JP2007324218A - 半導体整流素子 - Google Patents
半導体整流素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007324218A JP2007324218A JP2006150266A JP2006150266A JP2007324218A JP 2007324218 A JP2007324218 A JP 2007324218A JP 2006150266 A JP2006150266 A JP 2006150266A JP 2006150266 A JP2006150266 A JP 2006150266A JP 2007324218 A JP2007324218 A JP 2007324218A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- drift layer
- electric field
- field relaxation
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 92
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 35
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 69
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 39
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 16
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 abstract 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 11
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 6
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910008479 TiSi2 Inorganic materials 0.000 description 2
- DFJQEGUNXWZVAH-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)titanium Chemical group [Si]=[Ti]=[Si] DFJQEGUNXWZVAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 aluminum ions Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/872—Schottky diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
- H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
- H01L29/0619—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE] with a supplementary region doped oppositely to or in rectifying contact with the semiconductor containing or contacting region, e.g. guard rings with PN or Schottky junction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0684—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape, relative sizes or dispositions of the semiconductor regions or junctions between the regions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/1608—Silicon carbide
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】ショットキー電極50は、隣り合う電界緩和層40の間に位置し、かつドリフト層30の表面上に接触するようにして形成された第1の領域50Bと、ショットキー電極のうち第1の領域を除く第2の領域50Aとを有し、第1の領域は、第2の領域よりバリアハイトが高い導電性材料によって形成されている。
【選択図】図1
Description
第1導電型の半導体基板上に形成された第1導電型のドリフト層と、
前記ドリフト層の表面部分において、互いに離間して形成された複数の第2導電型の電界緩和層と、
前記ドリフト層の表面上にショットキーコンタクトを形成するようにして接触されたショットキー電極と、
前記半導体基板の下方にオーミックコンタクトを形成するようにして接触されたオーミック電極と
を備え、前記ショットキー電極は、
隣り合う前記電界緩和層の間に位置し、かつ前記ドリフト層の表面上に接触するようにして形成された第1の領域と、前記ショットキー電極のうち前記第1の領域を除く第2の領域とを有し、前記第1の領域は、前記第2の領域よりバリアハイトが高い導電性材料によって形成された
ことを特徴とする。
第1導電型の半導体基板上に形成された第1導電型のドリフト層と、
前記ドリフト層の表面部分において、互いに離間して形成された複数の第2導電型の電界緩和層と、
前記ドリフト層の表面部分であって、かつ隣り合う前記電界緩和層の間に、前記電界緩和層より接合深さが浅く、かつ不純物濃度が低くなるように形成された複数の第2導電型のバリアハイト制御層と、
前記ドリフト層の表面上にショットキーコンタクトを形成するようにして接触されたショットキー電極と、
前記半導体基板の下方にオーミックコンタクトを形成するようにして接触されたオーミック電極と
を備えることを特徴とする半導体整流素子。
図1に、本発明の第1の実施の形態による半導体整流素子10の構成を示す。この半導体整流素子10では、n型の半導体基板20上に、当該半導体基板20より不純物濃度が低い、n型ドリフト層30が形成され、当該ドリフト層30の表面部分には、p型の電界緩和層40が所定間隔毎に順次形成されている。なお、この電界緩和層40は、逆方向バイアス印加時に、ショットキー電極50に印加される電界を緩和するために設けられる。
図18に、本発明の第2の実施の形態による半導体整流素子500の構成を示す。なお、図1に示した要素と同一のものには同一の符号を付して説明を省略する。本実施の形態の場合、電界緩和層520は、ショットキー電極50と接触している部分の断面積が、他の部分の断面積よりも小さくなるように形成されている。
図21に、本発明の第3の実施の形態による半導体整流素子610の構成を示す。なお、図1に示した要素と同一のものには同一の符号を付して説明を省略する。本実施の形態の場合、電界緩和層630は、ショットキー電極50と接触することなく、ドリフト層620内に埋め込まれるように形成されている。これにより、耐圧を低下させることなく、オン抵抗を低減することができる。
なお上述の実施の形態は一例であって、本発明を限定するものではない。例えば、縦型素子ではなく、横型素子に適用することも可能である。なお、図24〜図28に、横型の半導体整流素子の製造方法を示す。
20 半導体基板
30、470、510、620、650 ドリフト層
40、520、570、630、670 電界緩和層
50、450、580、600、680、700 ショットキー電極
50A、580A、600A、680A、700A TiSi2領域
50B、580B、600B、680B、700B Ti領域
440 p型層
Claims (12)
- 第1導電型の半導体基板上に形成された第1導電型のドリフト層と、
前記ドリフト層の表面部分において、互いに離間して形成された複数の第2導電型の電界緩和層と、
前記ドリフト層の表面上にショットキーコンタクトを形成するようにして接触されたショットキー電極と、
前記半導体基板の下方にオーミックコンタクトを形成するようにして接触されたオーミック電極と
を備え、前記ショットキー電極は、
