JP2007090129A - 触媒配置構造 - Google Patents
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Abstract
【課題】カーボンファイバの成長密度を各種用途の使用形態に合わせて制御することを可能にする。
【解決手段】カーボンを含むガスに接触してカーボンファイバの成長を促進する複数の触媒微粒子5aが配置され、触媒微粒子5aの配置間にその触媒作用を阻害する複数の阻害物11がブロック状に配置されている。
【選択図】図1
【解決手段】カーボンを含むガスに接触してカーボンファイバの成長を促進する複数の触媒微粒子5aが配置され、触媒微粒子5aの配置間にその触媒作用を阻害する複数の阻害物11がブロック状に配置されている。
【選択図】図1
Description
本発明は、カーボンを含むガスに接触することによりカーボンファイバの成長を促進する触媒微粒子を基板上に配置する構造に関するものである。
カーボンナノチューブ等のカーボンファイバは、ナノオーダーで細くかつ高アスペクト比であり、電子エミッタ材料、水素吸蔵体、高容量キャパシタ材料、二次電池または燃料電池の電極材料、電磁波吸収材料、等に汎用されつつある。
このようなカーボンファイバは前記した用途に応じた成長密度や成長形態が求められる。そのため、基板上に触媒微粒子を配置し、カーボンを含むガスをこの触媒微粒子に作用させてカーボンファイバを成長させる方法がある(特許文献1参照)。触媒微粒子が配置されている領域に例えば熱CVD法等を用いてカーボンファイバを成長させる場合、その量、ファイバ間距離等を前記各種用途の使用形態に合わせて制御することは困難であった。また、フォトリソグラフィー等の特殊で複雑なプロセスによりカーボンファイバの成長形態等を制御する製造設備が提案されているが、そのような設備はカーボンファイバの製造に大きな投資を要する。
特開2005−203348
本発明により解決すべき課題は、カーボンファイバの成長密度を各種用途の使用形態に合わせて制御できるようにすることである。
本発明に係る触媒配置構造は、カーボンを含むガスに作用してカーボンファイバの成長を促進する複数の触媒微粒子が配置され、触媒微粒子の配置間にその触媒作用を阻害する複数の阻害物がカーボンファイバの成長密度をカーボンファイバ束単位で制御することができるブロック状に配置されていることを特徴とするものである。
ブロック状とは、カーボンファイバの成長密度をカーボンファイバ束単位で制御することができればよく、形状としては壁状あるいは塊状等であり、この壁状等の形態は不連続な曲線状や蛇行状、その他の形状、あるいは長さをもつなど種々の形状等とすることができる。
カーボンファイバはカーボンを主成分とする柱状物質、あるいはカーボンを主成分とする線状物質と称することができる。
触媒作用はカーボンを含むガスを分解してカーボンの堆積を促進する作用であり、このガスにはアセチレン、エチレン、メタン、プロパン、プロピレン等の炭化水素系ガスや一酸化炭素、二酸化炭素等の炭素を構成元素として含むガスがあり、エタノール、アセトン等の室温・大気圧下では液体であるような有機溶剤についても用いることができる。
本発明では、阻害物の配置間隔、配置個数、サイズ等を制御することにより、触媒物の配置間隔を詰めたり広げたりすることができるので、触媒物から成長するカーボンファイバの成長密度をカーボンファイバ束単位で任意に制御することが可能となる。
これにより、カーボンファイバの成長密度を高容量キャパシタ、水素吸蔵膜、電子エミッタ等の用途に応じて制御することが可能となる。
本発明では、触媒物そのものの配置密度を制御するのではなく、阻害物の配置密度を制御して、結果として、触媒物同士間の配置密度を制御することができるので、フォトリソグラフィー等の特殊で高価な製造設備を用いて触媒物の配置を制御することが不要となり、カーボンファイバを安価に製造することができるようになる。
本発明によれば、カーボンファイバの成長密度を各種用途の使用形態に合わせて制御することができる。
以下、添付した図面を参照して、本発明の実施の形態に係る触媒配置構造を詳細に説明する。
図1は本実施の形態に係る触媒配置構造の断面図である。図1を参照して、基板1上にカーボンファイバの成長に対する触媒作用を持つ微粒子状の触媒物が分散して配置されている。この触媒物は、触媒作用を持たない微粒子(非触媒微粒子)3a上に触媒作用を持つ微粒子(触媒微粒子)5aが担持された物である。
触媒物の配置間に触媒微粒子5aの触媒作用を阻害する複数の阻害物11がブロック状に配置されている。この阻害物11は、カーボンファイバの成長密度をカーボンファイバ束の分布密度として制御することができる。
図2を参照して上記触媒配置構造を用いたカーボンファイバの製造方法を説明すると、図2(a)で示す基板1に図2(b)で示すように下地膜3を成膜する。次いで図2(c)で示すように下地膜3上に触媒膜5を成膜する。下地膜3は、カーボンファイバの成長を促進する触媒作用を有さない非触媒金属からなる膜である。触媒膜5は、触媒作用を有する触媒金属からなる膜である。下地膜3と触媒膜5は電子ビーム蒸着法、スパッタリング法等により成膜することができる。下地膜3の膜厚は100ないし10000Åであり、触媒膜5の膜厚は100Å以下である。
次いで、図2(c)で示す基板1に対して図3で示す温度時間(熱処理温度と熱処理時間)関係の第1段階の熱処理を実施する。
すなわち、10-3Pa程度の真空を保った状態で基板1全体を700℃程度の温度にまで徐々に昇温しその温度に達するとその状態に放置する。第1段階の工程時間は30分間であるが、工程時間は30分間に限定されず、必要に応じて任意の時間に設定することができる。図3に示す熱処理温度は700℃であるが、熱処理温度は700℃に限らず、350℃以上、1200℃以下、さらに好ましくは600℃ないし800℃の範囲で実施することができる。加熱雰囲気は真空であるが、真空中でなくてもよく、原料ガス雰囲気でもよい。
下地膜3と触媒膜5は、第1段階の熱処理を受けると、図2(d)で示すように下地膜3によるカーボンファイバの成長を阻害する阻害物11がブロック状に生成され、この阻害物11によりカーボンファイバの成長密度をその集合体として制御することができるようになる。
これら阻害物11間に非触媒微粒子3a上に担持された触媒微粒子5aが多数存在する。阻害物11間に、カーボンファイバ束を成長させる多数の触媒微粒子5aが配置される。
次いで、図2(d)で示す基板1に対して図3の第2段階の熱処理を実施する。
この第2段階は、200Paの減圧で700℃の温度で炭素を含むガスとしてC2H2(アセチレンガス)を所要の流量例えば100SCCM以下の流量で導入しそのガス雰囲気内でその温度をさらに約30分間程度維持して化学的気相蒸着(CVD)を行う。ただし、この第2段階と前述の第1段階において、明確な区別は必要条件ではなく、第1段階の熱処理時に炭素を含むガスを流入させ始めても良い。
第2段階の後は、冷却(自然冷却、強制冷却)する。この化学的気相蒸着(CVD)は周知であるから詳しい説明は省略する。第2段階では触媒微粒子にアセチレンガスが接触して分解され、その触媒微粒子を成長の核としてカーボンファイバが図2(e)で示すように成長する。
以上において、この実施の形態ではブロック状阻害物11の配置個数、配置形態、その大きさに応じてカーボンファイバ束の配置密度を制御することができる。
なお、触媒微粒子5aと非触媒微粒子3aは合金化している場合がある。図1、図2(d)(e)では図解および説明の都合により触媒微粒子5aと非触媒微粒子3aとが別々に図示されているが、本実施の形態では触媒微粒子5aと非触媒微粒子3aとが合金化している場合も勿論含む。
以下、実施例を説明する。
この実施例では、非触媒金属をAl、触媒金属をFeとした。
カーボンファイバをカーボンナノチューブとした。図4にカーボンナノチューブ(CNT)のSEM写真像を示す。
図4に下地膜3と触媒膜5とを700℃で熱処理(アニール処理)した後の倍率50000倍での阻害物のSEM写真像を示す。
カーボンナノチューブの成長条件は図3に示す通りである。
図4は12枚のSEM写真像である。いずれも同じ倍率である。
図4に示すように、Al膜の膜厚を行方向に30Å,100Å,1000Åの3種類、Fe膜の膜厚を列方向に50Å,20Å,10Å,5Åの4種類に設定している。
なお、Al膜の膜厚30Åと100Åと1000Åとにおいて、膜厚100Åと1000Åでは図4のSEM写真からブロック状の阻害物の存在を確認することができる。
図5に下地膜3と触媒膜5とを熱処理した後の倍率50000倍での阻害物のSEM写真像を示す。図5ではFe膜の膜厚が10ÅのときにAl膜の膜厚を30Å,100Å,1000Åの3種類としたものである。
Al膜の膜厚30Åでは図5のSEM写真〔(Fe/Al)10/30〕で示すように、ブロック状の阻害物が生成されていない。
Al膜の膜厚100Åでは図5のSEM写真〔(Fe/Al)10/100〕で示すように、Al膜よりなるブロック状で比較的小さい阻害物が形成されている。
Al膜の膜厚1000Åでは図5のSEM写真〔(Fe/Al)10/1000〕で示すようにAl膜の膜厚100Åの場合よりもさらにAl膜よりなるブロック状の大きい阻害物が形成されている。
図6にブロック状阻害物のAFM写真によるプロファイルを示す。Fe膜の膜厚は10Å、Al膜の膜厚は1000Åである。図6(a)は多数のブロック状阻害物が不連続な壁状になって分散されて形成されている状態が示されている。図6(b)は図6(a)の一部分を拡大して示したものである。
撮影画面中に縦横および高さ寸法がμm単位で示されている。これに従うと、ブロック状の阻害物の高さは数十nmから数百nm程度であり、阻害物の長さは十数μmから数十μm程度であり、幅は数μmから十数μm程度であることを確認することができる
壁状の阻害物は互いの間隔が数μmないし10数μmであることを確認することができ、このことからこのブロック状の阻害物はカーボンナノチューブをカーボンナノチューブ束としてその分布密度を制御することができることがわかる。
壁状の阻害物は互いの間隔が数μmないし10数μmであることを確認することができ、このことからこのブロック状の阻害物はカーボンナノチューブをカーボンナノチューブ束としてその分布密度を制御することができることがわかる。
図7に倍率20000倍のカーボンナノチューブの断面SEM写真像を示す。このSEM写真像はFe膜の膜厚が10ÅのときにAl膜の膜厚を30Å,100Å,1000Åの3種類とした写真像である。
Al膜の膜厚30Åでは図5のSEM写真〔(Fe/Al)10/30〕で示すようにブロック状の阻害物が生成されていないから、図7のSEM写真〔(Fe/Al)10/30〕に示すようにカーボンナノチューブの密集密度は高く、立体障害によりカーボンナノチューブは自由に絡み合うことはできず垂直に成長する状態になっていることを確認することができる。
Al膜の膜厚100Åでは図5のSEM写真〔(Fe/Al)10/100〕で示すように比較的小さいブロック状の阻害物が多数生成されているために、図7のSEM写真〔(Fe/Al)10/100〕で示すように、それらブロック状の阻害物は多数生成されても、それらの大きさが小さいために、カーボンナノチューブがカーボンナノチューブ束として把握した場合、カーボンナノチューブ束の密集密度が高いことを確認することができる。
Al膜の膜厚1000Åでは図5のSEM写真〔(Fe/Al)10/1000〕で示すようにブロック状の阻害物の生成個数は少ないが、阻害物単位としての大きさが大きいので、図7のSEM写真〔(Fe/Al)10/1000〕ではカーボンナノチューブをカーボンナノチューブ束として把握した場合、カーボンナノチューブ束の密集密度が低いことを確認することができる。
図8に倍率20000倍のカーボンナノチューブの断面SEM写真像を示す。図8には各SEM写真の下側に図9で説明する単位面積当たりのカーボンナノチューブ本数(カウント/cm2)を記入している。
このSEM写真像はFe膜の膜厚が20ÅのときにAl膜の膜厚を30Å,100Åの2種類としたものである。
Al膜の膜厚30Åでは図8のSEM写真〔(Fe/Al)20/30〕に示すようにカーボンナノチューブの密集密度は高く、カーボンナノチューブは自由に絡み合うことはできず垂直に成長する状態になっていることを確認することができる。
Al膜の膜厚100Åでは図8のSEM写真〔(Fe/Al)20/100〕に示すようにカーボンナノチューブはカーボンナノチューブ束としてその密集密度は高いことを確認することができる。
なお、図8ではAl膜の膜厚1000ÅについてのSEM写真は示していない。
図9に横軸にFe膜の膜厚を20Åの一定としAl膜の膜厚を30Å、100Åでとり、縦軸に単位面積当たりのカーボンナノチューブ本数(カウント/cm2)、白抜き棒グラフにAFM写真による同カーボンナノチューブ本数、黒抜き棒グラフにSEM写真による同カーボンナノチューブ本数を示している。
図9の上側において横並びで示す2枚のSEM写真は図8のSEM写真〔(Fe/Al)20/30〕、〔(Fe/Al)20/100〕にそれぞれ対応する。
図9では、FeとAlの膜厚比率が20:30の場合では、単位面積当たりのカーボンナノチューブ本数(本数/cm2)は4.9×1010であり、FeとAlの膜厚比率が20:100の場合では、単位面積当たりのカーボンナノチューブ本数は1.0×1010であった。
このことから、Al膜の膜厚が30Åである場合と、100Åである場合とを比較しても、Al膜の膜厚を30Åを超えて厚くする場合、単位面積当たりのカーボンナノチューブ本数が減少傾向になることにより、ブロック状の阻害物が生成個数が減ってもその大きさが大きく生成され、カーボンナノチューブをカーボンナノチューブ束としてその密集密度を制御することができることがわかる。
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内で、種々な変更ないしは変形を含むものである。
1 基板
3 下地膜
5 触媒膜
9 カーボンファイバ
11 阻害物
3 下地膜
5 触媒膜
9 カーボンファイバ
11 阻害物
Claims (8)
- カーボンを含むガスに作用してカーボンファイバの成長を促進する複数の触媒微粒子が配置され、触媒微粒子の配置間にその触媒作用を阻害する複数の阻害物がカーボンファイバの成長密度をカーボンファイバ束単位で制御することができるブロック状に配置されている、ことを特徴とする触媒配置構造。
- 触媒微粒子が非触媒微粒子上に担持されている、ことを特徴とする請求項1に記載の触媒配置構造。
- 非触媒微粒子が基板上に成膜された下地膜の微粒子化物であり、触媒微粒子が下地膜上に成膜された触媒膜の微粒子化物である、ことを特徴とする請求項2に記載の触媒配置構造。
- 非触媒微粒子が、非磁性金属から構成されている、ことを特徴とする請求項2または3に記載の触媒配置構造。
- 非磁性金属が、Al、Ti、Cuよりなる群から選択された1種または2種以上の金属または合金である、ことを特徴とする請求項4に記載の触媒配置構造。
- 触媒微粒子が磁性金属から構成されている、ことを特徴とする請求項2ないし5のいずれかに記載の触媒配置構造。
- 磁性金属が、Fe、Ni、Co、Y、Rh、Pd、Pt、La、Ce、Pr、Nd、Gd、Tb、Dy、Ho、ErおよびLuよりなる群から選択された1種または2種以上の金属または合金である、ことを特徴とする請求項6に記載の触媒配置構造。
- カーボンファイバが、カーボンナノチューブ、グラファイトナノファイバ、カーボンナノホーン、カーボンナノコーン、カーボンナノバンブのいずれかである、ことを特徴とする請求項1ないし7のいずれかに記載の触媒配置構造。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2011092828A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-12 | Nitta Corp | 磁性金属触媒微粒子形成基板の製造方法および磁性金属触媒微粒子形成基板 |
JP2011153062A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-08-11 | Denso Corp | Cntワイヤの製造方法 |
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2005
- 2005-09-26 JP JP2005278880A patent/JP2007090129A/ja active Pending
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JP2011092828A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-12 | Nitta Corp | 磁性金属触媒微粒子形成基板の製造方法および磁性金属触媒微粒子形成基板 |
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