JP2007053503A - アンテナおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 本発明は、高精度且つ安価で生産性に優れ、短波長化に適用可能な高性能プリント平板アンテナ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁基板と前記絶縁基板上に形成された導体線路からなるアンテナおよびアンテナの製造方法であって、少なくとも表面にシロキサン構造を有するポリイミド樹脂を含有した層を含む前記絶縁基板の表面をアルカリによって表面処理するプロセスと、無電解メッキプロセスによって前記導体線路を形成するプロセスを含む事を特徴とするアンテナの製造方法により、絶縁性の樹脂材料と無電解めっき皮膜との高い接着性を実現した高精度プリントアンテナを提供することができる。
【選択図】 なし

Description

本発明は、携帯電話、ＲＦＩＣタグ、あるいは自動車電話などに搭載して使用される移動体通信用アンテナ及びその製造方法に関し、特に、アンテナの導体線路の形成方法および電子回路との接続方法に関する。

近年、無線を利用した通信システムが広く行き渡り、とりわけ情報量の多い高周波領域での電波を使用した通信システムの発展は著しい。このような通信システムにおいて、平面アンテナは短波長無線システムの入出力装置として好適であり、例えば、無線ＬＡＮや自動車における衝突防止用レーダのようにマイクロ波やミリ波などの領域での応用も期待されている。
この様な通信システムにおけるアンテナの大きさは電（磁）波の波長の大きさにあわせて作る必要があり、受信する送信信号の波長をλとしたとき、１／４λの長さがアンテナの導体線路の長さに等しくなるように決定される。例えば、ＲＦＩＣタグの場合、現在９００ＭＨｚ付近の電波の使用が検討されているが、その場合には約８０ｃｍの長さのアンテナが必要となる。今後、情報通信素子ではさらなる波長の短波長化が進行するが、短波長化に伴って入出力装置であるアンテナも小型化し、それに応じてアンテナの寸法精度に対する要求が厳しくなる。したがって、アンテナの導電線路の形成には微細加工技術が必要となっている（特許文献１〜４）。
この様な目的に使用される従来のプリントアンテナは、絶縁基板と、絶縁基板の上面に形成された導体線路とから構成されており、絶縁基板は、例えば簡易型携帯電話のマザー基板で、そこには送受信回路が形成されている。この様なプリントアンテナは、一般には金属箔を張った積層板を用いて製造されるものであり、プリント配線板の分野ではよく知られたフォトレジスト技術と金属箔のエッチング技術を用いて作製される。

しかし、このような従来の製造方法では高精度且つ安価で生産性に優れ、短波長化に適用可能な平面アンテナを提供することが困難になってきた。上記の様なエッチング技術を用いたアンテナの導体線路（例えばスロットパターンやパッチパターン）形成法では微細加工の精度に限界があり、また大量に生産できないという欠点を有している。
例えば、ミリ波における寸法精度は少なくとも波長の１％以上が必要とされ、５０ＧＨｚにおいては数十μｍの精度が必要とされる。また、共振スロットやパッチパターンを多数アレイ化して配置したとき、その指向性を維持するためにはさらに厳しく寸法精度をコントロールすることが求められる。このような要求に対して現在、安価で実用的なアンテナの製造方法は実現されていない。

無電解メッキ法は電気エネルギーを用いずに、金属塩の水溶液中に還元剤を入れておき、その分解による還元作用で金属を基材上に析出せしめる方法であり、高精度の導電線路が形成できると言う特徴があるので、アンテナ導体線路形成の製造法としては最も可能性の高い手法の一つであると考えられる。しかし、プリント配線板の製造やアンテナの導体線路形成に無電解メッキ法を適用して回路形成をおこなう場合、無電解めっき層と絶縁材料との接着性が低いことが課題であった。

上記課題を解決するための一般的手法としては、絶縁性の樹脂材料表面を様々な手法で粗化させ、いわゆるアンカー効果によって無電解めっき皮膜との接着性を得ていた。しかし、表面粗度が小さい場合には無電解めっき層と樹脂材料との接着性は低く、大きな粗化を施すと微細配線形成が出来なくなるという問題があった（特許文献５）。
この様な問題を解決するための手段として、耐熱性樹脂フイルムの少なくとも片面に、芳香族テトラカルボン酸二無水物とシロキサン系ジアミンを主成分とするポリイミド前駆体を塗布した上、あるいは塗布されたポリイミド前駆体が全てイミド化された上、に金属メッキ層が形成された樹脂付き金属箔及びこれを用いたフレキシブル配線板の製造法が開示されている（特許文献６）。しかし、このプロセスは煩雑な前駆体の熱処理工程を必要とする上に、形成された金属メッキ層と基板の接着性も十分ではなく、さらにこの様なプロセスを用いたアンテナ製造の試みは成されていなかった。
特開平１０−２０９７４５ 特開平０５−１６７３３０ 特開２００３−１１５７１８ 特開２００４−１５８３３ 特開２０００−１９８９０７ 特開２００２−２６４２５５

本発明は、高精度且つ安価で生産性に優れ、短波長化に適用可能な高性能アンテナを提供することをその目的としている。特に、表面粗度が小さい場合でも絶縁性の樹脂材料と無電解めっき皮膜との高い接着性が得られる樹脂材料を開発し、それを高性能アンテナの製造に適用する事によって前記課題を解決しようとするものである。

本発明者等は上記課題に鑑み鋭意検討を行った結果、下記のめっき用材料を開発し、それを用いる事により上記課題が解決しうることを見出した。すなわち、
本発明は、絶縁基板と前記絶縁基板上に形成された導体線路からなるアンテナであって、前記絶縁基板の少なくとも表面に、シロキサン構造を有するポリイミド樹脂を含有した層を含み、前記導体線路が少なくとも無電解メッキプロセスを用いて作製された事を特徴とするアンテナである。
また、前記シロキサン構造を有するポリイミド樹脂が、酸二無水物成分と、下記一般式（１）で表されるジアミンを含むジアミン成分とからなるポリイミド樹脂であることが好ましい。

