JP2007059759A - 半導体レーザ素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 Si(シリコン)系材料からなるエッチングマスク12を、所定の形状になるように形成する工程と、エッチングマスク12で覆われていない領域における半導体層6,7をエッチング除去する工程と、エッチングマスク12を、F(フッ素)系エッチングガスを用いたドライエッチングにより除去する工程と、フッ酸系エッチング液を用いたウェットエッチング工程と、酸素アッシングによるアッシング工程と、をこの順序で有する。
【選択図】 図7
Description
この特許文献1に記載されている方法によれば、エッチングストップ層や第2クラッド層に結晶欠陥がない垂直メサ構造であるリッジストライプ構造の半導体レーザ素子が得られるとされている。
そして、半導体レーザ素子の電極表面が粗面であると、この半導体レーザ素子を、自動搭載機を用いて基材等にマウントする際、半導体レーザ素子の電極を精度良く画像認識することが困難となる。従って、このような半導体レーザ素子を、自動搭載機を用いて基材等にマウントすることができないという問題がある。
1)半導体基板(1)上に、複数の半導体層(2,3,4,5,6,7,)を積層して積層基板(10)を形成する積層工程と、前記積層基板(10)の表面に、シリコン系材料からなるエッチングマスク(12)を、所定の形状になるように形成するマスク形成工程と、前記エッチングマスク(12)で覆われていない領域における前記複数の半導体層(2,3,4,5,6,7,)の内の所定の半導体層(6,7)をエッチング除去する除去工程と、前記エッチングマスク(12)を、フッ素系エッチングガスを用いたドライエッチングにより除去するドライエッチング工程と、前記ドライエッチング工程で発生したシリコン系残渣を、フッ酸系エッチング液でエッチングするウェットエッチング工程と、前記ドライエッチング工程で発生したフッ素系残渣を、酸素アッシングするアッシング工程と、をこの順序で有することを特徴とする半導体レーザ素子(50)の製造方法である。
以下に、本発明の半導体レーザ素子の製造方法の実施例を、第1工程〜第7工程として、図1〜図7を用いて順に説明する。
図1〜図7は、本発明の半導体レーザ素子の製造方法の実施例における第1工程〜第7工程をそれぞれ説明するための模式的断面図である。各図と各工程とはそれぞれ対応している。
ところで、後述する所定の工程を経たn型基板1は、半導体レーザ素子50がマトリクス状に複数形成されており、このn型基板1を所定の間隔で劈開及び分断することによって、単体の半導体レーザ素子50を得ることができるが、図1〜図7では、説明をわかりやすくするために、工程の始めから、単体の半導体レーザ素子50の構造を示すこととした。
(第1工程)[図1参照]
まず、第1の結晶成長として、GaAsからなるn型基板1上に、その厚さが約1μmでありSi(シリコン)をドープしたAlGaInPからなるn型クラッド層2と、アンドープのAlGaInPからなるガイド層,アンドープのGaInPからなる量子井戸層,及びアンドープのAlGaInPからなるバリア層により構成された活性層3と、その厚さが約0.2μmでありZn(亜鉛)をドープしたAlGaInPからなる第1のp型クラッド層4と、その厚さが約30nmでありZnをドープしたAlGaInPからなるp型エッチングストップ層5と、その厚さが約1.1μmでありZnをドープしたAlGaInPからなる第2のp型クラッド層6と、その厚さが約0.1μmでありZnをドープしたGaInPからなるp型キャップ層7とを、MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法により、順次積層する。
ここで、活性層3の厚さは、約130nmである。
また、各層の厚さは、本実施例に限定されるものではない。
この積層後のn型基板1を、積層基板10と呼ぶ。
p型キャップ層7の表面に、その厚さが約0.2μmであるSiO2層11を、スパッタ法により形成する。
さらに、このSiO2層11を、フォトリソ法を用いて、フッ素系ガス、例えば、CF4(テトラフルオロメタン)ガスを使用したドライエッチングにより、選択的に除去する。
この除去工程により、SiO2層11は、所定の間隔を有する略平行なストライプ状のエッチングマスク12となる。
本実施例では、エッチングマスク12の幅w1を約2μmとした。
また、図2では、複数のエッチングマスク12の内の1つを示している。
Cl(塩素)系ガスを使用したドライエッチングにより、エッチングマスク12で覆われていない領域におけるp型キャップ層7を除去し、さらに、この領域における第2のp型クラッド層6を、所定の厚さt1を残して除去する。
本実施例では、所定の厚さt1を約0.1μmとした。
そこで、このSi系残渣を、フッ酸系エッチング液により除去する。
本実施例では、フッ酸系緩衝溶液(この溶液における各構成成分の体積比率は、フッ酸:フッ化アンモニウム=1:10である)を用いて、室温にて10秒間行った。
硫酸系エッチング液を用いて、上述した、所定の厚さt1(本実施例では、t1=約0.1μm。図3参照。)を有する残りの第2のp型クラッド層6を除去する。
ここで、硫酸系エッチング液によりp型エッチングストップ層5がエッチングされるエッチング速度は、第2のp型クラッド層6がエッチングされるエッチング速度よりも十分遅いので、p型エッチングストップ層5が除去されることなく、このエッチングを完了することができる。
上述した工程により、第2のp型クラッド層6とp型キャップ層7とからなり、所定の間隔を有する略平行なストライプ状のリッジ15を得る。
また、図4では、複数のリッジ15の内の1つを示している。
次に、第2の結晶成長として、リッジ15の段差を埋めるように、露出しているp型エッチングストップ層5の表面上に、その厚さが0.3μmでありAlInPからなる第1のn型ブロック層17と、その厚さが0.1μmでありGaAsからなる第2のn型ブロック層19とを、MOCVD法により、順次積層する。
また、第1のn型ブロック層17及び第2のn型ブロック層19を積層する際、リッジ15の側面にもこの第1のn型ブロック層17及び第2のn型ブロック層19が成長するため、リッジ15の側面近傍における第1のn型ブロック層17及び第2のn型ブロック層19の厚さは、リッジ15から離れた位置における第1のn型ブロック層17及び第2のn型ブロック層19の厚さよりも厚くなっている。
SiO2層11であるエッチングマスク12を、フッ素系ガス、例えば、CF4ガスを用いたドライエッチングにより、全て除去する。
次に、このドライエッチングにより発生したSi系残渣を、フッ酸系エッチング液を用いたウェットエッチングにより除去する。
本実施例では、フッ酸系緩衝溶液(この溶液における各構成成分の体積比率は、フッ酸:フッ化アンモニウム=1:10である)を用いて、室温にて30秒間行った。
次に、O2(酸素)ガスを用いたアッシングを行う。
本実施例におけるO2アッシング条件は、O2ガス流量が30sccm、圧力が14.5Pa、印加電力が120W、処理時間が2分間である。
なお、ガス流量の単位であるsccmは、standard cc/minを表し、 1 atm (大気圧 1,013hPa )、0 ℃ あるいは、25 ℃ など一定温度で規格化された単位: ccm(cc/min)である。
また、このO2アッシングを行う理由については、後で詳述する。
このp型コンタクト層21の表面に、例えば蒸着法により、Au(金)系材料からなるp型電極23を形成し、積層方向とは逆方向側のn型基板1面に、Au系材料からなるn型電極25を形成する。
このバーを、ストライプ状に形成したリッジ15間の中心線を通り上述の工程を経たn型基板1の表面に対して直交する面で分断し、本実施例の半導体レーザ素子50を得る。
また、本実施例の半導体レーザ素子50のp型電極23は、平坦な面を有しており、この電極を、素子をマウントするための自動搭載機で画像認識したところ、認識エラーを起こすことなく、良好に認識できることを確認した。
従って、本実施例により作製した半導体レーザ素子50は、自動搭載機を用いて、基材等に精度良くマウントすることができる。
次に、実施例に対する比較例について、以下に説明する。
この比較例は、実施例における第6工程で実施した「O2アッシング」を行わない点で相違し、それ以外の工程で実施例と同じである。
次に、エッチングマスク12を、フッ素系ガス、例えば、CF4ガスを使用したドライエッチングにより、全て除去する。
そして、このドライエッチングにより発生したSi系残渣を、実施例と同様にして、フッ酸系エッチング液により除去する。
実施例では、その後「O2アッシング」及びリン酸系エッチングを行ったが、比較例では、この「O2アッシング」及びリン酸系エッチングを行わない。
次に、第3の結晶成長として、リッジ15及び第2のn型ブロック層19の表面上に、その厚さが約3μmでありGaAsからなるp型コンタクト層21を形成する。
以降の工程は、実施例における第7工程と同様である。
上述した工程により、比較例における半導体レーザ素子150を得る。
これに対して、実施例ではこのような問題は発生していない。
そこで、p型コンタクト層21の表面が粗面となる原因を、発明者らがさらに鋭意検討した結果を、以下に説明する。
その結果、この表面には、有機結合の一つであるC−F結合(Cは炭素であり、Fはフッ素である)を有する残渣が存在していることが判明した。このC−F結合は、ドライエッチングに用いたCF4ガスに起因するものと考えられる。
そして、このC−F結合を有する残渣が核となり、この核に結晶成長が集中するため、リッジ15及び第2のn型ブロック層19の表面における結晶成長速度が面内でばらつき、その結果、形成されたp型コンタクト層21の表面が粗面になったものと考えられる。
即ち、「O2アッシング」により、「O2アッシング」ガスの成分であるO(酸素)と、C−F結合のC(炭素)とが反応してCO2(二酸化炭素)となり、C−F結合が分解する。
実際に、「O2アッシング」後のリッジ15及び第2のn型ブロック層19の表面を、XPS分析し、SEMにて観察した結果、この表面には、C−F結合を有する残渣が消滅していることを確認した。
よって、実施例のように、「O2アッシング」を行うことにより、p型電極23の表面を平坦な面にすることができる。
よって、本実施例で示した方法によりエッチングマスクを除去することが望ましい。
従って、本実施例のように、フッ酸系エッチング液を用いたウェットエッチングの後に「O2アッシング」を行う必要がある。
ここで、p型電極23及びn型電極25の外形サイズは本実施例に限定されるものではない。
例えば、リフトオフ法やフォトリソ法を用いて、所定の外形サイズ、即ち素子の外形サイズよりも小さい外形サイズを有するp型電極及びn型電極を、各半導体レーザ素子に対応して、p型コンタクト層21及びn型基板1の表面に複数形成してもよい。
このようにして形成したp型電極及びn型電極は、一般的に、その外形寸法精度が良好なので、自動搭載機による画像認識精度をさらに向上させることができる。
Claims (1)
- 半導体基板上に複数の半導体層を積層して積層基板を形成する積層工程と、
前記積層基板の表面に、シリコン系材料からなるエッチングマスクを、所定のパターンに形成するマスク形成工程と、
前記エッチングマスクで覆われていない領域における前記複数の半導体層の内の所定の半導体層をエッチング除去する除去工程と、
前記エッチングマスクを、フッ素系エッチングガスを用いたドライエッチングにより除去するドライエッチング工程と、
前記ドライエッチング工程で発生したシリコン系残渣を、フッ酸系エッチング液でエッチングするウェットエッチング工程と、
前記ドライエッチング工程で発生したフッ素系残渣を、酸素アッシングするアッシング工程と、
をこの順序で有することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
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