隣り合う前記電界緩和層の間に位置し、かつ前記ドリフト層の表面上に接触するようにして形成された第1の領域と、前記ショットキー電極のうち前記第1の領域を除く第2の領域とを有し、前記第1の領域は、前記第2の領域よりバリアハイトが高い導電性材料によって形成された
ことを特徴とする半導体整流素子。 - 前記第1の領域は、
その端部が、隣り合う前記電界緩和層の端部より内側に位置するように形成された
ことを特徴とする請求項1記載の半導体整流素子。 - 前記導電性材料は、金属である
ことを特徴とする請求項1記載の半導体整流素子。 - 前記ドリフト層は、
前記ドリフト層の底部から前記電界緩和層の底部の高さまで形成された部分と、隣り合う前記電界緩和層の間に形成された部分との間で、不純物濃度が異なるように形成された
ことを特徴とする請求項1記載の半導体整流素子。 - 前記ドリフト層は、
隣り合う前記電界緩和層の間に形成された部分の不純物濃度が、前記ショットキー電極との界面に近づくことに応じて低くなるように形成された
ことを特徴とする請求項4記載の半導体整流素子。 - 前記電界緩和層は、
前記ショットキー電極と接触している部分の断面積が、前記ショットキー電極と接触していない部分の断面積よりも小さくなるように形成された
ことを特徴とする請求項1記載の半導体整流素子。 - 前記ドリフト層の表面部分において互いに離間して形成された複数の溝をさらに備え、
前記電界緩和層は、前記溝の下方に接触するようにして形成され、
前記ショットキー電極は、前記溝を埋め込むように前記ドリフト層の表面上にショットキーコンタクトを形成するようにして接触された
ことを特徴とする請求項1記載の半導体整流素子。 - 前記ショットキー電極は、
前記ドリフト層に形成された前記溝の側壁に接触するように、前記第2の領域とは異なる導電性材料によって形成された第3の領域をさらに有し、
前記第2の領域におけるバリアハイトと前記第3の領域におけるバリアハイトとの差分は、前記第2の領域と前記第3の領域とが同一の導電性材料によって形成されたと仮定した場合における、前記第2の領域におけるバリアハイトと前記第3の領域におけるバリアハイトとの差分より小さい
ことを特徴とする請求項7記載の半導体整流素子。 - 前記電界緩和層は、
前記ショットキー電極と接触しないように、前記ドリフト層内に埋め込まれた
ことを特徴とする請求項1記載の半導体整流素子。 - 前記ドリフト層の表面部分において互いに離間して形成された複数の溝をさらに備え、
前記電界緩和層は、前記溝の下方に接触することなく前記ドリフト層内に埋め込むように形成され、
前記ショットキー電極は、前記溝を埋め込むように前記ドリフト層の表面上にショットキーコンタクトを形成するようにして接触された
ことを特徴とする請求項1記載の半導体整流素子。 - 前記ショットキー電極は、
前記ドリフト層に形成された前記溝の側壁に接触するように、前記第2の領域とは異なる導電性材料によって形成された第3の領域をさらに有し、
前記第2の領域におけるバリアハイトと前記第3の領域におけるバリアハイトとの差分は、前記第2の領域と前記第3の領域とが同一の導電性材料によって形成されたと仮定した場合における、前記第2の領域におけるバリアハイトと前記第3の領域におけるバリアハイトとの差分より小さい
ことを特徴とする請求項10記載の半導体整流素子。 - 第1導電型の半導体基板上に形成された第1導電型のドリフト層と、
前記ドリフト層の表面部分において、互いに離間して形成された複数の第2導電型の電界緩和層と、
前記ドリフト層の表面部分であって、かつ隣り合う前記電界緩和層の間に、前記電界緩和層より接合深さが浅く、かつ不純物濃度が低くなるように形成された複数の第2導電型のバリアハイト制御層と、
前記ドリフト層の表面上にショットキーコンタクトを形成するようにして接触されたショットキー電極と、
前記半導体基板の下方にオーミックコンタクトを形成するようにして接触されたオーミック電極と
を備えることを特徴とする半導体整流素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006150266A JP4939839B2 (ja) | 2006-05-30 | 2006-05-30 | 半導体整流素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006150266A JP4939839B2 (ja) | 2006-05-30 | 2006-05-30 | 半導体整流素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007324218A true JP2007324218A (ja) | 2007-12-13 |
JP4939839B2 JP4939839B2 (ja) | 2012-05-30 |
Family
ID=38856773
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006150266A Expired - Fee Related JP4939839B2 (ja) | 2006-05-30 | 2006-05-30 | 半導体整流素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4939839B2 (ja) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010062513A (ja) * | 2008-08-05 | 2010-03-18 | Toyota Motor Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2010087483A (ja) * | 2008-09-08 | 2010-04-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2012231019A (ja) * | 2011-04-26 | 2012-11-22 | Hitachi Ltd | 炭化珪素ダイオード |
WO2012157679A1 (ja) * | 2011-05-18 | 2012-11-22 | ローム株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2013098226A (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-20 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JP2013165167A (ja) * | 2012-02-10 | 2013-08-22 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
JP2014187320A (ja) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
US9577044B2 (en) | 2014-03-10 | 2017-02-21 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Semiconductor device with first and second electrodes forming schottky junction with silicon carbide semiconductor layer and method of manufacturing the same |
JP2017152732A (ja) * | 2017-05-01 | 2017-08-31 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2021005657A (ja) * | 2019-06-27 | 2021-01-14 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
EP3792980A4 (en) * | 2019-07-11 | 2021-03-24 | WeEn Semiconductors Technology Co., Ltd. | SEMICONDUCTOR COMPONENT AND MANUFACTURING METHOD FOR IT |
CN113658860A (zh) * | 2021-06-30 | 2021-11-16 | 中山大学 | 一种肖特基二极管的制作方法 |
CN115602735A (zh) * | 2022-12-12 | 2023-01-13 | 苏州锴威特半导体股份有限公司(Cn) | 一种碳化硅结势垒肖特基二极管及其制作方法 |
WO2024142638A1 (ja) * | 2022-12-27 | 2024-07-04 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03248465A (ja) * | 1990-02-27 | 1991-11-06 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | ショットキバリア半導体装置 |
JPH0548082A (ja) * | 1991-08-20 | 1993-02-26 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置 |
JPH05259436A (ja) * | 1992-03-13 | 1993-10-08 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | ショットキバリア整流半導体装置 |
JPH07263716A (ja) * | 1994-03-17 | 1995-10-13 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置 |
JPH09121062A (ja) * | 1996-08-02 | 1997-05-06 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPH10233515A (ja) * | 1996-12-19 | 1998-09-02 | Toshiba Corp | ショットキーバリア半導体装置とその製造方法 |
JPH11330498A (ja) * | 1998-05-07 | 1999-11-30 | Fuji Electric Co Ltd | ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法 |
JP2004528728A (ja) * | 2001-05-25 | 2004-09-16 | クリー・インコーポレーテッド | ジャンクション・バリア・ショットキ・ダイオードに関する方法と、そのダイオードおよびその使用方法 |
JP2005243715A (ja) * | 2004-02-24 | 2005-09-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
WO2006048387A1 (de) * | 2004-11-08 | 2006-05-11 | Robert Bosch Gmbh | Halbleitereinrichtung und verfahren für deren herstellung |
-
2006
- 2006-05-30 JP JP2006150266A patent/JP4939839B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03248465A (ja) * | 1990-02-27 | 1991-11-06 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | ショットキバリア半導体装置 |
JPH0548082A (ja) * | 1991-08-20 | 1993-02-26 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置 |
JPH05259436A (ja) * | 1992-03-13 | 1993-10-08 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | ショットキバリア整流半導体装置 |
JPH07263716A (ja) * | 1994-03-17 | 1995-10-13 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置 |
JPH09121062A (ja) * | 1996-08-02 | 1997-05-06 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPH10233515A (ja) * | 1996-12-19 | 1998-09-02 | Toshiba Corp | ショットキーバリア半導体装置とその製造方法 |
JPH11330498A (ja) * | 1998-05-07 | 1999-11-30 | Fuji Electric Co Ltd | ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法 |
JP2004528728A (ja) * | 2001-05-25 | 2004-09-16 | クリー・インコーポレーテッド | ジャンクション・バリア・ショットキ・ダイオードに関する方法と、そのダイオードおよびその使用方法 |
JP2005243715A (ja) * | 2004-02-24 | 2005-09-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
WO2006048387A1 (de) * | 2004-11-08 | 2006-05-11 | Robert Bosch Gmbh | Halbleitereinrichtung und verfahren für deren herstellung |
JP2008519448A (ja) * | 2004-11-08 | 2008-06-05 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 半導体デバイスおよび半導体デバイスの製造方法 |
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010062513A (ja) * | 2008-08-05 | 2010-03-18 | Toyota Motor Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2010087483A (ja) * | 2008-09-08 | 2010-04-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2012231019A (ja) * | 2011-04-26 | 2012-11-22 | Hitachi Ltd | 炭化珪素ダイオード |
WO2012157679A1 (ja) * | 2011-05-18 | 2012-11-22 | ローム株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JPWO2012157679A1 (ja) * | 2011-05-18 | 2014-07-31 | ローム株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2019176165A (ja) * | 2011-05-18 | 2019-10-10 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
US9111769B2 (en) | 2011-05-18 | 2015-08-18 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method for producing same |
JP2016066813A (ja) * | 2011-05-18 | 2016-04-28 | ローム株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US9548353B2 (en) | 2011-05-18 | 2017-01-17 | Rohm Co., Ltd. | Wide band-gap semiconductor device including schotky electrode and method for producing same |
JP2018074170A (ja) * | 2011-05-18 | 2018-05-10 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
JP2013098226A (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-20 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JP2013165167A (ja) * | 2012-02-10 | 2013-08-22 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
US9613951B2 (en) | 2013-03-25 | 2017-04-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device with diode |
JP2014187320A (ja) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
US9577044B2 (en) | 2014-03-10 | 2017-02-21 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Semiconductor device with first and second electrodes forming schottky junction with silicon carbide semiconductor layer and method of manufacturing the same |
JP2017152732A (ja) * | 2017-05-01 | 2017-08-31 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2021005657A (ja) * | 2019-06-27 | 2021-01-14 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP7240970B2 (ja) | 2019-06-27 | 2023-03-16 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
EP3792980A4 (en) * | 2019-07-11 | 2021-03-24 | WeEn Semiconductors Technology Co., Ltd. | SEMICONDUCTOR COMPONENT AND MANUFACTURING METHOD FOR IT |
JP2022502831A (ja) * | 2019-07-11 | 2022-01-11 | ウィーン セミコンダクターズ テクノロジー カンパニー リミテッド | 半導体素子及びその製造方法 |
US11264450B2 (en) | 2019-07-11 | 2022-03-01 | Ween Semiconductors Technology Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method |
JP7382061B2 (ja) | 2019-07-11 | 2023-11-16 | ウィーン セミコンダクターズ テクノロジー カンパニー リミテッド | 半導体素子及びその製造方法 |
CN113658860A (zh) * | 2021-06-30 | 2021-11-16 | 中山大学 | 一种肖特基二极管的制作方法 |
CN115602735A (zh) * | 2022-12-12 | 2023-01-13 | 苏州锴威特半导体股份有限公司(Cn) | 一种碳化硅结势垒肖特基二极管及其制作方法 |
WO2024142638A1 (ja) * | 2022-12-27 | 2024-07-04 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4939839B2 (ja) | 2012-05-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4939839B2 (ja) | 半導体整流素子 | |
JP2007036052A (ja) | 半導体整流素子 | |
JP4777699B2 (ja) | バイポーラ型半導体装置およびその製造方法 | |
JP4903439B2 (ja) | 電界効果トランジスタ | |
JP5525940B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP4683075B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 | |
EP2487709B1 (en) | Method for manufacturing a semiconductor device | |
US20130140584A1 (en) | Semiconductor device | |
TWI521693B (zh) | 蕭基能障二極體及其製造方法 | |
JP5439417B2 (ja) | 半導体整流装置 | |
US20160254393A1 (en) | Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device | |
US10529799B2 (en) | Semiconductor device | |
JP2011114028A (ja) | SiC半導体装置とその製造方法 | |
JP5428435B2 (ja) | ショットキーバリアダイオードを備えた半導体装置およびその製造方法 | |
US20190140092A1 (en) | Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing same | |
JP4844125B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP5636752B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
WO2017187856A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP4942255B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 | |
KR20180044110A (ko) | 실리콘 카바이드 트렌치 쇼트키 배리어 다이오드의 제조방법 | |
JP2012182405A (ja) | 半導体整流装置 | |
JP2009182217A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2008160024A (ja) | 半導体装置 | |
WO2010024240A1 (ja) | バイポーラ型炭化珪素半導体装置およびその製造方法 | |
JP2005026408A (ja) | 半導体素子およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080326 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100916 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100921 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101122 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110823 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111024 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111111 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120110 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120131 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120227 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150302 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150302 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |