KR100790225B1 - 이미지 센서 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 화소 어레이의 측면(edge)부에서의 감도를 증대시킬 수 있는 이미지 센서를 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 칼라필터와, 상기 칼라필터 상에 형성된 평탄화막과, 상기 평탄화막 상에 서로 다른 굴절율을 갖는 적어도 2층 이상 적층된 매질층을 포함하는 이미지 센서를 제공한다.
이미지 센서, CMOS, CCD, 칼라필터, 평탄화막, 매질층, 마이크로 렌즈

Description

이미지 센서 및 그 제조 방법{IMAGE SENSOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
도 1은 일반적인 CMOS 이미지 센서를 도시한 단면도.
도 2는 종래기술에 따른 CMOS 이미지 센서의 문제점을 설명하기 위하여 도시한 도면.
도 3은 스넬의 법칙(Snell's law)을 설명하기 위하여 도시한 도면.
도 4는 본 발명의 실시예1에 따른 이미지 센서를 설명하기 위하여 도시한 단면도.
도 5는 도 4에 도시된 구조를 갖는 이미지 센서의 빛 굴절원리를 설명하기 위하여 도시한 도면.
도 6 및 도 7은 본 발명의 실시예2에 따른 이미지 센서를 설명하기 위하여 도시한 단면도.
도 8은 도 6에 도시된 이미지 센서의 SEM(Scanning Electron Microscope) 사진.
도 9는 도 8에 도시된 구조를 갖는 이미지 센서의 특성을 설명하기 위하여 도시한 도면.
도 10a 내지 도 10c는 도 6에 도시된 이미지 센서의 제조방법을 설명하기 위하여 도시한 공정 단면도.
도 11은 본 발명의 실시예3에 따른 이미지 센서를 설명하기 위하여 도시한 단면도.
도 12는 도 11에 도시된 이미지 센서의 빛 굴절원리를 설명하기 위하여 도시한 도면.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10, 20, 30 : 매질층
본 발명은 반도체 제조 기술에 관한 것으로, 특히 CCD(Charge Coupled Device) 또는 CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) 이미지 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근들어 디지털 카메라(digital camera)는 인터넷을 이용한 영상통신의 발전과 더불어 그 수요가 폭발적으로 증가하고 있는 추세에 있다. 더욱이, 카메라가 장착된 PDA(Personal Digital Assistant), IMT-2000(International Mobile Telecommunications-2000), CDMA(Code Division Multiple Access) 단말기 등과 같 은 이동통신단말기의 보급이 증가됨에 따라 소형 카메라 모듈의 수요가 증가하고 있다.
카메라 모듈로는 기본적인 구성요소가 되는 CCD(Charge Coupled Device)나 CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) 이미지 센서를 이용한 이미지 센서 모듈이 널리 보급되어 사용되고 있다. 이미지 센서는 칼라 이미지를 구현하기 위하여 외부로부터 빛을 받아 광전하를 생성 및 축적하는 광감지부 상부에 칼라필터가 정렬되어 있다. 이러한 칼라필터 어레이(Color Filter Array, CFA)는 레드(Red; R), 그린(Green; G) 및 블루(Blue; B) 또는, 옐로우(Yellow), 마젠타(Magenta) 및 시안(Cyan)의 3가지 칼라로 이루어진다. 통상적으로, CMOS 이미지 센서의 칼라필터 어레이에는 레드(R), 그린(G) 및 블루(B)의 3가지 칼라가 많이 사용된다.
일반적으로, 이러한 이미지 센서는 빛을 감지하는 광감지부와, 광감지부를 통해 감지된 빛을 전기적 신호로 처리하여 데이터화하는 로직회로부로 구성되어 있으며, 광감도를 높이기 위하여 전체 이미지 센서에서 광감지부의 면적이 차지하는 비율(Fill Factor)을 크게 하려는 노력이 진행되고 있다. 하지만, 근본적으로 로직회로부를 제거할 수 없기 때문에 제한된 면적 하에서 이러한 노력에는 한계가 있다. 따라서, 광감도를 높이기 위하여 광감지부 이외의 영역으로 입사하는 빛의 경로를 바꿔서 광감지부로 모아주는 집광기술이 등장하였는데, 이러한 집광을 위하여 이미지 센서는 칼라필터 상에 마이크로 렌즈(microlens)를 형성하는 방법을 사용하고 있다.