（式中、ｇは１以上の整数を表す。また、Ｒ¹¹及びＲ²²は、それぞれ同一、または異なっていてよく、アルキレン基またはフェニレン基を表す。Ｒ³³、Ｒ⁴⁴、Ｒ⁵⁵、Ｒ⁶⁶は、それぞれ同一、または異なっていてよく、アルキル基、フェニル基またはフェノキシ基を表す。）
前記絶縁基板上に形成された導体線路の少なくとも一つの端子が、前記導体線路が形成されている面とは異なる前記絶縁基板の面に形成された電気回路と、前記絶縁基板に形成された貫通孔を通して電気的に接続されている事が好ましい。

さらに前記貫通孔を通して、前記端子と前記電気回路とを接続している、電気的接続線路が、少なくとも無電解めっき工程を含むプロセスで形成されることが好ましい。
また本発明は、絶縁基板と前記絶縁基板上に形成された導体線路からなるアンテナの製造方法であって、少なくとも表面にシロキサン構造を有するポリイミド樹脂を含有した層を含む前記絶縁基板の表面をアルカリによって表面処理するプロセスと、無電解メッキプロセスによって前記導体線路を形成するプロセスを含む事を特徴とするアンテナの製造方法である。
また、前記シロキサン構造を有するポリイミド樹脂が、酸二無水物成分と、下記一般式（１）で表されるジアミンを含むジアミン成分とからなるポリイミド樹脂であることが好ましい。

（式中、ｇは１以上の整数を表す。また、Ｒ¹¹及びＲ²²は、それぞれ同一、または異なっていてよく、アルキレン基またはフェニレン基を表す。Ｒ³³、Ｒ⁴⁴、Ｒ⁵⁵、Ｒ⁶⁶は、それぞれ同一、または異なっていてよく、アルキル基、フェニル基またはフェノキシ基を表す。）
さらに前記絶縁基板上に形成された導体線路の少なくとも一つの端子と、前記導体線路が形成されている面とは異なる前記絶縁基板の面に形成された電気回路を、前記絶縁基板に形成された貫通孔を通して電気的に接続するプロセスを含む事が好ましい。
さらに前記電気的に接続するプロセスが、少なくとも無電解めっき工程を含むプロセスであることが好ましい。

本発明の絶縁基板を用いる事により、表面凹凸の極めて小さな基板上にアンテナの微細導体線路を強固な密着力で精度良く作製できる。また、本発明の手法により表面凹凸の極めて小さな基板上にアンテナの微細導体線路を強固な密着力で精度良く作製できる。さらに本発明の手法によりアンテナ導体線路の形成面とは別の面に送受信機器電子回路やアース線を形成する事が可能になり、機器の小型化を実現することが出来る。

本発明の実施形態について以下に詳細に説明するが、本発明は以下の記載に限定されるものではない。
＜本発明のポリイミド樹脂＞
はじめに本発明で用いられる、シロキサン構造を有するポリイミド樹脂について説明する。ポリイミド樹脂は、酸二無水物成分とジアミン成分とを反応させて得られる。以下、酸二無水物成分について説明する。

酸二無水物成分としては特に限定はなく、ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、４，４’−オキシジフタル酸無水物、３，３’，４，４’−ジメチルジフェニルシランテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−フランテトラカルボン酸二無水物、４，４’−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルプロパン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ｐ−フェニレンジフタル酸無水物などの芳香族テトラカルボン酸二無水物、４，４’−ヘキサフルオロイソプロピリデンジフタル酸無水物、４，４’−オキシジフタル酸無水物、３，４’−オキシジフタル酸無水物、３，３’−オキシジフタル酸無水物、４，４’−（４，４’−イソプロピリデンジフェノキシ）ビス（無水フタル酸）、４，４’−ハイドロキノンビス（無水フタル酸）、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンジベンゾエート−３，３’，４，４’−テトラカルボン酸二無水物、１，２−エチレンビス（トリメリット酸モノエステル無水物）、ｐ−フェニレンビス（トリメリット酸モノエステル無水物）等を挙げることができる。これらは１種のみで用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いることも可能である。

続いて、ジアミン成分について説明する。本発明においては、ジアミン成分として、下記一般式（１）で表されるジアミン成分を含むことが好ましい。

（式中、ｇは１以上の整数を表す。また、Ｒ¹¹及びＲ²²は、それぞれ同一、または異なっていてよく、アルキレン基またはフェニレン基を表す。Ｒ³³、Ｒ⁴⁴、Ｒ⁵⁵、Ｒ⁶⁶は、それぞれ同一、または異なっていてよく、アルキル基、フェニル基またはフェノキシ基を表す。）
一般式（１）で表されるジアミン成分を用いることにより、得られるポリイミド樹脂は、無電解めっき層と強固に接着するという特徴を有するようになる。

一般式（１）で表されるジアミンとしては、１,１，３，３，−テトラメチル−１，３−ビス（４−アミノフェニル）ジシロキサン、１,１，３，３，−テトラフェノキシ−１，３−ビス（４−アミノエチル）ジシロキサン、１,１，３，３，５，５−ヘキサメチル−１，５−ビス（４−アミノフェニル）トリシロキサン、１,１，３，３，−テトラフェニル−１，３−ビス（２−アミノフェニル）ジシロキサン、１,１，３，３，−テトラフェニル−１，３−ビス（３−アミノプロピル）ジシロキサン、１,１，５，５，−テトラフェニル−３，３−ジメチル−１，５−ビス（３−アミノプロピル）トリシロキサン、１,１，５，５，−テトラフェニル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（３−アミノブチル）トリシロキサン、１,１，５，５，−テトラフェニル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（３−アミノペンチル）トリシロキサン、１,１，３，３，−テトラメチル−１，３−ビス（２−アミノエチル）ジシロキサン、１,１，３，３，−テトラメチル−１，３−ビス（３−アミノプロピル）ジシロキサン、１,１，３，３，−テトラメチル−１，３−ビス（４−アミノブチル）ジシロキサン、１，３−ジメチル−１，３−ジメトキシ−１，３−ビス（４−アミノブチル）ジシロキサン、１,１，５，５，−テトラメチル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（２−アミノエチル）トリシロキサン、１,１，５，５，−テトラメチル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（４−アミノブチル）トリシロキサン、１,１，５，５，−テトラメチル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（５−アミノペンチル）トリシロキサン、１,１，３，３，５，５−ヘキサメチル−１，５−ビス（３−アミノプロピル）トリシロキサン、１,１，３，３，５，５−ヘキサエチル−１，５−ビス（３−アミノプロピル）トリシロキサン、１,１，３，３，５，５−ヘキサプロピル−１，５−ビス（３−アミノプロピル）トリシロキサン、等が挙げられる。また、一般式（１）で表される、比較的入手しやすいジアミンとして、信越化学工業株式会社製のＫＦ−８０１０、Ｘ−２２−１６１Ａ、Ｘ−２２−１６１Ｂ、Ｘ−２２−１６６０Ｂ―３、ＫＦ−８００８、ＫＦ−８０１２、Ｘー２２−９３６２、等を挙げることができる。上記ジアミンは単独で用いてもよく、２種以上を混合してもよい。

