JP2007157958A - 電子装置 - Google Patents
電子装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007157958A JP2007157958A JP2005350168A JP2005350168A JP2007157958A JP 2007157958 A JP2007157958 A JP 2007157958A JP 2005350168 A JP2005350168 A JP 2005350168A JP 2005350168 A JP2005350168 A JP 2005350168A JP 2007157958 A JP2007157958 A JP 2007157958A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- circuit board
- bonding
- electronic device
- pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/04042—Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05553—Shape in top view being rectangular
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
- H01L2224/0601—Structure
- H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/4501—Shape
- H01L2224/45012—Cross-sectional shape
- H01L2224/45014—Ribbon connectors, e.g. rectangular cross-section
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/4501—Shape
- H01L2224/45012—Cross-sectional shape
- H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48095—Kinked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48699—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al)
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/4901—Structure
- H01L2224/4903—Connectors having different sizes, e.g. different diameters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/4905—Shape
- H01L2224/49051—Connectors having different shapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/4917—Crossed wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/494—Connecting portions
- H01L2224/4943—Connecting portions the connecting portions being staggered
- H01L2224/49431—Connecting portions the connecting portions being staggered on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/494—Connecting portions
- H01L2224/4943—Connecting portions the connecting portions being staggered
- H01L2224/49433—Connecting portions the connecting portions being staggered outside the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/20—Parameters
- H01L2924/207—Diameter ranges
- H01L2924/2076—Diameter ranges equal to or larger than 100 microns
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
【課題】2つの部材を複数本のボンディングワイヤにより接続するとともに、これら複数本のボンディングワイヤをゲル部材により封止してなる電子装置において、ダミーのボンディングワイヤを用いることなく、ゲル部材によるボンディングワイヤのダメージを抑制する。
【解決手段】パワーICチップ70と回路基板20とを接続する第1のワイヤ51と第2のワイヤ52とにおいて、第1のワイヤ51におけるゲート用のパッド70aとの接続部および第1の回路基板20のパッド21との接続部を結ぶ線L1と、第2のワイヤ52におけるソース用のパッド70bとの接続部および第1の回路基板20のパッド21との接続部を結ぶ線L2とが交差した位置関係にある。
【選択図】図2
