JP2007179913A - El device and method of manufacturing same - Google Patents
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Abstract
Description
発明は、EL（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ）装置及びその製造方法に関する。 The present invention relates to an EL (Electroluminescent) device and a manufacturing method thereof.
EL装置は、ガラス基板と、そのガラス基板上に積層された第１導電層、発光層を含む有機層及び第２導電層を備えて構成されている。その第１導電層の導電材が薬液、水、大気等との接触によって酸化すると、その酸化膜が電気抵抗となって、装置駆動時の消費電力の増大、画素間の発光輝度のバラツキの原因となる場合がある。 The EL device includes a glass substrate, a first conductive layer stacked on the glass substrate, an organic layer including a light emitting layer, and a second conductive layer. When the conductive material of the first conductive layer is oxidized by contact with a chemical solution, water, air, or the like, the oxide film becomes an electric resistance, causing an increase in power consumption when driving the device and a cause of variation in emission luminance between pixels. It may become.
これに対する従来の対策として、第１導電層の導電材の表面をモリブデン等からなる保護膜で被覆し、導電材の酸化を防止するようにした技術がある（特許文献１）。 As a conventional countermeasure against this, there is a technique in which the surface of the conductive material of the first conductive layer is covered with a protective film made of molybdenum or the like to prevent oxidation of the conductive material (Patent Document 1).
また、トップエミッション型のEL装置では、有機層で発光された光が第２導電層を透過して外部に放出されるため、第１導電層の表面は、有機層で発光された光を効率良く反射することが求められる。 In the top emission type EL device, light emitted from the organic layer is transmitted to the outside through the second conductive layer, so that the surface of the first conductive layer efficiently uses the light emitted from the organic layer. It is required to reflect well.
なお、ボトムエミッション型のEL装置に関する電極構造としては、特許文献２に記載のものがある。
Note that an electrode structure related to a bottom emission type EL device is disclosed in
しかしながら、保護膜は導電材に対する保護機能を重視して材料等の選択が行われるため、保護層を設けることにより第１導電層表面の光反射効率が低下し、光の取出効率の低下を招く場合がある。 However, since the protective film is selected based on the protective function for the conductive material, the light reflection efficiency on the surface of the first conductive layer is lowered by providing the protective layer, and the light extraction efficiency is lowered. There is a case.
そこで、本発明の解決すべき課題は、第１導電層表面の光反射効率を高く維持しつつ、
第１導電層の導電材の酸化を防止して第１導電層の電気抵抗を抑制できるEL装置及びその製造方法を提供することである。
Therefore, the problem to be solved by the present invention is to maintain the light reflection efficiency of the surface of the first conductive layer high,
An object of the present invention is to provide an EL device capable of preventing the conductive material of the first conductive layer from being oxidized and suppressing the electric resistance of the first conductive layer, and a method for manufacturing the same.
上記の課題を解決するため、請求項１の発明では、基板と、前記基板上に形成された第１導電層と、前記第１導電層上に形成され、発光層を含む有機層と、前記有機層上に形成された第２導電層とを備え、前記第１導電層は、第１配線層と、導電性を有し、前記第１配線層上に形成されて前記第１配線層を保護する第１保護層と、前記第１保護層上に形成され、光反射率が前記第１保護層よりも大きい第１電極層とを有する。
In order to solve the above-described problems, in the invention of
また、請求項２の発明では、請求項１の発明に係るEL装置において、前記第１配線層、前記第１保護層及び前記第１電極層が金属材料により形成されている。 According to a second aspect of the invention, in the EL device according to the first aspect of the invention, the first wiring layer, the first protective layer, and the first electrode layer are formed of a metal material.
また、請求項３の発明では、請求項１又は請求項２の発明に係るEL装置において、前記第２導電層と電気的に接続され、前記第１導電層に対して離間した領域に形成される第３導電層をさらに備え、前記第３導電層は、第２配線層と、導電性を有し、前記第２配線層上に形成されて前記第２配線層を保護する第２保護層とを有し、前記第２電極層の一部が、前記第２保護層上まで延びて前記第２保護層に電気的に接続される。 According to a third aspect of the present invention, in the EL device according to the first or second aspect of the present invention, the EL device is formed in a region electrically connected to the second conductive layer and separated from the first conductive layer. A third conductive layer, and the third conductive layer has a conductivity with the second wiring layer and is formed on the second wiring layer to protect the second wiring layer. And a part of the second electrode layer extends over the second protective layer and is electrically connected to the second protective layer.
また、請求項４の発明では、請求項３の発明に係るEL装置において、前記第２配線層及び前記第２保護層が金属材料により形成されている。 According to a fourth aspect of the invention, in the EL device according to the third aspect of the invention, the second wiring layer and the second protective layer are made of a metal material.
また、請求項５の発明では、請求項１ないし請求項４のいずれかの発明に係るEL装置において、前記第１配線層及び前記第１電極層は、アルミニウム、銀、ロジウム、金、及び銅の少なくともいずれか一つを含み、前記第１保護層は、モリブデン又はモリブデン合金からなる。 According to a fifth aspect of the present invention, in the EL device according to any one of the first to fourth aspects, the first wiring layer and the first electrode layer are made of aluminum, silver, rhodium, gold, and copper. And the first protective layer is made of molybdenum or a molybdenum alloy.
また、請求項６の発明では、請求項１ないし請求項５のいずれかの発明に係るEL装置において、前記第１導電層、前記有機層及び前記第２導電層で構成される有機発光素子が配置される複数の画素形成領域と、前記基板上に形成され、隣接する画素形成領域同士の間を仕切る隔壁とをさらに備えた。 According to a sixth aspect of the present invention, in the EL device according to any of the first to fifth aspects of the present invention, an organic light-emitting element composed of the first conductive layer, the organic layer, and the second conductive layer is provided. The image forming apparatus further includes a plurality of pixel formation regions to be arranged and a partition wall formed on the substrate and partitioning adjacent pixel formation regions.
また、請求項７の発明では、請求項６の発明に係るEL装置において、前記有機層の端部は、前記隔壁の側壁もしくはその近傍まで延設されている。 According to a seventh aspect of the present invention, in the EL device according to the sixth aspect of the present invention, the end portion of the organic layer extends to the side wall of the partition wall or the vicinity thereof.
また、請求項８の発明では、請求項６又は請求項７の発明に係るEL装置において、前記隔壁の断面形状は、下部よりも上部が幅広な略逆テーパーを成し、前記有機層の端部は、前記隔壁の上面の直下領域内まで延設されている。 According to an eighth aspect of the present invention, in the EL device according to the sixth or seventh aspect of the present invention, the cross-sectional shape of the partition wall is a substantially reverse taper whose upper part is wider than the lower part, and the end of the organic layer is The portion extends to a region immediately below the upper surface of the partition wall.
また、請求項９の発明では、請求項８の発明に係るEL装置において、前記第１電極層及び前記第２導電層の端部が前記隔壁の上面の直下領域もしくはその近傍まで延設されている。 According to a ninth aspect of the present invention, in the EL device according to the eighth aspect of the present invention, the end portions of the first electrode layer and the second conductive layer are extended to a region immediately below the upper surface of the partition wall or in the vicinity thereof. Yes.
また、請求項１０の発明では、請求項１ないし請求項９のいずれかの発明に係るEL装置において、前記有機層が前記第１電極層の端面を被覆している。 According to a tenth aspect of the present invention, in the EL device according to any one of the first to ninth aspects, the organic layer covers the end face of the first electrode layer.
また、請求項１１の発明では、請求項１０の発明に係るEL装置において、前記有機層が前記第１電極層の外周に沿った端面の全面を被覆している。 In an eleventh aspect of the invention, in the EL device according to the tenth aspect of the invention, the organic layer covers the entire end face along the outer periphery of the first electrode layer.
また、請求項１２の発明では、請求項１０又は請求項１１の発明に係るEL装置において、前記有機層は前記第１電極層よりも厚みが大きい。 According to a twelfth aspect of the invention, in the EL device according to the tenth or eleventh aspect of the invention, the organic layer is thicker than the first electrode layer.
また、請求項１３の発明では、請求項９の発明に係るEL装置において、前記隔壁は、前記画素形成領域を個別に囲むように形成され、前記第１電極層、前記有機層及び前記第２電極層が略矩形状を有し、前記隔壁上面の直下領域内まで延設された前記有機層の端部、並びに、前記隔壁上面の直下領域もしくはその近傍まで延設された前記第１電極層及び前記第２電極層の端部は、前記第１電極層、前記有機層及び前記第２電極層の４辺のうちの少なくとも３辺に対応する端部である。 According to a thirteenth aspect of the present invention, in the EL device according to the ninth aspect of the present invention, the partition is formed so as to individually surround the pixel formation region, and the first electrode layer, the organic layer, and the second layer are formed. The electrode layer has a substantially rectangular shape, the end of the organic layer extending to the region immediately below the partition upper surface, and the first electrode layer extending to the region immediately below the partition upper surface or the vicinity thereof And the edge part of the said 2nd electrode layer is an edge part corresponding to at least 3 sides among 4 sides of the said 1st electrode layer, the said organic layer, and the said 2nd electrode layer.
また、請求項１４の発明では、請求項６ないし請求項１３のいずれかの発明に係るEL装置において、前記基板と前記第１導電層との間に形成された層間絶縁層をさらに備え、前記有機層は、前記第１電極層から前記層間絶縁層上まで延設されている。
The invention according to claim 14 is the EL device according to any one of
また、請求項１５の発明では、請求項１ないし請求項１４のいずれかの発明に係るEL装置において、前記第１電極層の端部が、前記第１配線層及び前記第１保護層の端部よりも外側まで延設されている。 According to a fifteenth aspect of the present invention, in the EL device according to any one of the first to fourteenth aspects of the present invention, an end of the first electrode layer is an end of the first wiring layer and the first protective layer. It extends to the outside of the part.
また、請求項１６の発明では、請求項１ないし請求項１５のいずれかの発明に係るEL装置において、前記有機層は、前記第１電極層、前記第１保護層及び前記第１配線層の端面を被覆する。 According to a sixteenth aspect of the present invention, in the EL device according to any one of the first to fifteenth aspects, the organic layer includes the first electrode layer, the first protective layer, and the first wiring layer. Cover the end face.
また、請求項１７の発明では、請求項１ないし請求項１６のいずれかの発明に係るEL装置において、前記第１保護層と前記第１電極層との間に介在される絶縁層をさらに備え、前記有機層は、前記第１電極層から前記絶縁層上まで延設されている。
The invention according to
また、請求項１８の発明では、請求項３ないし請求項５のいずれかの発明に係るEL装置において、前記基板と前記第１配線層との間に、回路層と、該回路層上に配設され、コンタクトホールを有する層間絶縁層とを更に備え、前記前記第３導電層が、前記コンタクトホール内に被着されている。 According to an eighteenth aspect of the present invention, in the EL device according to any of the third to fifth aspects of the present invention, a circuit layer and a circuit layer are disposed between the substrate and the first wiring layer. And an interlayer insulating layer having a contact hole, wherein the third conductive layer is deposited in the contact hole.
また、請求項１９の発明では、請求項１８の発明に係るEL装置において、前記第３導電層は、前記コンタクトホールの内面から前記層間絶縁層上にかけて被着される。 According to a nineteenth aspect of the present invention, in the EL device according to the eighteenth aspect, the third conductive layer is deposited from the inner surface of the contact hole to the interlayer insulating layer.
また、請求項２０の発明では、請求項１８又は請求項１９の発明に係るEL装置において、前記第２導電層と前記第３導電層との接続部は、前記コンタクトホール内に位置する。 According to a twentieth aspect of the present invention, in the EL device according to the eighteenth or the nineteenth aspect of the present invention, a connection portion between the second conductive layer and the third conductive layer is located in the contact hole.
また、請求項２１の発明では、請求項１８ないし請求項２０のいずれかの発明に係るEL装置において、前記第２導電層と前記第３導電層との接続部は、前記層間絶縁層上に位置する。 According to a twenty-first aspect of the invention, in the EL device according to any one of the eighteenth to twentieth aspects of the invention, the connecting portion between the second conductive layer and the third conductive layer is on the interlayer insulating layer. To position.
また、請求項２２の発明では、請求項１８ないし請求項２１のいずれかの発明に係るEL装置において、前記回路層は、薄膜トランジスタ又は容量素子の一部を有する。 According to a twenty-second aspect of the present invention, in the EL device according to any of the eighteenth to twenty-first aspects, the circuit layer includes a part of a thin film transistor or a capacitor.
また、請求項２３の発明では、請求項１８ないし請求項２２のいずれかの発明に係るEL装置において、前記第１導電層、前記有機層及び前記第２導電層で構成される有機発光素子が配置される複数の画素形成領域をさらに備え、前記第２導電層は、隣接する画素形成領域同士で電気的に接続されている。 According to a twenty-third aspect of the present invention, in the EL device according to any one of the eighteenth to thirty-second aspects, the organic light-emitting element including the first conductive layer, the organic layer, and the second conductive layer is provided. A plurality of pixel forming regions are further provided, and the second conductive layer is electrically connected between adjacent pixel forming regions.
また、請求項２４の発明では、請求項１８ないし請求項２２のいずれかの発明に係るEL装置において、前記第１導電層、前記有機層及び前記第２導電層で構成される有機発光素子が配置される複数の画素形成領域をさらに備え、前記第１導電層は、隣接する画素形成領域同士で電気的に接続されている。 According to a twenty-fourth aspect of the present invention, in the EL device according to any one of the eighteenth to twenty-second aspects, the organic light-emitting element including the first conductive layer, the organic layer, and the second conductive layer is provided. A plurality of pixel forming regions are further provided, and the first conductive layer is electrically connected between adjacent pixel forming regions.
また、請求項２５の発明では、請求項１ないし請求項２４のいずれかの発明に係るEL装置において、前記第１電極層及び前記有機層は、チャンバ内の真空状態を保持した状態で続けて形成されている。 According to a twenty-fifth aspect of the invention, in the EL device according to any one of the first to twenty-fourth aspects, the first electrode layer and the organic layer are continuously maintained in a vacuum state in a chamber. Is formed.
また、請求項２６の発明では、請求項６ないし請求項９のいずれかの発明に係るEL装置であって、前記有機層は、前記隔壁を蒸着マスクの全部もしくは一部として利用して形成されている。 According to a twenty-sixth aspect of the present invention, in the EL device according to any one of the sixth to ninth aspects, the organic layer is formed using the partition as a whole or a part of a vapor deposition mask. ing.
また、請求項２７の発明では、請求項６ないし請求項９のいずれかの発明に係るEL装置であって、前記有機層は、前記基板に対して斜め方向から蒸着された。 According to a twenty-seventh aspect of the present invention, in the EL device according to any of the sixth to ninth aspects, the organic layer is deposited from an oblique direction with respect to the substrate.
また、請求項２８の発明では、請求項６ないし請求項９のいずれかの発明に係るEL装置であって、前記第１電極層及び前記第２導電層は、前記隔壁を蒸着マスクの全部もしくは一部として利用して形成され、前記第１電極層及び前記第２導電層は、前記基板に対して略垂直方向から蒸着されて形成されている。
The invention according to claim 28 is the EL device according to any one of
また、請求項２９の発明では、請求項１ないし請求項２８のいずれかの発明に係るEL装置の製造方法において、前記第１電極層を減圧状態のチャンバ内で形成する工程と、前記第１電極層の形成後に、チャンバ内の減圧状態を保持した状態で前記有機層を形成する工程とを備える。 According to a twenty-ninth aspect of the present invention, in the EL device manufacturing method according to any one of the first to twenty-eighth aspects, the step of forming the first electrode layer in a reduced-pressure chamber; Forming the organic layer in a state in which the reduced pressure state in the chamber is maintained after the electrode layer is formed.
また、請求項３０の発明では、請求項６ないし請求項９のいずれかの発明に係るEL装置の製造方法であって、前記有機層の構成材料が載置された蒸着源から前記第１電極層に向かって飛翔する蒸着物質の入射角が蒸着中に変化するように、前記蒸着源もしくは前記基板の少なくともいずれか一方を移動させながら前記有機層の蒸着を行う工程を備える。 According to a thirty-third aspect of the invention, there is provided a method for manufacturing an EL device according to any of the sixth to ninth aspects, wherein the first electrode is formed from a vapor deposition source on which the constituent material of the organic layer is placed. A step of depositing the organic layer while moving at least one of the deposition source and the substrate so that an incident angle of the deposition material flying toward the layer changes during the deposition.
請求項１ないし請求項２４に記載の発明によれば、第１保護層は第１配線層の保護に適した材料や厚み等を採用しつつ、第１電極層に光反射特性に優れた材料等の構成を採用することができる。これによって、第１導電層表面の光反射効率を高く維持しつつ、第１配線層の酸化等のダメージを防止して第１導電層の電気抵抗の増加を抑制できる。その結果、EL装置の光取出効率を維持しつつ、EL装置駆動時の消費電力の抑制、及び画素間の発光輝度のバラツキ抑制が図れる。
According to the invention described in any one of
請求項２に記載の発明によれば、第１配線層、第１保護層及び第１電極層が金属材料により形成されているため、第１導電層の電気抵抗を小さく抑えることができる。 According to the second aspect of the present invention, since the first wiring layer, the first protective layer, and the first electrode layer are formed of the metal material, the electrical resistance of the first conductive layer can be kept small.
請求項３に記載の発明によれば、第２導電層に対する導電路として機能する第３導電層において、その第２配線層が第２保護層で保護されているため、第２配線層の酸化を防止することができ、これによって第３導電層の電気抵抗を抑制できる。その結果、EL装置駆動時の消費電力の抑制、及び画素間の発光輝度のバラツキ抑制が図れる。 According to the third aspect of the present invention, in the third conductive layer functioning as a conductive path for the second conductive layer, the second wiring layer is protected by the second protective layer. This can prevent the electrical resistance of the third conductive layer. As a result, it is possible to suppress power consumption when driving the EL device and to suppress variation in light emission luminance between pixels.
請求項４に記載の発明によれば、第２配線層及び第２保護層が金属材料により形成されているため、第３導電層の電気抵抗を小さく抑えることができる。
According to invention of
請求項５に記載の発明によれば、電気抵抗が低く、表面の光反射効率が高い第１導電層を実現することができる。 According to the fifth aspect of the present invention, it is possible to realize the first conductive layer having low electrical resistance and high surface light reflection efficiency.
請求項７に記載の発明によれば、有機層の端部が、隔壁の側壁もしくはその近傍まで延設されているため、第２導電層の形成位置が所望の位置からずれたとしても、第２導電層と第１電極層との短絡の発生率を低下することができる。それ故、EL装置の生産性を向上させることが可能となる。
According to the invention described in
請求項８に記載の発明によれば、前記隔壁の断面形状が下部よりも上部が幅広な略逆テーパーを成している場合であっても、有機層の端部が隔壁の上面の直下領域内まで延設されているため、有機層の端部が側壁もしくはその近傍まで配置されることとなる。従って、第２導電層の形成位置が所望の位置からずれたとしても、第２導電層と第１電極層とが直接接触して短絡することが良好に防止される。それ故、EL装置の生産性を向上させることが可能となる。
According to the invention described in
請求項９に記載の発明によれば、第１電極層及び第２電極層の端部が前記隔壁の上面の直下領域もしくはその近傍まで延設されていることから、有機発光素子の発光面積を広く確保することができ、有機発光素子の発光効率を向上させることが可能となる。 According to the ninth aspect of the present invention, since the end portions of the first electrode layer and the second electrode layer extend to the region immediately below the upper surface of the partition wall or the vicinity thereof, the light emitting area of the organic light emitting device is reduced. It can be ensured widely, and the light emission efficiency of the organic light emitting element can be improved.
請求項１０に記載の発明によれば、有機層が第１電極層の端面を被覆しているため、第２導電層の形成箇所が所望の位置からずれたとしても、第２導電層が第１電極層に直接接触して短絡することが良好に防止される。その結果、第２導電層に要求されるパターニング精度を緩和することができる。 According to the tenth aspect of the present invention, since the organic layer covers the end face of the first electrode layer, even if the formation position of the second conductive layer is deviated from the desired position, the second conductive layer is A short circuit due to direct contact with one electrode layer is satisfactorily prevented. As a result, the patterning accuracy required for the second conductive layer can be relaxed.
請求項１１に記載の発明によれば、有機層が第１電極層の外周に沿った端面の全面を覆っているため、第２導電層と第１電極層との短絡をより確実に防止できる。 According to the eleventh aspect of the invention, since the organic layer covers the entire end face along the outer periphery of the first electrode layer, a short circuit between the second conductive layer and the first electrode layer can be prevented more reliably. .
請求項１２に記載の発明によれば、有機層が第１電極よりも厚みが大きいため、第１電極の端面の被覆が容易となり、EL装置の生産性向上に寄与することができる。 According to the twelfth aspect of the present invention, since the organic layer is thicker than the first electrode, it is easy to cover the end face of the first electrode, which can contribute to the improvement of the productivity of the EL device.
請求項１３に記載の発明によれば、隔壁によって取り囲まれた領域内のスペースを有効に利用して、画素を形成することができ、有機発光素子の発光面積を広く確保することが可能となる。 According to the thirteenth aspect of the present invention, pixels can be formed by effectively using the space in the region surrounded by the partition walls, and the light emitting area of the organic light emitting element can be secured widely. .
請求項１４に記載の発明によれば、有機層は、前記第１電極層から基板と第１導電層との間に配置される層間絶縁層上まで延設されているため、第２導電層が第１電極層と直接接触して短絡するのを確実に防止できる。また層間絶縁層が有機樹脂から形成されている場合、層間絶縁層と有機層との密着性が良好であるため、有機層の端部の剥離を良好に防止することができる。 According to the invention described in claim 14, since the organic layer extends from the first electrode layer to an interlayer insulating layer disposed between the substrate and the first conductive layer, the second conductive layer Can be surely prevented from shorting due to direct contact with the first electrode layer. Further, when the interlayer insulating layer is formed of an organic resin, the adhesion between the interlayer insulating layer and the organic layer is good, so that peeling of the end portion of the organic layer can be prevented satisfactorily.
