JP2007066892A - 電子放出素子、電子放出表示装置および電子放出表示装置の製造方法 - Google Patents
電子放出素子、電子放出表示装置および電子放出表示装置の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】本発明は、カソード電極14と;カソード電極14と絶縁されて位置するゲート電極28と;電子放出部20と;カソード電極14と電子放出部20とに電気的に連結される抵抗層22とを含み、抵抗層22は、金属酸化物または金属窒化物から形成される電子放出素子104を提供する。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の第1実施形態に係る電子放出表示装置の部分分解斜視図である。図2は、本発明の第1実施形態に係る電子放出表示装置の部分断面図である。図3は、図1に図示した電子放出ユニットの部分平面図である。
図4は、本発明の第2実施形態に係る電子放出表示装置における電子放出ユニットの部分平面図である。
図5は、本発明の第3実施形態に係る電子放出表示装置における電子放出ユニットの部分平面図である。
図6は、本発明の第4実施形態に係る電子放出表示装置の部分断面図である。図6に示されているように、本実施形態の電子放出表示装置は、上述した第1実施形態の構成を基本構成として含みながら、追加絶縁層40および集束電極42をさらに含む。より具体的に説明すると、本実施形態の電子放出ユニット100Dは、追加絶縁層40および集束電極42を含む。追加絶縁層40および集束電極42は、ゲート電極28上で第1基板10全体に形成され、電子ビーム通過のための開口部401、開口部421を形成する。集束電極42は、追加絶縁層40上に形成され、ゲート電極28と絶縁される。追加絶縁層40の開口部は、開口部401に相当し、集束電極42の開口部は、開口部421に相当する。
12 第2基板
14 カソード電極
16 第1電極
18 第2電極
20 電子放出部
22、22’ 抵抗層
24、24’、24” 拡散防止層
26 絶縁層
28 ゲート電極
30 蛍光層
32 黒色層
34 アノード電極
40 追加絶縁層
42 集束電極
44 金属膜
100A、100B 電子放出ユニット
102 発光ユニット
104 電子放出素子
181 開口部
241 第1開口部
242 第2開口部
261、401、421、441 開口部
Claims (21)
- カソード電極と;
前記カソード電極と絶縁されて位置するゲート電極と;
電子放出部と;
前記カソード電極と前記電子放出部とに電気的に連結される抵抗層と;
を含み、
前記抵抗層は、金属酸化物または金属窒化物から形成されることを特徴とする、電子放出素子。 - 前記金属酸化物または前記金属窒化物は、クロム、モリブデン、ニオブ、ニッケル、タングステン、タンタル、アルミニウム、白金およびこれらの組み合わせよりなる群から選択される金属を含むことを特徴とする、請求項1に記載の電子放出素子。
- 前記カソード電極は、
第1電極と;
前記第1電極と所定の間隔をおいて位置する第2電極と;
を含み、
前記電子放出部は、前記第1電極上に形成されることを特徴とする、請求項1または2に記載の電子放出素子。 - 前記第1電極は、透明導電物質で形成され、前記第2電極は、金属で形成されることを特徴とする、請求項3に記載の電子放出素子。
- 前記金属酸化物または前記金属窒化物は、前記第2電極を構成する前記金属と同一の金属で形成されることを特徴とする、請求項4に記載の電子放出素子。
- 互いに対向して配置される第1基板および第2基板と;
前記第1基板上に形成されるカソード電極と;
前記カソード電極に電気的に連結される電子放出部と;
前記カソード電極と前記電子放出部とに電気的に連結される抵抗層と;
前記カソード電極を覆いながら前記第1基板上に形成され、前記電子放出部に対応する開口部を備える拡散防止層と;
絶縁層を間において前記拡散防止層上に形成され、前記電子放出部に対応する開口部を備えるゲート電極と;
前記第2基板の一面に形成される蛍光層と;
前記蛍光層の一面に位置するアノード電極と;
を含むことを特徴とする、電子放出表示装置。 - 前記抵抗層は、金属酸化物または金属窒化物から形成されることを特徴とする、請求項6に記載の電子放出表示装置。
- 前記金属酸化物または前記金属窒化物は、クロム、モリブデン、ニオブ、ニッケル、タングステン、タンタル、アルミニウム、白金およびこれらの組み合わせよりなる群から選択される金属を含むことを特徴とする、請求項7に記載の電子放出表示装置。
- 前記拡散防止層は、酸化シリコン、酸化チタン、窒化シリコン、窒化チタンおよびこれらの混合物よりなる群から選択される絶縁物質で形成されることを特徴とする、請求項6〜8のいずれかに記載の電子放出表示装置。
- 前記拡散防止層は、前記電子放出部より低い高さを備えることを特徴とする、請求項6〜9のいずれかに記載の電子放出表示装置。
- 前記カソード電極は、
第1電極と;
前記第1電極と所定の間隔をおいて位置する第2電極と;
を含み、
前記電子放出部は、前記第1電極上に形成されることを特徴とする、請求項6〜10のいずれかに記載の電子放出表示装置。 - 前記第1電極は、透明導電物質で形成され、前記第2電極は、金属で形成されることを特徴とする、請求項11に記載の電子放出表示装置。
- 前記抵抗層は、金属酸化物または金属窒化物から形成され、
前記金属酸化物または前記金属窒化物は、前記第2電極を構成する前記金属と同一の金属で形成されることを特徴とする、請求項12に記載の電子放出表示装置。 - 前記第1電極は、少なくとも一つ以上で構成され、
前記第2電極は、少なくとも一つ以上の前記第1電極の外郭に位置し、少なくとも一つ以上の前記第1電極を配置する開口部を備え、
前記抵抗層は、各々の前記第1電極の両側において、前記第1電極および前記第2電極に接触するように形成されることを特徴とする、請求項11〜13のいずれかに記載の電子放出表示装置。 - 前記第1電極は、前記第2電極の前記開口部内において、複数で配置され、
前記第1電極が配置される方向に沿って、前記第1電極に電気的に連結される追加抵抗層をさらに含むことを特徴とする、請求項14に記載の電子放出表示装置。 - 前記ゲート電極の上部で、前記ゲート電極と絶縁されて位置する集束電極をさらに含むことを特徴とする、請求項6〜15のいずれかに記載の電子放出表示装置。
- 基板上に、透明導電物質で少なくとも一つ以上の第1電極を形成する第1電極形成段階と;
前記基板上に、少なくとも一つ以上の前記第1電極を囲んで、各々前記第1電極の両側において、前記第1電極の上面の一部と接触する第2電極を金属より形成する第2電極形成段階と;
前記基板全体に拡散防止層を形成する拡散防止層形成段階と;
前記拡散防止層に、前記第1電極の表面の一部を露出する第1開口部、および、前記第1電極に接触する領域を含む前記第2電極の表面の一部を露出する第2開口部を形成する第1開口部および第2開口部形成段階と;
前記第2開口部によって露出される前記第2電極の部位を酸化または窒化させて、抵抗層を形成する抵抗層形成段階と;
を含んで構成されることを特徴とする、電子放出表示装置の製造方法。 - 前記第1開口部および第2開口部形成段階の後で、前記基板全体に、絶縁層を形成する絶縁層形成段階をさらに含み、
前記絶縁層形成段階では、前記絶縁層とともに前記抵抗層を形成することを特徴とする、請求項17に記載の電子放出表示装置の製造方法。 - 前記絶縁層形成段階は、前記基板全体に酸化物を塗布し、前記酸化物を乾燥および焼成する過程を含み、
前記絶縁層を構成する前記酸化物を焼成する時、前記第2開口部によって露出される前記第2電極の前記部位は、酸化されて、金属酸化物から構成される前記抵抗層を形成することを特徴とする、請求項18に記載の電子放出表示装置の製造方法。 - 前記絶縁層形成段階は、前記基板全体に窒化物を塗布し、前記窒化物を乾燥および焼成する過程を含み、
前記絶縁層を構成する前記窒化物を焼成する時、前記第2開口部によって露出される前記第2電極の前記部位は、窒化されて、金属窒化物から構成される前記抵抗層を形成することを特徴とする、請求項18に記載の電子放出表示装置の製造方法。 - 前記第1電極を構成する前記透明導電物質は、インジウムスズ酸化物またはインジウム亜鉛酸化物であり、
前記第2電極を構成する前記金属は、クロム、モリブデン、ニオブ、ニッケル、タングステン、タンタル、アルミニウム、白金およびこれらの組み合わせよりなる群から選択されることを特徴とする、請求項17〜20のいずれかに記載の電子放出表示装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050078749A KR101107134B1 (ko) | 2005-08-26 | 2005-08-26 | 전자 방출 소자, 전자 방출 디바이스 및 그 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007066892A true JP2007066892A (ja) | 2007-03-15 |
JP4602295B2 JP4602295B2 (ja) | 2010-12-22 |
Family
ID=37507685
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006225758A Expired - Fee Related JP4602295B2 (ja) | 2005-08-26 | 2006-08-22 | 電子放出表示装置および電子放出表示装置の製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7626323B2 (ja) |
EP (1) | EP1758147B1 (ja) |
JP (1) | JP4602295B2 (ja) |
KR (1) | KR101107134B1 (ja) |
CN (1) | CN1921052A (ja) |
DE (1) | DE602006005434D1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20070036925A (ko) * | 2005-09-30 | 2007-04-04 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출 디바이스 및 이를 이용한 전자 방출 표시디바이스 |
FR2946456A1 (fr) * | 2009-06-05 | 2010-12-10 | Thales Sa | Source de faisceau electronique collimate a cathode froide |
US10658144B2 (en) * | 2017-07-22 | 2020-05-19 | Modern Electron, LLC | Shadowed grid structures for electrodes in vacuum electronics |
CN112092624B (zh) * | 2019-12-27 | 2022-06-14 | 长城汽车股份有限公司 | 用于挡杆位置判断的监控方法及装置、整车控制器及车辆 |
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EP0503638B1 (en) * | 1991-03-13 | 1996-06-19 | Sony Corporation | Array of field emission cathodes |
JP2000277003A (ja) | 1999-03-23 | 2000-10-06 | Futaba Corp | 電子放出源の製造方法及び電子放出源 |
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JP4670137B2 (ja) | 2000-03-10 | 2011-04-13 | ソニー株式会社 | 平面型表示装置 |
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US6891319B2 (en) | 2001-08-29 | 2005-05-10 | Motorola, Inc. | Field emission display and methods of forming a field emission display |
FR2829873B1 (fr) | 2001-09-20 | 2006-09-01 | Thales Sa | Procede de croissance localisee de nanotubes et procede de fabrication de cathode autoalignee utilisant le procede de croissance de nanotubes |
KR100790847B1 (ko) * | 2001-11-23 | 2008-01-02 | 삼성에스디아이 주식회사 | 탄소나노튜브를 포함하는 접착용 복합체 및 이를 이용한전자방출소자 및 그 제조방법 |
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JP3937907B2 (ja) * | 2002-05-01 | 2007-06-27 | ソニー株式会社 | 冷陰極電界電子放出表示装置 |
KR100884527B1 (ko) | 2003-01-07 | 2009-02-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 방출 표시장치 |
US7230372B2 (en) * | 2004-04-23 | 2007-06-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron-emitting device, electron source, image display apparatus, and their manufacturing method |
-
2005
- 2005-08-26 KR KR1020050078749A patent/KR101107134B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-08-08 US US11/500,376 patent/US7626323B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-08-17 CN CNA2006101159025A patent/CN1921052A/zh active Pending
- 2006-08-22 JP JP2006225758A patent/JP4602295B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-08-23 EP EP06119344A patent/EP1758147B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-08-23 DE DE602006005434T patent/DE602006005434D1/de active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101107134B1 (ko) | 2012-01-31 |
CN1921052A (zh) | 2007-02-28 |
EP1758147A3 (en) | 2007-03-07 |
US7626323B2 (en) | 2009-12-01 |
JP4602295B2 (ja) | 2010-12-22 |
EP1758147A2 (en) | 2007-02-28 |
DE602006005434D1 (de) | 2009-04-16 |
US20070046175A1 (en) | 2007-03-01 |
EP1758147B1 (en) | 2009-03-04 |
KR20070024136A (ko) | 2007-03-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090624 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090707 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091001 |
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RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131008 Year of fee payment: 3 |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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