도 1은 칼라필터와 마이크로 렌즈를 포함하는 일반적인 이미지 센서를 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 이미지 센서는 기판(Sub) 내에 형성되어 입사되는 광(hv)을 수광하는 복수의 포토 다이오드(photo diode)(PD)와, 각각의 포토 다이오드(PD)와 일대일 대응되도록 포토 다이오드(PD) 상부에 각각 형성된 복수의 칼라필터(CF)와, 칼라필터(CF)에 의해 야기된 단차를 제거하기 위하여 그 상부에 형성된 평탄화막(OCL; Over Coating Layer)과, 각각의 칼라필터(CF) 상부에 돔 형태로 형성된 복수의 마이크로 렌즈(ML)와, 마이크로 렌즈(ML)를 덮도록 형성된 저온산화막(Low Temperature Oxide; LTO)으로 이루어진다.
마이크로 렌즈(ML)는 전술한 바와 같이 포토 다이오드(PD)로 빛을 모아주어 이미지 센서의 감도(sensitivity)를 증가시키기 위하여 칼라필터(CF) 상에 형성된다. 이러한 마이크로 렌즈(ML)는 이미지 센서의 감도를 결정하는 중요한 요소로 작용하는데, 보통 그 크기가 클수록 감도는 그 만큼 증가하는 것으로 보고 되어지고 있다.
그러나, 종래기술에 따른 이미지 센서에는 도 2에 도시된 바와 같이 화소의 중심부(A)와 측면부(B) 간에 감도 차이가 크게 발생된다. 실제로, 1.3메가(mega) 화소 어레이에서는 그린 화소(green pixel)의 경우 중심부(A)의 감도가 1200mV/lux, sec인데 반해 측면부(B)의 감도는 750mV/lux, sec 정도로 큰 차이를 보이고 있다. 이는 화소 어레이의 중앙부(A)와 측면부(B)로 입사되는 빛의 입사각은 서로 다른데 반해 중앙부(A)와 측면부(B)가 동일층으로 단일화되어 있기 때문이 다. 이에 따라, 도 2의 (b)에 도시된 바와 같이, 실제 이미지는 중앙부(A)에 비해 측면부(B)가 어둡게 나타난다.
따라서, 본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로서, 화소 어레이의 측면부에서의 감도를 증대시킬 수 있는 이미지 센서를 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 입사광을 집광하기 위한 마이크로 렌즈 형성공정에 기인한 제조공정상의 복잡성을 해결할 수 있는 이미지 센서를 제공하는데 다른 목적이 있다.
또한, 본 발명은 상기한 이미지 센서의 제조방법을 제공하는데 다른 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 일 측면에 따른 본 발명은 칼라필터와, 상기 칼라필터 상에 형성된 평탄화막과, 상기 평탄화막 상에 서로 다른 굴절율을 갖는 적어도 2층 이상 적층된 매질층을 포함하는 이미지 센서를 제공한다.
또한, 상기한 목적을 달성하기 위한 다른 측면에 따른 본 발명은 제1 영역과, 상기 제1 영역에 비해 입사각이 큰 빛이 입사되는 제2 영역에 각각 형성된 칼라필터와, 상기 칼라필터 상에 형성된 평탄화막과, 상기 칼라필터와 각각 대응되도 록 상기 평탄화막 상에 형성된 마이크로 렌즈와, 공기층보다 높은 굴절률을 갖고, 상기 제2 영역의 상기 마이크로 렌즈를 덮도록 형성된 매질층과, 상기 매질층을 포함하는 전체 구조 상부를 덮도록 형성된 캡핑층을 포함하는 이미지 센서를 제공한다.
또한, 상기한 목적을 달성하기 위한 또 다른 측면에 따른 본 발명은 제1 영역과, 상기 제1 영역에 비해 입사각이 큰 빛이 입사되는 제2 영역에 각각 형성된 칼라필터와, 상기 칼라필터 상에 형성된 평탄화막과, 상기 칼라필터와 각각 대응되도록 상기 평탄화막 상에 형성된 마이크로 렌즈와, 공기층보다 높은 굴절률을 갖고, 상기 제2 영역의 상기 마이크로 렌즈를 덮도록 형성된 제1 매질층과, 상기 제1 매질층보다 굴절률이 낮은 물질로 상기 제1 매질층을 포함하는 전체 구조 상부를 덮도록 형성된 제2 매질층과, 상기 제2 매질층 상에 형성된 캡핑층을 포함하는 이미지 센서를 제공한다.