また、耐熱性、耐湿性を向上させる目的で、上述のジアミンと他のジアミンとを組み合わせて使用することも可能である。他のジアミン成分としては、あらゆるジアミンを使用することが可能であり、ｍ−フェニレンジアミン、ｏ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−アミノベンジルアミン、ｐ−アミノベンジルアミン、ビス（３−アミノフェニル）スルフィド、（３−アミノフェニル）（４−アミノフェニル）スルフィド、ビス（４−アミノフェニル）スルフィド、ビス（３−アミノフェニル）スルホキシド、（３−アミノフェニル）（４−アミノフェニル）スルホキシド、ビス（３−アミノフェニル）スルホン、（３−アミノフェニル）（４−アミノフェニル）スルホン、ビス（４−アミノフェニル）スルホン、３，４’−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホキシド、ビス［４−（アミノフェノキシ）フェニル］スルホキシド、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルチオエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルチオエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルチオエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフォン、３，４’−ジアミノジフェニルスルフォン、３，３’−ジアミノジフェニルスルフォン、４，４’−ジアミノベンズアニリド、３，４’−ジアミノベンズアニリド、３，３’−ジアミノベンズアニリド、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、３，４’−ジアミノベンゾフェノン、３，３’−ジアミノベンゾフェノン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］メタン、ビス［４−（４−アミノフェニキシ）フェニル］メタン、１，１−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］エタン、１，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エタン、１，２−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］エタン、１，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エタン、２，２−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］ブタン、２，２−ビス［３−（３−アミノフェノキシ）フェニル］−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］ケトン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ケトン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルフィド、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルフィド、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、１，４−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ベンゼン、４，４’−ビス［３−（４−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ジフェニルエーテル、４，４’−ビス［３−（３−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ジフェニルエーテル、４，４’−ビス［４−（４−アミノ−α，α−ジメチルベンジル）フェノキシ］ベンゾフェノン、４，４’−ビス［４−（４−アミノ−α，α−ジメチルベンジル）フェノキシ］ジフェニルスルホン、ビス［４−｛４−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ｝フェニル］スルホン、１，４−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、３，３’−ジヒドロキシ−４，４’−ジアミノビフェニルなどを挙げることができる。

ここで、一般式（１）で表されるジアミンは、全ジアミン成分に対して５〜９８モル％が好ましく、より好ましくは８〜９５モル％である。

一般式（１）で表されるジアミンが、全ジアミン成分に対して５モル％より低い場合、得られるポリイミド樹脂は、無電解めっき層との接着性を損なう恐れがある。また、一般式（１）で表されるジアミンが、全ジアミン成分に対して９８モル％より高い場合、得られるポリイミド樹脂が粘着性を有する場合がある。この場合、粘着性により埃等の異物が付着し、無電解めっき時に異物によるめっき不良が生じる場合がある。

前記ポリイミドは、対応する前駆体ポリアミド酸重合体を脱水閉環して得られる。ポリアミド酸重合体は、酸二無水物成分とジアミン成分とを実質的に等モル反応させて得られる。

反応の代表的な手順として、１種以上のジアミン成分を有機極性溶剤に溶解または分散させ、そののち１種以上の酸二無水物成分を添加し、ポリアミド酸溶液を得る方法があげられる。各モノマーの添加順序はとくに限定されず、酸二無水物成分を有機極性溶媒に先に加えておき、ジアミン成分を添加し、ポリアミド酸重合体の溶液としてもよいし、ジアミン成分を有機極性溶媒中に先に適量加えて、つぎに過剰の酸二無水物成分を加え、過剰量に相当するジアミン成分を加えて、ポリアミド酸重合体の溶液としてもよい。このほかにも、当業者に公知のさまざまな添加方法がある。なお、ここでいう「溶解」とは、溶媒が溶質を完全に溶解する場合のほかに、溶質が溶媒中に均一に分散または分散されて実質的に溶解しているのと同様の状態になる場合を含む。反応時間、反応温度は、とくに限定されない。

ポリアミド酸の重合反応に用いられる有機極性溶媒としては、たとえば、ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシドなどのスルホキシド系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミドなどのホルムアミド系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミドなどのアセトアミド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−ビニル−２−ピロリドンなどのピロリドン系溶媒、フェノール、ｏ−、ｍ−またはｐ−クレゾール、キシレノール、ハロゲン化フェノール、カテコールなどのフェノール系溶媒、あるいはヘキサメチルホスホルアミド、γ−ブチロラクトンなどをあげることができる。さらに必要に応じて、これらの有機極性溶媒とキシレンあるいはトルエンなどの芳香族炭化水素とを組み合わせて用いることもできる。

前記方法により得られたポリアミド酸溶液を、熱的または化学的方法により脱水閉環し、ポリイミドを得るが、ポリアミド酸溶液を熱処理して脱水する熱的方法、脱水剤を用いて脱水する化学的方法のいずれも用いることができる。また、減圧下で加熱してイミド化する方法も用いることができる。以下に各方法について説明する。

熱的に脱水閉環する方法として、前記ポリアミド酸溶液を加熱処理によりイミド化反応を進行させると同時に、溶媒を蒸発させる方法を例示することができる。この方法により、固形のポリイミド樹脂を得ることができる。加熱の条件はとくに限定されないが、２００℃以下の温度で１秒〜２００分の時間の範囲で行なうことが好ましい。

また、化学的に脱水閉環する方法として、前記ポリアミド酸溶液に化学量論以上の脱水剤と触媒を加えることにより、脱水反応を起こし、有機溶媒を蒸発させる方法を例示することができる。これにより、固形のポリイミド樹脂を得ることができる。脱水剤としては、たとえば、無水酢酸などの脂肪族酸無水物、無水安息香酸などの芳香族酸無水物などがあげられる。また、触媒としては、たとえば、トリエチルアミンなどの脂肪族第３級アミン類、ジメチルアニリンなどの芳香族第３級アミン類、ピリジン、α−ピコリン、β−ピコリン、γ−ピコリン、イソキノリンなどの複素環式第３級アミン類などがあげられる。化学的に脱水閉環する際の条件は、１００℃以下の温度が好ましく、有機溶媒の蒸発は、２００℃以下の温度で約５分〜１２０分の時間の範囲で行なうことが好ましい。

また、ポリイミド樹脂を得るための別の方法として、前記の熱的または化学的に脱水閉環する方法において、溶媒の蒸発を行わない方法もある。具体的には、熱的イミド化処理または脱水剤による化学的イミド化処理を行って得られるポリイミド溶液を貧溶媒中に投入して、ポリイミド樹脂を析出させ、未反応モノマーを取り除いて精製、乾燥させ、固形のポリイミド樹脂を得る方法である。貧溶媒としては、溶媒とは良好に混合するがポリイミドは溶解しにくい性質のものを選択する。例示すると、アセトン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ベンゼン、メチルセロソルブ、メチルエチルケトンなどがあげられるが、これらに限定されない。

つぎに、減圧下で加熱してイミド化する方法であるが、このイミド化の方法によれば、イミド化によって生成する水を積極的に系外に除去できるので、ポリアミド酸の加水分解を抑えることが可能であり、高分子量のポリイミドが得られる。また、この方法によれば、原料の酸二無水物中に不純物として存在する片側または両側開環物が再閉環するので、より一層の分子量の向上効果が期待できる。

減圧下で加熱イミド化する方法の加熱条件は、８０〜４００℃が好ましいが、イミド化が効率よく行なわれ、しかも水が効率よく除かれる１００℃以上がより好ましく、さらに好ましくは１２０℃以上である。最高温度は目的とするポリイミドの熱分解温度以下が好ましく、通常のイミド化の完結温度、すなわち２５０〜３５０℃程度が通常適用される。

減圧する圧力の条件は、小さいほうが好ましいが、具体的には、９×１０４〜１×１０２Ｐａ、好ましくは８×１０４〜１×１０２Ｐａ、より好ましくは７×１０４〜１×１０２Ｐａである。

以上、ポリイミド樹脂について説明したが、本発明のめっき用材料に用いることができる、比較的入手しやすいシロキサン構造を含むポリイミド樹脂の例として、信越化学工業株式会社製のＸー２２−８９１７、Ｘー２２−８９０４、Ｘー２２−８９５１、Ｘー２２−８９５６、Ｘー２２−８９８４、Ｘー２２−８９８５、等を挙げることができる。尚、これらはポリイミド溶液である。

＜絶縁基板の構造＞
本発明の絶縁基板は、無電解めっきを施すための表面を有しており、該表面がシロキサン構造を有するポリイミド樹脂を含有することを特徴とする（以下表面Aと記載する）。この様なポリイミド樹脂を含有することにより、表面粗度が小さい場合でも無電解めっき皮膜との高い接着強度が得られる。すなわち本発明のプロセスでは表面粗化を実施する事無く強固な無電解めっき層が形成でき、そのために微細なアンテナ回路を精度良く形成する事が出来る。
本発明のシロキサン構造を有するポリイミド樹脂層（表面Ａ）を形成するために、ポリイミド樹脂を含有する溶液が好ましく用いられる。この溶液を用いてめっきを施したい基板表面に表面Ａ層を形成し、その後無電解めっきを施すのである。Ａ層は層間接着剤の役割を果たし、基板と無電解めっきが強固に接着するための役目を果たす。Ａ層は接着性と耐熱性を併せ持ち、表面粗度が小さい場合でも無電解めっき層を強固に形成できるのでアンテナの導体線路形成用として好適に用いることができる。
ポリイミド前駆体を用いて表面層を形成し、しかる後に基板表面で加熱によりイミド化する方法も考えられるが、この方法は煩雑な熱処理工程を必要とし、さらにイミド化の不十分な熱処理に起因すると考えられる樹脂層の機械的強度や、発生ガスなどのために十分な接着強度が得られない事が多く本発明の目的には適当でない場合がある。

本発明の絶縁基板は、前記ポリイミド樹脂を含有する表面Ａが含まれていれば、いかなる構成からなる材料、形態であっても構わない。
すなわち、前記ポリイミド樹脂を含有する表面Ａは前記ポリイミド樹脂のみから構成された材料であっても良いし、前記ポリイミド樹脂と他の高分子との相溶されたものでも良い。具体的には、基板との接着性や耐熱性・耐湿性、等の各種特性を改善する目的で、上述のポリイミド樹脂の他に、他の成分を含有させることが可能である。他の成分としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などの樹脂を適宜使用することができる。

熱可塑性樹脂としては、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、フェノキシ樹脂、また、酸二無水物成分と、熱可塑性ポリイミド樹脂等を挙げることができ、これらを単独または適宜組み合わせて用いることができる。

また、熱硬化性樹脂としては、ビスマレイミド樹脂、ビスアリルナジイミド樹脂、フェノール樹脂、シアナート樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、トリアジン樹脂、ヒドロシリル硬化樹脂、アリル硬化樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などをあげることができ、これらを単独または適宜組み合わせて用いることができる。また、前記熱硬化性樹脂以外に、高分子鎖の側鎖または末端に、エポキシ基、アリル基、ビニル基、アルコキシシリル基、ヒドロシリル基などの反応性基を有する側鎖反応性基型熱硬化性高分子を使用することも可能である。

また、無電解めっき層との接着性をより向上させる目的で、各種添加剤を高分子材料に添加、高分子材料表面に塗布等の方法で存在させることも可能である。具体的には有機チオール化合物などを挙げることができるが、これに限定されない。さらに、各種有機フィラー、無機フィラーを添加することもできる。

上述の他の成分は、配線形成に悪影響を及ぼさない範囲で、また無電解めっき層との接着性を低下させない範囲で組み合わせることが重要である。尚、本発明の表面層の厚さは１０Å以上である事が望ましい。

次に本発明の絶縁基板の構造について説明する。いかなる構成からなる材料、形態であっても構わないとは、何らかの基板表面に表面Aの層（以下、Ａ層という。）を形成したものでも良いと言うことを意味する。

ここで、基板とは、各種高分子フィルム（ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、などの事を言いガラスクロスなどの添加剤や難燃剤が含まれていても良い）やセラミック基板のことを言い、A層との二層構造（A層／基板）であってもよく、絶縁基板の両面にA層を形成した三層構造（A層／基板／A層）であっても良い。また、A層／基板／Ｂ層、A層／B層／基板、などの構成であっても良く、さらなる多層構造であっても良い。ここでわざわざB層と記載したのは、例えば、B層が他の絶縁基板との接着やA層と基板との接着の機能を持つことを意味し、プレプリグなどの回路埋め込みと基板との接着の役目を果たす層、などである事を意味する。

以下、B層が上記プレプリグである場合について詳しく記載する。B層は形成された回路を有する表面に対して積層する際、回路間にＢ層が流動して、回路を埋め込むことができる様な優れた加工性が必要である。一般に、熱硬化性樹脂は上記加工性に優れており、Ｂ層には熱硬化性樹脂を含むことが好ましい。この熱硬化性樹脂組成物としてはエポキシ樹脂、フェノール樹脂、熱硬化型ポリイミド樹脂、シアナートエステル樹脂、ヒドロシリル硬化樹脂、ビスマレイミド樹脂、ビスアリルナジイミド樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、アリル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂等の熱硬化性樹脂；高分子鎖の側鎖または末端にアリル基、ビニル基、アルコキシシリル基、ヒドロシリル基等の反応性基を有する側鎖反応性基型熱硬化性高分子を適切な熱硬化剤、硬化触媒と組み合わせた熱硬化性樹脂組成物として適用可能である。これらの熱硬化性樹脂組成物に更に熱可塑性高分子を添加することも好ましく実施可能であり、例えばエポキシ樹脂とフェノキシ樹脂を含む熱硬化性樹脂組成物やエポキシ樹脂と熱可塑性ポリイミド樹脂を含む熱硬化性樹脂組成物、シアナート樹脂と熱可塑性ポリイミド樹脂を含む熱硬化性樹脂組成物等は好ましく実施可能である。この中でも、諸特性バランスに優れるエポキシ樹脂と熱可塑性ポリイミド樹脂を含む熱硬化性樹脂組成物が最も好ましい。また、低熱膨張性発現のため、各種フィラーを組み合わせることも可能である。

＜無電解めっき＞
本発明のめっき用材料の表面Ａに形成される無電解めっきの種類としては、無電解銅めっき、無電解ニッケルめっき、無電解金めっき、無電解銀めっき、無電解錫めっき、等を挙げる事ができ本発明に使用可能であるが、工業的観点、耐マイグレーション性等の電気特性の観点より、無電解銅めっき、無電解ニッケルめっきが好ましく、特に好ましくは無電解銅めっきである。
本発明の表面Ａに無電解メッキを施すプロセスにおいて、あらかじめ表面Ａをアルカリ処理することは強固な接着性を実現するうえで好ましい。ここで言うアルカリ処理としては、ビルドアップ配線板形成のプロセスにおいてビアホール形成後に実施されるデスミヤプロセスと同様の処方を用いることが出来る。なお、本目的に好ましく用いられる典型的なデスミヤプロセスの条件は実施例においてのべる。
また、表面Ａ層と無電解めっき層との接着性を向上させる目的で、無電解めっき層を形成後に加熱処理を施すことも可能である。
この無電解メッキのプロセスは良く知られたセミアディティブプロセスとよばれるプロセスで形成されることが望ましく液状レジストやドライフィルムレジストなどのフォトレジストとの組み合わせ、また無電解メッキ後に実施される電解メッキとの組みあわせで微細線路形成が可能となる。なお、本目的に好ましく用いられる典型的な無電解メッキプロセスの条件は実施例においてのべる。
＜アンテナの製造方法＞
次に本発明のアンテナ製造方法の例について説明するが、ここに記載した方法はあくまで製造方法の例を示すものであり、これに限定されるものではない。

図１には上述のプレプリグを用いた本発明のアンテナの製造方法の第１の例をしめす。先ず、図１（ａ）に示すようなプレプリグ１２の表面にシロキサン構造を有するポリイミド樹脂を含む層１１（Ａ層）を形成したフィルムを用意する。なおプレプリグ層は多層枚のプレプリグを積層して作製しても良い。次に図１（ｂ）に示すように、このフィルムを真空プレスやラミネートなどの方法により回路基板１４の上に積層圧着する。積層に際しては、熱プレス処理、真空プレス処理、ラミネート処理（熱ラミネート処理）、真空ラミネート処理、熱ロールラミネート処理、真空熱ロールラミネート処理等の熱圧着処理を行う。中でも真空下での処理、すなわち真空プレス処理、真空ラミネート処理、真空熱ロールラミネート処理がより良好に回路間をボイド無く埋め込むことが可能であり、好ましく実施可能である。なお１４の回路基板表面には回路１３がすでに形成されており、プレプリグ１２は回路１３の間に流れて、これを埋め込んでいる。
次に、無電解メッキ層の外面にフォトレジストを用いて露光・現像処理することによって、アンテナ線路形成しない部分を覆うレジスト層を形成する。さらに、必要に応じて図１（ｃ）のようにドリル加工、またはレーザー加工によりビアホールを形成する。普通アンテナには電子回路への接続端子とアース端子の少なくとも二つの端子が必要であり、アンテナの導体線路を電子回路（送受信回路）やアース線路とは別の面に形成することは素子の小型化のために好ましい。

次に、図１（ｄ）に示すように積層板を無電解メッキ浴に浸漬して表面に無電解メッキ法により薄い金属層を形成する。金属層としては特に制限はないが、無電解メッキ銅は最も好ましく用いられる。なお、無電解金属メッキの方法として、デスミヤ工程、触媒担持工程を含む公知の方法が用いられる。次に、必要に応じて無電解メッキ層をシード層として利用して、電気メッキ法をもちいてアンテナ線路の形成とビアホールの穴埋めを行う。なおビアはフィルドビア構造、コンフォーマルビア構造のいずれであっても良い。なお、アンテナ線路は通常の電子回路のような伝導性は必要としないので、無電解金属メッキにより形成された金属層のみで十分である場合も多い。その様な場合には電解メッキプロセスは必要でない。最後に、レジスト層を溶解除去し、さらに、エッチング処理することによって図１（ｅ）に示すような素子に仕上げる。
次に、本発明のアンテナの製造方法の第２の例について図２を用いながら説明する。
先ず本発明のＡ層を両面に有する基板（図２（ａ））を用意する。次に、基板の外面にフォトレジスト層を形成し、露光・現像処理することによって、レジストパターンを形成する。その後に、図２（ｂ）のようにドリル加工、またはレーザー加工して貫通孔（ビアホール）２４を設ける。
次に、この基板を無電解メッキ浴に浸漬してメッキ加工することによって図２（ｃ）のように金属メッキ層（無電解メッキ層）２５を形成する。次に無電解メッキ層をシード層として利用して、電気メッキ法をもちいてアンテナ線路の形成とビアホールの穴埋めをおこなう。最後にレジストを溶解除去する事によって図２（ｄ）に示す表面にアンテナ線路、裏面に電子回路（送発信回路）とアース線路を持つ素子が完成する。
次に、本発明のアンテナの製造方法の第３の例について図３を用いながら説明する。
ここで図３（ａ）の３１は絶縁性基板であって、例えばセラミック基板のような絶縁基板であり、必要に応じて絶縁基板に貫通孔（ビアホール）３２があけられている。まず、絶縁基板面にフォトレジスト層を形成し、露光・現像処理することによって、アンテナ線路形成しない部分を覆うレジスト層３３を形成する。次に、絶縁基板の上に本発明のシロキサン構造を有するポリイミド樹脂を含有する層３４を印刷や溶液への浸漬、等の方法で、図３（ｃ）の様に形成する。次に図３（ｄ）のように層３２の表面に無電解メッキを施し、金属層３５を形成する。さらに、必要に応じて電解メッキ層３６を形成し、最後にフォトレジスト層を溶解除去し、図３（ｅ）のようなアンテナ素子を完成させる。
なお、ここではフォトレジストを利用した微細線路形成の例を説明したが、フォトレジストを用いず本発明のＡ層を直接基板上に印刷などの方法でパターン形成しその上に無電解メッキを施す方法でも良い。

以下、本発明について、実施例に基づいてより具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。当業者は本発明の範囲を逸脱することなく、種々の変更、修正、および改変をおこなうことができる。
＜合成＞
まず、実施例で用いた本発明のポリイミド樹脂の合成について記載する。
〔ポリイミド樹脂の合成例１〕
容量２０００ｍｌのガラス製フラスコに、信越化学工業株式会社製ＫＦ８０１０を６２ｇ（０．０７５ｍｏｌ）と、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル１５ｇ（０．０７５ｍｏｌ）と、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（以下、ＤＭＦと呼ぶ）を投入し、撹拌しながら溶解させ、４，４´―（４，４´―イソプロピリデンジフェノキシ）ビスフタル酸無水物７８ｇ（０．１５ｍｏｌ）を添加、約１時間撹拌し、固形分濃度３０％ポリアミド酸のＤＭＦ溶液を得た。上記ポリアミド酸溶液をテフロン（登録商標）コートしたバットにとり、真空オーブンで、２００℃、１２０分、６６５Ｐａで減圧加熱し、ポリイミド樹脂１を得た。
〔ポリイミド樹脂の合成例２〕
容量２０００ｍｌのガラス製フラスコに、信越化学工業株式会社製ＫＦ８０１０を８６ｇ（０．１０ｍｏｌ）と、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル９ｇ（０．０５ｍｏｌ）と、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（以下、ＤＭＦと呼ぶ）を投入し、撹拌しながら溶解させ、４，４´―（４，４´―イソプロピリデンジフェノキシ）ビスフタル酸無水物７８ｇ（０．１５ｍｏｌ）を添加、約１時間撹拌し、固形分濃度３０％ポリアミド酸のＤＭＦ溶液を得た。上記ポリアミド酸溶液をテフロン（登録商標）コートしたバットにとり、真空オーブンで、２００℃、１２０分、６６５Ｐａで減圧加熱し、ポリイミド樹脂２を得た。
〔ポリイミド樹脂の合成例３〕
容量２０００ｍｌのガラス製フラスコに、信越化学工業株式会社製ＫＦ８０１０を１２３ｇ（０．１５ｍｏｌ）と、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（以下、ＤＭＦと呼ぶ）を投入し、撹拌しながら溶解させ、４，４´―（４，４´―イソプロピリデンジフェノキシ）ビスフタル酸無水物７８ｇ（０．１５ｍｏｌ）を添加、約１時間撹拌し、固形分濃度３０％ポリアミド酸のＤＭＦ溶液を得た。上記ポリアミド酸溶液をテフロン（登録商標）コートしたバットにとり、真空オーブンで、２００℃、１２０分、６６５Ｐａで減圧加熱し、熱可塑性ポリイミド樹脂３を得た。
〔ポリイミド樹脂の合成例４〕
容量２０００ｍｌのガラス製フラスコに、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン４１ｇ（０．１４３ｍｏｌ）と、３，３’−ジヒドロキシ−４，４’−ジアミノビフェニル１．６ｇ（０．００７ｍｏｌ）と、ＤＭＦを投入し、撹拌しながら溶解させ、４，４´―（４，４´―イソプロピリデンジフェノキシ）ビスフタル酸無水物７８ｇ（０．１５ｍｏｌ）を添加、約１時間撹拌し、固形分濃度３０％ポリアミド酸のＤＭＦ溶液を得た。上記ポリアミド酸溶液をテフロン（登録商標）コートしたバットにとり、真空オーブンで、２００℃、１８０分、６６５Ｐａで減圧加熱し、ポリイミド樹脂４を得た。
〔溶液の調合例１〕
ポリイミド樹脂１をジオキソランに溶解させ、溶液（ａ）を得た。固形分濃度は１５重量％となるようにした。
〔溶液の調合例２〕
ポリイミド樹脂２をジオキソランに溶解させ、溶液（ｂ）を得た。固形分濃度は１５重量％となるようにした。
〔溶液の調合例３〕
ポリイミド樹脂３をジオキソランに溶解させ、溶液（ｃ）を得た。固形分濃度は１５重量％となるようにした。
〔溶液の調合例４〕
ポリイミド樹脂４をジオキソランに溶解させ、溶液（ｄ）を得た。固形分濃度は１５重量％となるようにした。
〔溶液の調合例５〕
溶液（ｃ）９０ｇと溶液（ｄ）１０ｇを混合して、溶液（ｅ）を得た。
〔溶液の調合例６〕
信越化学工業株式会社製のポリイミドシリコーン溶液、Ｘー２２−８９１７（固形分濃度２０重量％、シクロヘキサノン溶液）を用い、溶液（ｆ）とした。
〔溶液の調合例７〕
ジャパンエポキシレジン（株）社製ビフェニル型エポキシ樹脂のＹＸ４０００Ｈ３２．１ｇ、和歌山精化工業（株）社製ジアミンのビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン１７．９ｇ、四国化成工業（株）社製のエポキシ硬化剤、２,４−ジアミノ−６−［２′−ウンデシルイミダゾリル−（１′）］ーエチル−ｓ―トリアジン０．２ｇをジオキソランに溶解させ、溶液（ｇ）を得た。溶液（ａ）９０ｇと溶液（ｇ）１０ｇを混合して、溶液（ｈ）を得た。
〔Ｂ層溶液の調合例１〕
溶液（ｄ）９０ｇと溶液（ｇ）１０ｇと（株）龍森社製のシリカ（アドマファインＳ０−Ｃ５、平均粒径＝１．５μｍ）６ｇとを混合し、層Ｂ溶液（ｊ）を得た。

＜メッキの方法と接着性評価＞
本発明のシロキサン構造を有するポリイミド樹脂を含有した層（Ａ層）と無電解めっき銅層との接着性は以下のように評価した。まず、ポリイミド樹脂を含有した層表面をデスミア処理および無電解銅めっきを行った後、無電解めっき銅上に電解めっき銅層を形成して行った。なお具体的なデスミヤ処理、および無電解メッキの条件は表１、表２に示す通りで、その工程条件はアトテック社の無電解メッキプロセスに順じた条件である。

上記のプロセスで得られたメッキ層を、１８０℃、３０分の乾燥処理を行った後、ＪＰＣＡ−ＢＵ０１−１９９８（社団法人日本プリント回路工業会発行）に従い、常態、及びプレッシャークッカー試験（ＰＣＴ）後の接着強度を測定した。
常態接着強度：２５℃、５０％の雰囲気下、２４時間放置した後に測定した接着強度。
ＰＣＴ：１２１℃、１００％の雰囲気下、９６時間放置した後に測定した接着強度。
（実施例１〜６）
図２にその原理を記載した手法でアンテナを作成した。まず、２５μｍのポリイミドフィルム（商品名アピカルＮＰＩ、株式会社カネカ製）の両面に、前記溶液（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）（それぞれ、順番に実施例１〜６に対応）を流延塗布し、熱風オーブンにて６０℃の温度で加熱乾燥させ、厚み５μｍの表面Ａを有するポリイミドフィルムを得た。
次に、基板の表面に液状感光性めっきレジスト（ＪＳＲ（株）社製、ＴＨＢ３２０Ｐ）をコーティングし、次いで高圧水銀灯を用いてマスク露光を行い、回路形成を及びビアホール形成を予定した部分を除く部分にライン／スペースが１０／１０のレジストパターンを形成した。続いて、必要な個所に炭酸ガスレーザーを用いてφ５０μｍのビアホールを形成し、さらに前記の方法で、デスミヤおよび無電解メッキを行い、図２（ｃ）にしめした様な銅被覆基板を作製した。次に、無電解銅めっき皮膜が露出する部分の表面に、電解メッキ法で銅皮膜を形成した。ポリイミドフィルムの電解銅めっきは１０％硫酸中で３０秒間予備洗浄し、次に室温中で４０分間メッキを行なった。電流密度は２Ａ／ｄｍ²であり、膜厚は１８μｍとした。
最後にアルカリ型の剥離液を用いてめっきレジストを剥離してアンテナ素子を得た。得られたアンテナ線路は設計値通りのライン／スペースを有しており、また、サイドエッチは無かった。回路パターンと各種表面Ａとの接着強度を表３にしめす。この結果から、アンテナ線路（回路）はいずれも強固に接着している事が分かった。また、実施例ではアンテナ線路長が１０ｃｍ、幅３０μｍとなるように試作をおこなったが、形成された線路の断面は３０×１８μｍの長方形であり、線路長の誤差はいずれも０．２％以下であった。

（比較例１）
１８μｍの厚さの銅箔付きポリイミドフィルム（２５μｍ）を用いてサブトラ法（エッチング）により同じアンテナ線路を形成した場合には、線路の断面は台形となった。その形は線路上面で平均幅１２μ、線路底面で平均幅３８μｍ、線路は平均１０μｍ程度のサイドの凹凸を有していた。また線路長の誤差は１．３％であった。
この事から本発明の手法により精密なアンテナ線路の形成が可能である事がわかった。

（実施例７〜８）
図１に示したプロセスに基づいてアンテナを製造する実施例について説明する。まず、支持体となるポリエチレンテレフタレートフィルム（商品名セラピールＨＰ、東洋メタライジング社製）の表面に溶液（ａ）、（ｂ）（それぞれ、順番に実施例７〜８に対応）を流延塗布し、熱風オーブンにて６０℃の温度で加熱乾燥させ、厚み５μｍの表面Ａを有するフィルムを得た。続いて溶液（ｊ）を流延塗布し、熱風オーブンにて８０℃、１００℃、１２０℃、１５０℃、１７０℃の温度で、各１分ずつ加熱乾燥させ、両層を併せた厚みが４０μｍの基板フィルムを得た。

得られたフィルムを真空プレス法で（３MPａ，１８０℃、１時間）、回路形成されているガラスエポキシ基板ＦＲ−４（商品番号：ＭＣＬ−Ｅ−６７、日立化成工業（株）社製；銅箔の厚さ５０μｍ、全体の厚さ１．２ｍｍ）上に圧着し、図１（ｂ）に示す積層体を作製した。その後、実施例１と同様の方法で、フォトレジスト形成、ビアホール形成を行い、さらに無電解メッキ、電解メッキ、レジスト剥離をおこなってアンテナ回路形成を行い、図１（ｅ）に示すアンテナと電子回路の積層体素子を得た。アンテナ回路の基板との接着強度の評価結果を表４に示す。この結果から、アンテナ線路（回路）はいずれも強固に接着している事が分かった。また、実施例ではアンテナ線路長が１０ｃｍ、幅３０μｍとなるように試作をおこなったが、形成された線路は計算どおりの断面を持ちさらに線路長の誤差はいずれも０．２％以下であった。ここ事から本発明の手法で精密なアンテナ線路の形成が可能である事がわかった。

（実施例９）
図３に示したプロセスに基づいてアンテナを製造する実施例について説明する。まず、セラミック基板（アルミナ基板）を準備し、その表面にドライフィルムレジスト（旭化成エレクトロニクス社製レジストフィルム、サンフォート）を圧着し、露光現像をおこなってトレジスト層を形成した。
次に、溶液（ａ）にさらにジオキソラン加えて固形分濃度が５％になるように調整し、その溶液中に上記セラミック基板を浸漬、引き上げを行い、さらに熱風オーブンにて６０℃の温度で加熱乾燥させ、平均厚み８μｍの層を形成した。次に、実施例１と同様の方法で、フォトレジスト形成、ビアホール形成を行い、さらに無電解メッキ、電解メッキ、レジスト剥離をおこなってアンテナ回路形成を行い、図３（ｅ）に示すアンテナと電子回路の積層体素子を得た。アンテナ回路の基板との接着強度の評価をおこなった結果、アンテナ線路と回路（アースパターンを含む）はセラミック基板と、常態強度７N／ｃｍ、PCT後の接着強度６N／ｃｍで強固に接着している事が分かった。実施例ではアンテナ線路長が１０ｃｍ、幅３０μｍとなるように試作をおこなったが、形成された線路の断面は３０×１８μｍの長方形であり、線路長の誤差は０．０４であり、上記実施例と同様の精密なアンテナ形成が可能である事が分かった。

本発明のアンテナ製造法の第１の例 本発明のアンテナ製造法の第２の例 本発明のアンテナ製造法の第３の例

符号の説明

１１ シロキサン構造を有するポリイミド樹脂を含有する層
１２ 絶縁層（プレプリグ）
１３ 回路
１４ 回路基板
１５ フォトレジスト
１６ ビアホール
１７ 無電解メッキ層
１８ 電解メッキ層
２１ シロキサン構造を有するポリイミド樹脂を含有する層
２２ 絶縁基板
２３ フォトレジスト
２４ ビアホール
２５ 無電解メッキ層
２６ 電解メッキ層
３１ 絶縁層
３２ ビアホール
３３ ドライフィルムレジスト
３４ シロキサン構造を有するポリイミド樹脂を含有する層
３５ 無電解メッキ層
３６ 電解メッキ層

Claims (8)

1. 絶縁基板と前記絶縁基板上に形成された導体線路からなるアンテナであって、前記絶縁基板の少なくとも表面に、シロキサン構造を有するポリイミド樹脂を含有した層を含み、前記導体線路が少なくとも無電解メッキプロセスを用いて作製された事を特徴とするアンテナ。
2. 前記シロキサン構造を有するポリイミド樹脂が、酸二無水物成分と、下記一般式（１）で表されるジアミンを含むジアミン成分とからなるポリイミド樹脂であることを特徴とする、請求項１に記載のアンテナ。
   

   

   （式中、ｇは１以上の整数を表す。また、Ｒ¹¹及びＲ²²は、それぞれ同一、または異なっていてよく、アルキレン基またはフェニレン基を表す。Ｒ³³、Ｒ⁴⁴、Ｒ⁵⁵、Ｒ⁶⁶は、それぞれ同一、または異なっていてよく、アルキル基、フェニル基またはフェノキシ基を表す。）
3. 前記絶縁基板上に形成された導体線路の少なくとも一つの端子が、前記導体線路が形成されている面とは異なる前記絶縁基板の面に形成された電気回路と、前記絶縁基板に形成された貫通孔を通して電気的に接続されている事を特徴とする、請求項１または２に記載のアンテナ。
4. 前記貫通孔を通して、前記端子と前記電気回路とを接続している、電気的接続線路が、少なくとも無電解めっき工程を含むプロセスで形成された事を特徴とする、請求項３に記載のアンテナ。
5. 絶縁基板と前記絶縁基板上に形成された導体線路からなるアンテナの製造方法であって、少なくとも表面にシロキサン構造を有するポリイミド樹脂を含有した層を含む前記絶縁基板の表面をアルカリによって表面処理するプロセスと、無電解メッキプロセスによって前記導体線路を形成するプロセスを含む事を特徴とするアンテナの製造方法。
6. 前記シロキサン構造を有するポリイミド樹脂が、酸二無水物成分と、下記一般式（１）で表されるジアミンを含むジアミン成分とからなるポリイミド樹脂であることを特徴とする、請求項５に記載のアンテナの製造方法。
   

   

   （式中、ｇは１以上の整数を表す。また、Ｒ¹¹及びＲ²²は、それぞれ同一、または異なっていてよく、アルキレン基またはフェニレン基を表す。Ｒ³³、Ｒ⁴⁴、Ｒ⁵⁵、Ｒ⁶⁶は、それぞれ同一、または異なっていてよく、アルキル基、フェニル基またはフェノキシ基を表す。）
7. 前記絶縁基板上に形成された導体線路の少なくとも一つの端子と、前記導体線路が形成されている面とは異なる前記絶縁基板の面に形成された電気回路を、前記絶縁基板に形成された貫通孔を通して電気的に接続するプロセスを含む事を特徴とする、請求項５または６に記載のアンテナの製造方法。
8. 前記電気的に接続するプロセスが、少なくとも無電解めっき工程を含むプロセスである事を特徴とする、請求項７に記載のアンテナの製造法。

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