JP2007063590A - 真空処理装置及び真空処理方法 - Google Patents
真空処理装置及び真空処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007063590A JP2007063590A JP2005248760A JP2005248760A JP2007063590A JP 2007063590 A JP2007063590 A JP 2007063590A JP 2005248760 A JP2005248760 A JP 2005248760A JP 2005248760 A JP2005248760 A JP 2005248760A JP 2007063590 A JP2007063590 A JP 2007063590A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- discharge
- opening
- processed
- workpiece
- processing chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】 被処理物によって閉塞可能な開口部を有する処理室と、前記被処理物を、前記開口部を閉塞する位置と、前記開口部から離間された位置との間で移動させるアクチュエータと、前記処理室内に放電を生じさせる電力を供給する電源と、前記放電の電気特性に基づいて前記被処理物が前記開口部を閉塞する位置にあるかどうかを判定する制御装置と、を備えたことを特徴とする真空処理装置を提供する。
【選択図】 図1
Description
被処理物によって閉塞可能な開口部を有する処理室と、
前記被処理物を、前記開口部を閉塞する位置と、前記開口部から離間された位置との間で移動させるアクチュエータと、
前記処理室内に放電を生じさせる電力を供給する電源と、
前記放電の電気特性に基づいて前記被処理物が前記開口部を閉塞する位置にあるかどうかを判定する制御装置と、
を備えたことを特徴とする真空処理装置が提供される。
被処理物によって閉塞可能な開口部を有する処理室内に放電を生じさせて、前記被処理物の前記処理室内に臨む部分に前記放電下で処理を行う真空処理方法であって、
前記放電の電気特性に基づいて前記被処理物が前記開口部を閉塞する位置にあるかどうかを判定することを特徴とする真空処理方法が提供される。
図1は、本発明の第1の実施の形態にかかる真空処理装置の構成を例示する模式断面図である。
すなわち、第1の実施形態は、本発明を例えば枚葉式マグネトロンスパッタ装置に適用した実施形態である。この第1の実施形態に係る真空処理装置1は、図1に示すように、主として、処理室2と、搬送室3と、被処理物10を処理室2に移動させるアクチュエータ16などを有する搬送機構と、処理室2内に放電を生じさせる電力を供給する電源5と、制御装置4と、ガス導入管7などを有するガス導入機構と、を備える。
処理室2内には、放電ガスとして例えばアルゴンガスがガス導入管7及びガス導入口33を介して導入されている。ガス流量は、例えば20〜40[sccm]である。開口部17が被処理物10により閉塞された後、処理室2内の圧力が所望の圧力(例えば、0.5〜1[Pa])に安定したところで、電源5をオンさせ、ターゲット18に電力を供給する。この電力の供給により、ターゲット18をカソード、処理室2の壁部をアノードとする放電が生じ、アルゴンガスが電離して処理室2内にプラズマが生起され、加速されたアルゴンイオンによってターゲット18がスパッタされる。ターゲット18の材質は、例えばAg、Alなどである。また、ターゲット18の直径は、例えば180〜200[mm]である。
図6は、正常放電が生ずる場合の放電電圧のタイムチャートの一例を表す。同図において、縦軸は放電電圧を、横軸は時間を示す。図6には、続けて行われる例えば4回分のスパッタ処理における放電電圧を例示した。図1に示す電源5からは定電力(例えば、3〜6[kW])が供給され、各回の処理を通じて放電電圧は例えば650Vと一定である。なお、ここでの放電電圧は、負電圧であり、本願明細書においては、便宜上、電圧の極性は省略してその絶対値に基づいて説明する。
図3は、搬送ミスなどが生じた場合の処理室2の状態を例示する模式図である。
すなわち、プッシャ34に被処理物10が支持されない状態でロッド14が上昇してプッシャ34がセンターマスク19に嵌合してしまうと、図3に示すように処理室2の開口部17は被処理物10によって閉塞されない。
同図に示すように、例えば3回目のスパッタ処理の際に、被処理物10が開口部17を閉塞する位置にセットされなかったとすると、処理室2の圧力は所定値よりも低くなり、このときの放電電圧は例えば800Vとなる。これは、被処理物10が開口部17を閉塞した状態での正常処理のときの放電電圧650Vより大きく、このことから、被処理物10が開口部17を閉塞する位置にあるかどうかを判定できる。
あるいは、正常な状態で放電中の放電電圧等の電気特性値をサンプルホールドし、そのホールド値を基準に被処理物10の有無を判定してもよい。
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。なお、上記第1の実施形態と同じ構成部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
図5は、本実施形態における処理シーケンスを例示するタイムチャートである。
例えば、3回目に800Vの放電電圧が検出されて、「被処理物10が開口部17を閉塞する位置にない」と制御装置4が判定すると、この制御装置4からの制御信号に基づいて直ちに電源5からの電力供給が停止される。被処理物10が開口部17を閉塞している正常処理時には、1回(1枚の)のスパッタ処理あたり、650Vの放電電圧が例えば1.2秒間持続されるのに対して、被処理物10が開口部17を閉塞する位置にないと判定された場合には、放電開始からの800Vの放電電圧の持続時間は例えば0.1秒である。
図8において、横軸は設定電力を、縦軸は放電電圧を表す。
図9において、横軸は設定電力を、縦軸は放電電流を表す。
図10において、横軸は設定電力を、縦軸は放電インピーダンスを表す。
各図において、被処理物10が開口部17を閉塞する位置にある場合のデータは「菱形のポイント」で表され、被処理物10が開口部17を閉塞する位置にない場合のデータは、「四角いポイント」で表される。
2 処理室
3 搬送室
4 制御装置
5 電源
6 マスフローコントローラ
7 放電ガス導入管
9 記憶装置
10 被処理物
15 電力供給線
16 アクチュエータ
17 処理室の開口部
18 ターゲット
19 センターマスク
29 外周マスク
Claims (5)
- 被処理物によって閉塞可能な開口部を有する処理室と、
前記被処理物を、前記開口部を閉塞する位置と、前記開口部から離間された位置との間で移動させるアクチュエータと、
前記処理室内に放電を生じさせる電力を供給する電源と、
前記放電の電気特性に基づいて前記被処理物が前記開口部を閉塞する位置にあるかどうかを判定する制御装置と、
を備えたことを特徴とする真空処理装置。 - 前記制御装置は、放電電圧を監視し、この放電電圧が、前記被処理物が前記開口部を閉塞する位置にある状態の放電電圧よりも大きい場合に、前記被処理物が前記開口部を閉塞する位置にないと判定することを特徴とする請求項1記載の真空処理装置。
- 前記制御装置は、前記被処理物が前記開口部を閉塞する位置にないと判定した時には、前記放電を生じさせる電力の前記電源からの供給を停止させることを特徴とする請求項1または2に記載の真空処理装置。
- 被処理物によって閉塞可能な開口部を有する処理室内に放電を生じさせて、前記被処理物の前記処理室内に臨む部分に前記放電下で処理を行う真空処理方法であって、
前記放電の電気特性に基づいて前記被処理物が前記開口部を閉塞する位置にあるかどうかを判定することを特徴とする真空処理方法。 - 前記被処理物が前記開口部を閉塞する位置にないと判定すると、前記放電を停止させることを特徴とする請求項4記載の真空処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005248760A JP4582711B2 (ja) | 2005-08-30 | 2005-08-30 | 真空処理装置及び真空処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005248760A JP4582711B2 (ja) | 2005-08-30 | 2005-08-30 | 真空処理装置及び真空処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007063590A true JP2007063590A (ja) | 2007-03-15 |
JP4582711B2 JP4582711B2 (ja) | 2010-11-17 |
Family
ID=37926122
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005248760A Active JP4582711B2 (ja) | 2005-08-30 | 2005-08-30 | 真空処理装置及び真空処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4582711B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012135895A (ja) * | 2010-12-24 | 2012-07-19 | Kojima Press Industry Co Ltd | 樹脂製品の製造システム |
US8441209B2 (en) | 2009-03-18 | 2013-05-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lighting device having variable current source |
JP2013171941A (ja) * | 2012-02-20 | 2013-09-02 | Stanley Electric Co Ltd | 真空処理装置および真空処理装置を用いた物品の製造方法 |
US9214632B2 (en) | 2009-03-18 | 2015-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing apparatus and manufacturing method of lighting device |
JP7320829B2 (ja) | 2019-05-30 | 2023-08-04 | 株式会社呉竹 | ペン |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05230652A (ja) * | 1991-01-30 | 1993-09-07 | Shibaura Eng Works Co Ltd | スパッタリング装置 |
JPH11144337A (ja) * | 1997-11-07 | 1999-05-28 | Ricoh Co Ltd | 光記録媒体の製造装置、光記録媒体の製造方法、及び光記録媒体 |
JP2000119850A (ja) * | 1998-10-16 | 2000-04-25 | Ricoh Co Ltd | スパッタリング装置 |
JP2002117595A (ja) * | 2000-10-04 | 2002-04-19 | Ricoh Co Ltd | スパッタ装置及び光情報記録媒体 |
-
2005
- 2005-08-30 JP JP2005248760A patent/JP4582711B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05230652A (ja) * | 1991-01-30 | 1993-09-07 | Shibaura Eng Works Co Ltd | スパッタリング装置 |
JPH11144337A (ja) * | 1997-11-07 | 1999-05-28 | Ricoh Co Ltd | 光記録媒体の製造装置、光記録媒体の製造方法、及び光記録媒体 |
JP2000119850A (ja) * | 1998-10-16 | 2000-04-25 | Ricoh Co Ltd | スパッタリング装置 |
JP2002117595A (ja) * | 2000-10-04 | 2002-04-19 | Ricoh Co Ltd | スパッタ装置及び光情報記録媒体 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8441209B2 (en) | 2009-03-18 | 2013-05-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lighting device having variable current source |
US9214632B2 (en) | 2009-03-18 | 2015-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing apparatus and manufacturing method of lighting device |
US9426848B2 (en) | 2009-03-18 | 2016-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lighting device |
JP2012135895A (ja) * | 2010-12-24 | 2012-07-19 | Kojima Press Industry Co Ltd | 樹脂製品の製造システム |
JP2013171941A (ja) * | 2012-02-20 | 2013-09-02 | Stanley Electric Co Ltd | 真空処理装置および真空処理装置を用いた物品の製造方法 |
JP7320829B2 (ja) | 2019-05-30 | 2023-08-04 | 株式会社呉竹 | ペン |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4582711B2 (ja) | 2010-11-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10069443B2 (en) | Dechuck control method and plasma processing apparatus | |
TWI435946B (zh) | Magnetron sputtering device and magnetron sputtering method | |
JP4582711B2 (ja) | 真空処理装置及び真空処理方法 | |
KR19980071126A (ko) | 펌프 다운 시간과 기본 압력을 감소시키도록 도포된 진공 챔버 | |
JP2013149935A (ja) | 離脱制御方法及びプラズマ処理装置 | |
US11862439B2 (en) | Substrate processing apparatus and charge neutralization method for mounting table | |
TW202136554A (zh) | 製造半導體元件的設備 | |
US6241477B1 (en) | In-situ getter in process cavity of processing chamber | |
KR102277547B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 안착 상태 판단 방법 | |
US11955355B2 (en) | Isolated volume seals and method of forming an isolated volume within a processing chamber | |
JP7346044B2 (ja) | 真空処理装置 | |
KR20220053479A (ko) | 리프트 핀의 콘택트 위치 조정 방법, 리프트 핀의 콘택트 위치 검지 방법, 및 기판 탑재 기구 | |
JP2010283174A (ja) | 半導体製造装置 | |
JP7296739B2 (ja) | 処理装置及び処理装置の動作方法 | |
JPH05152425A (ja) | 処理装置およびスパツタリング装置 | |
US11772137B2 (en) | Reactive cleaning of substrate support | |
US11512387B2 (en) | Methods and apparatus for passivating a target | |
US20050269200A1 (en) | Film deposition | |
US20220341028A1 (en) | Vacuum processing apparatus | |
WO2024029126A1 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及びプログラム | |
JP6035002B1 (ja) | スパッタリング装置及びその状態判別方法 | |
JP2024056319A (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
KR20240013165A (ko) | 기판을 프로세싱하기 위한 방법들 및 장치 | |
WO2017029771A1 (ja) | スパッタリング装置及びその状態判別方法 | |
WO2022250937A1 (en) | Methods and apparatus for processing a substrate |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080812 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100816 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100827 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100827 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4582711 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130910 Year of fee payment: 3 |