JP2007067369A - 配線基板及びその製造方法、埋め込み用セラミックチップ - Google Patents
配線基板及びその製造方法、埋め込み用セラミックチップ Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】本発明の配線基板10は、基板コア11、埋め込み用セラミックチップ101、ビルドアップ層31を備える。基板コア11はコア主面12にて開口する収容穴部91を有する。埋め込み用セラミックチップ101は、チップ主面102上に突設されたメタライズ層116からなる複数の端子電極111,112を有する。なお、チップ主面102上に存在する複数の端子電極111,112の占有面積は、チップ主面102の面積の約68%である。埋め込み用セラミックチップ101は、コア主面12とチップ主面102とを同じ側に向けた状態で収容穴部91内に収容される。ビルドアップ層31は、コア主面12及びチップ主面102の上に形成される。
【選択図】 図1
Description
[第2実施形態]
[第3実施形態]
11,11B…基板コア
12…コア主面としての上面
31…ビルドアップ層
33,35…層間絶縁層としての樹脂絶縁層
42…導体層
91…収容穴部
92…充填剤
101,101C,101D,101E,101F…埋め込み用セラミックチップとしてのセラミックキャパシタ
102,202…チップ主面としての上面
104…セラミック焼結体
105…セラミック誘電体層
106…埋め込み用セラミックチップの側面
111,112…端子電極としての第1外部端子電極
116…メタライズ層
117…金属層としての銅めっき層
131,132…内部導体としてのビア導体
141…内部導体としての第1内部電極層
142…内部導体としての第2内部電極層
201…埋め込み用セラミックチップとしてのセラミックチップ
L1…(複数の端子電極間の)距離
L2…(チップ縁から複数の端子電極までの)距離
Claims (20)
- コア主面及びそのコア主面にて開口する収容穴部を有する基板コアと、
チップ主面を有するセラミック焼結体、前記セラミック焼結体の内部に形成された内部導体、及び、前記チップ主面上に突設され前記内部導体に導通するメタライズ層からなる複数の端子電極を有し、前記コア主面と前記チップ主面とを同じ側に向けた状態で前記収容穴部内に収容された埋め込み用セラミックチップと、
層間絶縁層及び導体層を前記コア主面及び前記チップ主面の上にて交互に積層したビルドアップ層と
を備え、前記チップ主面上に存在する前記複数の端子電極の占有面積が、前記チップ主面の面積の45%以上90%以下であることを特徴とする配線基板。 - 前記複数の端子電極の表面は、前記セラミック焼結体の前記チップ主面よりも粗いことを特徴とする請求項1に記載の配線基板。
- 前記複数の端子電極の表面には、前記複数の端子電極を構成する金属よりも軟かい金属からなる金属層が形成されるとともに、その金属層の表面粗さRaが0.2μm以上であることを特徴とする請求項2に記載の配線基板。
- 前記金属層は銅めっき層であることを特徴とする請求項3に記載の配線基板。
- 前記複数の端子電極は、前記チップ主面方向から見たときの外形が略矩形状であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の配線基板。
- 前記埋め込み用セラミックチップは、セラミック誘電体層を介して第1内部電極層と第2内部電極層とが交互に積層配置された構造のセラミックキャパシタであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の配線基板。
- 前記埋め込み用セラミックチップのチップ縁から前記複数の端子電極までの距離が200μm以下であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の配線基板。
- 前記複数の端子電極間の距離が200μm以下であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の配線基板。
- 前記チップ主面におけるセラミックの露出部分の占有面積が、前記チップ主面の面積の10%以上55%以下であることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の配線基板。
- 前記チップ主面において前記複数の端子電極間にできる凹部が、前記層間絶縁層で埋められていることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の配線基板。
- 請求項1乃至10のいずれか1項に記載の配線基板の製造方法であって、
収容穴部を有する基板コアと、占有面積がチップ主面の面積の45%以上90%以下となるように設定された複数の端子電極上に金属層を形成した埋め込み用セラミックチップとを準備する準備工程と、
前記収容穴部内に前記埋め込み用セラミックチップを収容し、この状態で前記収容穴部の内面と前記埋め込み用セラミックチップの側面との隙間を充填剤で埋めて、前記埋め込み用セラミックチップを固定する固定工程と、
前記金属層の表面を粗化する粗化工程と、
前記粗化工程の後、前記コア主面及び前記チップ主面の上にビルドアップ層を形成するビルドアップ層形成工程と
を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。 - 高分子材料を主体として形成された基板コア内に埋め込まれた状態で使用されるセラミックチップであって、
チップ主面を有する板状のセラミック焼結体と、
前記セラミック焼結体の内部に形成された内部導体と、
前記チップ主面上に突設され前記内部導体に導通するメタライズ層からなる複数の端子電極と
を備え、前記チップ主面上に存在する前記複数の端子電極の占有面積が、前記チップ主面の面積の45%以上90%以下であることを特徴とする埋め込み用セラミックチップ。 - 前記複数の端子電極の表面は、前記セラミック焼結体の前記チップ主面よりも粗いことを特徴とする請求項12に記載の埋め込み用セラミックチップ。
- 前記複数の端子電極の表面には、前記複数の端子電極を構成する金属よりも軟かい金属からなる金属層が形成されるとともに、その金属層の表面粗さRaが0.2μm以上であることを特徴とする請求項13に記載の埋め込み用セラミックチップ。
- 前記金属層は銅めっき層であることを特徴とする請求項14に記載の埋め込み用セラミックチップ。
- 前記複数の端子電極は、前記チップ主面方向から見たときの外形が略矩形状であることを特徴とする請求項12乃至15のいずれか1項に記載の埋め込み用セラミックチップ。
- セラミック誘電体層を介して第1内部電極層と第2内部電極層とが交互に積層配置された構造のセラミックキャパシタであることを特徴とする請求項12乃至16のいずれか1項に記載の埋め込み用セラミックチップ。
- チップ縁から前記複数の端子電極までの距離が200μm以下であることを特徴とする請求項12乃至17のいずれか1項に記載の埋め込み用セラミックチップ。
- 前記複数の端子電極間の距離が200μm以下であることを特徴とする請求項12乃至18のいずれか1項に記載の埋め込み用セラミックチップ。
- 前記チップ主面におけるセラミックの露出部分の占有面積が、前記チップ主面の面積の10%以上55%以下であることを特徴とする請求項12乃至19のいずれか1項に記載の埋め込み用セラミックチップ。
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