【解決手段】パワーICチップ70と回路基板20とを接続する第1のワイヤ51と第2のワイヤ52とにおいて、第1のワイヤ51におけるゲート用のパッド70aとの接続部および第1の回路基板20のパッド21との接続部を結ぶ線L1と、第2のワイヤ52におけるソース用のパッド70bとの接続部および第1の回路基板20のパッド21との接続部を結ぶ線L2とが交差した位置関係にある。
【選択図】図2
Description
本発明は、2つの部材を複数本のボンディングワイヤにより接続するとともに、これら複数本のボンディングワイヤをゲル部材により封止してなる電子装置に関する。
従来より、この種の電子装置としては、第1の部材と第2の部材とを複数本のボンディングワイヤにより接続するとともに、これら複数本のボンディングワイヤをゲル部材により封止してなるものが提案されている(特許文献1参照)。
このような電子装置においては、自動車などの実機に搭載されたときに発生する振動により、電子装置内に設けられたゲル部材が振動し、この振動の波によってゲル部材が変位する。すると、ゲル部材内に封止されているボンディングワイヤに対して、応力が加わり、ワイヤの剥離や倒れが生じる可能性がある。
このような問題に対して、上記特許文献1では、ダミーのボンディングワイヤを設けることにより、対策を講じている。
特開2000−252406号公報
しかしながら、近年、電子装置の小型化・高密度化が進められ、ボンディングエリアが縮小されている状況のなかで、ダミーのボンディングワイヤを設けることは、余分なエリアを必要とし、好ましくない。
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、2つの部材を複数本のボンディングワイヤにより接続するとともに、これら複数本のボンディングワイヤをゲル部材により封止してなる電子装置において、ダミーのボンディングワイヤを用いることなく、ゲル部材によるボンディングワイヤのダメージを抑制することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明は、複数本のボンディングワイヤ(50)を、第1のワイヤ(51)と第2のワイヤ(52)とを有するものとし、これら第1のワイヤ(51)と第2のワイヤ(52)とを、第1のワイヤ(51)における第1の部材(70)への接続部および第2の部材(20)への接続部を結ぶ線(L1)と第2のワイヤ(52)における第1の部材(70)への接続部および第2の部材(20)への接続部を結ぶ線(L2)とが交差した位置関係にあるようにしたことを特徴とする。
それによれば、第1のワイヤ(51)と第2のワイヤ(52)とが交差した位置関係にあることで、これらのうちどちらか一方のワイヤがゲル部材(60)からの波の衝撃を緩和する衝立の役目をするため、ダミー用ボンディングワイヤを用いることなく、ゲル部材(60)によるボンディングワイヤ(50)のダメージを抑制することができる。
また、ボンディングワイヤはアーチ状をなすが、その頂点部が高くなるほど、根元部分のダメージが大きくなる。
その点を考慮して、第1のワイヤ(51)と第2のワイヤ(52)とが太さの異なるものである場合、太い方のワイヤの頂点部の方が細い方のワイヤの頂点部よりも高い位置にあるものとすれば、強度的に有利な構成となる。
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各図相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
図1は、本発明の実施形態に係る電子装置100の概略断面構成を示す図である。限定するものではないが、この電子装置100は、たとえば、車両のECUなどに用いられるものである。
図1に示されるように、この電子装置100は、大きくは、ケース10の底面11に、各種の部品が搭載された回路基板20、30、およびコネクタ40を搭載し、これら各部をボンディングワイヤ50により接続するとともに、当該各部およびボンディングワイヤ50をゲル部材60により封止したものである。
ケース10は、たとえばアルミニウムや鉄系金属からなるものである。回路基板20、30は、ケース10の底面11に搭載され、図示しない接着剤などを介してケース10に固定されている。ここで、図1中には2つの回路基板20、30が示されているが、図1中の左側のものを第1の回路基板20、右側のものを第2の回路基板30とする。
これら両回路基板20、30は、セラミック基板やプリント基板などからなる。本例では、これら両回路基板20、30はセラミック基板からなり、第1の回路基板20はパワー系の基板であり、第2の回路基板30は制御系の基板である。
本例では、第1の回路基板20の上にはパワーICチップ70が、また、第2の回路基板30の上にはICチップ71や抵抗72が、それぞれ、はんだや導電性接着剤などの導電性接合部材80により実装されている。
また、コネクタ40は、樹脂などからなるものであって、銅などよりなるターミナル41が、たとえばインサート成形などにより一体化されてなるものである。このコネクタ40は、ケース10に設けられた穴に挿入されて嵌合または接着剤などを介入することにより、ケース10に固定されている。
そして、コネクタ40は、ケース10の内部にてケース10の底面11の上に突出しており、この突出部には、ターミナル41の一端部が露出している。また、ターミナル41の他端部は、外部と接続可能となっており、本電子装置100は、このターミナル41を介して外部との信号のやり取りが可能となっている。
そして、図1に示されるように、各回路基板20、30にはパッド21、31が設けられており、第1の回路基板20においては、パワーICチップ70と第1の回路基板20のパッド21とがボンディングワイヤ50を介して結線されている。
また、第1の回路基板20のパッド21と第2の回路基板30のパッド31との間、ICチップ71と第2の回路基板30のパッド31との間、さらに、第2の回路基板30のパッド31とターミナル41との間が、ボンディングワイヤ50により接続されている。ここで、パワーICチップ70と第1の回路基板20のパッド21とを結線するボンディングワイヤ50はアルミニウムよりなり、それ以外の結線部位はアルミニウム、または、金よりなる。
さらに、ゲル部材60は、ケース10内に充填され、各回路基板20、30およびその上の各部品70〜72および各ボンディングワイヤ50を封止している。このゲル部材60は、シリコーンゲルやフッ素ゲルなどからなるもので、たとえば塗布して熱硬化することで配設可能なものである。
ここで、この電子装置100が自動車などに搭載されたとき、その際の振動によってゲル部材60が振動し、ゲル部材60には波が生じる。本電子装置100では、このゲル部材60の波による応力によってボンディングワイヤ50がダメージを受けないように、パワーICチップ70と第1の回路基板20のパッド21とを接続するボンディングワイヤ50に対して、独自の工夫を施している。
図2は、図1中のパワーICチップ70の上視平面図である。ここで、本実施形態では、このパワーICチップ70が第1の部材、第1の回路基板20が第2の部材として構成されている。
パワーICチップ70は、たとえばMOSトランジスタやIGBTなどのパワー系素子であり、図2に示されるように、パワーICチップ70と第1の回路基板20とは、複数のボンディングワイヤ51、52により接続されている。
本例では、このパワーICチップ70の上面には、ゲート用のパッド70aとソース用のパッド70bとが形成されており、これら2つのパッド70a、70bに対応して、第1の回路基板20には2つのパッド21が設けられている。そして、パワーICチップ70と第1の回路基板20とは、2本のボンディングワイヤ51、52により接続されている。
ここで、2本のボンディングワイヤ51、52のうちゲート用のパッド70aに接続されているボンディングワイヤ51の方が細く、これを第1のワイヤ51とし、一方、ソース用のパッド70bに接続されているボンディングワイヤ52の方が太くなっているが、これを第2のワイヤ52とする。
たとえば、ゲート用ワイヤである細い方の第1のワイヤ51は、φ100μm〜150μm程度のAlワイヤであり、ソース用ワイヤである太い方の第2のワイヤ52は、φ200μm〜500μm程度のAlワイヤである。
また、図1および図2に示されるように、これらボンディングワイヤ51、52は、通常の一般的なボンディングワイヤと同様に、両端の各接続部を基点としてアーチ状をなしている。
ここで、第1のワイヤ51における第1の部材としてのパワーICチップ70への接続部は、ゲート用のパッド70aとの接続部であり、第2の部材としての第1の回路基板20への接続部は、パッド21との接続部である。同様に、第2のワイヤにおけるパワーICチップ70への接続部は、ソース用のパッド70bとの接続部であり、第1の回路基板20への接続部は、パッド21との接続部である。
そして、本実施形態では、図2に示されるように、第1のワイヤ51と第2のワイヤ52とは、第1のワイヤ51におけるゲート用のパッド70aとの接続部および第1の回路基板20のパッド21との接続部を結ぶ線L1と、第2のワイヤ52におけるソース用のパッド70bとの接続部および第1の回路基板20のパッド21との接続部を結ぶ線L2とが交差した位置関係にある。
換言すれば、第1のワイヤ51および第2のワイヤ52を、その接続面すなわち各パッド70a、70b、21の上方から見たとき、第1のワイヤ51と第2のワイヤ52とは交差しており、たすきがけの位置関係にある。
また、図1、図2に示されるように、本実施形態では、太さの異なる第1のワイヤ51と第2のワイヤ52とでは、太い方の第2のワイヤ52の頂点部の方が細い方の第1のワイヤ51の頂点部よりも高い位置にある。
このような第1のワイヤ51と第2のワイヤ52とよりなる接続形態は、まず下側に位置する第1のワイヤ51をボンディングした後、この第1のワイヤ51をまたぐように第2のワイヤ52をボンディングすることにより、実現できる。
このように第1のワイヤ51と第2のワイヤ52とを交差関係とした構成について、図3を参照して、その作用を説明する。図3は、本実施形態の作用を説明するための図であり、(a)は平面図、(b)は(a)を矢印A方向からみた側面図である。
上述したように、ボンディングワイヤ51、52は、両端の接続部を基点としたアーチ形状をなす。そのため、ワイヤ51、52における両接続部と頂点部との3点を含む平面に対して直交する方向から、ゲル部材60の波が来た場合に、ワイヤ51、52はもっとも倒れやすくなる。以下、この方向をワイヤ直交方向という。
たとえば、図3においては、白抜き矢印Bに示されるように、細い方の第1のワイヤ51に対するワイヤ直交方向から、ゲル部材60の波が加わって来ている。ちなみに、図3(b)において、紙面垂直方向の面が、第1のワイヤ51における両接続部と頂点部との3点を含む平面である。
ここで、もし、この第1のワイヤ51単独の構成であった場合、第1のワイヤ51に対するゲル部材60の波の印加状態がこのような状態であると、図3(b)にて破線で示されるように、ゲル部材60からの応力によって、第1のワイヤ51は傾き、ダメージを受けやすい。
しかし、本実施形態では、図3(a)に示されるように、このゲル部材60の波は、太い方の第2のワイヤ52に対しては、ワイヤ直交方向から角度αずれた方向から加わることになる。
つまり、第1および第2のワイヤ51、52に対して、図3中の白抜き矢印B方向からゲル部材60の波が加わっているが、互いに交差した位置関係にある第1のワイヤ51と第2のワイヤ52とでは、この波が来る方向に対する配置状態も異なり、当該波から受ける応力に強弱が発生する。
図3では、ゲル部材60の波は、太い方の第2のワイヤ52に対してワイヤ直交方向から角度αずれているため、第2のワイヤ52に加わる応力は、もしワイヤ直交方向から加わった場合の応力Fよりも緩和され、Fcosαとなる。
そのため、この第2のワイヤ52は、ゲル部材60の波を、その衝撃が緩和された形で受けることになり、当該衝撃に耐えやすくなるとともに、当該波に対する衝立の役割を発揮する。そして、この第2のワイヤ52によって、ゲル部材60の変位(振れ)が抑制されるため、細い方の第1のワイヤ51に加わる応力も緩和される。
なお、上記図3とは反対に、太い方の第2のワイヤ52に対してワイヤ直交方向から、ゲル部材60の波が加わってくる場合では、今度は、細い方の第1のワイヤ51が、上記したような衝立の役目を発揮することは明らかである。
このように、本実施形態によれば、第1のワイヤ51と第2のワイヤ52とが交差した位置関係にあることで、これらのうちどちらか一方のワイヤがゲル部材60からの波の衝撃を緩和する衝立の役目をするため、ダミー用ボンディングワイヤを用いることなく、ゲル部材60によるボンディングワイヤ50のダメージを抑制することができる。
また、本実施形態では、太さの異なる第1のワイヤ51と第2のワイヤ52とで、太い方の第2のワイヤ52の頂点部の方が細い方の第1のワイヤ51の頂点部よりも高い位置にある。
アーチ状のボンディングワイヤにおいては、頂点部を高くするほど、根元部すなわちネック部が急峻となり、上記したようなゲル部材60の波による応力が加わったとき、ワイヤの破断や剥離などが生じやすい。
その点、機械的強度の大きな太い方の第2のワイヤ52の頂点部を高い方におき、機械的強度の小さな細い方の第1のワイヤ51の頂点部を低い方におくことで、機械的強度に優れたワイヤ構成を実現できる。
また、このワイヤの太さによる頂点部の高低関係は、必要に応じて採用すればよく、場合によっては、太い方の第2のワイヤ52の頂点部を低くし、細い方の第1のワイヤ51の頂点部を高くしてもよい。
(他の実施形態)
なお、上記実施形態では、パワーICチップ70が第1の部材、第1の回路基板20が第2の部材として構成されており、これら両部材20、70を接続するボンディングワイヤ51、52に対して、上記の交差した配置構成を採用したが、当構成の採用はこれに限定されるものではない。
なお、上記実施形態では、パワーICチップ70が第1の部材、第1の回路基板20が第2の部材として構成されており、これら両部材20、70を接続するボンディングワイヤ51、52に対して、上記の交差した配置構成を採用したが、当構成の採用はこれに限定されるものではない。
たとえば、図4は、上記電子装置100において、第1の回路基板20を第1の部材とし、第2の回路基板30を第2の部材とした場合の例を示す図であり、(a)は上面図、(b)は側面図である。
図4に示されるように、第1の回路基板20、第2の回路基板30には、複数本のボンディングワイヤ51、52に対応したパッド21、31がそれぞれ1列に設けられている。そして、細いボンディングワイヤである第1のワイヤ51と太いボンディングワイヤである第2のワイヤ52とが、上記の交差した配置構成となっている。ここで2種類のワイヤ径を使っているのは、ボンディングエリアを狭くする効果を得るためである。
また、図5は、上記電子装置100において、第1の回路基板20を第1の部材とし、第2の回路基板30を第2の部材とした場合のもう一つ例を示す図であり、(a)は上面図、(b)は側面図である。
上記図4では、第1の回路基板20、第2の回路基板30には、パッド21、31がそれぞれ1列に設けられていたが、この図5に示されるように、各回路基板20、30においてパッド21、31が2列に設けられていてもよい。
この場合、図5に示されるように、たとえば第1のワイヤ51を、互いに近くに位置する列のパッド21、31同士にて接続し、第2のワイヤ52を遠くに位置する列のパッド21、31同士にて接続することで、上記の交差した配置構成を実現できる。
また、ボンディングワイヤ50の形状は、上記各図に示されるような単純なアーチ形状に限定されるものではない。図6は、ボンディングワイヤ形状の他の例を示す側面図であり、図7はもう一つの他の例を示す平面図である。
図6に示されるように、たとえば、第2のワイヤ52を、その頂点部付近がU字形状に曲がっているものとし、そのU字の間隙を第1のワイヤ51が通過している形状としてもよい。
さらに、上記電子装置100において、たとえば、第2の回路基板30とコネクタ40のターミナル41とを接続するボンディングワイヤ50についても、上記の交差した配置構成を採用してもよい。
また、図7に示されるように、たとえば、第2のワイヤ52をくねらせてはい回した形状としてもよい。要は、第1のワイヤ51と第2のワイヤ52とが、上記した交差の配置関係にあればよい。
また、ボンディングワイヤ50としては、通常の丸い線材に限ることなく、たとえば第1のワイヤ51および第2のワイヤ52の両方、もしくはどちらか一方が、リボン形状の線材であってもよい。
また、第1のワイヤ51と第2のワイヤ52とは、太さの異なるものに限定されるものではなく、同じ太さ、つまり同じ線径であってもよい。また、ボンディングワイヤ50の材質も、アルミニウム以外にも、金など、それ以外のボンディングワイヤ材料のものであってもよい。
また、上記した電子装置以外にも、第1の部材と第2の部材とを複数本のボンディングワイヤにより接続するとともに、これら複数本のボンディングワイヤをゲル部材により封止してなる電子装置であればよい。
20…第2の部材としての第1の回路基板、50…ボンディングワイヤ、
51…第1のワイヤ、52…第2のワイヤ、60…ゲル部材、
70…第1の部材としてのパワーICチップ。
51…第1のワイヤ、52…第2のワイヤ、60…ゲル部材、
70…第1の部材としてのパワーICチップ。
Claims (2)
- 第1の部材(70)と第2の部材(20)とを複数本のボンディングワイヤ(50)により接続するとともに、これら複数本のボンディングワイヤ(50)をゲル部材(60)により封止してなる電子装置において、
前記複数本のボンディングワイヤ(50)は、第1のワイヤ(51)と第2のワイヤ(52)とを有するものであり、
前記第1のワイヤ(51)と前記第2のワイヤ(52)とは、前記第1のワイヤ(51)における前記第1の部材(70)への接続部および前記第2の部材(20)への接続部を結ぶ線(L1)と前記第2のワイヤ(52)における前記第1の部材(70)への接続部および前記第2の部材(20)への接続部を結ぶ線(L2)とが交差した位置関係にあることを特徴とする電子装置。 - 前記第1のワイヤ(51)と前記第2のワイヤ(52)とは、太さの異なるものであり、太い方のワイヤの頂点部の方が細い方のワイヤの頂点部よりも高い位置にあることを特徴とする請求項1に記載の電子装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005350168A JP2007157958A (ja) | 2005-12-05 | 2005-12-05 | 電子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005350168A JP2007157958A (ja) | 2005-12-05 | 2005-12-05 | 電子装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007157958A true JP2007157958A (ja) | 2007-06-21 |
Family
ID=38241936
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005350168A Withdrawn JP2007157958A (ja) | 2005-12-05 | 2005-12-05 | 電子装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007157958A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010045315A (ja) * | 2008-08-18 | 2010-02-25 | Denso Corp | 電子制御装置の製造方法及び電子制御装置 |
JP2010267685A (ja) * | 2009-05-13 | 2010-11-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2013232622A (ja) * | 2013-01-21 | 2013-11-14 | Lapis Semiconductor Co Ltd | 半導体装置及び計測機器 |
CN104218900A (zh) * | 2013-05-30 | 2014-12-17 | 联发科技股份有限公司 | 射频发送器以及无线通信单元 |
US9230890B2 (en) | 2012-04-27 | 2016-01-05 | Lapis Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device and measurement device |
US11562979B2 (en) | 2018-06-27 | 2023-01-24 | Mitsubishi Electric Corporation | Power module and method of manufacturing the same, and power conversion apparatus |
EP4362076A1 (en) * | 2022-10-31 | 2024-05-01 | Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd. | Bonding structure and power device |
-
2005
- 2005-12-05 JP JP2005350168A patent/JP2007157958A/ja not_active Withdrawn
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010045315A (ja) * | 2008-08-18 | 2010-02-25 | Denso Corp | 電子制御装置の製造方法及び電子制御装置 |
JP2010267685A (ja) * | 2009-05-13 | 2010-11-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
US9230890B2 (en) | 2012-04-27 | 2016-01-05 | Lapis Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device and measurement device |
US9787250B2 (en) | 2012-04-27 | 2017-10-10 | Lapis Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device and measurement device |
US10243515B2 (en) | 2012-04-27 | 2019-03-26 | Lapis Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device and measurement device |
US10622944B2 (en) | 2012-04-27 | 2020-04-14 | Lapis Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device and measurement device |
JP2013232622A (ja) * | 2013-01-21 | 2013-11-14 | Lapis Semiconductor Co Ltd | 半導体装置及び計測機器 |
CN104218900A (zh) * | 2013-05-30 | 2014-12-17 | 联发科技股份有限公司 | 射频发送器以及无线通信单元 |
US9722571B2 (en) | 2013-05-30 | 2017-08-01 | Mediatek, Inc. | Radio frequency transmitter, power combiners and terminations therefor |
US11562979B2 (en) | 2018-06-27 | 2023-01-24 | Mitsubishi Electric Corporation | Power module and method of manufacturing the same, and power conversion apparatus |
EP4362076A1 (en) * | 2022-10-31 | 2024-05-01 | Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd. | Bonding structure and power device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4308608B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2009124095A (ja) | 半導体パッケージ及びその実装方法 | |
JP2007157958A (ja) | 電子装置 | |
JPH10308419A (ja) | 半導体パッケージ及びその半導体実装構造 | |
US20160141235A1 (en) | Printed circuit board assembly with image sensor mounted thereon | |
JP2005057258A (ja) | 安価型フレキシブルフィルムパッケージモジュール及びその製造方法 | |
JP2568748B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2007005452A (ja) | 半導体装置 | |
US6753594B2 (en) | Electronic component with a semiconductor chip and fabrication method | |
JP5078631B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2006332275A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
US6608387B2 (en) | Semiconductor device formed by mounting semiconductor chip on support substrate, and the support substrate | |
KR19980070133A (ko) | 반도체 장치, 반도체 장치의 실장장치 및, 반도체 장치의 제조방법 | |
JP3825196B2 (ja) | 電子回路装置 | |
JPH11176849A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2001267452A (ja) | 半導体装置 | |
JP2019508908A (ja) | はんだボールを備えたパッケージング構造、及びパッケージング構造を製造する方法 | |
JP2006186282A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US7663218B2 (en) | Integrated circuit component with a surface-mount housing | |
JP2005101053A (ja) | モジュール部品の接続部材およびその部品接続構造 | |
JP2006344652A (ja) | 半導体装置及び半導体素子の搭載方法 | |
JP4620915B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JP2006332415A (ja) | 半導体装置 | |
JP2005197496A (ja) | 回路基板及び回路基板の製造方法、並びに半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法。 | |
JPH10214934A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071220 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20090722 |