JP2007335700A - 配線基板の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】工数の削減、コストの低減化が図れる配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】金属箔６２を支持基板６０の基板面に剥離可能に積層する工程と、金属箔６２上に、ビルドアップ法により絶縁層７３を介して層間で配線パターン７４が電気的に接続された積層体７６を形成する工程と、該積層体７６を、金属箔６２と支持基板６０との間で支持基板６０から剥離する工程と、金属箔６２をエッチングにより所要の配線パターン７８に形成するフォトリソグラフィー工程とを具備することを特徴とする。
【選択図】図６

Description

本発明は配線基板の製造方法に関し、より詳細には、コストの低減化が図れる配線基板の製造方法に関する。
図１０〜図１１は、従来の配線基板の製造方法の一例を示す工程図である（特開２００４−２３５３２３号公報）。
図１０（ａ）において、１０は支持基板であり、樹脂板１０ａの表裏面に銅箔１１が貼付された両面銅貼基板からなる。
この支持基板１０の両面に、接着層４０により、ダミー金属層４１を接着し、さらにこのダミー金属層４１を覆って、ダミー金属層４１より大判の２層金属積層体４３をその周縁部にて接着層４０により支持基板１０の基板面に接着する（図１０（ｂ））。２層金属積層体４３は、銅層４２の上に、銅のエッチング液によっては侵食されない、ニッケル、チタン、あるいはクロムの金属層４２ａを積層したものとする。
次に、図１０（ｃ）に示すように、２層金属積層体４３上に、ビルドアップ法により、絶縁層４６を介して層間でビア４８により配線パターン４４が電気的に接続された積層体５０を形成する。
次いで、図１０（ｄ）に示すように、ダミー金属層４１の外周縁よりも内側位置で積層体５０と支持基板１０とを切断することにより、ダミー金属層４１と２層金属積層体４３との間で積層体５０を剥離する。
次に図１１（ａ）に示すように、２層金属積層体４３の銅層４２を金属層４２ａをバリア層としてエッチングして除去する。
次いで図１１（ｂ）に示すように、金属層４２ａをエッチングして除去する。
次に、積層体５０を上下反転し（図１１（ｃ））、次いで、積層体５０の表裏面にソルダーレジストによりパターン５２を形成し（図１１（ｄ））、パターン５２をマスクとして、露出している配線パターン４４上に、ニッケルめっき、次いで金めっきを施して保護めっき層５４を形成し（図１１（ｅ））、所要個所にはんだバンプ５６を形成して配線基板に完成する（図１１（ｆ））。
特開２００４−２３５３２３号公報
ところで、上記従来の配線基板の製造方法では、最終的に２層金属積層体４３はエッチングによって除去されてしまい、材料の無駄となり、それだけコスト高になり、また工数も増大するという課題がある。
そこで、本発明は上記課題を解決すべくなされたものであり、その目的とするところは、工数の削減、コストの低減化が図れる配線基板の製造方法を提供するにある。
本発明は、上記目的を達成するため次の構成を備える。
すなわち、本発明に係る配線基板の製造方法は、支持基板の基板面上に、ビルドアップ法により絶縁層を介して層間で配線パターンが電気的に接続された積層体を形成し、前記支持基板の基板面から、前記積層体を分離し、該積層体に所要の処理を施して、絶縁層を介して配線パターンが層間で電気的に接続された配線基板を形成する配線基板の製造方法において、金属箔を前記支持基板の基板面に剥離可能に積層する工程と、前記金属箔上に、ビルドアップ法により絶縁層を介して層間で配線パターンが電気的に接続された積層体を形成する工程と、該積層体を、前記金属箔と前記支持基板との間で支持基板から剥離する工程と、前記金属箔をエッチングにより所要の配線パターンに形成するフォトリソグラフィー工程とを具備することを特徴とする。
また、前記支持基板の基板面に、接着層によりダミー金属層を接着し、該ダミー金属層を覆って、該ダミー金属層よりも大判に形成した前記金属箔を、該金属箔の周縁部において前記接着層により前記支持基板面に接着し、前記積層体を前記支持基板面から剥離する際には、前記ダミー金属層の外周縁よりも内側位置で前記積層体と支持基板とを切断することにより、前記ダミー金属層と前記金属箔との間で前記積層体を剥離することを特徴とする。
