiconductor substrate | |
TWI289880B (en) | Manufacturing process for a multilayer structure | |
KR100842848B1 (ko) | 반도체 층의 열처리 방법 | |
FR3031236A1 (ja) | ||
JP5032743B2 (ja) | バッファ層を有しないウエハからの緩和された有用層の形成 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110118 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110418 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110425 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110713 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111018 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111128 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141202 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4876067 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |