JP2006128491A - 半導体レーザ素子の製造方法 - Google Patents
半導体レーザ素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006128491A JP2006128491A JP2004316610A JP2004316610A JP2006128491A JP 2006128491 A JP2006128491 A JP 2006128491A JP 2004316610 A JP2004316610 A JP 2004316610A JP 2004316610 A JP2004316610 A JP 2004316610A JP 2006128491 A JP2006128491 A JP 2006128491A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- etching
- conductivity type
- semiconductor laser
- cladding layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
- H01S5/04254—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/17—Semiconductor lasers comprising special layers
- H01S2301/176—Specific passivation layers on surfaces other than the emission facet
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2081—Methods of obtaining the confinement using special etching techniques
- H01S5/2086—Methods of obtaining the confinement using special etching techniques lateral etch control, e.g. mask induced
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/3211—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures characterised by special cladding layers, e.g. details on band-discontinuities
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34326—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on InGa(Al)P, e.g. red laser
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geometry (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
【課題】 キャップ層および第3クラッド層の変形を抑制して、中間層の突起部を除去する半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 第2のエッチング工程で第3クラッド層33およびエッチングストップ層31の中間層34に臨む外周部46をレジスト48で覆い、少なくとも第3クラッド層33を不可避的に除いて、中間層34およびキャップ層35をエッチングすることによって、中間層34の突出部45を除去して、かつキャップ層35を不所望にエッチングすることを防いで、積層方向に略垂直な方向に関して、凹凸のないリッジ部を製造し、動作電圧の増大、および外部微分量子効率の低下を防止する。
【選択図】 図1
Description
本発明において、用語「略垂直」は、垂直を含む。
第2導電型キャップ層、第2導電型中間バンドギャップ層および第2導電型第2クラッド層の一部をエッチングする工程と、
第2導電型キャップ層をサイドエッチングする工程と、
第2導電型第2クラッド層をエッチングして第2導電型中間バンドギャップ層の突出部を有するリッジストライプ構造を形成する第1のエッチング工程と、
前記第1のエッチング工程において形成され得る突出部であって、第2導電型第2クラッド層および第2導電型キャップ層に対し、第2導電型中間バンドギャップ層が積層方向に略垂直な方向に関して突出している突出部をエッチングして除去する第2のエッチング工程とを含む半導体レーザ素子の製造方法であって、
前記第2のエッチング工程は、
第2導電型第2クラッド層およびエッチングストップ層の第2導電型中間バンドギャップ層に臨む外周部をレジストで覆う段階と、
少なくとも第2導電型第2クラッド層を不可避的に除き、第2導電型中間バンドギャップ層および第2導電型キャップ層をエッチングする段階とを有することを特徴とする半導体レーザの製造方法である。
21 化合物半導体多層構造
22 誘電体層
25 基板
26 第1バッファ層
27 第2バッファ層
28 第1クラッド層
29 活性層
30 第2クラッド層
31 エッチングストップ層
32 リッジ部
33 第3クラッド層
34 中間層
35 キャップ層
45 突出部
48 レジスト
Claims (5)
- 基板上に少なくとも第1導電型クラッド層、活性層、第2導電型第1クラッド層、エッチングストップ層、第2導電型第2クラッド層、第2導電型中間バンドギャップ層および第2導電型キャップ層を順次積層する工程と、
第2導電型キャップ層、第2導電型中間バンドギャップ層および第2導電型第2クラッド層の一部をエッチングする工程と、
第2導電型キャップ層をサイドエッチングする工程と、
第2導電型第2クラッド層をエッチングして第2導電型中間バンドギャップ層の突出部を有するリッジストライプ構造を形成する第1のエッチング工程と、
前記第1のエッチング工程において形成され得る突出部であって、第2導電型第2クラッド層および第2導電型キャップ層に対し、第2導電型中間バンドギャップ層が積層方向に略垂直な方向に関して突出している突出部をエッチングして除去する第2のエッチング工程とを含む半導体レーザ素子の製造方法であって、
前記第2のエッチング工程は、
第2導電型第2クラッド層およびエッチングストップ層の第2導電型中間バンドギャップ層に臨む外周部をレジストで覆う段階と、
少なくとも第2導電型第2クラッド層を不可避的に除き、第2導電型中間バンドギャップ層および第2導電型キャップ層をエッチングする段階とを有することを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 第2導電型中間バンドギャップ層がGaInP結晶から成り、第2導電型キャップ層がGaAs結晶から成ることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ素子の製造方法。
- 第2のエッチング工程において用いられるエッチング液は、飽和臭素水とリン酸と水との混合液であることを特徴とする請求項1または2記載の半導体レーザ素子の製造方法。
- 第2のエッチング工程では、レジストで覆う段階とエッチングする段階の間に、光励起アッシングする段階をさらに有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体レーザ素子の製造方法。
- 前記エッチング液は、第2導電型キャップ層をエッチングするエッチングレートが0.2μm/分以下となるように飽和臭素水とリン酸と水との混合比が設定されることを特徴とする請求項3記載の半導体レーザ素子の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004316610A JP4589080B2 (ja) | 2004-10-29 | 2004-10-29 | エッチング方法 |
US11/262,548 US7371595B2 (en) | 2004-10-29 | 2005-10-28 | Method for manufacturing semiconductor laser device |
CNB2005101187622A CN100391068C (zh) | 2004-10-29 | 2005-10-31 | 半导体激光元件的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004316610A JP4589080B2 (ja) | 2004-10-29 | 2004-10-29 | エッチング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006128491A true JP2006128491A (ja) | 2006-05-18 |
JP4589080B2 JP4589080B2 (ja) | 2010-12-01 |
Family
ID=36262526
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004316610A Expired - Fee Related JP4589080B2 (ja) | 2004-10-29 | 2004-10-29 | エッチング方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7371595B2 (ja) |
JP (1) | JP4589080B2 (ja) |
CN (1) | CN100391068C (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010038887A1 (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 二酸化珪素膜およびその形成方法、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体並びにプラズマcvd装置 |
JP2013172059A (ja) * | 2012-02-22 | 2013-09-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子の製造方法 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006032623A (ja) * | 2004-07-15 | 2006-02-02 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子の製造方法 |
CN100476039C (zh) * | 2006-05-25 | 2009-04-08 | 中国科学院半导体研究所 | 用于半导体激光器中光栅制作的腐蚀液及制作方法 |
JP4966591B2 (ja) * | 2006-06-07 | 2012-07-04 | 日本オプネクスト株式会社 | 半導体発光素子の製造方法 |
CN102593709B (zh) * | 2006-12-26 | 2015-04-01 | 宾奥普迪克斯股份有限公司 | 用于制造光子器件的工艺 |
JP2008251562A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子およびその形成方法 |
US8373152B2 (en) * | 2008-03-27 | 2013-02-12 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light-emitting element and a production method therefor |
US20130126467A1 (en) * | 2011-11-18 | 2013-05-23 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Method for manufacturing conductive lines with small line-to-line space |
JP6123561B2 (ja) * | 2013-08-08 | 2017-05-10 | ソニー株式会社 | 発光素子及びその製造方法、並びに、表示装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06196812A (ja) * | 1992-10-21 | 1994-07-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ素子 |
JPH10270786A (ja) * | 1997-03-21 | 1998-10-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 化合物半導体のエッチング方法および化合物半導体素子の製造方法および半導体レーザ |
JP2001196694A (ja) * | 1999-10-28 | 2001-07-19 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
JP2002134837A (ja) * | 2000-10-23 | 2002-05-10 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
JP2003174232A (ja) * | 2001-12-07 | 2003-06-20 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
JP2004055587A (ja) * | 2002-07-16 | 2004-02-19 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子および半導体レーザ素子の製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001223438A (ja) * | 2000-02-09 | 2001-08-17 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子の製造方法 |
JP2002198614A (ja) | 2000-12-25 | 2002-07-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
JP3911140B2 (ja) * | 2001-09-05 | 2007-05-09 | シャープ株式会社 | 半導体レーザの製造方法 |
-
2004
- 2004-10-29 JP JP2004316610A patent/JP4589080B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-10-28 US US11/262,548 patent/US7371595B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-10-31 CN CNB2005101187622A patent/CN100391068C/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06196812A (ja) * | 1992-10-21 | 1994-07-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ素子 |
JPH10270786A (ja) * | 1997-03-21 | 1998-10-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 化合物半導体のエッチング方法および化合物半導体素子の製造方法および半導体レーザ |
JP2001196694A (ja) * | 1999-10-28 | 2001-07-19 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
JP2002134837A (ja) * | 2000-10-23 | 2002-05-10 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
JP2003174232A (ja) * | 2001-12-07 | 2003-06-20 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
JP2004055587A (ja) * | 2002-07-16 | 2004-02-19 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子および半導体レーザ素子の製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010038887A1 (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 二酸化珪素膜およびその形成方法、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体並びにプラズマcvd装置 |
JP2013172059A (ja) * | 2012-02-22 | 2013-09-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4589080B2 (ja) | 2010-12-01 |
CN100391068C (zh) | 2008-05-28 |
CN1767286A (zh) | 2006-05-03 |
US7371595B2 (en) | 2008-05-13 |
US20060094141A1 (en) | 2006-05-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7371595B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor laser device | |
JPH1093192A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法 | |
JP4193866B2 (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
US7674391B2 (en) | Manufacturing method of optical semiconductor device | |
JP2008042131A (ja) | 半導体光素子およびその製造方法 | |
JP2009212386A (ja) | 半導体光素子の製造方法 | |
JP2863677B2 (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
JP5872790B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP4782463B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
JP2005005696A (ja) | リッジ導波路型半導体レーザ素子の製造方法及びリッジ導波路型半導体レーザ素子 | |
JP2005317572A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP5022603B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2007013057A (ja) | 成膜方法および半導体レーザ素子の電極形成方法 | |
JP2000232254A (ja) | 半導体レーザおよび半導体レーザの製造方法 | |
JP2004172199A (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
JP3043561B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
JP2003174232A (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
JP2007251064A (ja) | 半導体レーザー装置 | |
JP2018139264A (ja) | 光半導体素子及びその製造方法 | |
JP2008098362A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
JP2000114660A (ja) | リッジ導波路型半導体レーザ素子 | |
JP2006032623A (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
JP2008028093A (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
JP4816260B2 (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
JP2006135266A (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法および該方法により製造される半導体レーザ素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070302 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091125 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091201 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100125 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100907 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100909 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130917 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |