JP2007179913A - El装置及びその製造方法 - Google Patents
El装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007179913A JP2007179913A JP2005378237A JP2005378237A JP2007179913A JP 2007179913 A JP2007179913 A JP 2007179913A JP 2005378237 A JP2005378237 A JP 2005378237A JP 2005378237 A JP2005378237 A JP 2005378237A JP 2007179913 A JP2007179913 A JP 2007179913A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- conductive layer
- organic
- electrode layer
- conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 423
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 106
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 25
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 65
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 55
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 34
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 19
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 11
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 7
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 5
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 5
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 3
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 claims description 3
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 claims description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 9
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000009993 protective function Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】このEL装置は、基板と、前記基板上に形成された第1導電層と、前記第1導電層上に形成され、発光層を含む有機層と、前記有機層上に形成された第2導電層と、を備え、前記第1導電層は、第1配線層と、導電性を有し、前記第1配線層上に形成されて前記第1配線層を保護する第1保護層と、前記第1保護層上に形成され、光反射率が前記第1保護層よりも大きい第1電極層と、を有する。
【選択図】図2
Description
第1導電層の導電材の酸化を防止して第1導電層の電気抵抗を抑制できるEL装置及びその製造方法を提供することである。
図1は本発明の第1実施形態に係るEL装置の平面図であり、図2は図1のA1−A1断面図であり、図3は図1のA2−A2断面図であり、図4は図2のA3−A3断面図である。
図6は本発明の第2実施形態に係るEL装置の断面図であり、図7は図6のA4−A4断面図である。本実施形態に係るEL装置1aの構成において、第1実施形態に係るEL装置1の構成と対応する部分には同一の参照符号を付して説明を省略する。
以下では、上述の第1及び第2実施形態に係るEL装置1,1aの変形例について記載する。
Claims (30)
- 基板と、
前記基板上に形成された第1導電層と、
前記第1導電層上に形成され、発光層を含む有機層と、
前記有機層上に形成された第2導電層と、
を備え、
前記第1導電層は、
第1配線層と、
導電性を有し、前記第1配線層上に形成されて前記第1配線層を保護する第1保護層と、
前記第1保護層上に形成され、光反射率が前記第1保護層よりも大きい第1電極層と、
を有することを特徴とするEL装置。 - 請求項1に記載のEL装置において、
前記第1配線層、前記第1保護層及び前記第1電極層が金属材料により形成されていることを特徴とするEL装置。 - 請求項1又は請求項2に記載のEL装置において、
前記第2導電層と電気的に接続され、前記第1導電層に対して離間した領域に形成される第3導電層をさらに備え、
前記第3導電層は、
第2配線層と、
導電性を有し、前記第2配線層上に形成されて前記第2配線層を保護する第2保護層と、
を有し、
前記第2電極層の一部が、前記第2保護層上まで延びて前記第2保護層に電気的に接続されることを特徴とするEL装置。 - 請求項3に記載のEL装置において、
前記第2配線層及び前記第2保護層が金属材料により形成されていることを特徴とするEL装置。 - 請求項1ないし請求項4のいずれかに記載のEL装置において、
前記第1配線層及び前記第1電極層は、アルミニウム、銀、ロジウム、金、及び銅の少なくともいずれか一つを含み、
前記第1保護層は、モリブデン又はモリブデン合金からなることを特徴とするEL装置。 - 請求項1ないし請求項5のいずれかに記載のEL装置において、
前記第1導電層、前記有機層及び前記第2導電層で構成される有機発光素子が配置される複数の画素形成領域と、
前記基板上に形成され、隣接する画素形成領域同士の間を仕切る隔壁と、をさらに備えたことを特徴とするEL装置。 - 請求項6に記載のEL装置において、
前記有機層の端部は、前記隔壁の側壁もしくはその近傍まで延設されていることを特徴とするEL装置。 - 請求項6又は請求項7に記載のEL装置において、
前記隔壁の断面形状は、下部よりも上部が幅広な略逆テーパーを成し、
前記有機層の端部は、前記隔壁の上面の直下領域内まで延設されていることを特徴とするEL装置。 - 請求項8に記載のEL装置において、
前記第1電極層及び前記第2導電層の端部が前記隔壁の上面の直下領域もしくはその近傍まで延設されていることを特徴とするEL装置。 - 請求項1ないし請求項9のいずれかに記載のEL装置において、
前記有機層が前記第1電極層の端面を被覆していることを特徴とするEL装置。 - 請求項10に記載のEL装置において、
前記有機層が前記第1電極層の外周に沿った端面の全面を被覆していることを特徴とするEL装置。 - 請求項10又は請求項11に記載のEL装置において、
前記有機層は前記第1電極層よりも厚みが大きいことを特徴とするEL装置。 - 請求項9に記載のEL装置において、
前記隔壁は、前記画素形成領域を個別に囲むように形成され、
前記第1電極層、前記有機層及び前記第2電極層が略矩形状を有し、
前記隔壁上面の直下領域内まで延設された前記有機層の端部、並びに、前記隔壁上面の直下領域もしくはその近傍まで延設された前記第1電極層及び前記第2電極層の端部は、前記第1電極層、前記有機層及び前記第2電極層の4辺のうちの少なくとも3辺に対応する端部であることを特徴とするEL装置。 - 請求項6ないし請求項13のいずれかに記載のEL装置において、
前記基板と前記第1導電層との間に形成された層間絶縁層をさらに備え、
前記有機層は、前記第1電極層から前記層間絶縁層上まで延設されていることを特徴とするEL装置。 - 請求項1ないし請求項14のいずれかに記載のEL装置において、
前記第1電極層の端部が、前記第1配線層及び前記第1保護層の端部よりも外側まで延設されていることを特徴とするEL装置。 - 請求項1ないし請求項15のいずれかに記載のEL装置において、
前記有機層は、前記第1電極層、前記第1保護層及び前記第1配線層の端面を被覆することを特徴とするEL装置。 - 請求項1ないし請求項16のいずれかに記載のEL装置において、
前記第1保護層と前記第1電極層との間に介在される絶縁層をさらに備え、
前記有機層は、前記第1電極層から前記絶縁層上まで延設されていることを特徴とするEL装置。 - 請求項3ないし請求項5のいずれかに記載のEL装置において、
前記基板と前記第1配線層との間に、回路層と、該回路層上に配設され、コンタクトホールを有する層間絶縁層と、を更に備え、
前記前記第3導電層が、前記コンタクトホール内に被着されていることを特徴とするEL装置。 - 請求項18に記載のEL装置において、
前記第3導電層は、前記コンタクトホールの内面から前記層間絶縁層上にかけて被着されることを特徴とするEL装置。 - 請求項18又は請求項19に記載のEL装置において、
前記第2導電層と前記第3導電層との接続部は、前記コンタクトホール内に位置することを特徴とするEL装置。 - 請求項18ないし請求項20のいずれかに記載のEL装置において、
前記第2導電層と前記第3導電層との接続部は、前記層間絶縁層上に位置することを特徴とするEL装置。 - 請求項18ないし請求項21のいずれかに記載のEL装置において、
前記回路層は、薄膜トランジスタ又は容量素子の一部を有することを特徴とするEL装置。 - 請求項18ないし請求項22のいずれかに記載のEL装置において、
前記第1導電層、前記有機層及び前記第2導電層で構成される有機発光素子が配置される複数の画素形成領域をさらに備え、
前記第2導電層は、隣接する画素形成領域同士で電気的に接続されていることを特徴とするEL装置。 - 請求項18ないし請求項22のいずれかに記載のEL装置において、
前記第1導電層、前記有機層及び前記第2導電層で構成される有機発光素子が配置される複数の画素形成領域をさらに備え、
前記第1導電層は、隣接する画素形成領域同士で電気的に接続されていることを特徴とするEL装置。 - 請求項1ないし請求項24のいずれかに記載のEL装置において、
前記第1電極層及び前記有機層は、チャンバ内の真空状態を保持した状態で続けて形成されていることを特徴とするEL装置。 - 請求項6ないし請求項9のいずれかに記載のEL装置であって、
前記有機層は、前記隔壁を蒸着マスクの全部もしくは一部として利用して形成されていることを特徴とするEL装置。 - 請求項6ないし請求項9のいずれかに記載のEL装置であって、
前記有機層は、前記基板に対して斜め方向から蒸着されたことを特徴とするEL装置。 - 請求項6ないし請求項9のいずれかに記載のEL装置であって、
前記第1電極層及び前記第2導電層は、前記隔壁を蒸着マスクの全部もしくは一部として利用して形成され、
前記第1電極層及び前記第2導電層は、前記基板に対して略垂直方向から蒸着されて形成されていることを特徴とするEL装置。 - 請求項1ないし請求項28のいずれかに記載のEL装置の製造方法において、
前記第1電極層を減圧状態のチャンバ内で形成する工程と、
前記第1電極層の形成後に、チャンバ内の減圧状態を保持した状態で前記有機層を形成する工程と、
を備えることを特徴とするEL装置の製造方法。 - 請求項6ないし請求項9のいずれかに記載のEL装置の製造方法であって、
前記有機層の構成材料が載置された蒸着源から前記第1電極層に向かって飛翔する蒸着物質の入射角が蒸着中に変化するように、前記蒸着源もしくは前記基板の少なくともいずれか一方を移動させながら前記有機層の蒸着を行う工程を備えることを特徴とするEL装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005378237A JP4823685B2 (ja) | 2005-12-28 | 2005-12-28 | El装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005378237A JP4823685B2 (ja) | 2005-12-28 | 2005-12-28 | El装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007179913A true JP2007179913A (ja) | 2007-07-12 |
JP4823685B2 JP4823685B2 (ja) | 2011-11-24 |
Family
ID=38304882
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005378237A Active JP4823685B2 (ja) | 2005-12-28 | 2005-12-28 | El装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4823685B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009031584A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Kyocera Corp | 有機elディスプレイ及びその製造方法 |
WO2009057689A1 (ja) * | 2007-10-30 | 2009-05-07 | Kyocera Corporation | 画像表示装置の製造方法および画像表示装置 |
JP2010192413A (ja) * | 2009-01-22 | 2010-09-02 | Sony Corp | 有機電界発光素子および表示装置 |
JP2016004910A (ja) * | 2014-06-17 | 2016-01-12 | キヤノン株式会社 | 有機発光装置 |
JP2016072118A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 株式会社Joled | 表示装置および表示装置の製造方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11339970A (ja) * | 1998-05-26 | 1999-12-10 | Tdk Corp | 有機el表示装置 |
JP2003077681A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Sony Corp | 有機電界発光素子およびその製造方法 |
JP2004119210A (ja) * | 2002-09-26 | 2004-04-15 | Chi Mei Electronics Corp | 画像表示装置、有機el素子および画像表示装置の製造方法 |
JP2004127609A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Optrex Corp | 有機elディスプレイおよび有機elディスプレイの製造方法 |
JP2004296297A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Optrex Corp | 有機el表示装置用配線基板の製造方法および有機el表示装置 |
JP2005011792A (ja) * | 2003-03-26 | 2005-01-13 | Sony Corp | 発光素子およびその製造方法、ならびに表示装置 |
JP2007066774A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
-
2005
- 2005-12-28 JP JP2005378237A patent/JP4823685B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11339970A (ja) * | 1998-05-26 | 1999-12-10 | Tdk Corp | 有機el表示装置 |
JP2003077681A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Sony Corp | 有機電界発光素子およびその製造方法 |
JP2004119210A (ja) * | 2002-09-26 | 2004-04-15 | Chi Mei Electronics Corp | 画像表示装置、有機el素子および画像表示装置の製造方法 |
JP2004127609A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Optrex Corp | 有機elディスプレイおよび有機elディスプレイの製造方法 |
JP2005011792A (ja) * | 2003-03-26 | 2005-01-13 | Sony Corp | 発光素子およびその製造方法、ならびに表示装置 |
JP2004296297A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Optrex Corp | 有機el表示装置用配線基板の製造方法および有機el表示装置 |
JP2007066774A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009031584A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Kyocera Corp | 有機elディスプレイ及びその製造方法 |
WO2009057689A1 (ja) * | 2007-10-30 | 2009-05-07 | Kyocera Corporation | 画像表示装置の製造方法および画像表示装置 |
JP2010192413A (ja) * | 2009-01-22 | 2010-09-02 | Sony Corp | 有機電界発光素子および表示装置 |
US8524379B2 (en) | 2009-01-22 | 2013-09-03 | Sony Corporation | Organic electroluminescence device and display unit |
JP2016004910A (ja) * | 2014-06-17 | 2016-01-12 | キヤノン株式会社 | 有機発光装置 |
JP2016072118A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 株式会社Joled | 表示装置および表示装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4823685B2 (ja) | 2011-11-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10566394B2 (en) | Organic light-emitting display panel, device and method for manufacturing the same | |
JP7203763B2 (ja) | 表示基板及びその製造方法、表示装置 | |
JP7228378B2 (ja) | 表示装置 | |
KR102279921B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
KR101879180B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
EP2835831B1 (en) | Organic light emitting diode display | |
JP5160754B2 (ja) | El装置 | |
JP7274873B2 (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
KR20200091050A (ko) | 디스플레이 장치 | |
KR101927334B1 (ko) | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 | |
US9620738B2 (en) | Flat panel display device and manufacturing method thereof | |
KR20230148316A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법 | |
KR20170071152A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
CN113690251B (zh) | 显示面板 | |
JP2023503668A (ja) | ディスプレイパネル、フレキシブルディスプレイ、電子デバイスおよびディスプレイパネルの製造方法 | |
KR102525343B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
KR102595445B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
KR100647055B1 (ko) | El 장치 | |
WO2019095214A1 (zh) | Tft阵列结构及其绑定区、绑定区的制作方法 | |
JP2005056846A (ja) | 有機電界発光素子及びその製造方法 | |
JP4823685B2 (ja) | El装置及びその製造方法 | |
JP2007179914A (ja) | El装置及びその製造方法 | |
JP2011029022A (ja) | 有機el装置 | |
JP2019067254A (ja) | タッチセンサ内蔵表示装置、及びタッチセンサ内蔵表示装置の製造方法 | |
KR20160118403A (ko) | 미러 기판, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080616 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20090910 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110518 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110524 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110707 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110906 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110907 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4823685 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140916 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140916 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140916 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |