JP2006049290A - 電子放出素子及びその製造方法 - Google Patents
電子放出素子及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006049290A JP2006049290A JP2005187002A JP2005187002A JP2006049290A JP 2006049290 A JP2006049290 A JP 2006049290A JP 2005187002 A JP2005187002 A JP 2005187002A JP 2005187002 A JP2005187002 A JP 2005187002A JP 2006049290 A JP2006049290 A JP 2006049290A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating layer
- opening
- electron
- electrode
- emitting device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 59
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 2
- 239000002121 nanofiber Substances 0.000 claims description 2
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- -1 C 60 Chemical compound 0.000 claims 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract description 19
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003184 C60 fullerene group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
- H01J1/304—Field-emissive cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/48—Electron guns
- H01J29/481—Electron guns using field-emission, photo-emission, or secondary-emission electron source
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/10—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
- H01J31/12—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
- H01J31/123—Flat display tubes
- H01J31/125—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection
- H01J31/127—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection using large area or array sources, i.e. essentially a source for each pixel group
Landscapes
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
【課題】 集束電極を支持する絶縁層が高い縦横比の開口部を有するようにして、電子ビームの集束効率を高めて、高解像度の実現に有利な、電子放出素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明による電子放出素子は、互いに対向配置される第1基板及び第2基板、第1基板上に形成されるカソード電極、カソード電極に形成される電子放出部、第1絶縁層を間に置いて、カソード電極上に形成されるゲート電極、第2絶縁層を間に置いて、第1絶縁層及びゲート電極上に形成される集束電極を含む。この時、第1絶縁層、ゲート電極、第2絶縁層、及び集束電極は、電子放出部が第1基板上に露出されるようにする各々の開口部を形成する。そして、第1絶縁層に向かう第2絶縁層の一面で測定される開口部の大きさが、第2絶縁層に向かう第1絶縁層の一面で測定される開口部の大きさより小さく形成される。
【選択図】 図1
【解決手段】 本発明による電子放出素子は、互いに対向配置される第1基板及び第2基板、第1基板上に形成されるカソード電極、カソード電極に形成される電子放出部、第1絶縁層を間に置いて、カソード電極上に形成されるゲート電極、第2絶縁層を間に置いて、第1絶縁層及びゲート電極上に形成される集束電極を含む。この時、第1絶縁層、ゲート電極、第2絶縁層、及び集束電極は、電子放出部が第1基板上に露出されるようにする各々の開口部を形成する。そして、第1絶縁層に向かう第2絶縁層の一面で測定される開口部の大きさが、第2絶縁層に向かう第1絶縁層の一面で測定される開口部の大きさより小さく形成される。
【選択図】 図1
Description
本発明は電子放出素子に関し、より詳しくは、電子ビームの集束のために提供される集束電極及び集束電極を支持する絶縁層の構造を改善した、電子放出素子及びその製造方法に関する。
一般に、電子放出素子は、電子源の種類によって、熱陰極(hot cathode)を利用する方式と冷陰極(cold cathode)を利用する方式とに分類することができる。
ここで、冷陰極を利用する方式の電子放出素子としては、電界放出アレイ(field emitter array;FEA)型、表面電導エミッション(surface-conduction emission;SCE)型、金属−絶縁層−金属(metal-insulator-metal;MIM)型、及び金属−絶縁層−半導体(metal-insulator-semiconductor;MIS)型などが知られている。
前記電子放出素子は、その種類によって細部の構造が異なるが、基本的には、真空容器を構成する両基板のうちの第1基板上に電子放出部及び画素別の電子放出を制御する駆動電極を形成し、第2基板上に蛍光層及びアノード電極を形成して、所定の発光または表示動作行う。
このような電子放出素子において、電子ビームの経路を目的の方向に誘導して、表示特性を向上させようという努力が行われている。例えば、第1基板側から放出された電子が第2基板に向かって拡散して進む場合には、目的とする色の蛍光層を正確に発光させることができないばかりか、隣接する他の色の蛍光層を発光させるようになる。
したがって、電子ビームの制御のための手段の一つとして、集束電極が提案された。集束電極は、電子放出部を囲んで、第1基板の構造物の最上部に位置する。この時、集束電極の下部には、絶縁層が形成されて、駆動電極及び集束電極の間の通電を防止する。絶縁層及び集束電極には、電子放出部が基板上で露出されるようにする各々の開口部が形成されて、電子ビームの移動経路を提供する。
一方、電子放出素子を製造する工程において、前記絶縁層に開口部を形成する時には、主に湿式エッチングを行っている。ところが、湿式エッチングは、等方的にエッチングが進められるため、絶縁層を深くエッチングするほど開口部の幅が大きくなる問題点がある。つまり、湿式エッチングでは、高い縦横比の開口部を形成するのが難しい。ここで、縦横比は、開口部の幅に対する深さの比を意味する。
特に、公知のFEA型電子放出素子のように、一対の駆動電極の間に第1絶縁層が位置して、いずれか一つの駆動電極及び集束電極の間に第2絶縁層が位置する場合、湿式エッチングによって第2絶縁層及び第1絶縁層の開口部を順次に形成すると、第2絶縁層は第1絶縁層の開口部が完成するまで持続的にエッチングが行われるので、意図した開口部より大きな幅の開口部が形成されるようになる。つまり、第2絶縁層には、第1絶縁層の開口部より大きな幅の開口部が形成されるようになる。
その結果、従来の電子放出素子は、高集積化が難しくて、解像度を高めるのに限界があり、電子ビームの経路に対して集束電極が遠く位置して、電子ビームの集束効率が低下する問題点がある。さらに、電子放出部に対して集束電極の高さを高くするほど、電子ビームの集束効率が高まるが、前述のように第2絶縁層に大きな縦横比の開口部を形成するのが難しいという工程の特性上、電子ビームの集束効率を高めるのに限界がある。
したがって、本発明は、前記問題点を解消するためのものであって、本発明の目的は、集束電極を支持する絶縁層が高い縦横比の開口部を有するようにして、電子ビームの集束効率を高めて、高解像度の実現に有利な、電子放出素子及びその製造方法を提供することにある。
前記目的を達成するために、本発明は、互いに対向配置される第1基板と第2基板、第1基板上に形成されるカソード電極、カソード電極に形成される電子放出部、第1絶縁層を間に置いて、カソード電極上に形成されるゲート電極、第2絶縁層を間に置いて、第1絶縁層及びゲート電極上に形成される集束電極を含み、第1絶縁層、ゲート電極、第2絶縁層、及び集束電極は、電子放出部が第1基板上に露出されるようにする各々の開口部を形成して、第1絶縁層に向かう第2絶縁層の一面で測定される開口部の大きさが、第2絶縁層に向かう第1絶縁層の一面で測定される開口部の大きさより小さく形成される、電子放出素子を提供する。
前記第1絶縁層に向かう第2絶縁層の一面で測定される開口部の大きさが、ゲート電極の開口部の大きさより小さく形成されるのが好ましい。
前記第1絶縁層の開口部及び第2絶縁層の開口部は、第1基板の厚さ方向に沿って幅が変化して、第2絶縁層の開口部の最小幅が、第1絶縁層の開口部の最大幅より小さく形成されるのが好ましい。
前記第2絶縁層の開口部の最大幅が前記第1絶縁層の開口部の最大幅より小さく形成され、前記第2絶縁層の開口部の最小幅が前記第1絶縁層の開口部の最小幅より小さく形成されるのが好ましい。また、第2絶縁層の開口部の最大幅が、ゲート電極の開口部の幅より小さいか同一に形成されるのが好ましい。
前記第2絶縁層及び集束電極の開口部は、第1絶縁層及びゲート電極の開口部と一対一に対応配置されるのが好ましい。