また本発明にかかる配線基板の製造方法では、支持基板の基板面上に、ビルドアップ法により絶縁層を介して層間で配線パターンが電気的に接続された積層体を形成し、前記支持基板の基板面から、前記積層体を分離し、該積層体に所要の処理を施して、絶縁層を介して配線パターンが層間で電気的に接続された配線基板を形成する配線基板の製造方法において、金属箔を前記支持基板の表裏の基板面にそれぞれ剥離可能に積層する工程と、前記各金属箔上に、ビルドアップ法により絶縁層を介して層間で配線パターンが電気的に接続された積層体を形成する工程と、該各積層体を、前記金属箔と前記支持基板との間で支持基板から剥離する工程と、前記金属箔をエッチングにより所要の配線パターンに形成するフォトリソグラフィー工程とを具備することを特徴とする。
また、前記支持基板の表裏の基板面に、接着層によりそれぞれダミー金属層を接着し、該各ダミー金属層を覆って、該ダミー金属層よりも大判に形成した前記金属箔を、該金属箔の周縁部において前記接着層により前記支持基板面に接着し、前記積層体を前記支持基板面から剥離する際には、前記ダミー金属層の外周縁よりも内側位置で前記積層体と支持基板とを切断することにより、前記ダミー金属層と前記金属箔との間で前記積層体を剥離することを特徴とする。
本発明では、支持基板上に剥離可能に積層した金属箔を、エッチングにより除去することなく積層体の配線パターンの１つとして加工して使用するので、無駄がなく、また工数の削減も図れ、コストの低減化を図れるという作用効果を奏する。また、支持基板上に作り込んで剥離するものであるため、薄型で高密度配線が可能な配線基板を効率よく製造できる。
以下、本発明の好適な実施の形態について、添付図面と共に詳細に説明する。
図１〜図９は、本発明に係る配線基板の製造方法を示す説明図である。
まず図１に示すように、支持基板６０の表裏面に金属箔６２をそれぞれ剥離可能に積層する。
金属箔６２は、厚さ１８〜７０μｍ程度の銅箔を用いる。
支持基板６０には、支持基板６０に絶縁層やめっき層といったワーク（積層体）を形成し、搬送する際、取り扱い操作が容易に可能な保形性を備え、ワークに収縮や反り等の変形が生じることを抑える強度を備えている材料を選択する。本実施形態では、支持基板６０には、０．３〜０．４ｍｍの厚さのガラスクロス入りエポキシ樹脂基板を使用した。支持基板６０は所要の強度を備えているものであれば、ガラスクロス入りエポキシ樹脂等の樹脂基板のみからなるものであっても良いし、樹脂基板以外に金属板のみから成るものであってもよい。
なお、支持基板６０に対して金属箔６２を剥離可能に積層するには、図２に示すようにすると好適である。
すなわち、支持基板６０の表裏の基板面に、接着層６７によりそれぞれダミー金属層６８を接着し、各ダミー金属層６８を覆って、ダミー金属層６８よりも大判に形成した上記金属箔６２を、その周縁部において接着層６７により支持基板面に接着するのである。
図２で太線によって描いたＡ線の部分が、ダミー金属層６８と金属箔６２が接着層６７に接着している部位である。また、同図で破線Ｂによって示した部位は、金属箔６２とダミー金属層６８とが単に接触している部分を示す。したがって、ダミー金属層６８の外周縁よりも内側位置となるＣ線の位置で、金属箔６２、ダミー金属層６８および支持基板６０を切断することにより、ダミー金属層６８と金属箔６２を剥離するようにすることができる。なお、破線Ｂによって示した部位に空気が入り込まないように、これら積層工程は真空装置中で行うと好適である。
次に、図３に示すように、各金属箔６２上に、ビルドアップ法により絶縁層７３を介して層間で配線パターン７４がビア７５により電気的に接続された積層体７６を形成する。
次いで、これら積層物を、図２に示すＣ線位置で切断することにより、図４に示すように、支持基板６０から積層体７６を剥離（分離）する。
こうして分離した積層体７６の金属箔６２を、図５に示すように、レジストパターン７７を形成し、次いでこのレジストパターン７７をマスクとしてエッチングをし、次にレジストパターン７７を除去するといった一連のフォトリソグラフィー工程を行って、配線パターン７８に加工する。
次いで、図７に示すように、積層体７６の表裏の配線パターン７４、７８の所要部位が露出するように積層体７６の表裏面にソルダーレジスト層８０を形成する。そして図８に示すように、露出した配線パターン７４、７８部分に、ニッケルめっきを下地とする金めっきを施して、保護めっき皮膜８２を形成し、さらに、配線パターン７８の側に外部接続用のはんだバンプ８４を形成して配線基板８６に完成する。
なお、配線基板８６は、通常複数の基板を同時に作り込み、これを切断分離することによって、所望の配線基板を得る。
また、上記実施の形態では、支持基板６０の表裏面に積層体７６を形成するようにしたが、支持基板６０の片面側にのみ積層体７６を形成していくようにしてもよい。
支持基板の両面に金属箔を積層した状態の説明図である。 金属箔を支持基板に剥離可能に積層するための構造の一例を示す説明図である。 図２の金属箔上にビルドアップ法により多層配線パターンを形成した状態を示す説明図である。 図３で形成した積層体を支持基板から剥離（分離）した状態を示す説明図である。 積層体の金属箔上にレジストパターンを形成した状態を示す説明図である。 レジストパターンをマスクとして金属箔をエッチングして配線パターンに形成した状態を示す説明図である。 積層体にソルダーレジストのパターンを形成した状態の説明図である。 露出した配線パターン部分に保護めっき皮膜を形成した状態を示す説明図である。 露出している配線パターン上にはんだバンプを形成して配線基板に完成した状態を示す説明図である。 従来の配線基板の製造方法を示す工程の前半を示す説明図である。 従来の配線基板の製造方法を示す工程の後半を示す説明図である。
符号の説明
６０ 支持基板
６２ 金属箔
６７ 接着層
６８ ダミー金属層
７３ 絶縁層
７４ 配線パターン
７５ ビア
７６ 積層体
７７ レジストパターン
７８ 配線パターン
８０ ソルダーレジスト層
８２ 保護めっき層
８４ はんだバンプ
８６ 配線基板

Claims (4)

  1. 支持基板の基板面上に、ビルドアップ法により絶縁層を介して層間で配線パターンが電気的に接続された積層体を形成し、前記支持基板の基板面から、前記積層体を分離し、該積層体に所要の処理を施して、絶縁層を介して配線パターンが層間で電気的に接続された配線基板を形成する配線基板の製造方法において、
    金属箔を前記支持基板の基板面に剥離可能に積層する工程と、
    前記金属箔上に、ビルドアップ法により絶縁層を介して層間で配線パターンが電気的に接続された積層体を形成する工程と、
    該積層体を、前記金属箔と前記支持基板との間で支持基板から剥離する工程と、
    前記金属箔をエッチングにより所要の配線パターンに形成するフォトリソグラフィー工程とを具備することを特徴とする配線基板の製造方法。
  2. 前記支持基板の基板面に、接着層によりダミー金属層を接着し、
    該ダミー金属層を覆って、該ダミー金属層よりも大判に形成した前記金属箔を、該金属箔の周縁部において前記接着層により前記支持基板面に接着し、
    前記積層体を前記支持基板面から剥離する際には、前記ダミー金属層の外周縁よりも内側位置で前記積層体と支持基板とを切断することにより、前記ダミー金属層と前記金属箔との間で前記積層体を剥離することを特徴とする請求項１記載の配線基板の製造方法。
  3. 支持基板の基板面上に、ビルドアップ法により絶縁層を介して層間で配線パターンが電気的に接続された積層体を形成し、前記支持基板の基板面から、前記積層体を分離し、該積層体に所要の処理を施して、絶縁層を介して配線パターンが層間で電気的に接続された配線基板を形成する配線基板の製造方法において、
    金属箔を前記支持基板の表裏の基板面にそれぞれ剥離可能に積層する工程と、
    前記各金属箔上に、ビルドアップ法により絶縁層を介して層間で配線パターンが電気的に接続された積層体を形成する工程と、
    該各積層体を、前記金属箔と前記支持基板との間で支持基板から剥離する工程と、
    前記金属箔をエッチングにより所要の配線パターンに形成するフォトリソグラフィー工程とを具備することを特徴とする配線基板の製造方法。
  4. 前記支持基板の表裏の基板面に、接着層によりそれぞれダミー金属層を接着し、
    該各ダミー金属層を覆って、該ダミー金属層よりも大判に形成した前記金属箔を、該金属箔の周縁部において前記接着層により前記支持基板面に接着し、
    前記積層体を前記支持基板面から剥離する際には、前記ダミー金属層の外周縁よりも内側位置で前記積層体と支持基板とを切断することにより、前記ダミー金属層と前記金属箔との間で前記積層体を剥離することを特徴とする請求項３記載の配線基板の製造方法。
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