JPH0997756A - 半導体ウエハの保存方法 - Google Patents
半導体ウエハの保存方法Info
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- JPH0997756A JPH0997756A JP25311095A JP25311095A JPH0997756A JP H0997756 A JPH0997756 A JP H0997756A JP 25311095 A JP25311095 A JP 25311095A JP 25311095 A JP25311095 A JP 25311095A JP H0997756 A JPH0997756 A JP H0997756A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単な構成により、Ａｌ混晶比の大きい化合
物半導体ウエハを、不安定な水酸化物による膜が形成さ
れることなく保存する方法を提供する。 【解決手段】 ＧａＡｌＡｓ系化合物半導体ウエハなど
のＡｌを混晶物として含む化合物半導体ウエハ１０の保
存方法であって、上記半導体ウエハ１０の表面洗浄を行
うステップ、および上記半導体ウエハの表面に安定な保
護膜１５を形成するステップ、を含む。保護膜を形成す
るステップは、表面洗浄後の上記半導体ウエハをＨ2 Ｏ
2 ＋ＮＨ3 水溶液に浸漬して表面にＡｌ自然酸化膜１５
ａを形成することにより好適に行うことができる。
物半導体ウエハを、不安定な水酸化物による膜が形成さ
れることなく保存する方法を提供する。 【解決手段】 ＧａＡｌＡｓ系化合物半導体ウエハなど
のＡｌを混晶物として含む化合物半導体ウエハ１０の保
存方法であって、上記半導体ウエハ１０の表面洗浄を行
うステップ、および上記半導体ウエハの表面に安定な保
護膜１５を形成するステップ、を含む。保護膜を形成す
るステップは、表面洗浄後の上記半導体ウエハをＨ2 Ｏ
2 ＋ＮＨ3 水溶液に浸漬して表面にＡｌ自然酸化膜１５
ａを形成することにより好適に行うことができる。
Description
【０００１】
【技術分野】本願発明は、発光ダイオードあるいはレー
ザダイオード等を製造するための半導体ウエハ、とくに
Ａｌの混晶比が比較的大きい化合物半導体ウエハの保存
方法に関する。
ザダイオード等を製造するための半導体ウエハ、とくに
Ａｌの混晶比が比較的大きい化合物半導体ウエハの保存
方法に関する。
【０００２】
【従来技術】たとえば、赤色発光ダイオードの分野で
は、ＧａＰ赤色発光ダイオード、あるいはＧａＡｓＰ赤
色系発光ダイオードに代え、さらに高輝度化が達成され
たＧａＡｌＡｓ系赤色発光ダイオードが開発されるにい
たっている。このＧａＡｌＡｓ系赤色発光ダイオードは
通常、ＧａＡｓ基板結晶上にＰ型ＧａＡｌＡｓ層、活性
層およびＮ型ＧａＡｌＡｓ層を含む結晶層を順次エピタ
キシャル成長させてなる化合物半導体ウエハに対し、電
極形成処理を行った上、ダイシングによってチップに分
割するという手法によって製造される。
は、ＧａＰ赤色発光ダイオード、あるいはＧａＡｓＰ赤
色系発光ダイオードに代え、さらに高輝度化が達成され
たＧａＡｌＡｓ系赤色発光ダイオードが開発されるにい
たっている。このＧａＡｌＡｓ系赤色発光ダイオードは
通常、ＧａＡｓ基板結晶上にＰ型ＧａＡｌＡｓ層、活性
層およびＮ型ＧａＡｌＡｓ層を含む結晶層を順次エピタ
キシャル成長させてなる化合物半導体ウエハに対し、電
極形成処理を行った上、ダイシングによってチップに分
割するという手法によって製造される。
【０００３】ところで、上記のようなＧａＡｌＡｓ系化
合物半導体ウエハのＡｌの混晶比は０．５〜０．８と比
較的高いことから、表面が酸化しやすいという問題があ
る。最近では、半導体ウエハの製造場所と、電極形成以
降チップ化までの処理を行う場所が異なることもあり、
半導体ウエハが製造されてからこれに次工程の処理を行
うまでに時間間隔が開かざるをえない場合が多い。
合物半導体ウエハのＡｌの混晶比は０．５〜０．８と比
較的高いことから、表面が酸化しやすいという問題があ
る。最近では、半導体ウエハの製造場所と、電極形成以
降チップ化までの処理を行う場所が異なることもあり、
半導体ウエハが製造されてからこれに次工程の処理を行
うまでに時間間隔が開かざるをえない場合が多い。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような半導体ウエ
ハを次工程処理まで空気中に保管すると、ＧａＡｌＡｓ
系化合物半導体ウエハの表面に不安定なＡｌ水酸化物が
膜状に形成されてしまうという問題がある。
ハを次工程処理まで空気中に保管すると、ＧａＡｌＡｓ
系化合物半導体ウエハの表面に不安定なＡｌ水酸化物が
膜状に形成されてしまうという問題がある。
【０００５】このような問題を解決するために、できあ
がった半導体ウエハを次工程処理まで窒素ガスなどの不
活性ガス中に保存しておくことが考えられる。しかしな
がら、純粋な窒素ガスを大量に用いて半導体ウエハの保
存のために供するにはガスの供給設備および気密性が保
持される保存容器の準備が必要であり、とくに、半導体
ウエハの製造場所と、次工程処理を行う場所が距離的に
遠い場合にはコスト的にきわめて不利となる。また、窒
素ガス中にわずかでも酸素が含まれていると、上記した
Ａｌ水酸化物の生成が起こってしまう。
がった半導体ウエハを次工程処理まで窒素ガスなどの不
活性ガス中に保存しておくことが考えられる。しかしな
がら、純粋な窒素ガスを大量に用いて半導体ウエハの保
存のために供するにはガスの供給設備および気密性が保
持される保存容器の準備が必要であり、とくに、半導体
ウエハの製造場所と、次工程処理を行う場所が距離的に
遠い場合にはコスト的にきわめて不利となる。また、窒
素ガス中にわずかでも酸素が含まれていると、上記した
Ａｌ水酸化物の生成が起こってしまう。
【０００６】そうして、上記Ａｌ水酸化物は、空気に接
触する限りにおいて経時的に成長し、また、ウエハ表面
を荒らすことなく除去することは非常に困難である。こ
のような水酸化物が残存したまま金属蒸着およびエッチ
ングによる電極形成を行うと、電極表面の平滑性が減殺
され、電極を光学的に認識して行うチップボンディング
時の位置決め操作の正確性を阻害してしまうし、また、
ひどい場合には、電極被膜のウエハ表面に対する密着性
が低くなり、電極被膜の剥離を惹起させることも懸念さ
れる。
触する限りにおいて経時的に成長し、また、ウエハ表面
を荒らすことなく除去することは非常に困難である。こ
のような水酸化物が残存したまま金属蒸着およびエッチ
ングによる電極形成を行うと、電極表面の平滑性が減殺
され、電極を光学的に認識して行うチップボンディング
時の位置決め操作の正確性を阻害してしまうし、また、
ひどい場合には、電極被膜のウエハ表面に対する密着性
が低くなり、電極被膜の剥離を惹起させることも懸念さ
れる。
【０００７】また、このＡｌ水酸化物は、ウエハごとに
膜厚が異なり、アルカリ洗浄等によって均一に除去する
ことが困難である。ウエハ表面に部分的にこのＡｌ水酸
化物が残存したまま電極形成のためのライトエッチング
を行った場合、段差ができてしまい、これが電極形成お
よび成形された電極表面の性状を悪化させる。
膜厚が異なり、アルカリ洗浄等によって均一に除去する
ことが困難である。ウエハ表面に部分的にこのＡｌ水酸
化物が残存したまま電極形成のためのライトエッチング
を行った場合、段差ができてしまい、これが電極形成お
よび成形された電極表面の性状を悪化させる。
【０００８】本願発明は、このような事情のもとで考え
出されたものであって、簡単な構成により、Ａｌ混晶比
の大きい化合物半導体ウエハを、不安定な水酸化物が膜
状に形成されることなく保存する方法を提供することを
その課題としている。
出されたものであって、簡単な構成により、Ａｌ混晶比
の大きい化合物半導体ウエハを、不安定な水酸化物が膜
状に形成されることなく保存する方法を提供することを
その課題としている。
【０００９】
【発明の開示】上記の課題を解決するため、本願発明で
は、次の技術的手段を採用した。
は、次の技術的手段を採用した。
【００１０】すなわち、本願発明によれば、Ａｌを混晶
物として含む化合物半導体ウエハの保存方法が提供さ
れ、この方法は、上記半導体ウエハの表面洗浄を行うス
テップ、および、上記半導体ウエハの表面に安定な保護
膜を形成するステップ、を含むことを特徴としている。
物として含む化合物半導体ウエハの保存方法が提供さ
れ、この方法は、上記半導体ウエハの表面洗浄を行うス
テップ、および、上記半導体ウエハの表面に安定な保護
膜を形成するステップ、を含むことを特徴としている。
【００１１】好ましい実施の形態においては、上記化合
物半導体ウエハは、ＧａＡｌＡｓ系発光ダイオード製造
のためのものである。
物半導体ウエハは、ＧａＡｌＡｓ系発光ダイオード製造
のためのものである。
【００１２】本願発明は要するに、空気に触れて不安定
な水酸化物となりやすいＡｌ混晶物を含む化合物半導体
ウエハに対し、上記不安定な水酸化物が形成される以前
に、または、この不安定な水酸化物が形成されはじめて
それほど時間が経過する以前に、たとえばアルカリ洗浄
等によるウエハ表面の洗浄を行った後、ウエハ表面に積
極的に安定な保護膜を形成しておくというものである。
本願発明方法による保護膜の形成の後は、上記半導体ウ
エハを空気中で保管しておいても、表面に不安定な水酸
化物が形成されることを防止することができる。
な水酸化物となりやすいＡｌ混晶物を含む化合物半導体
ウエハに対し、上記不安定な水酸化物が形成される以前
に、または、この不安定な水酸化物が形成されはじめて
それほど時間が経過する以前に、たとえばアルカリ洗浄
等によるウエハ表面の洗浄を行った後、ウエハ表面に積
極的に安定な保護膜を形成しておくというものである。
本願発明方法による保護膜の形成の後は、上記半導体ウ
エハを空気中で保管しておいても、表面に不安定な水酸
化物が形成されることを防止することができる。
【００１３】好ましい実施の形態においてはまた、上記
安定な保護膜の形成ステップは、表面洗浄後の上記半導
体ウエハをＨ2 Ｏ2 ＋ＮＨ3 水溶液に浸漬して表面にＡ
ｌ自然酸化膜を形成することにより行われる。
安定な保護膜の形成ステップは、表面洗浄後の上記半導
体ウエハをＨ2 Ｏ2 ＋ＮＨ3 水溶液に浸漬して表面にＡ
ｌ自然酸化膜を形成することにより行われる。
【００１４】このようにすれば、ウエハの混晶物である
Ａｌの存在を積極的に利用して、その安定な酸化物であ
るＡｌ自然酸化膜をウエハ表面に形成して、これを保護
膜とすることができる。なお、このＡｌ自然酸化膜は、
ＫＯＨ、あるいはＮａＯＨの１％程度のアルカリ溶液に
よる洗浄により、あるいは、ＨＣｌ、あるいはＨＦなど
の酸の水溶液による洗浄により、ウエハ表面を荒らすこ
となく、簡単に除去することができ、半導体ウエハに対
するその後の工程処理を適正に行うことができる。
Ａｌの存在を積極的に利用して、その安定な酸化物であ
るＡｌ自然酸化膜をウエハ表面に形成して、これを保護
膜とすることができる。なお、このＡｌ自然酸化膜は、
ＫＯＨ、あるいはＮａＯＨの１％程度のアルカリ溶液に
よる洗浄により、あるいは、ＨＣｌ、あるいはＨＦなど
の酸の水溶液による洗浄により、ウエハ表面を荒らすこ
となく、簡単に除去することができ、半導体ウエハに対
するその後の工程処理を適正に行うことができる。
【００１５】好ましい実施の形態においてはさらに、上
記安定な保護膜の形成ステップは、表面洗浄後の上記半
導体ウエハ表面にプラズマＣＶＤによってＳｉ系窒化膜
またはＳｉ系酸化膜を形成することにより行われる。
記安定な保護膜の形成ステップは、表面洗浄後の上記半
導体ウエハ表面にプラズマＣＶＤによってＳｉ系窒化膜
またはＳｉ系酸化膜を形成することにより行われる。
【００１６】このようにして形成されたＳｉ系窒化膜ま
たはＳｉ系酸化膜は、いずれも空気中できわめて安定し
ており、ウエハ中の混晶物であるＡｌが空気に触れて不
安定な酸化物が形成されることを確実に防止することが
できる。また、このようなＳｉ系窒化膜またはＳｉ系酸
化膜もまた、酸またはアルカリ水溶液によって、ウエハ
表面を荒らすことなく、簡単に除去することができ、半
導体ウエハに対するその後の工程処理を適正に行うこと
ができる。
たはＳｉ系酸化膜は、いずれも空気中できわめて安定し
ており、ウエハ中の混晶物であるＡｌが空気に触れて不
安定な酸化物が形成されることを確実に防止することが
できる。また、このようなＳｉ系窒化膜またはＳｉ系酸
化膜もまた、酸またはアルカリ水溶液によって、ウエハ
表面を荒らすことなく、簡単に除去することができ、半
導体ウエハに対するその後の工程処理を適正に行うこと
ができる。
【００１７】本願発明のその他の特徴および利点は、添
付図面を参照して以下に行う好ましい実施の形態の説明
によって明らかとなろう。
付図面を参照して以下に行う好ましい実施の形態の説明
によって明らかとなろう。
【００１８】
【好ましい実施の形態】以下においては、いわゆるＤＤ
Ｈ型のＧａＡｌＡｓ赤色発光ダイオードチップの製造過
程において形成される化合物半導体ウエハ１０に本願発
明方法を適用して保存する例について説明する。
Ｈ型のＧａＡｌＡｓ赤色発光ダイオードチップの製造過
程において形成される化合物半導体ウエハ１０に本願発
明方法を適用して保存する例について説明する。
【００１９】図１(a) および(b) は、上記化合物半導体
ウエハ１０の製造過程を示している。まず、図１(a) に
示されるように、ＧａＡｓ基板結晶１１の表面には、Ｐ
型ＧａＡｌＡｓクラッド層１２、活性層１３、およびＮ
型ＧａＡｌＡｓクラッド層１４が順次エピタキシャル結
晶成長法によって形成される。次に、ＧａＡｓ基板結晶
１１が除去され、図１(b) に示すようにＤＤＨ型の構造
をもつＧａＡｌＡｓ半導体ウエハ１０が得られる。
ウエハ１０の製造過程を示している。まず、図１(a) に
示されるように、ＧａＡｓ基板結晶１１の表面には、Ｐ
型ＧａＡｌＡｓクラッド層１２、活性層１３、およびＮ
型ＧａＡｌＡｓクラッド層１４が順次エピタキシャル結
晶成長法によって形成される。次に、ＧａＡｓ基板結晶
１１が除去され、図１(b) に示すようにＤＤＨ型の構造
をもつＧａＡｌＡｓ半導体ウエハ１０が得られる。
【００２０】各ＧａＡｌＡｓ層１２，１４におけるＡｌ
混晶比はたとえば０．５〜０．８と高いため、このＧａ
ＡｌＡｓ層１２，１４が露出したまま放置すると、Ａｌ
が空気中の酸素および水に触れて不安定なＡｌ水酸化物
による膜が形成され、これは次第に成長して膜厚が増大
する。
混晶比はたとえば０．５〜０．８と高いため、このＧａ
ＡｌＡｓ層１２，１４が露出したまま放置すると、Ａｌ
が空気中の酸素および水に触れて不安定なＡｌ水酸化物
による膜が形成され、これは次第に成長して膜厚が増大
する。
【００２１】本願発明では、図１(b) の構造をもつ半導
体ウエハ１０が得られると、これを放置するのではな
く、即座に、またはそれほど期間をあけずに、たとえば
アルカリ洗浄を行い、ウエハ表面をいったん清浄とした
上、積極的に表面に安定な保護膜１５を形成する。
体ウエハ１０が得られると、これを放置するのではな
く、即座に、またはそれほど期間をあけずに、たとえば
アルカリ洗浄を行い、ウエハ表面をいったん清浄とした
上、積極的に表面に安定な保護膜１５を形成する。
【００２２】たとえば、上記半導体ウエハ１０をＨ2 Ｏ
2 ＋ＮＨ3 水溶液に浸漬すると、図２に示すように、ウ
エハ表面に安定なＡｌ自然酸化膜１５ａが形成される。
このＡｌ自然酸化膜は、ＧａＡｌＡｓ系化合物半導体の
Ａｌ混晶比が高いことを逆に利用してその安定した酸化
膜としたものである。いったんこのような保護膜１５が
形成されると、ＧａＡｌＡｓクラッド１２，１５が直接
空気に触れて不安定なＡｌ水酸化物が形成されるのを確
実に防止することができ、次工程処理までに時間的な間
隔を開けてもウエハ表面に不安定なＡｌ水酸化物が形成
されてしまうということがなくなる。
2 ＋ＮＨ3 水溶液に浸漬すると、図２に示すように、ウ
エハ表面に安定なＡｌ自然酸化膜１５ａが形成される。
このＡｌ自然酸化膜は、ＧａＡｌＡｓ系化合物半導体の
Ａｌ混晶比が高いことを逆に利用してその安定した酸化
膜としたものである。いったんこのような保護膜１５が
形成されると、ＧａＡｌＡｓクラッド１２，１５が直接
空気に触れて不安定なＡｌ水酸化物が形成されるのを確
実に防止することができ、次工程処理までに時間的な間
隔を開けてもウエハ表面に不安定なＡｌ水酸化物が形成
されてしまうということがなくなる。
【００２３】しかも、上記Ａｌ自然酸化膜１５ａは、次
工程処理の直前において、たとえば、ＫＯＨ、あるいは
ＮａＯＨの１％程度のアルカリ溶液による洗浄により、
あるいは、ＨＣｌ、あるいはＨＦなどの酸の水溶液によ
る洗浄により、ウエハ表面を荒らすことなく、簡単に除
去することができるのである。
工程処理の直前において、たとえば、ＫＯＨ、あるいは
ＮａＯＨの１％程度のアルカリ溶液による洗浄により、
あるいは、ＨＣｌ、あるいはＨＦなどの酸の水溶液によ
る洗浄により、ウエハ表面を荒らすことなく、簡単に除
去することができるのである。
【００２４】こうして、保護膜１５が適正に除去された
半導体ウエハ１０に対しては、図３に示すように、その
裏面に全面電極被膜１６を、表面に部分電極被膜１７
を、導体金属蒸着ないしはこれに加えてエッチングを施
すことにより形成する。もちろん、この導体金属蒸着を
適正に行うために、ウエハ表面をライトエッチングした
り、適当な酸化膜を形成したりする場合もある。保護膜
１５が適正かつ均一に除去されるので、上記のようにし
て形成される電極被膜１６，１７の表面性状はきわめて
平滑であり、また、ウエハ１０表面に対する高度な密着
性が確保されているので、この電極被膜１６，１７が不
用意に剥離するといった問題も生じえない。
半導体ウエハ１０に対しては、図３に示すように、その
裏面に全面電極被膜１６を、表面に部分電極被膜１７
を、導体金属蒸着ないしはこれに加えてエッチングを施
すことにより形成する。もちろん、この導体金属蒸着を
適正に行うために、ウエハ表面をライトエッチングした
り、適当な酸化膜を形成したりする場合もある。保護膜
１５が適正かつ均一に除去されるので、上記のようにし
て形成される電極被膜１６，１７の表面性状はきわめて
平滑であり、また、ウエハ１０表面に対する高度な密着
性が確保されているので、この電極被膜１６，１７が不
用意に剥離するといった問題も生じえない。
【００２５】そうして、ダイシングを行うことにより、
図４に示すような発光ダイオードチップＣが得られる。
図４に示すような発光ダイオードチップＣが得られる。
【００２６】上記保護膜１５の形成方法としては、上記
のほかに、プラズマＣＶＤによってＳｉ系窒化膜または
Ｓｉ系酸化膜を形成することがあげられる。これらＳｉ
系窒化膜またはＳｉ系酸化膜は、いずれも空気中できわ
めて安定しており、ウエハ中の混晶物であるＡｌが空気
に触れて不安定な水酸化物が形成されることを確実に防
止することができる。
のほかに、プラズマＣＶＤによってＳｉ系窒化膜または
Ｓｉ系酸化膜を形成することがあげられる。これらＳｉ
系窒化膜またはＳｉ系酸化膜は、いずれも空気中できわ
めて安定しており、ウエハ中の混晶物であるＡｌが空気
に触れて不安定な水酸化物が形成されることを確実に防
止することができる。
【００２７】もんろん、この発明の範囲は上述した実施
の形態に限定されることはない。図に示した実施の形態
は、いわゆるＤＤＨ型のＧａＡｌＡｓ赤色発光ダイオー
ドを製造するための化合物半導体ウエハの保存について
のものであるが、図１(a) の構造をもついわゆるＤＨ型
のウエハの保存、あるいは、いわゆるＳＨ型のウエハの
保存にも問題なく本願発明を適用することができる。
の形態に限定されることはない。図に示した実施の形態
は、いわゆるＤＤＨ型のＧａＡｌＡｓ赤色発光ダイオー
ドを製造するための化合物半導体ウエハの保存について
のものであるが、図１(a) の構造をもついわゆるＤＨ型
のウエハの保存、あるいは、いわゆるＳＨ型のウエハの
保存にも問題なく本願発明を適用することができる。
【００２８】また、発光ダイオードの製造のための化合
物半導体ウエハに限らず、ＧａＡｌＡｓ系化合物半導体
レーザを製造するためのウエハの保存にも、もちろん本
願発明を適用することができる。
物半導体ウエハに限らず、ＧａＡｌＡｓ系化合物半導体
レーザを製造するためのウエハの保存にも、もちろん本
願発明を適用することができる。
【図１】ＤＤＨ型ＧａＡｌＡｓ系化合物半導体ウエハの
製造過程の説明図である。
製造過程の説明図である。
【図２】上記半導体ウエハの表面に本願発明方法による
保護膜が形成された状態（ウエハ保存状態）を示す説明
図である。
保護膜が形成された状態（ウエハ保存状態）を示す説明
図である。
【図３】上記保護膜が除去された半導体ウエハの表面に
電極被膜が形成された状態を示す説明図である。
電極被膜が形成された状態を示す説明図である。
【図４】図３に示す半導体ウエハをダイシングして得ら
れる発光ダイオードチップの外観斜視図である。
れる発光ダイオードチップの外観斜視図である。
１０ 化合物半導体ウエハ １１ ＧａＡｓ基板結晶 １２ Ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層 １３ 活性層 １４ Ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層 １５ 保護層 １６ 電極被膜 １７ 電極被膜 Ｃ 発光ダイオードチップ
Claims (4)
- 【請求項１】 Ａｌを混晶物として含む化合物半導体ウ
エハの保存方法であって、 上記半導体ウエハの表面洗浄を行うステップ、 上記半導体ウエハの表面に安定な保護膜を形成するステ
ップ、を含むことを特徴とする、半導体ウエハの保存方
法。 - 【請求項２】 上記化合物半導体ウエハは、ＧａＡｌＡ
ｓ系発光ダイオード製造のためのものである、請求項１
に記載の半導体ウエハの保存方法。 - 【請求項３】 上記安定な保護膜の形成ステップは、表
面洗浄後の上記半導体ウエハをＨ2 Ｏ2 ＋ＮＨ3 水溶液
に浸漬して表面にＡｌ自然酸化膜を形成することにより
行われる、請求項１または２に記載の半導体ウエハの保
存方法。 - 【請求項４】 上記安定な保護膜の形成ステップは、表
面洗浄後の上記半導体ウエハ表面にプラズマＣＶＤによ
ってＳｉ系窒化膜またはＳｉ系酸化膜を形成することに
より行われる、請求項１または２に記載の半導体ウエハ
の保存方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25311095A JPH0997756A (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 半導体ウエハの保存方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25311095A JPH0997756A (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 半導体ウエハの保存方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0997756A true JPH0997756A (ja) | 1997-04-08 |
Family
ID=17246644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25311095A Pending JPH0997756A (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 半導体ウエハの保存方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0997756A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007059759A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Victor Co Of Japan Ltd | 半導体レーザ素子の製造方法 |
-
1995
- 1995-09-29 JP JP25311095A patent/JPH0997756A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007059759A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Victor Co Of Japan Ltd | 半導体レーザ素子の製造方法 |
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