JP2007298631A - フォトマスクブランクの製造方法およびフォトマスクブランク - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光学膜が形成されたフォトマスクブランク10の最表面には、検査光に対して高透過率を有し、かつ、屈折率が1よりも大きな透明膜30が形成される。このような透明膜30は、例えば、ポリヒドロキシスチレン共重合体、ノボラック系樹脂、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂の少なくとも1種を含有する高分子材料で形成された膜である。透明膜30の屈折率は1よりも大きいから、光学的凹凸の程度(光学距離:dopt)は欠陥20の幾何学的な凹凸の程度(d)よりも大きくなり、その分だけ欠陥検出感度が高くなる。そして、光学膜に透明膜30を介して検査光を走査させながら照射して検査光の反射光強度の変化を検知し、反射光強度の変化情報に基づいて光学膜面内の欠陥数を求めると、高感度での欠陥検査が可能となる。
【選択図】図5
Description
11 石英ガラス基板
12 ハーフトーン位相シフト膜
13 遮光膜
20 欠陥
30 透明膜
Claims (8)
- 下記の各ステップを有する欠陥検査工程を備えていることを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。
(a)透明基板上に形成された光学膜の表面に、検査光に対して高透過率を有し、かつ、屈折率が1よりも大きな透明膜を形成するステップ
(b)前記光学膜に前記透明膜を介して検査光を走査させながら照射し、該検査光の反射光強度の変化を検知するステップ
(c)前記反射光強度の変化情報に基づいて前記光学膜面内の欠陥数を求めるステップ - 前記透明膜を、ポリヒドロキシスチレン共重合体、ノボラック系樹脂、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂の少なくとも1種を含有する高分子材料で形成することを特徴とする請求項1に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 前記透明膜を、フォトレジスト膜で形成することを特徴とする請求項2に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 前記透明膜の膜厚を、50nm〜20000nm(20μm)の範囲に設定することを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 前記検査光を、前記フォトレジスト膜を感光させない波長に選択することを特徴とする請求項3に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 前記検査光の波長を、480〜500nmの範囲に選択することを特徴とする請求項5に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 前記検査光の反射光強度変化の検知を、明視野光学系で実行することを特徴とする請求項1乃至6の何れか1項に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 請求項1乃至7に記載の方法で製造されたフォトマスクブランク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
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JP2007298631A true JP2007298631A (ja) | 2007-11-15 |
JP4842696B2 JP4842696B2 (ja) | 2011-12-21 |
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JP (1) | JP4842696B2 (ja) |
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