JP2007208268A - 半導体層構造及び半導体層構造の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体層構造の製造方法にあたり、a)半導体材料からなる基板を準備し、b)前記基板上に第二の半導体材料からなる層を施与して、半導体構造を作製し、c)該半導体層構造中に軽ガスイオンを注入して、半導体層構造内に空洞を含む層を作製し、d)前記空洞を規定種の不純物原子によって安定化し、e)該半導体層構造上に少なくとも1層のエピタキシャル層を施与する。
【選択図】図3
Description
N.H. Zhang他著、Journal of Crystal Growth 280,346−351(2005) Hobart他著、Journal of Electronic Materials 29(7),897−900(2000)
a)半導体材料からなる基板を準備する工程、
b)前記基板上に第二の半導体材料からなる層を施与して、半導体構造を作製する工程、
c)該半導体層構造中に軽ガスイオンを注入して、半導体層構造内に空洞を含む層を作製する工程、
d)前記空洞を規定種の不純物原子によって安定化する工程、
e)該半導体層構造上に少なくとも1層のエピタキシャル層を施与する工程
を含む方法によって解決される。
低い注入温度と高いドーズ量とを選択した場合に、注入直後に既にある一定の大きさの空洞が作製される。
この場合に、前記の層は、その使用目的に相応して当然のように任意の種類の不純物原子でドープされていてよい。
Claims (59)
- 半導体層構造の製造方法において:
a)半導体材料からなる基板(1)を準備する工程;
b)前記基板(1)上に第二の半導体材料からなる層(2)を施与して、半導体層構造を作製する工程;
c)該半導体層構造中に軽ガスイオンを注入して、その半導体層構造中に空洞を含む層(4)を作製する工程;
d)前記空洞を規定種の不純物原子によって安定化する工程;
e)該半導体層構造上に少なくとも1層のエピタキシャル層(6)を施与する工程
を含む製造方法。 - 請求項1記載の方法において、工程a)で準備される基板(1)が単結晶シリコンからなるウェハであることを特徴とする方法。
- 請求項1記載の方法において、工程a)で準備される基板(1)がSOIウェハであることを特徴とする方法。
- 請求項1記載の方法において、工程a)で準備される基板(1)が、接合法で製造された半導体ウェハであることを特徴とする方法。
- 請求項1記載の方法において、工程a)で準備される基板(1)が多結晶半導体材料からなる基板であることを特徴とする方法。
- 請求項1記載の方法において、工程a)で準備される基板(1)が、シリコン層、シリコン−ゲルマニウム層又はゲルマニウム層を含むことを特徴とする方法。
- 請求項1から6までのいずれか1項記載の方法において、工程b)で施与される層(2)が単結晶シリコンカーバイド層であることを特徴とする方法。
- 請求項1から7までのいずれか1項記載の方法において、工程b)で施与される層(2)が、高いSiC析出密度の領域と単結晶シリコンカーバイド層を含む層構造であることを特徴とする方法。
- 請求項1から8までのいずれか1項記載の方法において、工程e)で施与される少なくとも1層のエピタキシャル層(6)が、基板(1)の半導体材料とは明らかに異なる熱膨張係数を有する半導体材料であることを特徴とする方法。
- 請求項9記載の方法において、工程e)で施与される少なくとも1層のエピタキシャル層(6)が窒化物化合物半導体を含むことを特徴とする方法。
- 請求項1から6までのいずれか1項記載の方法において、工程b)で施与される層(2)が、シリコン−ゲルマニウム層又はシリコン−ゲルマニウム層を含む層構造であることを特徴とする方法。
- 請求項11記載の方法において、工程e)で施与される少なくとも1層のエピタキシャル層(6)がエピタキシャルシリコン層であることを特徴とする方法。
- 請求項1から12までのいずれか1項記載の方法において、工程c)における軽ガスイオンの注入が、水素イオンの注入;1種又は複数種の原子種の希ガスイオンの注入;水素イオンの注入と1種又は複数種の原子種の希ガスイオンの注入との組み合わせの群から選択されることを特徴とする方法。
- 請求項13記載の方法において、希ガスイオンが、ヘリウム、ネオン及びアルゴンの群から選択されることを特徴とする方法。
- 請求項13又は14記載の方法において、注入エネルギーを、工程c)において半導体層構造中に作製される空洞を含む層(4)が、施与された層(2)と基板(1)との間の境界面より下方に存在するように選択することを特徴とする方法。
- 請求項13又は14記載の方法において、工程c)において半導体層構造中に作製される空洞を含む層(4)が、施与された層(2)の下方に存在することを特徴とする方法。
- 請求項1から16までのいずれか1項記載の方法において、工程d)での不純物原子による空洞の安定化のために、酸素、窒素及び炭素の群から選択される1種又は複数種の原子種の不純物原子を半導体層構造中に注入することを特徴とする方法。
- 請求項17記載の方法において、更に、工程d)において、半導体の熱処理を少なくとも600℃の温度で実施することを特徴とする方法。
- 請求項1から18までのいずれか1項記載の方法において、工程b)における層(2)の施与を化学的気相堆積によって実施することを特徴とする方法。
- 請求項1から18までのいずれか1項記載の方法において、工程b)における層(2)の施与を分子ビームエピタキシーによって実施することを特徴とする方法。
- 請求項1から18までのいずれか1項記載の方法において、工程b)における層(2)の施与をイオンビーム合成によって実施することを特徴とする方法。
- 請求項21記載の方法において、イオンを基板(1)の規定の深度に注入し、次いでこれを熱処理し、それにより基板(1)中に埋設された単結晶層(2)が、そしてその単結晶層の上方及び下方に遷移領域が形成され、引き続き上部基板層と単結晶層(2)上にある遷移領域とを除去し、それにより単結晶層(2)を露出させることを特徴とする方法。
- 請求項22記載の方法において、露出された単結晶層(2)の表面を引き続き化学機械的に平坦化することを特徴とする方法。
- 請求項22又は23記載の方法において、使用される基板(1)がシリコンウェハであり、注入されるイオンが炭素イオンであり、かつ作製される単結晶層(2)がシリコンカーバイド層であることを特徴とする方法。
- 半導体材料からなる基板であってその上に第二の半導体材料からなる層(2)が存在する基板(1)と、更に不純物原子で富化された領域であって層(2)中か又は層(2)と基板(1)との間の境界面より下方の規定の深度のいずれかに存在する領域(3)と、更に不純物原子で富化された領域(3)の内部にある層であってイオン注入によって作製された空洞を含む層(4)と、更に少なくとも1層のエピタキシャル層であって層(2)上に施与されている層(6)と、空洞を含む層(4)の内部にある転位及び積層欠陥からなる欠陥領域(5)と、を含む半導体層構造であって、少なくとも1層のエピタキシャル層(6)が十分に亀裂を有さず、かつ少なくとも1層のエピタキシャル層(6)の残留応力が1GPa以下である半導体層構造。
- 請求項25記載の半導体層構造であって、少なくとも1層のエピタキシャル層(6)の残留応力が370MPa以下であることを特徴とする半導体層構造。
- 請求項25又は26記載の半導体層構造であって、少なくとも1層のエピタキシャル層(6)の粗度が0.5〜7.0nmRMSである半導体層構造。
- 請求項27記載の半導体層構造であって、少なくとも1層のエピタキシャル層(6)の粗度が0.5〜2.0nmRMSである半導体層構造。
- 請求項25から28までのいずれか1項記載の半導体層構造であって、基板(1)が単結晶シリコンからなるウェハであることを特徴とする半導体層構造。
- 請求項25から28までのいずれか1項記載の半導体層構造であって、基板(1)がSOIウェハであることを特徴とする半導体層構造。
- 請求項25から28までのいずれか1項記載の半導体層構造であって、基板(1)が、結合法によって製造される半導体ウェハであることを特徴とする半導体層構造。
- 請求項25から28までのいずれか1項記載の半導体層構造であって、基板(1)が多結晶半導体材料からなる基板であることを特徴とする半導体層構造。
- 請求項25から28までのいずれか1項記載の半導体層構造であって、基板(1)が、シリコン層、シリコン−ゲルマニウム層又はゲルマニウム層を含むことを特徴とする半導体層構造。
- 請求項25から33までのいずれか1項記載の半導体層構造であって、領域(3)が、酸素、窒素又は炭素の群から選択される1種又は複数種の原子種の不純物原子で富化されていることを特徴とする半導体層構造。
- 請求項25から34までのいずれか1項記載の半導体層構造であって、層(4)が、水素イオンの注入、1種又は複数種の原子種の希ガスイオンの注入、水素イオンの注入と1種又は複数種の原子種の希ガスイオンの注入との組み合わせの群から選択される軽ガスイオンの注入によって作製された空洞を含むことを特徴とする半導体層構造。
- 請求項35記載の半導体層構造であって、希ガスイオンが、ヘリウム、ネオン及びアルゴンの群から選択されることを特徴とする半導体層構造。
- 請求項25から36までのいずれか1項記載の半導体層構造であって、層(2)が単結晶シリコンカーバイド層であることを特徴とする半導体層構造。
- 請求項25から36までのいずれか1項記載の半導体層構造であって、層(2)が、高いSiC析出密度の領域と単結晶シリコンカーバイド層を含む層構造であることを特徴とする半導体層構造。
- 請求項37から38までのいずれか1項記載の半導体層構造であって、少なくとも1層のエピタキシャル層(6)が、基板(1)の半導体材料とは明らかに異なる熱膨張係数を有する半導体材料を含むことを特徴とする半導体層構造。
- 請求項39記載の半導体層構造であって、少なくとも1層のエピタキシャル層(6)が窒化物化合物半導体を含むことを特徴とする半導体層構造。
- 請求項40記載の半導体層構造であって、半導体層構造上に、窒化物化合物半導体を含む更なるエピタキシャル層(7)が施与されていることを特徴とする半導体層構造。
- 請求項41記載の半導体層構造であって、層(6)が窒化アルミニウムを含むことを特徴とする半導体層構造。
- 請求項42記載の半導体層構造であって、層(7)が窒化ガリウムを含むことを特徴とする半導体層構造。
- 請求項25から36までのいずれか1項記載の半導体層構造であって、層(2)が、シリコン−ゲルマニウム層又はシリコン−ゲルマニウム層を含む層構造であることを特徴とする半導体層構造。
- 請求項44記載の半導体層構造であって、少なくとも1層のエピタキシャル層(6)がエピタキシャルシリコン層であることを特徴とする半導体層構造。
- 単結晶シリコンからなる基板(1)上にイオンビーム合成によるシリコンカーバイドからなる層(2)を含む半導体層構造であって、高解像度X線回折によって測定される層(2)中のシリコンカーバイドの格子定数の相対膨張率が0.2%以下である半導体層構造。
- 請求項46記載の半導体層構造であって、基板(1)が、100mm以上の直径を有する半導体層構造。
- 請求項46記載の半導体層構造であって、シリコンカーバイドからなる層(2)が、基板(1)の表面より下方に存在する半導体層構造。
- 単結晶シリコンからなる基板(1)上にあるシリコンカーバイドからなる層(2)と、層(2)の中又はその下方にある転位を含む欠陥領域(5)と、空洞を含む層(4)と、を含む半導体層構造であって、それらの空洞が、酸素、窒素及び炭素の群から選択される不純物原子を含む半導体層構造。
- 請求項49記載の半導体層構造であって、それらの空洞を含む層(4)が、イオン注入に引き続いて熱処理を行うことによって作製された半導体層構造。
- 請求項49又は50記載の半導体層構造であって、それらの空洞を含む層(4)が、25〜1250℃の温度での熱開裂に対して抵抗性がある半導体層構造。
- 請求項49から51までのいずれか1項記載の半導体層構造であって、層(2)がイオンビーム合成によるシリコンカーバイドである半導体層構造。
- 請求項49から52までのいずれか1項記載の半導体層構造であって、更に、層(2)上に堆積された窒化物化合物半導体を含む少なくとも1層のエピタキシャル層(6)を含む半導体層構造。
- 請求項53記載の半導体層構造であって、更に、層(2)と窒化物化合物半導体を含む少なくとも1層のエピタキシャル層(6)との間に存在する1つ又は複数のエピタキシャル中間層を含む半導体層構造。
- 窒化物化合物半導体を含む少なくとも1層の単結晶エピタキシャル層(6)と、単結晶シリコンカーバイドからなる層(2)と、層(2)の中又はその下方にある層であってイオン注入によって作製された空洞を含む層(4)と、を含む半導体層構造であって、それらの空洞が、酸素、窒素及び炭素の群から選択される1種又は複数種の原子種の不純物原子を含む半導体層構造。
- 請求項55記載の半導体層構造であって、層(4)が、25℃以上で1250℃以下の温度での熱開裂に対して抵抗性である半導体層構造。
- 請求項55又は56記載の半導体層構造であって、空洞が、イオン注入に引き続いて熱処理を行うことによって作製された半導体層構造。
- 請求項46から57までのいずれか1項記載の半導体層構造上に作製された半導体素子。
- 請求項58記載の半導体素子であって、賦活化により0.1eV以上で7eV以下のエネルギーの光を放出する半導体素子。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010037139A (ja) * | 2008-08-05 | 2010-02-18 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体基板の製造方法 |
JP2012514316A (ja) * | 2008-09-24 | 2012-06-21 | エス・オー・アイ・テック・シリコン・オン・インシュレーター・テクノロジーズ | 半導体材料、半導体構造、デバイスおよびそれらを含む加工された基板の緩和した層を形成する方法 |
JP2012148944A (ja) * | 2011-01-21 | 2012-08-09 | Sumco Corp | 半導体基板及びその製造方法 |
KR101515793B1 (ko) * | 2008-02-06 | 2015-05-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Soi 기판의 제작 방법 |
WO2024057698A1 (ja) * | 2022-09-16 | 2024-03-21 | 信越半導体株式会社 | 窒化物半導体層付き単結晶シリコン基板及び窒化物半導体層付き単結晶シリコン基板の製造方法 |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2221856B1 (en) * | 2007-11-21 | 2020-09-09 | Mitsubishi Chemical Corporation | Nitride semiconductor, nitride semiconductor crystal growth method, and nitride semiconductor light emitting element |
EP2172967A1 (en) | 2008-08-04 | 2010-04-07 | Siltronic AG | Method for manufacturing silicon carbide |
SG161151A1 (en) * | 2008-10-22 | 2010-05-27 | Semiconductor Energy Lab | Soi substrate and method for manufacturing the same |
US8692310B2 (en) | 2009-02-09 | 2014-04-08 | Spansion Llc | Gate fringing effect based channel formation for semiconductor device |
EP2471981A4 (en) * | 2009-08-27 | 2013-04-17 | Nippon Steel & Sumitomo Metal Corp | SIC MONOCRYSTAL WAFER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
FR2961948B1 (fr) * | 2010-06-23 | 2012-08-03 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de traitement d'une piece en materiau compose |
DE102010046215B4 (de) | 2010-09-21 | 2019-01-03 | Infineon Technologies Austria Ag | Halbleiterkörper mit verspanntem Bereich, Elektronisches Bauelement und ein Verfahren zum Erzeugen des Halbleiterkörpers. |
CN102122619A (zh) * | 2010-12-14 | 2011-07-13 | 成都方舟微电子有限公司 | 赝超晶格功率半导体器件结构及其实现方法 |
US8901579B2 (en) * | 2011-08-03 | 2014-12-02 | Ignis Innovation Inc. | Organic light emitting diode and method of manufacturing |
JP2013089741A (ja) | 2011-10-18 | 2013-05-13 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置、半導体基板、半導体装置の製造方法、及び半導体基板の製造方法 |
KR101926694B1 (ko) * | 2012-05-30 | 2018-12-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 탄화규소 에피 웨이퍼 및 이의 제조 방법 |
DE102013112785B3 (de) | 2013-11-19 | 2015-02-26 | Aixatech Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Verbundkörpers mit zumindest einer funktionellen Schicht oder zur weiteren Herstellung elektronischer oder opto-elektronischer Bauelemente |
CN105895672A (zh) * | 2015-01-26 | 2016-08-24 | 东莞市中镓半导体科技有限公司 | 一种降低氮化镓基电子器件外延应力的离子注入改善型衬底 |
KR102638056B1 (ko) | 2016-06-15 | 2024-02-20 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 스위치 및 그 제조 방법과, 이를 포함하는 저항성 메모리 셀 및 전자 장치 |
US10186630B2 (en) * | 2016-08-02 | 2019-01-22 | QMAT, Inc. | Seed wafer for GaN thickening using gas- or liquid-phase epitaxy |
DE102016117921A1 (de) * | 2016-09-22 | 2018-03-22 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Spalten von Halbleiterbauelementen und Halbleiterbauelement |
TWI751352B (zh) * | 2018-07-05 | 2022-01-01 | 法商索泰克公司 | 集成射頻元件用底材及其製作方法 |
US11164867B2 (en) * | 2019-08-07 | 2021-11-02 | Globalfoundries U.S. Inc. | Fin-type field-effect transistors over one or more buried polycrystalline layers |
TWI755746B (zh) * | 2020-06-02 | 2022-02-21 | 合晶科技股份有限公司 | 半導體基板及其形成方法 |
CN113024277B (zh) * | 2021-03-03 | 2022-01-28 | 西南科技大学 | 高密度层错的碳化硅材料及其制备方法 |
CN114525489B (zh) * | 2022-01-25 | 2023-04-25 | 中国科学院上海微***与信息技术研究所 | 一种硅基碳化硅薄膜材料制备方法 |
EP4231335B1 (en) * | 2022-02-16 | 2024-06-19 | Siltronic AG | A heteroepitaxial wafer for the deposition of gallium nitride |
CN114525589B (zh) * | 2022-02-17 | 2024-03-08 | 上海集成电路材料研究院有限公司 | 利用离子注入释放单晶氮化铝应力的方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000349267A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-12-15 | Canon Inc | 半導体部材の作製方法 |
JP2005203666A (ja) * | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Kansai Electric Power Co Inc:The | 化合物半導体デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB8725497D0 (en) * | 1987-10-30 | 1987-12-02 | Atomic Energy Authority Uk | Isolation of silicon |
US5162594A (en) * | 1990-10-11 | 1992-11-10 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for production of polyfluoroolefins |
US6273950B1 (en) | 1996-04-18 | 2001-08-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | SiC device and method for manufacturing the same |
US6083324A (en) * | 1998-02-19 | 2000-07-04 | Silicon Genesis Corporation | Gettering technique for silicon-on-insulator wafers |
US7166524B2 (en) * | 2000-08-11 | 2007-01-23 | Applied Materials, Inc. | Method for ion implanting insulator material to reduce dielectric constant |
US6855649B2 (en) * | 2001-06-12 | 2005-02-15 | International Business Machines Corporation | Relaxed SiGe layers on Si or silicon-on-insulator substrates by ion implantation and thermal annealing |
US6562703B1 (en) * | 2002-03-13 | 2003-05-13 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Molecular hydrogen implantation method for forming a relaxed silicon germanium layer with high germanium content |
EP1437764A1 (en) | 2003-01-10 | 2004-07-14 | S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies S.A. | A compliant substrate for a heteroepitaxy, a heteroepitaxial structure and a method for fabricating a compliant substrate |
DE10310740A1 (de) | 2003-03-10 | 2004-09-30 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Verfahren zur Herstellung einer spannungsrelaxierten Schichtstruktur auf einem nicht gitterangepassten Substrat, sowie Verwendung eines solchen Schichtsystems in elektronischen und/oder optoelektronischen Bauelementen |
DE10318283A1 (de) | 2003-04-22 | 2004-11-25 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Verfahren zur Herstellung einer verspannten Schicht auf einem Substrat und Schichtstruktur |
DE10318284A1 (de) * | 2003-04-22 | 2004-11-25 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Verfahren zur Herstellung einer verspannten Schicht auf einem Substrat und Schichtstruktur |
US7473929B2 (en) | 2003-07-02 | 2009-01-06 | Panasonic Corporation | Semiconductor device and method for fabricating the same |
WO2005112129A1 (ja) | 2004-05-13 | 2005-11-24 | Fujitsu Limited | 半導体装置およびその製造方法、半導体基板の製造方法 |
US20070100010A1 (en) * | 2005-11-01 | 2007-05-03 | Creazzo Joseph A | Blowing agents for forming foam comprising unsaturated fluorocarbons |
MY145918A (en) * | 2005-11-01 | 2012-05-15 | Du Pont | Solvent compositions comprising unsaturated fluorinated hydrocarbons |
US20070098646A1 (en) * | 2005-11-01 | 2007-05-03 | Nappa Mario J | Aerosol propellants comprising unsaturated fluorocarbons |
US7708903B2 (en) * | 2005-11-01 | 2010-05-04 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Compositions comprising fluoroolefins and uses thereof |
US7485539B2 (en) | 2006-01-13 | 2009-02-03 | International Business Machines Corporation | Strained semiconductor-on-insulator (sSOI) by a simox method |
US7498296B2 (en) * | 2006-02-28 | 2009-03-03 | E. I. Dupont De Nemours And Company | Azeotropic compositions comprising fluorinated compounds for cleaning applications |
US7803975B2 (en) * | 2006-07-13 | 2010-09-28 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Process for separating a fluoroolefin from HF by liquid-liquid extraction |
PL2433921T3 (pl) * | 2006-08-24 | 2014-06-30 | Du Pont | Sposoby oddzielania fluoroolefin od fluorowodoru poprzez destylację azeotropową |
EP1901345A1 (en) | 2006-08-30 | 2008-03-19 | Siltronic AG | Multilayered semiconductor wafer and process for manufacturing the same |
CN105154012B (zh) * | 2006-09-01 | 2018-07-20 | 科慕埃弗西有限公司 | 氟烯烃用的酚稳定剂 |
WO2008033568A2 (en) * | 2006-09-15 | 2008-03-20 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Determination of the components of a fluoroolefin composition |
US20080211221A1 (en) * | 2006-10-13 | 2008-09-04 | Tina Asquith | Notebook system |
CA3002834C (en) * | 2007-05-11 | 2020-04-07 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Vapor compression heat transfer system comprising an intermediate heat exchanger and a dual-row evaporator |
CN101688817A (zh) * | 2007-06-21 | 2010-03-31 | 纳幕尔杜邦公司 | 用于热传递***的渗漏检测的方法 |
-
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000349267A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-12-15 | Canon Inc | 半導体部材の作製方法 |
JP2005203666A (ja) * | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Kansai Electric Power Co Inc:The | 化合物半導体デバイスの製造方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101515793B1 (ko) * | 2008-02-06 | 2015-05-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Soi 기판의 제작 방법 |
JP2010037139A (ja) * | 2008-08-05 | 2010-02-18 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体基板の製造方法 |
JP2012514316A (ja) * | 2008-09-24 | 2012-06-21 | エス・オー・アイ・テック・シリコン・オン・インシュレーター・テクノロジーズ | 半導体材料、半導体構造、デバイスおよびそれらを含む加工された基板の緩和した層を形成する方法 |
JP2012148944A (ja) * | 2011-01-21 | 2012-08-09 | Sumco Corp | 半導体基板及びその製造方法 |
WO2024057698A1 (ja) * | 2022-09-16 | 2024-03-21 | 信越半導体株式会社 | 窒化物半導体層付き単結晶シリコン基板及び窒化物半導体層付き単結晶シリコン基板の製造方法 |
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