前記第2絶縁層は、第1絶縁層より小さいエッチング率を有して、第1絶縁層のエッチング率の1/3倍より小さいか同一なエッチング率を有するのが好ましい。
また、前記目的を達成するために、本発明は、基板上にカソード電極を形成する段階、カソード電極を覆いながら、基板全体に第1絶縁層を形成する段階、第1絶縁層上に開口部を有するゲート電極を形成する段階、第1絶縁層及びゲート電極上に第1絶縁層より小さいエッチング率を有する絶縁物質で第2絶縁層を形成する段階、第2絶縁層上に開口部を有する集束電極を形成する段階、集束電極及びゲート電極をマスクとして使用して、第2絶縁層及び第1絶縁層を湿式エッチングすることによって、第2絶縁層に開口部を形成すると同時に、第1絶縁層に第2絶縁層の開口部より大きいか同一な大きさの開口部を形成する段階、開口部内のカソード電極上に電子放出部を形成する段階を含む、電子放出素子の製造方法を提供する。
このように、本発明による電子放出素子は、第2絶縁層及び集束電極の開口部の形状によって、電子ビームの直進性を高め、電子ビームの集束効率を高めることができる。したがって、本発明の電子放出素子は、画面の色再現率を高めるなど、画面品質を向上させる効果があり、電子放出のための構造物を構成する各要素を固執的に配置することができて、高解像度の実現に有利な効果がある。
以下、添付した図面を参考にして、本発明の好ましい実施形態について、より詳細に説明する。
図1乃至図3を参考にすれば、電子放出素子は、所定の間隔をおいて互いに対向配置される第1基板2及び第2基板4を含む。前記基板のうちの第1基板2には、電子放出のための構造物が提供され、第2基板4には、電子によって可視光を放射して所定の発光または表示動作を行う構造物が提供される。
まず、第1基板2上には、カソード電極6が第1基板2の一方向(図面のy軸方向)に沿ってストライプパターンを形成し、カソード電極6を覆いながら第1基板2全体に第1絶縁層8が形成される。第1絶縁層8上には、ゲート電極10がカソード電極6と直交する方向(図面のx軸方向)に沿ってストライプパターンを形成する。
カソード電極6及びゲート電極10の交差領域がサブピクセル領域をなし、カソード電極6上に、各サブピクセル領域ごとに一つ以上の電子放出部12が形成される。そして、第1絶縁層8及びゲート電極10には、電子放出部12に対応する各々の開口部81、101が形成されて、第1基板2上に電子放出部12が露出されるようにする。
前記電子放出部12は、電界が加えられると電子を放出する物質、例えばカーボン系の物質またはナノメートルサイズの物質からなるのが好ましい。電子放出部12に使用される物質としては、カーボンナノチューブ、グラファイト(graphite)、グラファイトナノファイバー、ダイヤモンド状カーボン、C60、シリコンナノワイヤー、及びこれらの組み合わせからなる物質が好ましく、その製造法としては、直接成長、スクリーン印刷、化学気相蒸着、またはスパッタリングなどが好ましい。
前記ゲート電極10及び第1絶縁層8上に、第2絶縁層14及び集束電極16が形成される。第2絶縁層14及び集束電極16にも、第1基板2上に電子放出部12が露出されるようにする各々の開口部141、161が形成されるが、集束電極16は、各電子放出部12から放出される電子ビームの経路を囲んで、ビームの集束効率を高めることができるように、各電子放出部12に対応する開口部161を形成する。つまり、本実施形態において、第2絶縁層及び集束電極の開口部141、161は、第1絶縁層及びゲート電極の開口部81、101と一対一に対応配置される構造である。
図面では、集束電極16が第1基板2全体に形成されることを示したが、集束電極16は、任意のパターンに区分されて複数が形成されることもできる。この場合にも、第2絶縁層14及び集束電極16には、前述と同一な開口部141、161が形成されて、第1基板2上に電子放出部12が露出されるようにする。
ここで、本実施形態の電子放出素子は、第1絶縁層8に向かう第2絶縁層14の一面で測定される開口部141の大きさが、第2絶縁層14に向かう第1絶縁層8の一面で測定される開口部81の大きさより小さく形成される構造である。特に、本実施形態において、第1絶縁層8に向かう第2絶縁層14の一面で測定される開口部141の大きさが、ゲート電極10の開口部101より小さく形成される。
これにより、カソード電極6及びゲート電極10の間の電位差によって電子放出部12の周囲に電界が形成されて、これから電子が放出される時に、第2絶縁層14によって第2基板4に向かって進む電子ビームの通過部位が狭くなり、集束電極16が電子ビームの移動経路と近接して、これを囲む構造になる。
前記第1絶縁層8の開口部81及び第2絶縁層14の開口部141は、湿式エッチング工程によって完成することができる。この場合、湿式エッチングの等方性エッチング特性により、二つの絶縁層8、14の開口部81、141は、第1基板2から遠くなるほどその幅が漸進的に大きくなる傾斜面を形成するようになる。
図3を参考にすれば、第2絶縁層の開口部141の最小幅(W1)が、第1絶縁層の開口部81の最大幅(W4)より小さく形成される。また、第2絶縁層の開口部141の最大幅(W2)が、第1絶縁層の開口部81の最大幅(W4)より小さく形成され、第2絶縁層の開口部141の最小幅(W1)が、第1絶縁層の開口部81の最小幅(W3)より小さく形成され、第2絶縁層の開口部141の最大幅(W2)が、ゲート電極の開口部101の幅(W5)より小さいか同一に形成される。したがって、第2絶縁層14の開口部141全体がゲート電極10の開口部101より小さいか同一な幅を有する。
前記第1絶縁層8及び第2絶縁層14は、任意のエッチング液に対して互いに異なるエッチング率を有する物質からなり、この場合、一度のエッチング工程によって前述した形状特性を満たす開口部81、141を得ることができる。このために、第2絶縁層14が第1絶縁層8より小さいエッチング率を有し、好ましくは、第2絶縁層14のエッチング率は、第1絶縁層8のエッチング率の1/3倍以下である。第1絶縁層8及び第2絶縁層14のエッチング率の差が大きいほど、第1絶縁層8の開口部81と比べて第2絶縁層14に、より大きさの小さい開口部141を形成することができる。
次に、第1基板2に対向する第2基板4の一面には、蛍光層18、例えば赤色、緑色、及び青色の蛍光層が任意の間隔をおいて形成されて、蛍光層18の間に画面のコントラストの向上のための黒色層20が形成される。
蛍光層18及び黒色層20上には、アルミニウム(Al)のような金属膜からなるアノード電極22が形成される。アノード電極22は、外部から電子ビームの加速に必要な電圧の印加を受けて、蛍光層18から放射された可視光のうちの第1基板2に向かって放射された可視光を第2基板4側に反射させて、画面の輝度を高める役割を果たす。
一方、アノード電極は、金属膜でないITO(indium tin oxide)のような透明な導電膜からなることもできる。この場合、アノード電極は、第2基板に向かう側の蛍光層及び黒色層の一面に位置して、所定のパターンに区分されて複数を形成することができる。
前記第1基板2及び第2基板4は、その間にスペーサ24を配置した状態で、ガラスフリットのような密封材により周囲が一体に接合されて、内部空間を排気して真空状態に維持することによって、電子放出素子を構成する。この時、スペーサ24は、黒色層20が位置する非発光領域に対応して配置される。
前記構成の電子放出素子は、外部からカソード電極6、ゲート電極10、集束電極16、及びアノード電極22に所定の電圧を供給して駆動する。例えば、カソード電極6及びゲート電極10には数乃至数十ボルトの電圧差を有する駆動電圧(走査信号電圧及びデータ信号電圧)が印加され、集束電極16には数乃至数十ボルトの(−)電圧が印加され、アノード電極22には数百乃至数千ボルトの(+)電圧が印加される。
したがって、カソード電極6及びゲート電極10の間の電圧差が臨界値以上であるサブピクセルで、電子放出部12の周囲に電界が形成されて電子が放出され、放出された電子は、集束電極16を通過しながら電子ビームの束の中心部に集束された後、アノード電極22に印加された高電圧に引張られて対応する蛍光層18に衝突することによって、これを発光させる。
前記駆動過程において、本実施形態の電子放出素子は、狭くなった第2絶縁層14の開口部141によって電子放出部12から放出された電子のうちの拡散して進む電子の一定の部分が、第2絶縁層14によって遮断されて、ビームの直進性を高めることができる。また、第2絶縁層14の開口部141を通過した電子は、電子ビームの経路上に近接して位置する集束電極16によって強い集束力の印加を受けて、電子ビームの集束効率が高まる長所が予想される。
次に、図4A乃至図4Eを参考にして、本発明の一実施形態による電子放出素子の製造方法について説明する。
まず、図4Aに示したように、第1基板2上に第1基板2の一方向に沿ってカソード電極6を形成し、カソード電極6を覆いながら第1基板2全体に第1絶縁層8を形成する。第1絶縁層8は、スクリーン印刷、乾燥、及び焼成過程を数回繰り返して、ほぼ5〜30μmの厚さに形成することができる。
そして、第1絶縁層8上にカソード電極6と交差する方向に沿ってゲート電極10を形成するが、カソード電極6及びゲート電極10の交差領域、つまり画素領域ごとに、ゲート電極10の内部に少なくとも一つの開口部101を共に形成する。
次に、図4Bに示したように、第1絶縁層8及びゲート電極10上に、第2絶縁層14を形成する。第2絶縁層14も、スクリーン印刷、乾燥、及び焼成過程を数回繰り返して、ほぼ5〜30μmの厚さに形成することができる。そして、第2絶縁層14上に導電物質をコーティングしてパターニングし、開口部161を有する集束電極16を形成する。
前記第1絶縁層8及び第2絶縁層14は、任意のエッチング液に対して互いに異なるエッチング率を有する物質からなり、好ましくは、第1絶縁層8のエッチング率の1/3倍以下のエッチング率を有する物質で第2絶縁層14を形成する。
次に、図4C及び図4dに示したように、集束電極16及びゲート電極10をマスクとして使用して、1連の湿式エッチング工程によって第2絶縁層14及び第1絶縁層8をエッチングする。
まず、図4Cに示したように、集束電極の開口部161によって露出された第2絶縁層14の部位を湿式エッチングする。この過程で、湿式エッチングの等方性エッチング特性により、第2絶縁層14の開口部141は任意の傾斜を有するようになる。
次に、図4Dに示したように、第2絶縁層14の開口部141が第1絶縁層8に到達して第1絶縁層8の表面が露出されれば、第1絶縁層8がエッチングされて開口部81が形成される。この過程で、前述した第1絶縁層8及び第2絶縁層14のエッチング率の差によって、第1絶縁層8が第2絶縁層14より多量にエッチングされて除去されて、第1絶縁層8の開口部81が第2絶縁層14の開口部141より大きな幅を有するようになる。
したがって、第2絶縁層14及び集束電極16には、第1絶縁層8の開口部81より小さな開口部141、161が形成され、第2絶縁層の開口部141の最小幅をゲート電極の開口部101の幅より小さく形成することができる。前記第1絶縁層8及び第2絶縁層16のエッチング率の差を大きくするほど、第1絶縁層の開口部81及び第2絶縁層の開口部141の大きさの差を大きくすることができる。
次に、第1絶縁層の開口部81によって露出されたカソード電極6上に、電子放出部を形成する。電子放出部を形成する過程は、一例として、図4Eに示したように、(1)粉末状の電子放出物質にビヒクルやバインダーなどの有機物及び感光性物質を混合して、印刷に適した粘度のペースト状の電子放出物質を形成し、(2)第1基板2の構造物の最上部に電子放出物質を任意の厚さでスクリーン印刷し(点線表示参考)、(3)第1基板2の後面に開口部261を有する露光マスク26を配置し、(4)第1基板2の後面から紫外線を照射して電子放出物質を選択的に硬化し、(5)硬化されない電子放出物質を除去した後に、乾燥及び焼成する過程が行われる。
前記のように、第1基板2の後面から露光を進めれば、カソード電極6に対する電子放出部12の接着力が高まって、精巧なパターニングが可能になる。この時、第1基板2は透明基板で形成し、カソード電極6はITO(Indium Tin Oxide)のような透明導電膜で形成する。
このように、本実施形態の製造方法によると、第1絶縁層8の開口部81及び第2絶縁層14の開口部141を1度のエッチング工程で完成することができて、別途のパターニング工程を行わないでも、第2絶縁層14の開口部141を第1絶縁層8の開口部81より小さいか同一に形成することができ、製造工程を容易にすることができる。
前記では、FEA型電子放出素子について説明したが、本発明はFEA型に限定されず、それ以外の他の電子放出素子にも容易に適用可能である。
また、前記では、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されず、特許請求の範囲、発明の詳細な説明、及び添付した図面の範囲内で多様に変形して実施することが可能であって、これも本発明の範囲に属するのは当然である。
2 第1基板
4 第2基板
6 カソード電極
8 第1絶縁層
10 ゲート電極
12 電子放出部
14 第2絶縁層
16 集束電極
18 蛍光層
20 黒色層
22 アノード電極
81、101、141、161 開口部
4 第2基板
6 カソード電極
8 第1絶縁層
10 ゲート電極
12 電子放出部
14 第2絶縁層
16 集束電極
18 蛍光層
20 黒色層
22 アノード電極
81、101、141、161 開口部
Claims (14)
- 互いに対向配置される第1基板と第2基板;
前記第1基板上に形成されるカソード電極;
前記カソード電極に形成される電子放出部;
第1絶縁層を間に置いて、前記カソード電極上に形成されるゲート電極;及び
第2絶縁層を間に置いて、前記第1絶縁層及びゲート電極上に形成される集束電極;を含み、
前記第1絶縁層、ゲート電極、第2絶縁層、及び集束電極は、前記電子放出部が第1基板上に露出されるようにする各々の開口部を形成して、
前記第1絶縁層に向かう第2絶縁層の一面で測定される開口部の大きさが、前記第2絶縁層に向かう第1絶縁層の一面で測定される開口部の大きさより小さく形成される、電子放出素子。 - 前記第1絶縁層に向かう第2絶縁層の一面で測定される開口部の大きさが、前記ゲート電極の開口部の大きさより小さく形成される、請求項1に記載の電子放出素子。
- 前記第1絶縁層の開口部及び前記第2絶縁層の開口部は、前記第1基板の厚さ方向に沿って幅が変化して、前記第2絶縁層の開口部の最小幅が、前記第1絶縁層の開口部の最大幅より小さく形成される、請求項1に記載の電子放出素子。
- 前記第2絶縁層の開口部の最大幅が前記第1絶縁層の開口部の最大幅より小さく形成され、前記第2絶縁層の開口部の最小幅が前記第1絶縁層の開口部の最小幅より小さく形成される、請求項3に記載の電子放出素子。
- 前記第2絶縁層の開口部の最大幅が、前記ゲート電極の開口部の幅より小さいか同一に形成される、請求項3に記載の電子放出素子。
- 前記第2絶縁層及び集束電極の開口部は、前記第1絶縁層及びゲート電極の開口部と一対一に対応配置される、請求項1に記載の電子放出素子。
- 前記第2絶縁層は、前記第1絶縁層より小さいエッチング率を有する、請求項1に記載の電子放出素子。
- 前記第2絶縁層は、前記第1絶縁層のエッチング率の1/3倍より小さいか同一なエッチング率を有する、請求項7に記載の電子放出素子。
- 前記電子放出部は、カーボンナノチューブ、グラファイト、グラファイトナノファイバー、ダイヤモンド状カーボン、C60、シリコンナノワイヤーのうちのいずれか一つ、またはこれらの組み合わせからなる、請求項1に記載の電子放出素子。
- 前記第2基板上に形成される少なくとも一つのアノード電極、前記アノード電極のいずれか一面に形成される蛍光層をさらに含む、請求項1に記載の電子放出素子。
- (a)基板上にカソード電極を形成する段階;
(b)前記カソード電極を覆いながら、前記基板全体に第1絶縁層を形成する段階;
(c)前記第1絶縁層上に開口部を有するゲート電極を形成する段階;
(d)前記第1絶縁層及びゲート電極上に第1絶縁層より小さいエッチング率を有する絶縁物質で第2絶縁層を形成する段階;
(e)前記第2絶縁層上に開口部を有する集束電極を形成する段階;
(f)前記集束電極及びゲート電極をマスクとして使用して、前記第2絶縁層及び第1絶縁層を湿式エッチングすることによって、第2絶縁層に開口部を形成すると同時に、第1絶縁層に第2絶縁層の開口部より大きいか同一な大きさの開口部を形成する段階;及び
(g)前記開口部内のカソード電極上に電子放出部を形成する段階;を含む、電子放出素子の製造方法。 - 前記第2絶縁層を形成する時、前記第1絶縁層のエッチング率の1/3倍より小さいか同一なエッチング率を有する物質で形成する、請求項11に記載の電子放出素子の製造方法。
- 前記ゲート電極及び集束電極を形成する時、ゲート電極の開口部及び集束電極の開口部が一対一に対応配置されるように形成する、請求項11に記載の電子放出素子の製造方法。
- 前記電子放出部を形成する時、前記基板上の構造物上にペースト状の感光性電子放出物質を塗布して、露光により電子放出物質の一部を選択的に硬化して、硬化されない電子放出物質を除去した後に、乾燥及び焼成する過程を含む、請求項11に記載の電子放出素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040060606A KR20060011668A (ko) | 2004-07-30 | 2004-07-30 | 전자 방출 소자와 이의 제조 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006049290A true JP2006049290A (ja) | 2006-02-16 |
Family
ID=35731341
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005187002A Pending JP2006049290A (ja) | 2004-07-30 | 2005-06-27 | 電子放出素子及びその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060022577A1 (ja) |
JP (1) | JP2006049290A (ja) |
KR (1) | KR20060011668A (ja) |
CN (1) | CN100470712C (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007335389A (ja) * | 2006-06-19 | 2007-12-27 | Tatung Co | 電子放出源及びそれを応用した電界放出ディスプレイ |
JP2008112609A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 冷陰極、冷陰極アレイおよび電界放出型ディスプレイ |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20060011662A (ko) * | 2004-07-30 | 2006-02-03 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출 소자 및 그 제조방법 |
KR20060019846A (ko) * | 2004-08-30 | 2006-03-06 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출 소자 |
KR20060095331A (ko) * | 2005-02-28 | 2006-08-31 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출 소자 |
US7710014B2 (en) * | 2005-03-31 | 2010-05-04 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Electron emission device, electron emission display device using the same and method of manufacturing the same |
US20070096621A1 (en) * | 2005-10-31 | 2007-05-03 | Sang-Ho Jeon | Electron emission display |
KR20070083113A (ko) * | 2006-02-20 | 2007-08-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출 디바이스 및 이를 이용한 전자 방출 표시디바이스 |
KR20080109213A (ko) * | 2007-06-12 | 2008-12-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광 장치 및 표시 장치 |
CN101452797B (zh) * | 2007-12-05 | 2011-11-09 | 清华大学 | 场发射电子源及其制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0794104A (ja) * | 1993-07-28 | 1995-04-07 | Toshiba Lighting & Technol Corp | マイクロ真空増幅素子及びその製造方法 |
JP2001351512A (ja) * | 2000-06-05 | 2001-12-21 | Fujitsu Ltd | 電界放出陰極の製造方法 |
JP2002083555A (ja) * | 2000-07-17 | 2002-03-22 | Hewlett Packard Co <Hp> | セルフアライメント型電子源デバイス |
JP2003323853A (ja) * | 2002-05-01 | 2003-11-14 | Sony Corp | 冷陰極電界電子放出表示装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2318208B (en) * | 1990-07-13 | 1998-09-02 | Marconi Gec Ltd | Electronic switching devices |
US6417605B1 (en) * | 1994-09-16 | 2002-07-09 | Micron Technology, Inc. | Method of preventing junction leakage in field emission devices |
US6022256A (en) * | 1996-11-06 | 2000-02-08 | Micron Display Technology, Inc. | Field emission display and method of making same |
TW403931B (en) * | 1998-01-16 | 2000-09-01 | Sony Corp | Electron emitting apparatus, manufacturing method therefor and method of operating electron emitting apparatus |
US6224447B1 (en) * | 1998-06-22 | 2001-05-01 | Micron Technology, Inc. | Electrode structures, display devices containing the same, and methods for making the same |
EP1134771B1 (en) * | 2000-03-16 | 2009-08-05 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for producing a flux of charge carriers |
JP3654236B2 (ja) * | 2001-11-07 | 2005-06-02 | 株式会社日立製作所 | 電極デバイスの製造方法 |
KR20040034251A (ko) * | 2002-10-21 | 2004-04-28 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계방출소자 |
JP3954002B2 (ja) * | 2002-12-24 | 2007-08-08 | 韓國電子通信研究院 | 電界放出ディスプレイ |
-
2004
- 2004-07-30 KR KR1020040060606A patent/KR20060011668A/ko not_active Application Discontinuation
-
2005
- 2005-06-27 JP JP2005187002A patent/JP2006049290A/ja active Pending
- 2005-07-13 CN CNB2005100836349A patent/CN100470712C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-07-27 US US11/191,360 patent/US20060022577A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0794104A (ja) * | 1993-07-28 | 1995-04-07 | Toshiba Lighting & Technol Corp | マイクロ真空増幅素子及びその製造方法 |
JP2001351512A (ja) * | 2000-06-05 | 2001-12-21 | Fujitsu Ltd | 電界放出陰極の製造方法 |
JP2002083555A (ja) * | 2000-07-17 | 2002-03-22 | Hewlett Packard Co <Hp> | セルフアライメント型電子源デバイス |
JP2003323853A (ja) * | 2002-05-01 | 2003-11-14 | Sony Corp | 冷陰極電界電子放出表示装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007335389A (ja) * | 2006-06-19 | 2007-12-27 | Tatung Co | 電子放出源及びそれを応用した電界放出ディスプレイ |
JP2008112609A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 冷陰極、冷陰極アレイおよび電界放出型ディスプレイ |
JP4741449B2 (ja) * | 2006-10-30 | 2011-08-03 | 日本放送協会 | 冷陰極、冷陰極アレイおよび電界放出型ディスプレイ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20060011668A (ko) | 2006-02-03 |
US20060022577A1 (en) | 2006-02-02 |
CN100470712C (zh) | 2009-03-18 |
CN1728323A (zh) | 2006-02-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2006049290A (ja) | 電子放出素子及びその製造方法 | |
US7581999B2 (en) | Electron emission device having openings with improved aspect ratio and method of manufacturing | |
JP2006073510A (ja) | 電子放出素子及びその製造方法 | |
US20050184634A1 (en) | Electron emission device and method for fabricating the same | |
JP2006244987A (ja) | 電子放出素子及びその製造方法 | |
US7667380B2 (en) | Electron emission device using thick-film insulating structure | |
JP2005294262A (ja) | 電子放出素子及びこれを用いた電子放出表示装置 | |
JP2006019282A (ja) | 電子放出素子及びその製造方法 | |
JP2005317544A (ja) | 電子放出素子用カソード基板,電子放出素子及びその製造方法 | |
JP2006286611A (ja) | 電子放出素子,および電子放出素子の製造方法 | |
JP4418801B2 (ja) | 電子放出デバイス,電子放出表示デバイス,および電子放出デバイスの製造方法 | |
KR20060124209A (ko) | 전자 방출 소자와 이의 제조 방법 | |
KR20070043391A (ko) | 전자 방출 디바이스, 이를 이용한 전자 방출 표시 디바이스및 이의 제조 방법 | |
KR101065371B1 (ko) | 전자 방출 소자 | |
KR101017036B1 (ko) | 전자 방출 소자 | |
JP2006073526A (ja) | 電子放出素子および電子放出の製造方法 | |
KR20070056614A (ko) | 전자 방출 디바이스의 제조 방법 | |
JP2006244980A (ja) | 電子放出素子とその製造方法 | |
JP2007227348A (ja) | 電子放出デバイス、および電子放出デバイスを用いる電子放出表示デバイス | |
KR20070120318A (ko) | 전자 방출 디바이스와 이의 제조 방법 및 이를 이용한 전자방출 표시장치 | |
KR20060020021A (ko) | 전자 방출 소자 및 그 제조방법 | |
KR20050077957A (ko) | 전계 방출 표시장치 | |
KR20070046539A (ko) | 전자 방출 디바이스와 이의 제조 방법 | |
KR20070042692A (ko) | 전자 방출 디바이스와 이의 제조 방법 | |
KR20070046516A (ko) | 전자 방출 디바이스 및 이를 이용한 전자 방출 표시디바이스 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080611 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100929 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101005 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110301 |