JP2007049302A - 薄膜圧電共振器及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 薄膜圧電共振器1において、空洞2Hを有する基板2と、空洞2H上の第1の電極5と、第1の電極5上の圧電体6と、圧電体6上の第2の電極7と、を備え、第2の電極7の周縁の一部71が空洞2Hに重複配置され、この第2の電極7の周縁の一部71の端面とその底面とがなす内角θを30度以下に設定する。
【選択図】 図1
Description
[薄膜圧電共振器の構造]
図1乃至図3に示すように、本発明の第1の実施の形態に係る薄膜圧電共振器1は、空洞(キャビティ)2Hを有する基板2と、空洞2上の第1の電極(下層電極)5と、第1の電極5上の圧電体6と、圧電体6上の第2の電極7とを備え、第2の電極7の周縁の一部71が空洞2Hに重複配置され、この第2の電極7の周縁の一部71の端面とその底面とがなす内角θ(図3参照。)を30度以下に設定されている。更に、第2の電極7の周縁の一部71の端面とその底面とがなす内角θは15度以上に設定されている。すなわち、第1の実施の形態において、内角θは15度以上30度以下に設定されている。
図3に薄膜圧電共振器1の第2の電極7の周縁の一部71の拡大断面を示し、図4に第2の電極7の周縁の一部71の端面と底面とがなす内角θと***振点との関係を示す。第1の実施の形態に係る薄膜圧電共振器1においては、横モード定在波に対する第2の電極7端を固定端とする境界条件を緩和し、定在波の周波数を実効的に分散することにより、スプリアスを抑制することができる。定在波そのものを完全に無くすことはできないが、少なくともスミスチャート上におけるリプル上のスプリアスを激減することができる。
次に、前述の薄膜圧電共振器1の製造方法を、図6乃至図9を用いて説明する。まず最初に、基板2を準備する。基板2には例えばSi基板を実用的に使用することができる。
第1の実施の形態に係る薄膜圧電共振器1の具体的な実施例について、図1乃至図3を参照しつつ、説明する。
本発明の第2の実施の形態は、前述の第1の実施の形態に係る薄膜圧電共振器1のスプリアス抑制効果を更に向上するとともに、長期信頼性の確保を図った例を説明するものである。なお、第2の実施の形態並びにこれ以降の実施の形態において、前述の第1の実施の形態において説明した構成要素と同一の構成要素には同一符号を付け、その同一の構成要素の説明は重複するので省略する。
本発明の第3の実施の形態は、前述の第2の実施の形態に係る薄膜圧電共振器1において、第2の電極7の周縁の一部71の断面形状並びに第2の電極7上を覆う絶縁体9の断面形状を変えた例を説明するものである。
本発明の第4の実施の形態は、前述の第2の実施の形態に係る薄膜圧電共振器1と第3の実施の形態に係る薄膜圧電共振器1とを組み合わせた例を説明するものである。すなわち、第4の実施の形態に係る薄膜圧電共振器1は、図13に示すように、空洞2Hを有する基板2と、空洞2H上の第1の電極5と、第1の電極5上の圧電体6と、圧電体6上に配設され、周縁の一部71が空洞2Hに重複配置され、この周縁の一部71の端面とその底面とがなす内角θを30度以下に設定した第2の電極7と、第2の電極7上及び第2の電極7が配設された領域以外の圧電体6上に配設され、圧電体6上の膜厚、第2の電極7の周縁上の圧電体6表面からの膜厚、第2の電極7上の圧電体6表面からの膜厚が順次厚く設定された絶縁体9とを備えている。
なお、本発明は前述の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、変更可能である。例えば、前述の実施の形態は、2GHzの周波数帯域において使用される薄膜圧電共振器1について説明したが、本発明は、この周波数帯域に限定されるものではなく、800MHz〜5GHzまでの間の周波数帯域を使用する薄膜圧電共振器に適用することができる。
2 基板
2H 空洞
5 第1の電極
6 圧電体
7 第2の電極
71 一部(第2の電極7)
9 絶縁体
9A 第1の絶縁体
9B 第2の絶縁体
Claims (17)
- 空洞を有する基板と、
前記空洞上の第1の電極と、
前記第1の電極上の圧電体と、
前記圧電体上の第2の電極と、を備え、
前記第2の電極の周縁の一部が前記空洞に重複配置され、この第2の電極の周縁の一部の端面とその底面とがなす内角を30度以下に設定したことを特徴とする薄膜圧電共振器。 - 前記第2の電極の周縁の一部の端面とその底面とがなす内角が15度以上に設定されることを特徴とする請求項1に記載の薄膜圧電共振器。
- 前記空洞は前記基板の表面からその裏面に貫通する貫通穴であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の薄膜圧電共振器。
- 前記空洞は前記基板の表面からその深さ方向に向かって掘り下げられた止め穴であり、この空洞内には音響反射層が埋設されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の薄膜圧電共振器。
- 前記第2の電極の周縁の一部の端面上を含む前記第2の電極上、及び前記第2の電極が配設された領域以外の前記圧電体上に、前記第2の電極と異なる誘電率を有する絶縁体を更に備えたことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の薄膜圧電共振器。
- 前記絶縁体は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜又はアルミニウム窒化膜であることを特徴とする請求項5に記載の薄膜圧電共振器。
- 空洞を有する基板と、
前記空洞上の第1の電極と、
前記第1の電極上の圧電体と、
前記圧電体上に配設され、周縁の一部が前記空洞に重複配置される第2の電極と、
前記第2の電極上及び前記第2の電極が配設された領域以外の前記圧電体上に配設され、前記第2の電極の周縁上の膜厚に比べて中央部上の膜厚が薄い絶縁体と、
を備えたことを特徴とする薄膜圧電共振器。 - 前記絶縁体は、前記第2の電極の前記周縁から前記中央部に向かう1μm〜10μmの範囲内において厚い膜厚を有し、それ以外の領域において薄い膜厚を有していることを特徴とする請求項7に記載の薄膜圧電共振器。
- 前記絶縁体は、前記第2の電極の前記周縁から前記中央部に向かう2μm〜5μmの範囲内において厚い膜厚を有し、それ以外の領域において薄い膜厚を有していることを特徴とする請求項7に記載の薄膜圧電共振器。
- 前記絶縁体は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜又はアルミニウム窒化膜であることを特徴とする請求項7乃至請求項9のいずれかに記載の薄膜圧電共振器。
- 前記空洞内には音響反射層が埋設されていることを特徴とする請求項1乃至請求項10のいずれかに記載の薄膜圧電共振器。
- 空洞を有する基板と、
前記空洞上の第1の電極と、
前記第1の電極上の圧電体と、
前記圧電体上に配設され、周縁の一部が前記空洞に重複配置され、この周縁の一部の端面とその底面とがなす内角を30度以下に設定した第2の電極と、
前記第2の電極上及び前記第2の電極が配設された領域以外の前記圧電体上に配設され、前記第2の電極の周縁上の膜厚に比べて中央部上の膜厚が薄い絶縁体と、
を備えたことを特徴とする薄膜圧電共振器。 - 前記第2の電極の周縁の一部の端面とその底面とがなす内角が15度以上に設定されることを特徴とする請求項11に記載の薄膜圧電共振器。
- 空洞を有する基板と、
前記空洞上の第1の電極と、
前記第1の電極上の圧電体と、
前記圧電体上に配設され、周縁の一部が前記空洞に重複配置された第2の電極と、
前記第2の電極上及び前記第2の電極が配設された領域以外の前記圧電体上に配設され、前記圧電体上の膜厚、前記第2の電極の周縁上の前記圧電体表面からの膜厚、前記第2の電極上の前記圧電体表面からの膜厚が順次厚く設定された絶縁体と、
を備えたことを特徴とする薄膜圧電共振器。 - 基板に空洞を形成する工程と、
前記空洞上に第1の電極を形成する工程と、
前記第1の電極上に圧電体を形成する工程と、
前記圧電体上に電極形成層を形成する工程と、
前記電極形成層上に周縁の一部が前記空洞に重複配置されるレジスト層を形成する工程と、
底面とのなす内角が鋭角になる範囲内において前記レジスト層の端面を加工したマスクを形成する工程と、
前記マスクを使用し前記電極形成層をパターンニングすることにより第2の電極を形成するとともに、前記マスクの加工された端面の形状を前記第2の電極の端面に転写し、この第2の電極の端面を底面とのなす内角が鋭角になる範囲内において加工する工程と、
を備えたことを特徴とする薄膜圧電共振器の製造方法。 - 前記マスクを形成する工程は、前記レジスト層にベーキング処理を行い端面を加工したマスクを形成する工程であることを特徴とする請求項15に記載の薄膜圧電共振器の製造方法。
- 前記第2の電極を形成するとともに、前記第2の電極の端面を加工する工程は、前記マスクを使用して前記電極形成層にドライエッチングを行い、前記第2の電極を形成すると同時に、前記第2の電極の端面を加工する工程であることを特徴とする請求項15に記載の薄膜圧電共振器の製造方法。
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