JP7167793B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
実施例1の半導体装置の製造工程により第2レジストマスクRM2を作製した段階までの試料1を作製した。つまり、第1レジストマスクRM1を除去して第2絶縁膜F1B上に第3絶縁膜F1Cを形成し、さらに第3絶縁膜F1C上に開口を有した第2レジストマスクRM2を形成した段階である。第1絶縁膜F1Aは厚さ100nmのAl2 O3 、第2絶縁膜F1Bおよび第3絶縁膜F1Cは厚さ10nmのSiO2 とした。このようにして作製した試料1について、フッ酸を用いたウェットエッチングを5分間行った。
実施例1の半導体装置の製造工程により第2絶縁膜F1Bまで作製し、さらに第2絶縁膜F1B上に開口を有した第2レジストマスクRM2を作製した。第1絶縁膜F1A、第2絶縁膜F1Bの材料や厚さは実験1と同様である。このようにして作製した試料2について、フッ酸を用いたウェットエッチングを5分間行った。
第2絶縁膜F1Bの厚さを10nmから50nmに変更した以外は実験2と同様にして試料3を作製した。
実施例1は、ボディ電極B1、およびソース電極S1の連続形成に本発明を利用するものであるが、本発明はこれに限るものではない。絶縁膜上に再度レジストマスクを形成し、絶縁膜をウェットエッチングする工程を有した半導体装置の製造方法であれば、本発明は適用可能である。
120:第1のn層
130:p層
140:第2のn層
F1:絶縁膜
F1A:第1絶縁膜
F1B:第2絶縁膜
F1C:第3絶縁膜
G1:ゲート電極
S1:ソース電極
B1:ボディ電極
D1:ドレイン電極
T1:トレンチ
R1:リセス
RM1:第1レジストマスク
RM2:第2レジストマスク
M1:第1金属膜
M2:第2金属膜
Claims (13)
- 半導体層上に、Siを構成元素として含む材料からなる第1絶縁膜を形成する第1工程と、
前記第1絶縁膜上に、レジストからなり、開口を有した第1レジストマスクを形成する第2工程と、
前記第1レジストマスクを除去する第3工程と、
前記第1絶縁膜上に、Siを構成元素として含む材料からなる第2絶縁膜を形成する第4工程と、
前記第2絶縁膜上に、レジストからなり、開口を有した第2レジストマスクを形成する第5工程と、
前記第2レジストマスクの開口に露出する前記第1絶縁膜および前記第2絶縁膜をウェットエッチングする第6工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第2工程後、前記第3工程前に、前記第1レジストマスクの開口に露出する前記第1絶縁膜をウェットエッチングにより除去して前記半導体層表面を露出させ、その露出させた前記半導体層上、および前記第1レジストマスク上に、第1金属膜を形成する工程をさらに有し、
前記第3工程は、前記第1レジストマスクを除去することで、前記第1レジストマスク上の前記第1金属膜を除去し、前記半導体層上の前記第1金属膜を残す工程である、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第6工程後、前記第2レジストマスク上、および前記第2レジストマスクの開口底面に、第2金属膜を形成し、前記第2レジストマスクを除去することで、前記第2レジストマスク上の前記第2金属膜を除去し、前記第2レジストマスクの開口底面の前記第2金属膜を残す工程をさらに有する、
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1絶縁膜および前記第2絶縁膜は、SiO2 からなることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第4工程は、前記第2絶縁膜をALD法により形成する工程である、ことを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第4工程後、前記第5工程前に、前記第2絶縁膜表面をHMDS処理する工程をさらに有する、ことを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体層上に、Siを構成元素として含まない材料からなる第1絶縁膜を形成する第1工程と、
前記第1絶縁膜上に、Siを構成元素として含む材料からなる第2絶縁膜を形成する第2工程と、
前記第2絶縁膜上に、レジストからなり、開口を有した第1レジストマスクを形成する第3工程と、
前記第1レジストマスクを除去する第4工程と、
前記第2絶縁膜上に、Siを構成元素として含む材料からなる第3絶縁膜を形成する第5工程と、
前記第3絶縁膜上に、レジストからなり、開口を有した第2レジストマスクを形成する第6工程と、
前記第2レジストマスクの開口に露出する前記第1絶縁膜、前記第2絶縁膜、および前記第3絶縁膜をウェットエッチングする第7工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第3工程後、前記第4工程前に、前記第1レジストマスクの開口に露出する前記第1絶縁膜をウェットエッチングにより除去して前記半導体層表面を露出させ、その露出させた前記半導体層上、および前記第1レジストマスク上に、第1金属膜を形成する工程をさらに有し、
前記第4工程は、前記第1レジストマスクを除去することで、前記第1レジストマスク上の前記第1金属膜を除去し、前記半導体層上の前記第1金属膜を残す工程である、
ことを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第7工程後、前記第2レジストマスク上、および前記第2レジストマスクの開口底面に、第2金属膜を形成し、前記第2レジストマスクを除去することで、前記第2レジストマスク上の前記第2金属膜を除去し、前記第2レジストマスクの開口底面の前記第2金属膜を残す工程をさらに有する、
ことを特徴とする請求項7または請求項8に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1絶縁膜は、Al2 O3 からなることを特徴とする請求項7ないし請求項9のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2絶縁膜および前記第3絶縁膜は、SiO2 からなることを特徴とする請求項7ないし請求項10のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2工程は、前記第2絶縁膜をALD法により形成する工程であり、
前記第5工程は、前記第3絶縁膜をALD法により形成する工程である、
ことを特徴とする請求項7ないし請求項11のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第5工程後、前記第6工程前に、前記第3絶縁膜表面をHMDS処理する工程をさらに有する、ことを特徴とする請求項7ないし請求項12のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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JP2009212172A (ja) | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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