JP2007165403A - 固体撮像素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板の受光面に配列形成された複数の画素で構成される画素部と、半導体基板上に形成され画素部の周辺領域に設けられる周辺回路とを備える固体撮像素子を製造するとき、周辺領域と画素部とに第1絶縁層37を共に積層し周辺領域の第1絶縁層37nの上に周辺回路の配線層51を積層した後、更に第2絶縁層38を画素部と周辺領域とに共に積層して固体撮像素子を製造する場合、配線層51を積層するとき周辺領域の第1絶縁層37nを所定厚さdだけ削成してから配線層51の積層と第2絶縁層38,38nの積層を行う。
【選択図】図2
Description
21 半導体基板
22 pウェル層
23 n領域(フォトダイオードのn領域)
24 n領域(電荷転送路の埋め込みチャネル)
30 光学層
31 画素部の絶縁層
31n 周辺回路部の絶縁層
33 画素部のポリシリコン層
33n 周辺回路部のポリシリコン層
36 画素部の遮光膜
36a 開口部
36n 周辺回路部の金属層
37 画素部の層間絶縁層(第1絶縁層)
37a 凹形状部(インナーレンズ部)
37n 周辺回路部の層間絶縁層(第1絶縁層)
38 画素部の平坦化層(第2絶縁層)
38n 周辺回路部の平坦化層(第2絶縁層)
39 カラーフィルタ層
41 マイクロレンズ(トップレンズ)
51 周辺回路の配線層
Claims (4)
- 半導体基板の受光面に配列形成された複数の画素で構成される画素部と、前記半導体基板上に形成され前記画素部の周辺領域に設けられる周辺回路とを備える固体撮像素子を製造するとき、前記周辺領域と前記画素部とに第1絶縁層を共に積層し前記周辺領域の前記第1絶縁層の上に前記周辺回路の配線層を積層した後、更に第2絶縁層を前記画素部と前記周辺領域とに共に積層して前記固体撮像素子を製造する製造方法において、前記配線層を積層するとき前記周辺領域の前記第1絶縁層を所定厚さだけ削成してから前記配線層の積層と前記第2絶縁層の積層を行うことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
- 前記第2絶縁層を積層した後に前記画素部及び前記周辺領域の上の該第2絶縁層を前記配線層まで平坦化し、その後、前記画素部の上の前記第2絶縁層の上にカラーフィルタ層を形成することを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記カラーフィルタ層の上にマイクロレンズが設けられることを特徴とする請求項2に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 半導体基板の受光面に配列形成された複数の画素で構成される画素部と、前記半導体基板上に形成され前記画素部の周辺領域に設けられる周辺回路とを備える固体撮像素子において、請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の固体撮像素子の製造方法で製造されたことを特徴とする固体撮像素子。
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- 2005-12-09 JP JP2005356670A patent/JP2007165403A/ja not_active Ceased
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