JPS6329239A - 光デイスク用スタンパの欠陥検査方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明は、光ディスク製造用のスタンパの欠陥検査方法
に関する。

（従来技術） ビデオディスクやオーディオディスクその他の光情報記
録媒体としての光ディスクは、スタンパによるインジェ
クション成形で作られる。従って、スタンパの面に傷や
ごみ等の欠陥があると光ディスク面に傷やごみ等に対応
した欠陥が生じ、再生時にドロ７プアウトを生じるので
、スタンパ面上の傷やごみ等による欠陥の有無を検査し
、欠陥がある場合はこれを除去する必要がある。

従来、第３図（ａ）に示されているように、光ディスク
１をドライブ装置で駆動しながら光ピンクアンプで実時
間再生し、反射光量の変動を検出して欠陥を検査する方
法が一般的に行われている。

第３図（ａ）で符号２は光ディスク１の記録面を保護す
るための樹脂層、３は光ディスク１の欠陥、５は光ピン
クアップの対物レンズであり、矢印は光ピックアップの
移動方向を示す。特開昭５９−１２６２６４号公報記載
のものは静電容量方式のディスクの検査方法に関するも
のであるが、実時間再生しながら再生信号により欠陥の
有無を検査する点では光ディスク検査方法と変わりない
。　　、一方、光ディスク用スタンパの欠陥を検査する
場合は、第４図（ａ）に示されているように、スタンパ
７と前記光ピンクアンプの対物レンズ５との間にカバー
ガラス８を介在させ、スタンパ７の表面にフォーカスさ
せて前述の光ディスク１の欠陥検査方法と同様の方法で
検査するようになっている。第４図（ａ）で符号６はス
タンパ７の欠陥を示し、矢印は光ピンクアップの移動方
法を示す。

第３図（ａ）に示されているように、光ディスク１の欠
陥３を検査する場合は光ディスク１の樹脂層２を通して
光が照射されるのに対し、第４図（ａ）に示されている
ように、スタンパ７の欠陥６を検査する場合は樹脂層を
介することなく空気層を介して直接光が照射される。従
って、樹脂層２の屈折率（ｎ＝１．５）と空気層の屈折
率（ｎ　＝１）の違いにより、光ディスク１の欠陥３と
スタンパ７の欠陥６とが同じ大きさであっても、光学的
な大きさが異なり、第３図（ｂ）、第４図（ｂ）に示さ
れているように、スタンパ７の検査の方が光ディスク１
の検査の場合に比べて反射光量の減少率が少なく、欠陥
信号が２／３程度に減少してしまう。その結果、スタン
パ７の欠陥検査においては検出感度が大きく低下してい
た。

（目的） 本発明の目的は、光ディスク用スタンバの欠陥検査にお
いて、一定の大きさの欠陥に対する信号の低下を防止し
て検出感度の向上を図った光ディスク用スタンパの欠陥
検査方法を提供することにある。

（構成） 本発明は、光ディスク用の光ピンクアップを使用して反
射光の変動を測定することによりスタンパ上の欠陥を検
出する方法において、スタンパの被測定面に可剥性の樹
脂を所定の厚みに塗布し、この樹脂層を通して欠陥を検
出することを特徴とする。

以下、図面を参照しながら本発明に係る光ディスク用ス
タンパの欠陥検査方法の実施例を説明する。

第１図において、検査しようとするスタンパ７の被測定
面には、透明な可剥性樹脂層９を形成する。可剥性樹脂
として、ポリウレタン樹脂を用い、スプレー法によって
５０μｍの厚さに塗布し乾燥させた。測定に用いる光ピ
ックアップは従来の測定法に用いた光ピツクアンプと同
じ構成とした。即ち、光ピンクアップの対物レンズ５と
スタンパ７との間にカバーガラス４を介在させ、光ピッ
クアップからの光束をスタンパ７の被測定面上に集束さ
せるようにした。カバーガラス４は従来の方法では厚さ
１　、２ｍ＋ｎのものが用いられていたが、これよりも
０．１ｍｍ薄い１．１ｍｍ厚のものを用いた。樹脂層９
の面上での反射率は７％程度と低いため、フォーカス外
れ等の不都合はなかった。

大きさが０．５μｍφの欠陥を測定した場合、従来の検
査方法では５０％以下しか検出することができなかった
が、上記本発明の実施例に係る欠陥検査方法によれば略
１００％検出することができた。

樹脂層９は可剥性の樹脂で形成されているため、測定後
は容易に剥離することが可焼であり、また剥離後の樹脂
の残留は全く認められなかった。

第２図は、被測定面に樹脂層を形成した場合と、樹脂層
を形成することなく被測定面に直接空気層が接している
場合の■形欠陥の寸法Ｔに対する欠陥信号振幅の変化を
比較して示す。測定に用いた光の波長λは７８０ｎｍで
あり、欠陥信号振幅は、欠陥がない場合の信号レベルａ
に対する欠陥検出時の信号レベルの低下の割合を％で表
したものである。スタンバ上にサブμｍオーダーの欠陥
が存在すると、回折により反射光量が減少する。矩形状
の欠陥の場合、欠陥の幅を一定にすると、回折効率は、
欠陥の高さＴ−λ／（４ｎ）のとき最大となる。λは光
の波長であり、ｎは媒質の屈折率である。一般の欠陥の
形状は逆■字形のものが多く、逆Ｖ字形の欠陥の場合は
矩形の欠陥の場合の１．５倍の高さのとき回折効率が高
くなる。従って、λ＝　７８０ｎｍの半導体レーザを光
源とした場合、樹脂層を通した場合は欠陥の高さ寸法１
’−１９５０人のとき回折効率が最大となり、空気層を
通した場合は欠陥の高さ寸法Ｔ＝２９２５人のとき回折
効率が最大となる。第２図はこれを示しており、樹脂層
を通した場合も空気層を通した場合も欠陥の光学的大き
さがλ／４のとき欠陥信号振幅は最大となり、欠陥の実
際の寸法Ｔが樹脂層を通した場合は１９５０人、空気層
を通した場合は２９２５人のとき欠陥信号振幅が最大と
なることがわかる。

第２図から明らかなように、樹脂層を通して測定する場
合、高さが０．２μｍ以上の欠陥の検査にはあまり効果
はないが、高さが０．２μｍ以下の欠陥を検査する場合
は特に有効であり、よって、従来の方法では検出するこ
とができなかった微小な欠陥を検出することが可能であ
る。

なお、スタンパの被測定面に塗布する樹脂層の厚さは適
宜の厚さでよく、例えば５０乃至１００μｍの範囲であ
れば所期の効果を得ることができる。

本発明の原理をＬＳＩ等の欠陥検査や線幅測定等に応用
すれば、従来検出することができなかった微小な欠陥を
検出することができ、また、微小な線幅を測定すること
ができるようになる。

（効果） 本発明によれば、スタンパの被測定面に可剥性の樹脂層
を形成し、この樹脂層を通して欠陥を検査するようにし
たので、スタンパ上の微小な欠陥であっても光学的には
大きな欠陥として検出することができ、よって、測定感
度が著しく向上する。

また、スタンパの被測定面が樹脂層で覆われるため、欠
陥検査中の被測定面の汚れを防止することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る光ディスク用スタンパの欠陥検査
方法の実施例を示す光学配置図、第２図は欠陥の大きさ
に対する欠陥信号振幅の変化を樹脂層の場合と空気層の
場合との比較で示す線図、第３図（ａ）は従来の光ディ
スクの欠陥検査方法の例を示す光学配置図、第３図（ｂ
）は同上検査方法による欠陥位置での反射光量の変化を
示す線図、第４図（ａ）は従来のスタンパの欠陥検査方
法の例を示す光学配置図、第４図（ｂ）は同上検査方法
による欠陥位置での反射光量の変化を示す線図である。 １・・・光ディスク、　６・・・スタンパの欠陥、　７
・・・スタンパ、　９・・・樹脂層。 憂δ　尺 Ｕ寸「町 畢４久 （の （〕） ボア「町

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 光ディスク用の光ピックアップを使用して反射光の変動
   を測定することによりスタンパ上の欠陥を検出する方法
   であって、スタンパの被測定面に可剥性の樹脂を所定の
   厚みに塗布し、この樹脂層を通して欠陥を検出すること
   を特徴とする光ディスク用スタンパの欠陥検査方法。