請求項１５に記載の発明によれば、前記第１電極層の端部が、前記第１配線層及び前記第１保護層の端部よりも外側まで延設されているため、第１電極層の形成によって発光領域を拡大することができる。 According to the invention described in claim 15, since the end portion of the first electrode layer extends to the outside of the end portions of the first wiring layer and the first protective layer, the first electrode layer The light emitting region can be enlarged by forming.
請求項１６に記載の発明によれば、第１保護層や第１配線層の端面と第２導電層とが直接接触して短絡することが良好に防止される。 According to the sixteenth aspect of the present invention, it is possible to satisfactorily prevent a short circuit due to direct contact between the end face of the first protective layer or the first wiring layer and the second conductive layer.
請求項１７に記載の発明によれば、第２導電層と第１電極層とが直接接触して短絡することを良好に防止することができる。また絶縁層が有機樹脂から形成されている場合、絶縁層と有機層との密着性が良好であるため、有機層の端部の剥離を良好に防止することができる。 According to the seventeenth aspect of the present invention, it is possible to satisfactorily prevent the second conductive layer and the first electrode layer from being in direct contact and short-circuiting. In addition, when the insulating layer is formed from an organic resin, the adhesion between the insulating layer and the organic layer is good, so that peeling of the end portion of the organic layer can be satisfactorily prevented.
請求項２５に記載の発明によれば、第１電極層及び有機層が、チャンバ内の真空状態を保持した状態で続けて形成されているため、第１電極層の表面が大気等に触れて酸化等のダメージを受けるのを防止することができ、第１電極層の電気抵抗を小さく抑えることができる。 According to the invention of claim 25, since the first electrode layer and the organic layer are continuously formed in a state in which the vacuum state in the chamber is maintained, the surface of the first electrode layer is exposed to the atmosphere or the like. It is possible to prevent damage such as oxidation, and to reduce the electric resistance of the first electrode layer.
請求項２７に記載の発明によれば、有機層の端部を隔壁の側壁まで延設させることができる。
According to invention of
請求項２８に記載の発明によれば、第１電極層及び第２導電層の端部を隔壁上面の直下領域もしくはその近傍に位置するように容易に形成することができる。 According to the twenty-eighth aspect of the present invention, the end portions of the first electrode layer and the second conductive layer can be easily formed so as to be located in the region immediately below the partition upper surface or in the vicinity thereof.
請求項２９に記載の発明によれば、第１電極層及び有機層が、チャンバ内の減圧状態を保持した状態で続けて形成されているため、第１電極層の表面が大気等に触れて酸化等のダメージを受けるのを防止することができ、第１電極層の電気抵抗を小さく抑えることができる。 According to the invention of claim 29, since the first electrode layer and the organic layer are continuously formed in a state where the reduced pressure state in the chamber is maintained, the surface of the first electrode layer is exposed to the atmosphere or the like. It is possible to prevent damage such as oxidation, and to reduce the electric resistance of the first electrode layer.
請求項３０に記載の発明によれば、有機層の端部を隔壁の側壁まで延設させることができる。 According to the invention of claim 30, the end portion of the organic layer can be extended to the side wall of the partition wall.
＜第１実施形態＞
図１は本発明の第１実施形態に係るEL装置の平面図であり、図２は図１のＡ１−Ａ１断面図であり、図３は図１のＡ２−Ａ２断面図であり、図４は図２のＡ３−Ａ３断面図である。
<First Embodiment>
1 is a plan view of an EL device according to the first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line A1-A1 of FIG. 1, FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line A2-A2 of FIG. These are A3-A3 sectional views of FIG.
本実施形態に係るEL装置１は、図１ないし図４に示されるように、基板２と、回路層３と、層間絶縁層４と、第１ないし第３導電層５〜７と、有機層８と、隔壁９とを備えている。基板２の上面側には複数の画素形成領域１１が形成され、その各画素形成領域１１内に、第１導電層５、有機層８及び第２導電層６によって有機発光素子１２が形成されている。隔壁９は、その画素形成領域１１同士の間を仕切るように略格子状に形成されている。そして、有機発光素子１２は、発光領域１３（図４の点線ハッチング付した領域）を形成している。
As shown in FIGS. 1 to 4, the
このEL装置１は、有機層８が発光した光を上面側の第２導電層６を介して外部に取り出すトップエミッション型の構造を採用している。また、このEL装置１の構成は、アクティブマトリクス駆動方式に対応した構成となっているが、パッシブマトリクス駆動方式に対応した構成を採用してもよい。また、第１導電層５と第２導電層６のいずれをアノード側に設定してもよい。また、本実施形態では、第１導電層５を隣接する画素形成領域１１同士において電気的に接続するようにしているが、第３導電層７を隣接する画素形成領域１１同士において電気的に接続するようにしてもよい。
The
基板２はガラス基板等により構成される。回路層３は、図示しない薄膜トランジスタ又は容量素子の一部を構成している。層間絶縁層４は、回路層３と有機発光素子１０との間を絶縁するように、これらの間に形成されている。なお、層間絶縁層４は、絶縁性を有するシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の無機材料や絶縁性を有する有機樹脂により形成されている。
The
第１導電層５は、基板２側から順に、第１配線層１６、第１保護層１７及び第１電極層１８を有している。第１配線層１６は、導電性の高い金属材料からなり、層間絶縁層４上に形成されている。第１保護層１７は、導電性を有する材料からなり、第１配線層１６上に形成されて第１配線層１６を保護する。第１電極層１８は、光反射率が第１保護層１７よりも大きい導電材料からなり、第１保護層１７上に形成される。これによって、第１導電層５表面の光反射効率を高く維持しつつ、第１配線層１１の酸化等のダメージを防止して第１導電層５の電気抵抗の増加を抑制できる。その結果、EL装置１の光取出効率を維持しつつ、EL装置１駆動時の消費電力の抑制、及び画素間の発光輝度のバラツキ抑制が図れる。
The first
また、第１配線層１６の材料の具体例としては、アルミニウム、アルミニウム合金、銀又は銀合金、ロジウム、金、又は銅が挙げられる。第１保護層１７の材料の具体例としては、モリブデン又はモリブデン合金が挙げられる。第１電極層１８の材料の具体例としては、アルミニウム、アルミニウム合金、銀又は銀合金、ロジウム、金、又は銅が挙げられる。このような材料を用いることにより、電気抵抗が低く、表面の光反射効率が高い第１導電層５を実現できる。
Specific examples of the material of the
有機層８は、第１導電層５上に形成され、有機系材料を発光体として用いた発光層を含んで構成されている。有機層８は、単層構造もしくは機能別に積層した多層構造のいずれも採用することができる。例えば、有機層８が発光層のみの単層からなる単層構造では、発光層が正孔輸送特性と電子輸送特性とを兼ね備えた材料からなり、その材料中に発光材料をドープする方法や、発光材料自体に電荷輸送特性が付与された材料を用いる方法などを採用することができる。このような単層構造は、素子形成プロセスを簡略化できることから、歩留まりを向上させることができ、低コストのEL装置１を提供できるという利点がある。
The
また、有機層８の構造として多層構造を採用する場合、例えば発光層に加え、正孔輸送層、正孔注入層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層、電子阻止層のうち、単数もしくは複数を選択して有機層８を構成する。例えば、有機層８が発光層と正孔阻止層とからなる多層構造である場合には、両電極層１８，１９からの電荷の注入量を制御するため、正孔注入電極として働く電極層１８，１９のいずれか一方と電子輸送層との間に正孔輸送層を設けた構造としてもよい。また、同様にして、電子注入電極となる電極層１８，１９のいずれか他方と正孔輸送層との間に電子阻止層を設けることも可能である。なお、正孔注入層、電子注入層については無機材料が使用されることもあるが、その場合であっても、正孔注入層、電子注入層を含めて有機層と呼ぶ。
Further, when adopting a multilayer structure as the structure of the
第２導電層６は、有機層８上に形成された第２電極層１９を備え、有機層８の上面側から光りを取り出すために、インジウム錫酸化膜（ＩＴＯ）、錫酸化膜等の光透過性を有する導電材料を用いて形成されている。また第２導電層６が、マグネシウム、銀、アルミニウム等の基本的には光透過性を有さない材料により形成されていたとしても、１００nm以下の膜厚程度に薄くすることによって導電性をある程度確保したまま、第２導電層６に光を透過させることができる。また第２導電層６は、マグネシウム、銀及びアルミニウム等を複数組み合わせて構成したり、あるいは、多層構造としても良い。
The second
第３導電層７は、層間絶縁層４上における第１導電層５と離間した領域に形成され、第２導電層６と電気的に接続されている。第３導電層７は、第２配線層２１と第２保護層２２とを備えている。第２導電層６の一部が第２保護層２２上まで延びて第３導電層７に電気的に接続されている。第２導電層６と第３導電層７との主な電気接続部２０は、例えば層間絶縁層４上における第１電極層１８の端部１８ｂから所定間隔をあけた位置に設けられる。また、層間絶縁層４には、各画素形成領域１１内にコンタクトホール４ａが設けられ、このコンタクトホール４ａを介して第３導電層７が回路層３に電気的に接続されている。
The third
このように、第２導電層６に対する導電路として機能する第３導電層７において、第２配線層２１が第２保護層２２で保護されているため、第２配線層２１が酸化等のダメージを受けるのを防止することができ、これによって第３導電層７の電気抵抗を抑制できる。その結果、EL装置１駆動時の消費電力の抑制、及び画素間の発光輝度のバラツキ抑制が図れる。
In this way, in the third
第２配線層２１の材料の具体例としては、アルミニウム、アルミニウム合金、銀又は銀合金、ロジウム、金、又は銅が挙げられる。第２保護層２２の材料の具体例としては、モリブデン又はモリブデン合金が挙げられる。このような材料を用いることにより、電気抵抗が低い第３導電層７を実現できる。
Specific examples of the material of the
第１導電層５の第１配線層１６及び第１保護層１７と、第３導電層７の第２配線層２１及び第２保護層２２とは同じ材料により、同一の成膜及びパターニング工程により形成される。これによって、製造工程の効率化が図れる。
The
隔壁９は絶縁樹脂により形成され、その断面形状は下部よりも上部が幅広な略逆テーパを成している。また本実施形態では、隔壁９は第１及び第２保護層１７，２２の上から形成されている。隔壁９によって仕切られる各画素形成領域１１は、略矩形の平面形状を有している。これに対応して、第１電極層１８、有機層８、第２導電層６、及びこれらによって形成される有機発光素子１２も略矩形の平面形状を有している。
The
次に、各画素形成領域１１内に形成される第１電極層１８、有機層８及び第２導電層６の構成について説明する。第１電極層１８は、その３辺の端部１８ａが隔壁９の上面９ａのエッジ９ｂの直下もしくはその近傍（エッジ９ｂの直下から３μｍ以内の領域）まで延設されており、残りの１辺の端部１８ｂが、隔壁９から離反して位置されている。有機層８は、その３辺の端部８ａが隔壁９の上面９ａの直下領域内まで延設されており（すなわち、エッジ部９ｂの直下よりも隔壁９の壁面に近接して位置されており）、残りの１辺の端部８ｂが、第１電極層１８の端部１８ｂの外側にはみ出すように延設されている。これに伴って、有機層８が、第１電極層１８の外周に沿った端面１８ｃの全面を被覆している。
Next, the configuration of the
このように、有機層８の端部８ａが隔壁９の上面９ａの直下領域内まで延設されているため、有機層８の端部８ａが隔壁９の側壁もしくはその近傍まで配置されることとなる。従って、第２導電層６の形成位置が所望の位置からずれたとしても、第２導電層６と第１電極層１８とが直接接触して短絡することが良好に防止され、EL装置１の生産性向上が図れるようになっている。また、有機層８が第１電極層１８の外周に沿った端面１８ｃの全面を被覆しているため、第２導電層６の形成位置ずれによる第２導電層６と第１電極層１８との短絡をより確実に防止できるようになっている。なお、有機層８は第１電極層１８よりも厚みが大きいことが望ましい。これによって、有機層８による第１電極層１８の端面１８ｃの被覆が容易になる。
As described above, since the
第２導電層６は、その４辺の端部６ａが隔壁９の上面９ａのエッジ９ｂの直下もしくはその近傍（エッジ９ｂの直下から３μｍ以内の領域）まで延設されている。このように、第１電極層１８及び第２導電層６（第２電極層１９）の端部１８ａ，６ａが隔壁９の上面９ａの直下領域もしくはその近傍まで延設されていることから、有機発光素子１２の発光面積を広く確保することができ、有機発光素子１２の発光効率を向上させることが可能となる。
The second
また、第１電極層１８の端部１８ｂは、第１配線層１６及び第２保護層１７の端部１６ａ，１７ａから外方にはみ出し、層間絶縁層４上まで延設されている。また、第２導電層６も、そのような第１電極層１８と対向するように形成されている。このため、第１電極層１８の形成により、有機発光素子１１の発光面積が拡大されている。
Further, the
また、これに対応して、有機層８の端部８ｂは、第１電極層１８の端部１８ｂから外方にはみ出し、層間絶縁層４上まで延設されている。これによって、有機層８の端部８ｂによって第１電極層１８の端部１８ｂの端面１８ｃを確実に被覆することができる。また、層間絶縁層４が有機樹脂から形成されている場合、層間絶縁層４と有機層８との密着性が良好であるため、有機層８の端部８ｂの剥離を良好に防止することができる。
Correspondingly, the
なお、本実施形態では、有機層８の３辺の端部８ａを隔壁９の上面９ａの直下領域内まで延設するようにしたが、変形例として、端部８ａを隔壁９の上面９ａのエッジ部９ｂの直下又はその近傍まで延設し、上面９ａの直下領域内に入り込まない構成としてもよい。このような構成でも、第１電極層１８と第２導電層６との短絡の発生率を低下させることができる。
In the present embodiment, the
次に、本実施形態に係るEL装置１の製造工程について説明する。
Next, the manufacturing process of the
EL装置１の製造工程は、以下の工程を備える。
The manufacturing process of the
（Ｓ１） 基板２上に回路層３を形成する。なお、回路層３は、CVDやスパッタリング等の薄膜形成技術やフォトリソグラフィー等の薄膜加工技術を採用することにより所定パターンに形成される。
(S1) The
（Ｓ２） 回路層３上に層間絶縁層４を形成する。なお、層間絶縁層４は、スピンコート法、CVD等の薄膜形成技術やフォトリソグラフィー等の薄膜加工技術を採用することにより所定パターンに形成される。
(S2) An
（Ｓ３） 層間絶縁層４上に第１及び第２配線層１６，２１及び第１及び第２保護層１７，２２を形成する。なお、第１及び第２配線層１６，２１及び第１及び第２保護層１７，２２は、CVDやスパッタリング等の薄膜形成技術やフォトリソグラフィー等の薄膜加工技術を採用することにより所定パターンに形成される。
(S3) First and second wiring layers 16 and 21 and first and second
（Ｓ４） 第１及び第２保護層１７，１９の上から、隔壁９を形成する。なお、隔壁９は、スピンコート法等の薄膜形成技術やフォトリソグラフィー等の薄膜加工技術を採用することにより所定パターンに形成される。
(S4) A
（Ｓ５） 隔壁９によって仕切られた各画素形成領域１１内に第１電極層１８を形成する。この工程では、図５（ａ）に示すマスク２６の開口部２６ａにより図１に示すような蒸着領域２７が形成され、この蒸着領域２７内の全面に第１電極層形成用の材料が蒸着される。この蒸着領域２７は、一列に並ぶ複数の画素形成領域１８を横断するようにライン状に延設されている。そして、基板２に対して略垂直方向Ｂ１から材料物質の蒸着が行われ、隔壁９の上面９ａの一部がマスクとして利用されるようになっている。即ち、第１電極層１８の３辺の端部１８ａの部分は、隔壁９の上面９ａがマスクとして用いられて形成され、残りの１辺の端部１８ｂはマスク２６の開口部２６ａがマスクとして用いられて形成される。これによって、マスク２６の精度に依存することなく、第１電極層１８の端部１８ａを隔壁９の上面９ａのエッジ部９ｂの直下又はその近傍に位置するように容易に形成できる。
(S5) The
（Ｓ６） 第１電極層１８の形成に続き、チャンバ内の減圧状態（例えば、真空状態）を解除することなく、第１電極層１８上に有機層８を形成する。これによって、第１電極層１８の表面が大気等に触れて酸化等のダメージを受けるのを防止することができ、第１電極層１８の電気抵抗を小さく抑えることができる。
(S6) Following the formation of the
また、この工程では、例えば、図５（ｂ）に示すように図５（ａ）のマスク２６と同一のマスク２６により設定された基板２上のライン状の蒸着領域２７に対して有機材料物質の蒸着が行われる（なお、図５（ａ）のマスク２６と異なるマスクを用いるようにしてもよい）。そして、基板２に対して斜め方向を含む種々の方向Ｂ２から有機材料物質の蒸着が行われ、図５（ａ）の工程とほぼ同様に隔壁９の上面９ａの一部がマスクとして利用されるようになっている。即ち、有機層８の３辺の端部８ａの部分は、隔壁９の上面９ａがマスクとして用いられて形成され、残りの１辺の端部８ｂはマスク２６の開口部２６ａがマスクとして用いられて形成される。これによって、マスク２６の精度に依存することなく、有機層８の端部１８ａを隔壁９の上面９ａの直下領域内における側壁又はその近傍まで延設することができるとともに、有機層８の端部８ｂを第１電極層１８の端部１８ｂの外側まで延設することができる。これによって、第１電極層１８の外周に沿った端面１８ｃの全面を有機層１８によって容易に被覆できる。
Further, in this step, for example, as shown in FIG. 5B, an organic material substance is applied to the linear
ここで、材料物質を蒸着させる方向Ｂ２を変化させるための構成としては、有機層の構成材料が載置された図示しない蒸着源から第１電極層１８側に向かって飛翔する蒸着物質の入射角が蒸着中に変化するように、蒸着源もしくは基板２の少なくともいずれか一方を移動させながら有機層８の蒸着を行う構成が考えられる。
Here, as a configuration for changing the direction B2 in which the material substance is vapor-deposited, the incident angle of the vapor-deposited substance flying from the vapor deposition source (not shown) on which the constituent material of the organic layer is placed toward the
（Ｓ７） 有機層８の上から第２導電層６を形成する。この工程では、例えば図５（ｃ）に示すように、隔壁９の上面９ａ全体を蒸着マスクとして利用し（即ち、専用の蒸着マスクを使用せずに）、材料物質を基板２に対して略垂直方向Ｂ３から蒸着することにより、第２導電層６が形成される。これによって、第２導電層６の４辺の端部６ａを隔壁９の上面９ａのエッジ部９ｂの直下又はその近傍に位置するように容易に形成できる。
(S7) The second
なお、パッシブマトリクス方式を採用する場合等には、上述の工程（Ｓ５）、（Ｓ６）において、マスク２６を使用せずに、隔壁９の上面９ａ全体をマスクとして使用し、第１電極層１８及び有機層８の蒸着を行うようにしてもよい。またマスク２６を使用しつつ、隔壁９の上面９ａ全体をマスクとして使用し、第１電極層１８及び有機層８の蒸着を行うようにしてもよい。
When the passive matrix method is adopted, the
＜第２実施形態＞
図６は本発明の第２実施形態に係るEL装置の断面図であり、図７は図６のＡ４−Ａ４断面図である。本実施形態に係るEL装置１ａの構成において、第１実施形態に係るEL装置１の構成と対応する部分には同一の参照符号を付して説明を省略する。
Second Embodiment
6 is a cross-sectional view of an EL device according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a cross-sectional view along A4-A4 of FIG. In the configuration of the EL device 1a according to the present embodiment, the same reference numerals are assigned to the portions corresponding to the configuration of the
本実施形態に係るEL装置１ａでは、図６及び図７に示すように、第１及び第２保護層１７，２２の上から有機樹脂からなる絶縁層３１が形成され、その絶縁層３１の上から第１電極層１８、有機層８及び第２導電層６が形成されている。そして、第１電極層１８及び第２導電層６が、絶縁層３１に設けられたコンタクトホール３１ａ，３１ｂ（図７の点線ハッチングを付した部分）を介して第１保護層１７及び第２保護層２２に電気的に接続されている。このコンタクトホール３１ａ，３１ｂを介した第１配線層１６及び第１保護層１７と第１電極層１８との電気接続部、及び第２導電層６と第３導電層７との電気接続部は、層間絶縁層４上に形成に隔壁９は絶縁層３１上に形成されている。
In the EL device 1 a according to the present embodiment, as shown in FIGS. 6 and 7, an insulating
第１電極層１８は、その外周の全周における端部１８ａ，１８ｂがコンタクトホール３１ａを介して露出した第２保護層１７の露出部分上から絶縁層３１上にはみ出すように延設され、有機発光素子１２の発光面積が拡大されている。
The
有機層８は、第１電極層１８上から絶縁層３１上にはみ出すように延設され、第１電極層１８の外周の全周における端面１８ｃを被覆している。これによって、第２導電層６が第１導電層５と直接接触して短絡するのが確実に防止できるようになっている。また、有機樹脂製の絶縁層３１と有機層８の端部１８ａ，１８ｂとの密着性が良好であるため、有機層８の端部１８ａ，１８ｂの剥離を防止できるようになっている。
The
各層６，８，１８の配設位置と隔壁９との位置関係は、第１実施形態に係るEL装置１とほぼ同様である。このため、隔壁９の上面９ａ等を用いた各層６，８，１８の形成工程についても第１実施形態に係る工程とほぼ同様である。
The positional relationship between the arrangement positions of the
＜変形例＞
以下では、上述の第１及び第２実施形態に係るEL装置１，１ａの変形例について記載する。
<Modification>
Hereinafter, modifications of the
図８に示すEL装置１ｃでは、第２実施形態の構成において、絶縁層３１のコンタクトホール３１ａの開口面積が小さくされ、有機発光素子１２の発光領域１３のうちの絶縁層３１上に位置する部分の割合が拡大されている。これによって、有機樹脂製の絶縁層３１の表面の平坦性が高いため、第１電極層１８の表面の平坦性が高められ、第１電極層１８の表面の光反射効率が向上する。
In the
図９に示すEL装置１ｄでは、第１実施形態の構成において、各画素形成領域１１内の層間絶縁層４にコンタクトホール４ｂが追加され、そのコンタクトホール４ｂを介して第１導電層５が回路層３と電気的に接続されている。これに伴って、隣接する画素形成領域１１間で第１配線層１６及び第１保護層１７同士、及び第３導電層７同士が分離されて形成され、それらの間を仕切るようにして隔壁９が層間絶縁層４上に形成されている。
In the
図１０に示すEL装置１ｅは、第２実施形態の構成と、図９に示す構成とを組み合わせたものである。
An
図１１に示すEL装置１ｆは、図９に示す構成から、隔壁９、第３導電層７及び各画素形成領域１１内に設けた層間絶縁層４のコンタクトホール４ａを省略し、第２導電層６を複数の画素形成領域１１に渡ってベタパターンで形成している。
The
図１２に示すEL装置１ｇは、図１１に示す構成において、第１保護層１７と、第１電極層、有機層８及び第２導電層６との間に絶縁層３１を設けている。
In the
本発明は、上述の実施形態、変形例に限定されるものではなく、本発明の範囲を逸脱しない限りにおいて、種々の変更・改良が可能である。 The present invention is not limited to the above-described embodiments and modifications, and various modifications and improvements can be made without departing from the scope of the present invention.
１，１ａ〜１ｇ EL装置、２ 基板、３ 回路層、４ 層間絶縁層、５ 第１導電層、６ 第２導電層、６ａ 端部、７ 第３導電層、８ 有機層、８ａ，８ｂ 端部、９ 隔壁、９ａ 上面、９ｂ エッジ部、１１ 画素形成領域、１２ 有機発光素子、１３ 発光領域、１６ 第１配線層、１７ 第１保護層、１８ 第１電極層、１８ａ，１８ｂ 端部、１８ｃ 端面、１９ 第２電極層、２１ 第２配線層、２２ 第２保護層、２６ マスク、２７ 蒸着領域、３１ 絶縁層、３１ａ，３１ｂ コンタクトホール。
1, 1a to 1g EL device, 2 substrate, 3 circuit layer, 4 interlayer insulation layer, 5 first conductive layer, 6 second conductive layer, 6a end, 7 third conductive layer, 8 organic layer, 8a, 8b end Part, 9 partition, 9a upper surface, 9b edge part, 11 pixel formation area, 12 organic light emitting element, 13 light emitting area, 16 first wiring layer, 17 first protective layer, 18 first electrode layer, 18a, 18b end part, 18c End face, 19 2nd electrode layer, 21 2nd wiring layer, 22 2nd protective layer, 26 Mask, 27 Deposition area | region, 31 Insulating layer, 31a, 31b Contact hole.
Claims (30)
前記基板上に形成された第１導電層と、
前記第１導電層上に形成され、発光層を含む有機層と、
前記有機層上に形成された第２導電層と、
を備え、
前記第１導電層は、
第１配線層と、
導電性を有し、前記第１配線層上に形成されて前記第１配線層を保護する第１保護層と、
前記第１保護層上に形成され、光反射率が前記第１保護層よりも大きい第１電極層と、
を有することを特徴とするEL装置。 A substrate,
A first conductive layer formed on the substrate;
An organic layer formed on the first conductive layer and including a light emitting layer;
A second conductive layer formed on the organic layer;
With
The first conductive layer includes
A first wiring layer;
A first protective layer having conductivity and formed on the first wiring layer to protect the first wiring layer;
A first electrode layer formed on the first protective layer and having a light reflectance greater than that of the first protective layer;
An EL device characterized by comprising:
前記第１配線層、前記第１保護層及び前記第１電極層が金属材料により形成されていることを特徴とするEL装置。 The EL device according to claim 1,
The EL device, wherein the first wiring layer, the first protective layer, and the first electrode layer are formed of a metal material.
前記第２導電層と電気的に接続され、前記第１導電層に対して離間した領域に形成される第３導電層をさらに備え、
前記第３導電層は、
第２配線層と、
導電性を有し、前記第２配線層上に形成されて前記第２配線層を保護する第２保護層と、
を有し、
前記第２電極層の一部が、前記第２保護層上まで延びて前記第２保護層に電気的に接続されることを特徴とするEL装置。 The EL device according to claim 1 or 2,
A third conductive layer electrically connected to the second conductive layer and formed in a region spaced from the first conductive layer;
The third conductive layer includes
A second wiring layer;
A second protective layer having conductivity and formed on the second wiring layer to protect the second wiring layer;
Have
An EL device, wherein a part of the second electrode layer extends over the second protective layer and is electrically connected to the second protective layer.
前記第２配線層及び前記第２保護層が金属材料により形成されていることを特徴とするEL装置。 The EL device according to claim 3,
The EL device, wherein the second wiring layer and the second protective layer are formed of a metal material.
前記第１配線層及び前記第１電極層は、アルミニウム、銀、ロジウム、金、及び銅の少なくともいずれか一つを含み、
前記第１保護層は、モリブデン又はモリブデン合金からなることを特徴とするEL装置。 The EL device according to any one of claims 1 to 4,
The first wiring layer and the first electrode layer include at least one of aluminum, silver, rhodium, gold, and copper,
The EL device, wherein the first protective layer is made of molybdenum or a molybdenum alloy.
前記第１導電層、前記有機層及び前記第２導電層で構成される有機発光素子が配置される複数の画素形成領域と、
前記基板上に形成され、隣接する画素形成領域同士の間を仕切る隔壁と、をさらに備えたことを特徴とするEL装置。 The EL device according to any one of claims 1 to 5,
A plurality of pixel formation regions in which an organic light emitting device composed of the first conductive layer, the organic layer, and the second conductive layer is disposed;
An EL device, further comprising: a partition wall formed on the substrate and partitioning adjacent pixel formation regions.
前記有機層の端部は、前記隔壁の側壁もしくはその近傍まで延設されていることを特徴とするEL装置。 The EL device according to claim 6,
An EL device, wherein an end portion of the organic layer extends to a side wall of the partition wall or the vicinity thereof.
前記隔壁の断面形状は、下部よりも上部が幅広な略逆テーパーを成し、
前記有機層の端部は、前記隔壁の上面の直下領域内まで延設されていることを特徴とするEL装置。 In the EL device according to claim 6 or 7,
The cross-sectional shape of the partition wall is substantially reverse tapered with the upper part being wider than the lower part,
The EL device, wherein an end portion of the organic layer extends to a region immediately below the upper surface of the partition wall.
前記第１電極層及び前記第２導電層の端部が前記隔壁の上面の直下領域もしくはその近傍まで延設されていることを特徴とするEL装置。 The EL device according to claim 8,
An EL device, wherein ends of the first electrode layer and the second conductive layer extend to a region immediately below the upper surface of the partition wall or the vicinity thereof.
前記有機層が前記第１電極層の端面を被覆していることを特徴とするEL装置。 The EL device according to any one of claims 1 to 9,
The EL device, wherein the organic layer covers an end face of the first electrode layer.
前記有機層が前記第１電極層の外周に沿った端面の全面を被覆していることを特徴とするEL装置。 The EL device according to claim 10,
The EL device, wherein the organic layer covers the entire end face along the outer periphery of the first electrode layer.
前記有機層は前記第１電極層よりも厚みが大きいことを特徴とするEL装置。 In the EL device according to claim 10 or 11,
2. The EL device according to claim 1, wherein the organic layer is thicker than the first electrode layer.
前記隔壁は、前記画素形成領域を個別に囲むように形成され、
前記第１電極層、前記有機層及び前記第２電極層が略矩形状を有し、
前記隔壁上面の直下領域内まで延設された前記有機層の端部、並びに、前記隔壁上面の直下領域もしくはその近傍まで延設された前記第１電極層及び前記第２電極層の端部は、前記第１電極層、前記有機層及び前記第２電極層の４辺のうちの少なくとも３辺に対応する端部であることを特徴とするEL装置。 The EL device according to claim 9,
The partition is formed so as to individually surround the pixel formation region,
The first electrode layer, the organic layer, and the second electrode layer have a substantially rectangular shape,
The ends of the organic layer extending to the region immediately below the partition upper surface, and the ends of the first electrode layer and the second electrode layer extending to the region immediately below the partition upper surface or the vicinity thereof, The EL device is an end corresponding to at least three of the four sides of the first electrode layer, the organic layer, and the second electrode layer.
前記基板と前記第１導電層との間に形成された層間絶縁層をさらに備え、
前記有機層は、前記第１電極層から前記層間絶縁層上まで延設されていることを特徴とするEL装置。 The EL device according to any one of claims 6 to 13,
An interlayer insulating layer formed between the substrate and the first conductive layer;
2. The EL device according to claim 1, wherein the organic layer extends from the first electrode layer to the interlayer insulating layer.
前記第１電極層の端部が、前記第１配線層及び前記第１保護層の端部よりも外側まで延設されていることを特徴とするEL装置。 The EL device according to any one of claims 1 to 14,
An EL device, wherein an end portion of the first electrode layer is extended to an outside of end portions of the first wiring layer and the first protective layer.
前記有機層は、前記第１電極層、前記第１保護層及び前記第１配線層の端面を被覆することを特徴とするEL装置。 The EL device according to any one of claims 1 to 15,
The EL device, wherein the organic layer covers end faces of the first electrode layer, the first protective layer, and the first wiring layer.
前記第１保護層と前記第１電極層との間に介在される絶縁層をさらに備え、
前記有機層は、前記第１電極層から前記絶縁層上まで延設されていることを特徴とするEL装置。 The EL device according to any one of claims 1 to 16,
An insulating layer interposed between the first protective layer and the first electrode layer;
2. The EL device according to claim 1, wherein the organic layer extends from the first electrode layer to the insulating layer.
前記基板と前記第１配線層との間に、回路層と、該回路層上に配設され、コンタクトホールを有する層間絶縁層と、を更に備え、
前記前記第３導電層が、前記コンタクトホール内に被着されていることを特徴とするEL装置。 The EL device according to any one of claims 3 to 5,
A circuit layer between the substrate and the first wiring layer; and an interlayer insulating layer disposed on the circuit layer and having a contact hole,
The EL device, wherein the third conductive layer is deposited in the contact hole.
前記第３導電層は、前記コンタクトホールの内面から前記層間絶縁層上にかけて被着されることを特徴とするEL装置。 The EL device according to claim 18,
The EL device, wherein the third conductive layer is deposited from an inner surface of the contact hole to the interlayer insulating layer.
前記第２導電層と前記第３導電層との接続部は、前記コンタクトホール内に位置することを特徴とするEL装置。 The EL device according to claim 18 or claim 19,
The EL device according to claim 1, wherein a connection portion between the second conductive layer and the third conductive layer is located in the contact hole.
前記第２導電層と前記第３導電層との接続部は、前記層間絶縁層上に位置することを特徴とするEL装置。 The EL device according to any one of claims 18 to 20,
The EL device according to claim 1, wherein a connection portion between the second conductive layer and the third conductive layer is located on the interlayer insulating layer.
前記回路層は、薄膜トランジスタ又は容量素子の一部を有することを特徴とするEL装置。 The EL device according to any one of claims 18 to 21,
The EL device, wherein the circuit layer includes a part of a thin film transistor or a capacitor.
前記第１導電層、前記有機層及び前記第２導電層で構成される有機発光素子が配置される複数の画素形成領域をさらに備え、
前記第２導電層は、隣接する画素形成領域同士で電気的に接続されていることを特徴とするEL装置。 The EL device according to any one of claims 18 to 22,
A plurality of pixel formation regions in which an organic light emitting device composed of the first conductive layer, the organic layer, and the second conductive layer is disposed;
The EL device, wherein the second conductive layer is electrically connected between adjacent pixel formation regions.
前記第１導電層、前記有機層及び前記第２導電層で構成される有機発光素子が配置される複数の画素形成領域をさらに備え、
前記第１導電層は、隣接する画素形成領域同士で電気的に接続されていることを特徴とするEL装置。 The EL device according to any one of claims 18 to 22,
A plurality of pixel formation regions in which an organic light emitting device composed of the first conductive layer, the organic layer, and the second conductive layer is disposed;
The EL device, wherein the first conductive layer is electrically connected between adjacent pixel formation regions.
前記第１電極層及び前記有機層は、チャンバ内の真空状態を保持した状態で続けて形成されていることを特徴とするEL装置。 The EL device according to any one of claims 1 to 24,
The EL device according to claim 1, wherein the first electrode layer and the organic layer are continuously formed in a vacuum state in a chamber.
前記有機層は、前記隔壁を蒸着マスクの全部もしくは一部として利用して形成されていることを特徴とするEL装置。 An EL device according to any one of claims 6 to 9,
2. The EL device according to claim 1, wherein the organic layer is formed using the partition as a whole or a part of a vapor deposition mask.
前記有機層は、前記基板に対して斜め方向から蒸着されたことを特徴とするEL装置。 An EL device according to any one of claims 6 to 9,
2. The EL device according to claim 1, wherein the organic layer is deposited from an oblique direction with respect to the substrate.
前記第１電極層及び前記第２導電層は、前記隔壁を蒸着マスクの全部もしくは一部として利用して形成され、
前記第１電極層及び前記第２導電層は、前記基板に対して略垂直方向から蒸着されて形成されていることを特徴とするEL装置。 An EL device according to any one of claims 6 to 9,
The first electrode layer and the second conductive layer are formed using the partition as a whole or a part of a deposition mask,
The EL device, wherein the first electrode layer and the second conductive layer are formed by vapor deposition from a direction substantially perpendicular to the substrate.
前記第１電極層を減圧状態のチャンバ内で形成する工程と、
前記第１電極層の形成後に、チャンバ内の減圧状態を保持した状態で前記有機層を形成する工程と、
を備えることを特徴とするEL装置の製造方法。 In the method for manufacturing an EL device according to any one of claims 1 to 28,
Forming the first electrode layer in a vacuum chamber;
After forming the first electrode layer, forming the organic layer while maintaining a reduced pressure in the chamber;
A method for producing an EL device comprising:
前記有機層の構成材料が載置された蒸着源から前記第１電極層に向かって飛翔する蒸着物質の入射角が蒸着中に変化するように、前記蒸着源もしくは前記基板の少なくともいずれか一方を移動させながら前記有機層の蒸着を行う工程を備えることを特徴とするEL装置の製造方法。 A method for manufacturing an EL device according to any one of claims 6 to 9,
At least one of the vapor deposition source and the substrate is changed so that the incident angle of the vapor deposition material flying toward the first electrode layer from the vapor deposition source on which the constituent material of the organic layer is placed changes during the vapor deposition. A method for producing an EL device, comprising the step of depositing the organic layer while being moved.
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