또한, 상기한 목적을 달성하기 위한 또 다른 측면에 따른 본 발명은 칼라필터와, 상기 칼라필터 상에 형성된 평탄화막와, 상기 칼라필터와 각각 대응되도록 상기 평탄화막 상에 형성된 마이크로 렌즈와, 상기 칼라필터 상에 서로 다른 굴절율을 갖는 적어도 2층 이상 적층된 매질층을 포함하는 이미지 센서를 제공한다.
또한, 상기한 목적을 달성하기 위한 또 다른 측면에 따른 본 발명은 제1 영역과, 상기 제1 영역에 비해 입사각이 큰 빛이 입사되는 제2 영역에 각각 칼라필터가 형성된 기판을 제공하는 단계와, 상기 칼라필터 상에 평탄화막을 형성하는 단계와, 상기 칼라필터와 각각 대응되도록 상기 평탄화막 상에 마이크로 렌즈를 형성하 는 단계와, 공기층보다 높은 굴절률을 갖고, 상기 마이크로 렌즈를 덮도록 제1 매질층을 형성하는 단계와, 상기 제2 영역에만 상기 제1 매질층이 잔류되도록 상기 제1 영역에 형성된 상기 제1 매질층을 제거하는 단계와, 상기 제1 매질층보다 굴절률이 낮은 물질로 상기 제1 매질층을 포함하는 전체 구조 상부를 덮도록 제2 매질층을 형성하는 단계와, 상기 제2 매질층 상에 캡핑층을 형성하는 단계을 포함하는 이미지 센서의 제조방법을 제공한다.
본 발명은 스넬의 법칙(Snell's law)을 이용한 빛의 굴절이용하여 화소 어레이의 측면부에서의 감도를 증대시킨다. 이하, 스넬의 법칙을 도 3을 참조하여 설명하기로 한다.
도 3을 참조하면, 스넬의 법칙은 입사광선, 굴절광선 및 경계면에 내린 수선은 모두 같은 평면 내에 존재한다. 또한, 입사각(θi)과 굴절각(θr)의 사인비(sine)는 일정하며, 또 이 값은 각 매질 중에서 광속의 비, 굴절률 비의 역수와 일치한다. 이를 수식으로 나타내면 하기의 수학식 1과 같다.
Figure 112005076093172-pat00001
상기 수학식 1에서, n2>n1이라면, θi>θr이 된다.
즉, 빛이 투과할 때, 굴절률이 보다 높은 매질로 이동하게 되면, 입사각 대비 굴절각이 감소된다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장되어진 것이며, 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되어지는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나, 또는 그들 사이에 제3의 층이 개재될 수도 있다. 또한 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
실시예1
도 4는 본 발명의 실시예1에 따른 이미지 센서를 설명하기 위하여 도시한 단면도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예1에 따른 이미지 센서는 마이크로 렌즈 대신에 굴절률이 서로 다른 매질이 적어도 2층 이상 적층된 매질층(10)을 형성한다. 여기서는 설명의 편의를 위해 일례로 매질이 3층이상 적층된 매질층(10)을 도시하였다.
구체적으로, 기판(Sub) 내에 형성되어 입사되는 광(hv)을 수광하는 복수의 포토 다이오드(photo diode)(PD)와, 포토 다이오드(PD)에 축적된 전하를 운송하기 위하여 기판(Sub) 상부에 형성된 복수의 트랜지스터(미도시)와, 트랜지스터를 덮도 록 형성된 복수의 층간 절연막(미도시)과, 상기 층간 절연막 간에 개재된 금속배선과, 상기 금속배선에 의해 야기된 단차를 제거하기 위해 형성된 평탄화막(OCL1)과, 각각의 포토 다이오드(PD)와 일대일 대응되도록 평탄화막(OCL1) 상부에 형성된 칼라필터(CF)와, 칼라필터(CF)에 의해 야기된 단차를 제거하기 위하여 칼라필터(CF)의 상하부에 각각 형성된 평탄화막(OCL2)과, 평탄화막(OCL2) 상부에 형성된 매질층(10)을 포함한다.
매질층(10)은 도 4에 도시된 바와 같이 서로 다른 굴절률을 갖는 매질이 3층으로 형성되거나, 3층 이상의 매질이 적층되어 형성될 수 있으며, 그 이하(2층)도 가능하다. 그리고, 매질층(10)을 구성하는 매질은 평탄화막(OCL2)이 형성된 방향, 즉 포토 다이오드(PD) 방향으로 굴절률이 큰 매질을 형성하는 것이 바람직하다. 즉, n1<n2<n3 순으로 굴절률을 갖도록 한다. 또한, 매질층(10)을 구성하는 매질 중 최상층 매질, 즉 공기와 접하는 매질의 굴절률은 공기보다 큰 굴절률을 갖는 매질을 사용한다. 예컨대 공기의 굴절률은 1이므로, 1보다 큰 굴절률을 갖는 매질을 사용한다.
매질층(10)을 이루는 매질 중 최상층(n1)은 칩의 캡핑(capping) 역할을 수행하며, 굴절률(n)이 공기(n=1.0029)보다 큰 매질을 갖는 물질을 사용한다. 예컨대 실리콘 산화막 물질로 굴절률이 1.4~1.45 정도의 물질을 사용한다. 중간층(n2)은 칩 전체 두께를 고려하여 생략할 수도 있는데, 이 경우 전체 매질층(10)은 2층으로 이루어지게 된다. 이때, 중간층(n2)의 굴절률은 최상층(n1)보다 크고, 최하층(n3)보다 작아야 한다. 예컨대, 중간층(n2)으로는 굴절률이 1.5인 BPSG(Boron Phosphorus Silicate Glass), USG(Un-doped Silicate Glass)막으로 형성한다. 최하층(n3)은 굴절률이 가장 크며, 빛의 반사각을 최소로 억제할 수 있는 매질을 갖는 물질을 이용하여 형성하는 것이 바람직하다.
이하, 도 5를 참조하여 본 발명의 실시예1에 따른 이미지 센서의 작용효과를 설명하면 다음과 같다.
도 5에 도시된 바와 같이, 스넬의 법칙에 의해 각 매질에 따른 입사각은 측면부(B), 즉 모서리 부위에서 θ1>θ2>θ3>θ4가 되고, 중앙부(A)에서는 θ1=θ2=θ3=θ4=0°가 되어 화소 어레이의 측면부(B)에서의 감도를 개선시킬 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
상기에서 설명한 본 발명의 실시예1에 따른 이미지 센서는 마이크로 렌즈를 사용하지 않고, 서로 다른 굴절률을 갖는 매질을 적층하여 매질층을 구현함으로써 비교적 공정 제어가 어려운 마이크로 렌즈 형성공정을 생략할 수 있어 공정을 단순화시킬 수 있다.
실시예2
도 6 및 도 7은 본 발명의 실시예2에 따른 이미지 센서를 설명하기 위하여 도시한 단면도이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 본 발명의 실시예2에 따른 이미지 센서는 마이크로 렌즈(ML) 상부에 굴절률이 서로 다른 매질이 적어도 1층 이상 적층된 매질층을 형성한다.
구체적으로, 도 6에 도시된 바와 같이, 포토 다이오드와 일대일 대응되도록 평탄화막 상부에 형성된 칼라필터(CF)와, 칼라필터(CF)에 의해 야기된 단차를 제거하기 위하여 칼라필터(CF)의 상하부에 각각 형성된 평탄화막(OCL)과, 칼라필터(CF)와 일대일 대응되도록 평탄화막(OCL) 상부에 형성된 마이크로 렌즈(ML)와, 화소 어레이의 측면부(B)의 마이크로 렌즈(ML)를 덮도록 형성된 매질층(20)과, 매질층(20)을 포함하는 전체 구조 상부를 덮도록 캐핑층(capping layer)으로 형성된 저온 산화막(Low Temperature Oxide; LTO)을 포함한다. 여기서, 매질층(20)은 굴절률이 적어도 1.4 이상인 매질을 갖는 물질로 형성하는 것이 바람직하며, 예컨대, SOG(Spin On Glass)막, FSG(Fluorinated Silicate Glass) 또는 STI(Shallow Trench Isoation) 공정을 통해 형성된 소자 분리막으로 사용되는 산화막 계열의 물질, 예컨대 HDP(High Density Plasma), CDO(Carbon Doped Oxide) 막 중 어느 하나의 막으로 형성한다.
한편, 도 7은 도 6에 도시된 단일층의 매질층(20) 대신에 매질층(30)을 적층 구조로 형성한다. 즉, 도 7에 도시된 바와 같이, 화소 어레이의 측면부(B)는 매질층(30)이 서로 다른 굴절률을 갖는 매질이 적층구조로 형성되고, 중앙부(A)는 단일 매질층으로 형성된다. 이때, 상부층에 형성된 매질의 굴절률이 하부층에 형성된 매질의 굴절률보다 낮게 형성하는 것이 바람직하다. 이때, 상부층에 형성된 매질(n1)은 굴절률이 1.4~1.45 정도의 물질을 사용하고, 하부층에 형성된 매질(n2)은 굴절률이 1.5 정도의 물질을 사용한다.
한편, 도 8은 도 6에 도시된 바와 같이 마이크로 렌즈(ML)와 저온 산화막 (LTO) 사이에 매질층(20)이 개재된 상태를 도시한 SEM(Scanning Electron Microscope) 사진이고, 도 9는 도 8의 구조를 통해 감도 및 색감이 개선된 것을 보여주고 있다.
이하, 도 10a 내지 도 10c를 참조하여 도 6에 도시된 이미지 센서의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 도 10a에 도시된 바와 같이, 칼라필터(CF)가 형성된 기판 상부에 평탄화막(OCL)을 형성한다. 그런 다음, 칼라필터(CF)와 일대일 대응되도록 평탄화막(OCL) 상부에 마이크로 렌즈(ML)를 형성한다. 그런 다음, 마이크로 렌즈(ML)를 덮도록 매질층(20)을 증착 또는 도포한다.
이어서, 도 10b에 도시된 바와 같이, 포토공정을 실시하여 화소 어레이의 중앙부(A)가 개방되는 감광막 패턴(PR)을 형성한 후 습식식각공정을 실시하여 노출되는 매질층(20)을 제거한다. 이로써, 매질층(20)은 중앙부(A)에는 제거되고, 측면부(B)에만 잔류된다. 그런 다음, 스트립(strip) 공정을 실시하여 감광막 패턴(PR)을 제거한다.
이어서, 도 10c에 도시된 바와 같이, 매질층(20)을 포함하는 전체 구조 상부를 덮도록 저온 산화막(LTO)을 형성한다. 한편, 저온 산화막(LTO)을 형성하기 전에 매질층(20)을 포함하는 전체 구조 상부에 매질층(20)보다 굴절률이 작은 매질을 더 형성할 수도 있다.
실시예3
도 11은 본 발명의 실시예3에 따른 이미지 센서를 설명하기 위하여 도시한 단면도이다.
도 11은 도 7에 도시된 매질층(30) 대신에 저온 산화막(LTO1, LTO2)을 적층하여 매질층을 형성할 수도 있다. 이때, 저온 산화막(LTO1, LTO2)은 서로 다른 굴절률을 갖도록 형성하되, 하부 저온 산화막(LTO1)이 더 높은 굴절률을 갖도록 한다.
도 12를 참조하여 도 11에 도시된 구조를 갖는 매질층의 굴절률에 따른 빛의 굴절 원리를 설명하면 다음과 같다.
통상적으로, 화소 어레이의 측면부(B)는 중앙부(A)에 비해 입사각이 큰 빛이 입사되게 되는데, 도 12에 도시된 바와 같이 측면부(B)로 입사되는 입사각을 감소시켜 줌으로써 화소 어레이의 측면부(B)에서의 감도를 개선시킬 수 있다. 즉, 도 12에서 θi>θr(θi')>θr'이 됨으로써 화소 어레이의 측면부(B)로 입력되는 입사각이 감소된다.
본 발명의 기술 사상은 바람직한 실시예에서 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명은 이 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예들이 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 다음과 같은 효과들을 얻을 수 있다.
첫째, 본 발명은 측면부에 굴절률을 갖는 물질을 형성하여 측면부로 입사되는 빛의 입사각을 감소시킴으로써 화소 어레이의 측면부에서의 감도를 증대시킬 수 있다.
둘째, 본 발명은 마이크로 렌즈 대신에 굴절률이 서로 다른 매질을 적층하여 사용함으로써 입사광을 집광하기 위한 마이크로 렌즈 형성공정에 기인한 제조공정상의 복잡성을 해결할 수 있다.

Claims (27)

  1. 칼라필터;
    상기 칼라필터 상에 형성된 평탄화막; 및
    상기 평탄화막 상에 서로 다른 굴절율을 갖는 적어도 2층 이상 적층된 매질층을 포함하되,
    상기 매질층 각각은 평탄화된 구조로 적층되며, 상기 칼라필터로 갈수록 더 높은 굴절률을 갖는 이미지 센서.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 매질층의 최상부층은 공기층보다 높은 굴절률을 갖는 이미지 센서.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 최상부층은 1.4~1.45의 굴절률을 갖는 물질로 형성된 이미지 센서.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 최상부층은 실리콘 산화막 계열의 물질로 형성된 이미지 센서.
  6. 제 3 항 내지 제 5 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 매질층은 최하부층은 1.5보다 큰 굴절률을 갖는 물질로 형성된 이미지 센서.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 최상부층과 상기 최하부층 사이에 개재된 중간층은 최하부층보단 작고, 최상부층보단 큰 굴절률을 갖는 물질로 형성된 이미지 센서.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 중간층은 BPSG막 또는 USG막으로 형성된 이미지 센서.
  9. 제1 영역과, 상기 제1 영역에 비해 입사각이 큰 빛이 입사되는 제2 영역에 각각 형성된 칼라필터;
    상기 칼라필터 상에 형성된 평탄화막; 및
    상기 칼라필터와 각각 대응되도록 상기 평탄화막 상에 형성된 마이크로 렌즈;
    공기층보다 높은 굴절률을 갖고, 상기 제2 영역의 상기 마이크로 렌즈를 덮도록 형성된 매질층; 및
    상기 매질층을 포함하는 전체 구조 상부를 덮도록 형성된 캡핑층
    을 포함하는 이미지 센서.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 매질층은 적어도 1.4 이상의 굴절률을 갖는 물질로 형성된 이미지 센서.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 매질층은 실리콘 산화막, BPSG, USG 막 중 선택된 어느 하나의 막으로 형성된 이미지 센서.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 캡핑층은 LTO막으로 형성된 이미지 센서.
  13. 제1 영역과, 상기 제1 영역에 비해 입사각이 큰 빛이 입사되는 제2 영역에 각각 형성된 칼라필터;
    상기 칼라필터 상에 형성된 평탄화막;
    상기 칼라필터와 각각 대응되도록 상기 평탄화막 상에 형성된 마이크로 렌즈;
    공기층보다 높은 굴절률을 갖고, 상기 제2 영역의 상기 마이크로 렌즈를 덮도록 형성된 제1 매질층;
    상기 제1 매질층보다 굴절률이 낮은 물질로 상기 제1 매질층을 포함하는 전체 구조 상부를 덮도록 형성된 제2 매질층; 및
    상기 제2 매질층 상에 형성된 캡핑층
    을 포함하는 이미지 센서.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제1 매질층은 적어도 1.4 이상의 굴절률을 갖는 물질로 형성된 이미지 센서.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 제1 매질층은 실리콘 산화막, BPSG, USG 막 중 선택된 어느 하나의 막으로 형성된 이미지 센서.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 캡핑층은 LTO막으로 형성된 이미지 센서.
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 삭제
  21. 삭제
  22. 삭제
  23. 삭제
  24. 삭제
  25. 제1 영역과, 상기 제1 영역에 비해 입사각이 큰 빛이 입사되는 제2 영역에 각각 칼라필터가 형성된 기판을 제공하는 단계;
    상기 칼라필터 상에 평탄화막을 형성하는 단계
    상기 칼라필터와 각각 대응되도록 상기 평탄화막 상에 마이크로 렌즈를 형성하는 단계;
    공기층보다 높은 굴절률을 갖고, 상기 마이크로 렌즈를 덮도록 제1 매질층을 형성하는 단계;
    상기 제2 영역에만 상기 제1 매질층이 잔류되도록 상기 제1 영역에 형성된 상기 제1 매질층을 제거하는 단계;
    상기 제1 매질층보다 굴절률이 낮은 물질로 상기 제1 매질층을 포함하는 전 체 구조 상부를 덮도록 제2 매질층을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 매질층 상에 캡핑층을 형성하는 단계
    을 포함하는 이미지 센서의 제조방법.
  26. 제 25 항에 있어서,
    상기 제1 매질층은 적어도 1.4 이상의 굴절률을 갖는 물질로 형성하는 이미지 센서의 제조방법.
  27. 제 26 항에 있어서,
    상기 제1 매질층은 실리콘 산화막, BPSG, USG 막 중 선택된 어느 하나의 막으로 형성하는 이미지 센서의 제조방법.
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